Результат пошуку "50N06" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 11
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 14
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQP50N06 Код товару: 31258
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
Fairchild |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 60 V Idd,A: 50 A Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31 Монтаж: THT |
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
|
|
||||||||||||||
|
FQP50N06C Код товару: 205802
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
JSMSemi |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 60 V Idd,A: 50 A Монтаж: THT |
у наявності: 170 шт
126 шт - склад
44 шт - РАДІОМАГ-Київ |
|
||||||||||||||
|
JSM50N06C Код товару: 219858
Додати до обраних
Обраний товар
|
JSMSemi |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 60 V Idd,A: 110 A Rds(on), Ohm: 0,005 Ohm Монтаж: THT |
у наявності: 50 шт
50 шт - склад
|
|
||||||||||||||
| 382LX102M450N062 | Knowles Corporation |
Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; 1mF; ±20% Capacitance: 1mF Tolerance: ±20% Type of capacitor: electrolytic |
на замовлення 2021 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 383LX122M350N062 | Knowles Corporation |
Category: Capacitors - UnclassifiedDescription: 383LX122M350N062 |
на замовлення 95 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
D2450N06T | Infineon Technologies |
Rectifiers Rectifier Diode 2450A 600V |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DI050N06D1 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 65V Drain current: 30A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252AA Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1309 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DIT050N06 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 35A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 85W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: max. 1.2mm |
на замовлення 510 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DIT050N06 | Diotec Semiconductor |
MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 60V, 50A, 175C, N |
на замовлення 757 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DIT050N06 | DIOTEC |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube ODPOWIEDNIK: DIT050N06-DIO; DIT050N06 TDIT050n06кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQP50N06 | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FQP50N06 Onsemi; FQP50N06 JSMICRO TFQP50n06 JSMкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 78 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQP50N06L | ON-Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 52,4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP50N06L TFQP50n06lкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
HYG350N06LA1D | HUAYI |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 26A; 44mOhm; 42,8W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRLR024; IRLR024TRL; IRLR024TR; IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; HYG350N06LA1D HUAYI THYG350n06la1dкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 175 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD350N06L G | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 29A DPAK-2 |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD50N06S214ATMA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_)40V 60V) |
на замовлення 394 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD50N06S2L13ATMA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_)40V 60V) |
на замовлення 29732 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD50N06S409ATMA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET |
на замовлення 3996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD50N06S4L08ATMA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET |
на замовлення 9367 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD50N06S4L12ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ T2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Power dissipation: 50W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1560 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD50N06S4L12ATMA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET |
на замовлення 2414 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
LGE50N06D | LGE |
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 136W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: NDT70N06; LGE50N06D; SUD50N06-09L-E3; LGE50N06D TO252 LGE TLGE50N06D кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MOT50N06D | MOT- |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 75W; -55°C ~ 150°C; Similar to: IRLR2905ZTR; IRLR3636TR; YJD50N06A; AOD442; MOT50N06D TO252 MOT TMOT50N06D MOTкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RFP50N06 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 131W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 297 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RFP50N06 | onsemi |
MOSFETs TO-220AB N-CH POWER |
на замовлення 924 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| RFP50N06 | ON-Semiconductor |
N-MOSFET 50A 60V 0.022Ω RFP50N06 TRFP50N06кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SQD50N06-09L_GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 32084 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP50N06 | ST MICROELECTRONICS | -n 60V 0.028 50.0A 125W TO-220 |
на замовлення 1169 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
TSM850N06CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.3A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 85mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.5nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 90 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TSM850N06CX RFG | Taiwan Semiconductor |
MOSFETs 60V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 5140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| TSM850N06CX RPG | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 3A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; TSM850N06CX RFG TSM850N06CX TTSM850n06cx кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMK50N06TS | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 69.4W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 69.4W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 377 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMO50N06TS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 69.4W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 69.4W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 115 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
YFW50N06AD | YFW |
Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 22mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLR2705; IRLR2705TR; IRLR2705TRL; IRLR2705-GURT; IRLR2705; YFW50N06AD; MOT30N06D; DH300N08D; IRLR2705TR YFW TIRLR2705 YFWкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
YFW50N06AD | YFW |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 22mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Similar to: NTD5867NLT4G; CJJU20N06A; SUD50N06-09L-E3; YFW50N06AD TO252 YFW TYFW50N06AD YFWкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| Транзистор польовий FQP50N06 52.4A 60V N-ch TO-220 |
на замовлення 12 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| Транзистор польовий FQP50N06L 52.4A 60V N-ch TO-220 |
на замовлення 35 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| 2MBI150N-060 | module |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2MBI150N-060??? | FUJI IGBT | 150A600V2U |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2MBI150N060 | FUJI |
MODULE |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2MBI50N-060 | module |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2MBR50N-060 | FUJI | MODULE |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 6MBI50N-060 | FUJI | MODULE |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 7MBI50N-060 | FUJI | MODULE |
на замовлення 65 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| CEP50N06 |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| D50N06EL | TO-252 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DD350N06K | EUPEC | 05+ |
на замовлення 70 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| DT250N06KOF | EUPEC | 05+ |
на замовлення 70 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB50N06 | FAIRCHILD | SOT-263 |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB50N06L | fairchild | to-263/d2-pak |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQI50N06TU | ON Semiconductor |
|
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQP50N06LEPKE0003 | Fairchild |
на замовлення 77150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQP50N06_NL/FSC | FSC | 08+; |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQPF50N06 | Fairchild |
|
на замовлення 4850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPB050N06NG | infineon | 07+ to-263/d2-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPD350N06L |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IPD350N06L G | Infineon |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD350N06LG | infineon | 07+ to-252/d-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPD50N06S2-14 | INFINEON |
|
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPD50N06S4-09 | Infineon |
на замовлення 52500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD50N06S4L-08 | Infineon |
на замовлення 117500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FQP50N06 Код товару: 31258
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 44.00 грн |
| 10+ | 39.60 грн |
| 100+ | 35.80 грн |
| FQP50N06C Код товару: 205802
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
у наявності: 170 шт
126 шт - склад
44 шт - РАДІОМАГ-Київ
44 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 33.00 грн |
| 10+ | 29.50 грн |
| JSM50N06C Код товару: 219858
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: JSMSemi
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,005 Ohm
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,005 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 50 шт
50 шт - склад
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 42.00 грн |
| 10+ | 38.50 грн |
| 382LX102M450N062 |
Виробник: Knowles Corporation
Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; 1mF; ±20%
Capacitance: 1mF
Tolerance: ±20%
Type of capacitor: electrolytic
Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; 1mF; ±20%
Capacitance: 1mF
Tolerance: ±20%
Type of capacitor: electrolytic
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 1188.14 грн |
| 30+ | 953.28 грн |
| 150+ | 914.95 грн |
| 350+ | 879.12 грн |
| 950+ | 844.12 грн |
| 383LX122M350N062 |
![]() |
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 1957.19 грн |
| 30+ | 1567.41 грн |
| 60+ | 1506.58 грн |
| D2450N06T |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Rectifiers Rectifier Diode 2450A 600V
Rectifiers Rectifier Diode 2450A 600V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 17015.47 грн |
| 9+ | 14326.75 грн |
| DI050N06D1 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 69.10 грн |
| 10+ | 43.08 грн |
| 100+ | 28.08 грн |
| 500+ | 21.92 грн |
| 1000+ | 19.92 грн |
| DIT050N06 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
на замовлення 510 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 83.46 грн |
| 7+ | 59.83 грн |
| 10+ | 51.41 грн |
| 50+ | 35.83 грн |
| 100+ | 31.58 грн |
| 500+ | 24.67 грн |
| DIT050N06 |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 60V, 50A, 175C, N
MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 60V, 50A, 175C, N
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 92.07 грн |
| 10+ | 42.27 грн |
| 100+ | 33.37 грн |
| 500+ | 25.96 грн |
| 1000+ | 21.11 грн |
| 5000+ | 19.38 грн |
| DIT050N06 |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube ODPOWIEDNIK: DIT050N06-DIO; DIT050N06 TDIT050n06
кількість в упаковці: 50 шт
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube ODPOWIEDNIK: DIT050N06-DIO; DIT050N06 TDIT050n06
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 25.34 грн |
| FQP50N06 |
![]() |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FQP50N06 Onsemi; FQP50N06 JSMICRO TFQP50n06 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FQP50N06 Onsemi; FQP50N06 JSMICRO TFQP50n06 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 23.20 грн |
| FQP50N06L |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 52,4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP50N06L TFQP50n06l
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 60V 52,4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP50N06L TFQP50n06l
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 128.80 грн |
| HYG350N06LA1D |
![]() |
Виробник: HUAYI
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 26A; 44mOhm; 42,8W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRLR024; IRLR024TRL; IRLR024TR; IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; HYG350N06LA1D HUAYI THYG350n06la1d
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 26A; 44mOhm; 42,8W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRLR024; IRLR024TRL; IRLR024TR; IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; HYG350N06LA1D HUAYI THYG350n06la1d
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 13.20 грн |
| IPD350N06L G |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 29A DPAK-2
MOSFETs N-Ch 60V 29A DPAK-2
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 79.88 грн |
| 10+ | 49.68 грн |
| 100+ | 28.94 грн |
| 500+ | 22.36 грн |
| 1000+ | 20.63 грн |
| 2500+ | 18.21 грн |
| 5000+ | 16.06 грн |
| IPD50N06S214ATMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 160.72 грн |
| 10+ | 101.11 грн |
| 100+ | 60.16 грн |
| 500+ | 47.56 грн |
| 1000+ | 43.61 грн |
| 2500+ | 39.67 грн |
| IPD50N06S2L13ATMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 29732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 166.37 грн |
| 10+ | 97.13 грн |
| 100+ | 62.51 грн |
| 500+ | 49.50 грн |
| 1000+ | 45.48 грн |
| 2500+ | 41.61 грн |
| IPD50N06S409ATMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
MOSFETs MOSFET
на замовлення 3996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 124.38 грн |
| 10+ | 78.02 грн |
| 100+ | 45.34 грн |
| 500+ | 35.79 грн |
| 1000+ | 32.68 грн |
| 2500+ | 30.18 грн |
| 5000+ | 28.04 грн |
| IPD50N06S4L08ATMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
MOSFETs MOSFET
на замовлення 9367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 117.11 грн |
| 10+ | 73.96 грн |
| 100+ | 42.78 грн |
| 500+ | 33.71 грн |
| 1000+ | 30.81 грн |
| 2500+ | 28.38 грн |
| IPD50N06S4L12ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 81.66 грн |
| 9+ | 51.33 грн |
| 25+ | 46.00 грн |
| 100+ | 43.16 грн |
| IPD50N06S4L12ATMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
MOSFETs MOSFET
на замовлення 2414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 107.42 грн |
| 10+ | 67.11 грн |
| 100+ | 38.77 грн |
| 500+ | 30.39 грн |
| 1000+ | 27.62 грн |
| 2500+ | 24.64 грн |
| 5000+ | 22.91 грн |
| LGE50N06D |
Виробник: LGE
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 136W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: NDT70N06; LGE50N06D; SUD50N06-09L-E3; LGE50N06D TO252 LGE TLGE50N06D
кількість в упаковці: 100 шт
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 136W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: NDT70N06; LGE50N06D; SUD50N06-09L-E3; LGE50N06D TO252 LGE TLGE50N06D
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 6.34 грн |
| MOT50N06D |
![]() |
Виробник: MOT-
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 75W; -55°C ~ 150°C; Similar to: IRLR2905ZTR; IRLR3636TR; YJD50N06A; AOD442; MOT50N06D TO252 MOT TMOT50N06D MOT
кількість в упаковці: 100 шт
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 75W; -55°C ~ 150°C; Similar to: IRLR2905ZTR; IRLR3636TR; YJD50N06A; AOD442; MOT50N06D TO252 MOT TMOT50N06D MOT
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 7.22 грн |
| RFP50N06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 116.66 грн |
| 5+ | 102.49 грн |
| 10+ | 89.99 грн |
| 50+ | 88.33 грн |
| RFP50N06 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs TO-220AB N-CH POWER
MOSFETs TO-220AB N-CH POWER
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 211.60 грн |
| 10+ | 104.29 грн |
| 100+ | 81.00 грн |
| RFP50N06 |
![]() |
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 83.67 грн |
| SQD50N06-09L_GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
MOSFETs 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 32084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 434.51 грн |
| 10+ | 285.80 грн |
| 100+ | 179.30 грн |
| 500+ | 164.76 грн |
| 1000+ | 155.76 грн |
| STP50N06 |
Виробник: ST MICROELECTRONICS
-n 60V 0.028 50.0A 125W TO-220
-n 60V 0.028 50.0A 125W TO-220
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 64.80 грн |
| TSM850N06CX RFG |
![]() |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 42.18 грн |
| 17+ | 25.75 грн |
| TSM850N06CX RFG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFETs 60V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET
MOSFETs 60V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 5140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.25 грн |
| 12+ | 28.82 грн |
| 100+ | 16.06 грн |
| 500+ | 14.61 грн |
| 1000+ | 13.08 грн |
| 3000+ | 11.08 грн |
| 6000+ | 8.45 грн |
| TSM850N06CX RPG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 3A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; TSM850N06CX RFG TSM850N06CX TTSM850n06cx
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 3A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; TSM850N06CX RFG TSM850N06CX TTSM850n06cx
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 11.85 грн |
| WMK50N06TS |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 69.4W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 69.4W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 69.4W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 69.4W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 377 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 48.46 грн |
| 17+ | 25.42 грн |
| 50+ | 21.25 грн |
| 250+ | 19.00 грн |
| WMO50N06TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 69.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 69.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 69.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 69.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 33.20 грн |
| 26+ | 16.33 грн |
| 29+ | 14.75 грн |
| 100+ | 13.00 грн |
| YFW50N06AD |
![]() |
Виробник: YFW
Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 22mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLR2705; IRLR2705TR; IRLR2705TRL; IRLR2705-GURT; IRLR2705; YFW50N06AD; MOT30N06D; DH300N08D; IRLR2705TR YFW TIRLR2705 YFW
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 22mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLR2705; IRLR2705TR; IRLR2705TRL; IRLR2705-GURT; IRLR2705; YFW50N06AD; MOT30N06D; DH300N08D; IRLR2705TR YFW TIRLR2705 YFW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 9.14 грн |
| YFW50N06AD |
![]() |
Виробник: YFW
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 22mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Similar to: NTD5867NLT4G; CJJU20N06A; SUD50N06-09L-E3; YFW50N06AD TO252 YFW TYFW50N06AD YFW
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 22mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Similar to: NTD5867NLT4G; CJJU20N06A; SUD50N06-09L-E3; YFW50N06AD TO252 YFW TYFW50N06AD YFW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 7.85 грн |
| Транзистор польовий FQP50N06 52.4A 60V N-ch TO-220 |
на замовлення 12 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 69.06 грн |
| Транзистор польовий FQP50N06L 52.4A 60V N-ch TO-220 |
на замовлення 35 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 135.18 грн |
| 2MBI150N-060 |
Виробник: module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 2MBI150N-060??? |
Виробник: FUJI IGBT
150A600V2U
150A600V2U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 2MBI150N060 | ![]() |
Виробник: FUJI
MODULE
MODULE
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 2MBI50N-060 |
Виробник: module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 2MBR50N-060 |
Виробник: FUJI
MODULE
MODULE
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 6MBI50N-060 |
Виробник: FUJI
MODULE
MODULE
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 7MBI50N-060 |
Виробник: FUJI
MODULE
MODULE
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| DD350N06K |
Виробник: EUPEC
05+
05+
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| DT250N06KOF |
Виробник: EUPEC
05+
05+
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FQB50N06 |
Виробник: FAIRCHILD
SOT-263
SOT-263
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FQB50N06L |
Виробник: fairchild
to-263/d2-pak
to-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FQI50N06TU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FQP50N06LEPKE0003 |
Виробник: Fairchild
на замовлення 77150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FQP50N06_NL/FSC |
Виробник: FSC
08+;
08+;
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FQPF50N06 |
![]() |
Виробник: Fairchild
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IPB050N06NG |
Виробник: infineon
07+ to-263/d2-pak
07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IPD350N06L G |
Виробник: Infineon
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IPD350N06LG |
Виробник: infineon
07+ to-252/d-pak
07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IPD50N06S2-14 |
![]() |
Виробник: INFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IPD50N06S4-09 |
Виробник: Infineon
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IPD50N06S4L-08 |
Виробник: Infineon
на замовлення 117500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]











