Результат пошуку "4n60" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SPU04N60C3 TO-251-3 Код товару: 161246
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
|
|
||||||||||||||||
|
SPW24N60C3 Код товару: 37627
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
Infineon |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: PG-TO247 Uds,V: 650 V Idd,A: 24,3 A Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104 Монтаж: THT |
у наявності: 11 шт
9 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ |
|
||||||||||||||
|
SSS4N60B Код товару: 27298
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
FS |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220F Uds,V: 600 V Idd,A: 2,3 A Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 710/22 Примітка: Ізольований корпус Монтаж: THT |
у наявності: 20 шт
18 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
|
Транзистор польовий N-канал AOT4N60 Код товару: 220001
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
очікується:
23 шт
23 шт - очікується
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 4N60 | to-220/f | AAT |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 4N60 AAT | TO-220/F 08+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
15C24-N60 | Advanced Energy / Ultravolt |
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -15kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
25C24-N60-I5-AD-DA | Advanced Energy / Ultravolt |
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -25kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Arc detection, Male DA-15 type connector |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2C24-N60 | Advanced Energy / Ultravolt |
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2C24-N60-I5 | Advanced Energy / Ultravolt |
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
30C24-N60-I5-DA | Advanced Energy / Ultravolt |
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -30kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Male DA-15 type connector |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
4C24-N60 | Advanced Energy / Ultravolt |
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -4000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U | ABRACON |
Crystals MHz Crystal 1008 4-SMD 60MHz +/-10ppm -30C - 85C |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AOD4N60 | ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AOT4N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.7A; 104W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.7A Power dissipation: 104W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 918 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AOT4N60 | ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 33 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AOTF4N60 | ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FCD4N60TM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Power dissipation: 50W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2462 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FCD4N60TM | onsemi |
MOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET |
на замовлення 4118 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FCH104N60F | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 357W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FCH104N60F | onsemi |
MOSFETs N-Channel SuperFET |
на замовлення 1640 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FCP104N60 | onsemi |
MOSFETs SuperFET2 600V Fast ver |
на замовлення 791 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FCP104N60F | onsemi |
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO |
на замовлення 809 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQA24N60 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14.9A Power dissipation: 310W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Gate charge: 145nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: QFET® |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQA24N60 | onsemi |
MOSFETs 600V N-Channel QFET |
на замовлення 335 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQA24N60 | ON-Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IKD04N60R | Infineon |
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C; IKD04N60R TIKD04n60rкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IKD04N60RATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 75W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 27nC Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 600V Technology: TRENCHSTOP™ RC Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 22ns Turn-off time: 317ns Collector current: 4A Pulsed collector current: 12A Gate-emitter voltage: ±20V |
на замовлення 2449 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IKD04N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies |
IGBTs 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package |
на замовлення 13026 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IKD04N60RFATMA1 | Infineon Technologies |
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A |
на замовлення 2197 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IKP04N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 42W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Technology: TRENCHSTOP™ Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 21ns Turn-off time: 207ns Collector current: 4A Pulsed collector current: 12A Gate-emitter voltage: ±20V |
на замовлення 278 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXFA14N60P | IXYS |
MOSFETs 600V 14A |
на замовлення 301 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXFA24N60X | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 400W Case: TO263 On-state resistance: 0.175Ω Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 140ns |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXFH14N60P | IXYS |
MOSFETs 600V 14A |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXFH34N60X2A | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 34A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 540W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Technology: HiPerFET™; X2-Class Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 164ns |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXFK64N60P | IXYS |
MOSFETs 600V 64A |
на замовлення 370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXFK64N60P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 64A Power dissipation: 1.13kW Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 145nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Polar3™ Reverse recovery time: 250ns |
на замовлення 287 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXFK64N60P3 | IXYS |
MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET |
на замовлення 1629 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXFK64N60Q3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 64A Power dissipation: 1.25kW Case: TO264 On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXFN64N60P | IXYS |
MOSFET Modules 600V 64A |
на замовлення 892 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXFP14N60P | IXYS |
MOSFETs 600V 14A |
на замовлення 182 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXFX64N60P | IXYS |
MOSFETs MOSFET |
на замовлення 1148 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXFX64N60P3 | IXYS |
MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET |
на замовлення 267 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTP14N60P | IXYS |
MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds |
на замовлення 299 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTP14N60X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 180W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Gate charge: 16.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTQ14N60P | IXYS |
MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTY14N60X2 | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 180W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Gate charge: 16.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 342 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJMH074N60FRC | Panjit |
MOSFETs 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss |
на замовлення 1470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJMH074N60FRC_T0_00601 | Panjit |
MOSFETs 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET |
на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SiHA14N60E-E3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK |
на замовлення 437 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SIHD14N60E-BE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs N-CHANNEL 600V |
на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SiHD14N60E-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 147W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 309mΩ Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 361 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SiHD14N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) |
на замовлення 11342 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SIHD1K4N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) |
на замовлення 2311 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SIHH14N60E-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 |
на замовлення 3984 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SiHH14N60EF-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 |
на замовлення 2996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SIHP14N60E-BE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO220 600V 13A N-CH MOSFET |
на замовлення 1367 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SIHP14N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB |
на замовлення 614 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SPD04N60C3ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_LEGACY |
на замовлення 2836 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SPP24N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.4A; 240W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15.4A Power dissipation: 240W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ |
на замовлення 49 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| SPU04N60C3 TO-251-3 Код товару: 161246
Додати до обраних
Обраний товар
|
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 60.00 грн |
| SPW24N60C3 Код товару: 37627
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: PG-TO247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 24,3 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: PG-TO247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 24,3 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
Монтаж: THT
у наявності: 11 шт
9 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 285.00 грн |
| 10+ | 269.00 грн |
| SSS4N60B Код товару: 27298
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: FS
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Uds,V: 600 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Uds,V: 600 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 20 шт
18 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 22.00 грн |
| 10+ | 18.25 грн |
| Транзистор польовий N-канал AOT4N60 Код товару: 220001
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
очікується:
23 шт
23 шт - очікується
| 4N60 |
Виробник: to-220/f
AAT
AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 4N60 AAT |
TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 15C24-N60 |
![]() |
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -15kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -15kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 116588.13 грн |
| 5+ | 101164.17 грн |
| 25C24-N60-I5-AD-DA |
![]() |
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -25kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Arc detection, Male DA-15 type connector
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -25kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Arc detection, Male DA-15 type connector
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 113950.85 грн |
| 2C24-N60 |
![]() |
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 94743.59 грн |
| 5+ | 84426.35 грн |
| 10+ | 72730.79 грн |
| 2C24-N60-I5 |
![]() |
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 100757.19 грн |
| 5+ | 89785.14 грн |
| 10+ | 77351.05 грн |
| 30C24-N60-I5-DA |
![]() |
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -30kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Male DA-15 type connector
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -30kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Male DA-15 type connector
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 151440.96 грн |
| 5+ | 137093.39 грн |
| 4C24-N60 |
![]() |
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -4000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -4000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 90669.49 грн |
| ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U |
![]() |
Виробник: ABRACON
Crystals MHz Crystal 1008 4-SMD 60MHz +/-10ppm -30C - 85C
Crystals MHz Crystal 1008 4-SMD 60MHz +/-10ppm -30C - 85C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 131.94 грн |
| 10+ | 113.30 грн |
| 25+ | 89.50 грн |
| 100+ | 86.04 грн |
| 250+ | 81.18 грн |
| 500+ | 77.71 грн |
| 1000+ | 76.32 грн |
| AOD4N60 |
![]() |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 52.28 грн |
| AOT4N60 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.7A; 104W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 104W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.7A; 104W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 104W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 918 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 92.64 грн |
| 10+ | 49.19 грн |
| 100+ | 43.18 грн |
| 250+ | 39.34 грн |
| 500+ | 37.17 грн |
| AOT4N60 |
![]() |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 23.47 грн |
| AOTF4N60 |
![]() |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 33.07 грн |
| FCD4N60TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 149.30 грн |
| 5+ | 110.24 грн |
| 10+ | 96.88 грн |
| 50+ | 70.99 грн |
| 100+ | 63.47 грн |
| 250+ | 60.97 грн |
| FCD4N60TM |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET
MOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET
на замовлення 4118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 181.32 грн |
| 10+ | 114.90 грн |
| 100+ | 68.62 грн |
| 500+ | 54.81 грн |
| 1000+ | 50.51 грн |
| 2500+ | 47.11 грн |
| FCH104N60F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 451.51 грн |
| 3+ | 382.51 грн |
| FCH104N60F |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel SuperFET
MOSFETs N-Channel SuperFET
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 582.82 грн |
| 10+ | 335.12 грн |
| 120+ | 248.39 грн |
| FCP104N60 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs SuperFET2 600V Fast ver
MOSFETs SuperFET2 600V Fast ver
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 446.02 грн |
| 10+ | 252.14 грн |
| 100+ | 200.52 грн |
| 500+ | 190.81 грн |
| FCP104N60F |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 497.83 грн |
| 10+ | 263.31 грн |
| 100+ | 206.76 грн |
| 500+ | 201.91 грн |
| FQA24N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 498.28 грн |
| FQA24N60 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V N-Channel QFET
MOSFETs 600V N-Channel QFET
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 614.39 грн |
| 10+ | 372.63 грн |
| FQA24N60 |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
кількість в упаковці: 2 шт
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 256.48 грн |
| IKD04N60R |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C; IKD04N60R TIKD04n60r
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C; IKD04N60R TIKD04n60r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 45.45 грн |
| IKD04N60RATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 81.85 грн |
| 10+ | 55.96 грн |
| 50+ | 39.42 грн |
| 100+ | 34.24 грн |
| 200+ | 33.07 грн |
| IKD04N60RC2ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
IGBTs 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 13026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 92.28 грн |
| 10+ | 53.78 грн |
| 100+ | 31.71 грн |
| 500+ | 25.39 грн |
| 1000+ | 22.41 грн |
| 2500+ | 20.47 грн |
| 5000+ | 19.84 грн |
| IKD04N60RFATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 2197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 106.85 грн |
| 10+ | 60.80 грн |
| 100+ | 36.43 грн |
| 500+ | 29.63 грн |
| 1000+ | 26.23 грн |
| 2500+ | 24.42 грн |
| 5000+ | 23.04 грн |
| IKP04N60TXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 278 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 109.73 грн |
| 8+ | 57.21 грн |
| 10+ | 49.19 грн |
| 20+ | 46.60 грн |
| 50+ | 43.18 грн |
| 100+ | 40.67 грн |
| 250+ | 37.33 грн |
| IXFA14N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 14A
MOSFETs 600V 14A
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 508.35 грн |
| 10+ | 335.12 грн |
| 100+ | 233.82 грн |
| 500+ | 199.13 грн |
| 1000+ | 194.97 грн |
| IXFA24N60X |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 411.03 грн |
| 3+ | 343.26 грн |
| 10+ | 303.17 грн |
| IXFH14N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 14A
MOSFETs 600V 14A
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 559.35 грн |
| 10+ | 388.58 грн |
| 120+ | 272.68 грн |
| 510+ | 232.44 грн |
| 1020+ | 226.19 грн |
| IXFH34N60X2A |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 530.66 грн |
| IXFK64N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 64A
MOSFETs 600V 64A
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1777.61 грн |
| 10+ | 1531.99 грн |
| 100+ | 1129.57 грн |
| IXFK64N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 287 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1116.18 грн |
| 5+ | 907.00 грн |
| 10+ | 816.80 грн |
| 25+ | 751.66 грн |
| IXFK64N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1588.19 грн |
| 10+ | 1007.76 грн |
| 100+ | 875.62 грн |
| 500+ | 831.91 грн |
| 1000+ | 790.28 грн |
| IXFK64N60Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1024.44 грн |
| IXFN64N60P | ![]() |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 600V 64A
MOSFET Modules 600V 64A
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2882.55 грн |
| 10+ | 2357.03 грн |
| 100+ | 1837.28 грн |
| IXFP14N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 14A
MOSFETs 600V 14A
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 491.35 грн |
| 10+ | 324.75 грн |
| 100+ | 226.88 грн |
| 500+ | 192.19 грн |
| 1000+ | 180.40 грн |
| IXFX64N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs MOSFET
MOSFETs MOSFET
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2058.50 грн |
| 10+ | 1550.34 грн |
| 120+ | 1095.57 грн |
| IXFX64N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1406.06 грн |
| 10+ | 845.79 грн |
| 120+ | 673.02 грн |
| IXTP14N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 521.30 грн |
| 10+ | 288.05 грн |
| 100+ | 192.19 грн |
| 500+ | 181.09 грн |
| 1000+ | 178.32 грн |
| IXTP14N60X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 416.43 грн |
| IXTQ14N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 519.68 грн |
| 10+ | 343.10 грн |
| 120+ | 239.37 грн |
| 510+ | 202.60 грн |
| 1020+ | 199.13 грн |
| IXTY14N60X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 342 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 346.28 грн |
| 10+ | 248.05 грн |
| 25+ | 217.98 грн |
| 70+ | 213.80 грн |
| PJMH074N60FRC |
![]() |
Виробник: Panjit
MOSFETs 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss
MOSFETs 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 703.44 грн |
| 10+ | 473.16 грн |
| 120+ | 338.59 грн |
| 510+ | 301.82 грн |
| 1020+ | 289.33 грн |
| 2520+ | 282.39 грн |
| PJMH074N60FRC_T0_00601 |
![]() |
Виробник: Panjit
MOSFETs 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET
MOSFETs 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 339.17 грн |
| 10+ | 324.75 грн |
| SiHA14N60E-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 235.56 грн |
| 10+ | 150.81 грн |
| 100+ | 91.59 грн |
| 500+ | 72.16 грн |
| SIHD14N60E-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 600V
MOSFETs N-CHANNEL 600V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 226.65 грн |
| 10+ | 125.27 грн |
| 100+ | 84.65 грн |
| 500+ | 71.47 грн |
| 1000+ | 63.83 грн |
| SiHD14N60E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 147W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 309mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 147W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 309mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 361 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 184.38 грн |
| 5+ | 132.79 грн |
| 10+ | 116.92 грн |
| 75+ | 104.40 грн |
| SiHD14N60E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 11342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 225.84 грн |
| 10+ | 104.53 грн |
| 100+ | 82.57 грн |
| 500+ | 70.08 грн |
| 1000+ | 68.00 грн |
| 3000+ | 65.64 грн |
| SIHD1K4N60E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 2311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 135.99 грн |
| 10+ | 83.78 грн |
| 100+ | 47.87 грн |
| 500+ | 38.02 грн |
| 1000+ | 33.79 грн |
| 3000+ | 30.46 грн |
| 6000+ | 28.93 грн |
| SIHH14N60E-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 3984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 344.84 грн |
| 10+ | 225.01 грн |
| 100+ | 138.77 грн |
| 500+ | 120.73 грн |
| 3000+ | 113.79 грн |
| SiHH14N60EF-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 416.07 грн |
| 10+ | 273.68 грн |
| 100+ | 171.38 грн |
| 500+ | 155.42 грн |
| 1000+ | 150.56 грн |
| SIHP14N60E-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 600V 13A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 600V 13A N-CH MOSFET
на замовлення 1367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 230.70 грн |
| 10+ | 113.30 грн |
| 100+ | 88.81 грн |
| 500+ | 72.16 грн |
| 1000+ | 66.82 грн |
| 2000+ | 65.64 грн |
| SIHP14N60E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 235.56 грн |
| 10+ | 150.01 грн |
| 100+ | 90.89 грн |
| 500+ | 74.93 грн |
| 1000+ | 72.16 грн |
| SPD04N60C3ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 2836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 164.32 грн |
| 10+ | 104.53 грн |
| 100+ | 62.03 грн |
| 500+ | 49.40 грн |
| 1000+ | 48.64 грн |
| 2500+ | 45.10 грн |
| SPP24N60C3 | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.4A; 240W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 240W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.4A; 240W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 240W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 307.60 грн |
| 5+ | 257.23 грн |
| 25+ | 227.17 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]




























