Результат пошуку "50N06" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQP50N06 FQP50N06
Код товару: 31258
Додати до обраних Обраний товар

Fairchild fqp50n06-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31
Монтаж: THT
у наявності: 2 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+44.00 грн
10+39.60 грн
100+35.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06C FQP50N06C
Код товару: 205802
Додати до обраних Обраний товар

JSMSemi Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Монтаж: THT
у наявності: 136 шт
101 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Одеса
17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+33.00 грн
10+29.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06LE RFP50N06LE
Код товару: 189268
Додати до обраних Обраний товар

JSMICRO JSM50N06C_TO-220AB.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 63 шт
38 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+49.00 грн
10+44.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
50N06 50N06 UMW UMW%2050N06.pdf Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2928 pF @ 25 V
на замовлення 1411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.82 грн
10+49.25 грн
100+32.33 грн
500+23.51 грн
1000+21.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
23EZS0450N0625 23EZS0450N0625 Essentra Components skuAsset?mediaId=164409 Description: CBL CLIP TWIST LOCK NAT PUSH IN
Packaging: Bulk
Color: Natural
Mounting Type: Push In
Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Length: 0.562" (14.28mm)
Type: Clip, Twist Lock
Width: 0.218" (5.54mm)
Panel Hole Size: 0.187" (4.75mm)
Height: 1.184" (30.07mm)
Opening Size: 0.453" (11.50mm)
Type Attributes: Standoff
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.91 грн
13+25.37 грн
14+23.64 грн
25+20.14 грн
50+18.83 грн
100+17.66 грн
250+16.03 грн
500+15.15 грн
1000+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
383LX122M350N062 383LX122M350N062 Cornell Dubilier Knowles 381-383.pdf Description: CAP ALUM 1200UF 20% 350V SNAP TH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Radial, Can - Snap-In - 4 Lead
Size / Dimension: 1.575" Dia (40.00mm)
Polarization: Polar
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 105°C
Applications: General Purpose
ESR (Equivalent Series Resistance): 207mOhm
Lifetime @ Temp.: 3000 Hrs @ 105°C
Height - Seated (Max): 2.559" (65.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 1200 µF
Voltage - Rated: 350 V
Ripple Current @ Low Frequency: 3.2 A @ 120 Hz
Ripple Current @ High Frequency: 4.5 A @ 20 kHz
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1198.72 грн
24+790.89 грн
72+765.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
383LX222M250N062 383LX222M250N062 Cornell Dubilier Knowles 381-383.pdf Description: CAP ALUM 2200UF 20% 250V SNAP TH
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, Can - Snap-In - 4 Lead
Size / Dimension: 1.575" Dia (40.00mm)
Polarization: Polar
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Applications: General Purpose
ESR (Equivalent Series Resistance): 98mOhm
Lifetime @ Temp.: 3000 Hrs @ 105°C
Height - Seated (Max): 2.559" (65.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 2200 µF
Voltage - Rated: 250 V
Ripple Current @ Low Frequency: 3.7 A @ 120 Hz
Ripple Current @ High Frequency: 5.15 A @ 20 kHz
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1391.83 грн
24+913.02 грн
72+831.79 грн
120+752.12 грн
504+708.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
383LX681M450N062 383LX681M450N062 Cornell Dubilier - CDE 381-383.pdf Aluminium Electrolytic Capacitors - Snap In 680uF 450V 20%
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1706.73 грн
10+1121.28 грн
48+920.56 грн
96+892.57 грн
528+815.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AM50N06-15D AM50N06-15D Analog Power Inc. AM50N06-15D.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 51A TO-252 (D-Pa
Packaging: Strip
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 16A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2022 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
AM50N06-15D-CT AM50N06-15D-CT Analog Power Inc. AM50N06-15D.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 51A TO-252 (D-Pa
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252 (D-Pak)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 16A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (D-Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2022 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.46 грн
13+24.82 грн
100+22.36 грн
500+16.32 грн
1000+13.41 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
D2450N06T D2450N06T Infineon Technologies Infineon_D2450N_DS_v03_01_en_de-3360096.pdf Rectifiers Rectifier Diode 2450A 600V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+15890.97 грн
9+14198.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1 DI050N06D1 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA6A9E363F32140CE&compId=di050n06d1.pdf?ci_sign=b4612d5f733ac8ba60d6a2d629c8056ebae084c6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+55.16 грн
11+38.14 грн
48+19.70 грн
130+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1 DI050N06D1 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA6A9E363F32140CE&compId=di050n06d1.pdf?ci_sign=b4612d5f733ac8ba60d6a2d629c8056ebae084c6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.19 грн
10+47.52 грн
48+23.64 грн
130+22.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1 DI050N06D1 Diotec Semiconductor Description: MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 0, 42W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.64 грн
10+53.42 грн
100+32.05 грн
500+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1 DI050N06D1 Diotec Semiconductor MOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 150C, N
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.22 грн
10+61.85 грн
100+32.30 грн
500+31.92 грн
1000+30.94 грн
2500+27.38 грн
5000+25.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1-AQ DI050N06D1-AQ Diotec Semiconductor di050n06d1.pdf Description: MOSFET DPAK N 60V 50A 0.0085OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.46 грн
10+50.19 грн
100+32.97 грн
500+23.99 грн
1000+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DIT050N06 DIT050N06 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93AF3496006EA0C4&compId=dit050n06.pdf?ci_sign=ce593fb33bb37229999662264b9a58ab203ba25c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+47.52 грн
13+31.36 грн
41+22.85 грн
50+22.77 грн
112+21.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DIT050N06 DIT050N06 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93AF3496006EA0C4&compId=dit050n06.pdf?ci_sign=ce593fb33bb37229999662264b9a58ab203ba25c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 337 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+57.02 грн
8+39.08 грн
41+27.42 грн
50+27.33 грн
112+25.91 грн
500+25.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DIT050N06 DIT050N06 Diotec Semiconductor dit050n06.pdf MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 60V, 50A, 175C, N
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.54 грн
10+56.63 грн
100+35.02 грн
1000+29.50 грн
2500+26.93 грн
5000+24.81 грн
10000+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DIT050N06 DIT050N06 Diotec Semiconductor dit050n06.pdf Description: MOSFET TO220AB N 60V 0.014OHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 30 V
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.10 грн
50+49.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQI50N06LTU FQI50N06LTU Fairchild Semiconductor FAIRS18825-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 26.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+96.03 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
FQI50N06TU FQI50N06TU Fairchild Semiconductor fqi50n06-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 25 V
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
337+63.78 грн
Мінімальне замовлення: 337
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06 ON-Semicoductor fqp50n06-d.pdf N-MOSFET 50A 60V 120W 0.022Ω FQP50N06 TFQP50n06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+41.28 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06 ON-Semicoductor fqp50n06-d.pdf N-MOSFET 50A 60V 120W 0.022Ω FQP50N06 TFQP50n06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+41.28 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06 JSMicro Semiconductor fqp50n06-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FQP50N06 Onsemi; FQP50N06 JSMICRO TFQP50n06 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06L ON-Semicoductor fqp50n06l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52,4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP50N06L TFQP50n06l
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+52.07 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
G050N06LL G050N06LL Goford Semiconductor G050N06LL.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5A SOT-23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.73 грн
15000+5.11 грн
30000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G050N06LL G050N06LL Goford Semiconductor G050N06LL.pdf Description: N60V, 5A,RD<45M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1343 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.89 грн
6000+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G050N06LL G050N06LL Goford Semiconductor G050N06LL.pdf Description: N60V, 5A,RD<45M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1343 pF @ 30 V
на замовлення 5770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.28 грн
14+23.56 грн
100+14.97 грн
500+10.58 грн
1000+9.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
G350N06D32 G350N06D32 Goford Semiconductor G350N06D32.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 10A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
на замовлення 3067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.82 грн
10+38.14 грн
100+24.76 грн
500+17.82 грн
1000+16.07 грн
2000+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G350N06D32 Goford Semiconductor G350N06D32.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 10A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU250N06 GSFU250N06 Good-Ark Semiconductor GSFU250N06.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 64A, 60V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1051 pF @ 30 V
на замовлення 2127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.10 грн
50+25.51 грн
100+22.50 грн
500+16.14 грн
1000+14.53 грн
2000+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06L G IPD350N06L G Infineon Technologies Infineon_IPD350N06LG__DS_v01_03_en-3359999.pdf MOSFETs N-Ch 60V 29A DPAK-2
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.48 грн
10+45.84 грн
100+27.61 грн
500+22.24 грн
1000+19.97 грн
2500+18.38 грн
5000+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC2F9789B411C&compId=IPD350N06LG-DTE.pdf?ci_sign=87fae814c5bc9e76dd51c3647c62fa14ffec9864 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+89.10 грн
10+52.63 грн
35+27.18 грн
94+25.69 грн
1000+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC2F9789B411C&compId=IPD350N06LG-DTE.pdf?ci_sign=87fae814c5bc9e76dd51c3647c62fa14ffec9864 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+106.92 грн
10+65.59 грн
35+32.62 грн
94+30.82 грн
1000+29.69 грн
2500+29.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 Infineon Technologies IPD350N06L+G++Rev1.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431be39b97011c320778777982 Description: MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V
на замовлення 2368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+80.19 грн
10+48.38 грн
100+31.73 грн
500+23.06 грн
1000+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2-14 IPD50N06S2-14 UMW c089c789955e3561f990881f64147a04.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 IPD50N06S214ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351315b1a&ack=t Description: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 IPD50N06S214ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD50N06S2_14_DS_v01_01_en-1731714.pdf MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.67 грн
10+106.13 грн
100+61.80 грн
500+50.00 грн
1000+46.75 грн
2500+41.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 IPD50N06S214ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351315b1a&ack=t Description: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.74 грн
10+95.03 грн
100+63.92 грн
500+48.31 грн
1000+46.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2 IPD50N06S2L13ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433e8e55e1a Description: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.64 грн
10+66.97 грн
100+55.68 грн
500+48.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2 IPD50N06S2L13ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD50N06S2L_13_DS_v01_00_en-1731785.pdf MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 30005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+109.43 грн
10+74.55 грн
100+53.86 грн
500+47.58 грн
1000+44.40 грн
2500+43.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2 IPD50N06S2L13ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433e8e55e1a Description: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD50N06S4_09_DS_v01_02_en-1227078.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.43 грн
10+65.07 грн
25+53.55 грн
100+43.27 грн
250+42.28 грн
500+37.59 грн
1000+33.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 Infineon Technologies INFNS13307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.73 грн
10+58.54 грн
100+44.70 грн
500+36.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA1 IPD50N06S4L08ATMA1 Infineon Technologies INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
682+31.53 грн
Мінімальне замовлення: 682
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon Technologies INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.92 грн
10+63.98 грн
100+49.14 грн
500+36.71 грн
1000+33.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD50N06S4L_08_DS_v01_00_en-1731795.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 11905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.37 грн
10+71.16 грн
100+47.50 грн
250+47.43 грн
500+37.44 грн
1000+33.21 грн
2500+29.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon Technologies INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA46AFD6105A143&compId=IPD50N06S4L12.pdf?ci_sign=c6c9560e346518f86140ea30fd599c19ca15cdc8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2023 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+77.22 грн
9+48.54 грн
21+44.83 грн
25+43.49 грн
57+42.39 грн
100+40.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA46AFD6105A143&compId=IPD50N06S4L12.pdf?ci_sign=c6c9560e346518f86140ea30fd599c19ca15cdc8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2023 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+92.66 грн
5+60.48 грн
21+53.80 грн
25+52.19 грн
57+50.87 грн
100+48.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50N06S4L_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203885cc580ca0 Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.51 грн
5000+24.05 грн
7500+23.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50N06S4L_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203885cc580ca0 Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.01 грн
10+49.48 грн
100+38.29 грн
500+30.58 грн
1000+26.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD50N06S4L_12_DS_v01_00_en-1226991.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 4704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.28 грн
10+51.67 грн
25+44.63 грн
100+35.55 грн
250+35.25 грн
500+29.80 грн
1000+25.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MCACD50N06YHE3-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS MCACD50N06YHE3(PDFN5060-8D).pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2
Type of transistor: N-MOSFET x2
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+71.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
MCB150N06KY-TP MCB150N06KY-TP MCC (Micro Commercial Components) MCB150N06KY(D2-PAK).PDF Description: N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 30 V
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.10 грн
10+102.75 грн
100+69.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MCTL150N06YHE3-TP MCTL150N06YHE3-TP MCC (Micro Commercial Components) MCTL150N06YHE3(TOLL-8L).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET,TOLL-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Power Dissipation (Max): 158W (Tj)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+210.69 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MCTL150N06YHE3-TP MCTL150N06YHE3-TP MCC (Micro Commercial Components) MCTL150N06YHE3(TOLL-8L).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET,TOLL-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Power Dissipation (Max): 158W (Tj)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+342.84 грн
10+290.04 грн
100+250.89 грн
500+219.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCTL150N06YHE3-TP MCTL150N06YHE3-TP Micro Commercial Components (MCC) MCTL150N06YHE3_TOLL_8_-3462174.pdf MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,TOLL-8L
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+372.41 грн
10+327.95 грн
25+271.55 грн
100+252.64 грн
250+245.84 грн
500+241.30 грн
2000+204.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MDD50N06D MDD50N06D MDD MDD50N06D000SD.pdf?rlkey=vmp20l8iwnfbm2jjkvcnzvr1s&st=vb0gwgud&dl=0 Description: MOSFET N 60V 50A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1889 pF @ 30 V
на замовлення 97500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06
Код товару: 31258
Додати до обраних Обраний товар

fqp50n06-d.pdf
FQP50N06
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31
Монтаж: THT
у наявності: 2 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+44.00 грн
10+39.60 грн
100+35.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06C
Код товару: 205802
Додати до обраних Обраний товар

FQP50N06C
Виробник: JSMSemi
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Монтаж: THT
у наявності: 136 шт
101 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Одеса
17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+33.00 грн
10+29.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06LE
Код товару: 189268
Додати до обраних Обраний товар

JSM50N06C_TO-220AB.pdf
RFP50N06LE
Виробник: JSMICRO
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 63 шт
38 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+49.00 грн
10+44.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
50N06 UMW%2050N06.pdf
50N06
Виробник: UMW
Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2928 pF @ 25 V
на замовлення 1411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.82 грн
10+49.25 грн
100+32.33 грн
500+23.51 грн
1000+21.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
23EZS0450N0625 skuAsset?mediaId=164409
23EZS0450N0625
Виробник: Essentra Components
Description: CBL CLIP TWIST LOCK NAT PUSH IN
Packaging: Bulk
Color: Natural
Mounting Type: Push In
Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Length: 0.562" (14.28mm)
Type: Clip, Twist Lock
Width: 0.218" (5.54mm)
Panel Hole Size: 0.187" (4.75mm)
Height: 1.184" (30.07mm)
Opening Size: 0.453" (11.50mm)
Type Attributes: Standoff
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.91 грн
13+25.37 грн
14+23.64 грн
25+20.14 грн
50+18.83 грн
100+17.66 грн
250+16.03 грн
500+15.15 грн
1000+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
383LX122M350N062 381-383.pdf
383LX122M350N062
Виробник: Cornell Dubilier Knowles
Description: CAP ALUM 1200UF 20% 350V SNAP TH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Radial, Can - Snap-In - 4 Lead
Size / Dimension: 1.575" Dia (40.00mm)
Polarization: Polar
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 105°C
Applications: General Purpose
ESR (Equivalent Series Resistance): 207mOhm
Lifetime @ Temp.: 3000 Hrs @ 105°C
Height - Seated (Max): 2.559" (65.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 1200 µF
Voltage - Rated: 350 V
Ripple Current @ Low Frequency: 3.2 A @ 120 Hz
Ripple Current @ High Frequency: 4.5 A @ 20 kHz
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1198.72 грн
24+790.89 грн
72+765.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
383LX222M250N062 381-383.pdf
383LX222M250N062
Виробник: Cornell Dubilier Knowles
Description: CAP ALUM 2200UF 20% 250V SNAP TH
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, Can - Snap-In - 4 Lead
Size / Dimension: 1.575" Dia (40.00mm)
Polarization: Polar
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Applications: General Purpose
ESR (Equivalent Series Resistance): 98mOhm
Lifetime @ Temp.: 3000 Hrs @ 105°C
Height - Seated (Max): 2.559" (65.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 2200 µF
Voltage - Rated: 250 V
Ripple Current @ Low Frequency: 3.7 A @ 120 Hz
Ripple Current @ High Frequency: 5.15 A @ 20 kHz
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1391.83 грн
24+913.02 грн
72+831.79 грн
120+752.12 грн
504+708.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
383LX681M450N062 381-383.pdf
383LX681M450N062
Виробник: Cornell Dubilier - CDE
Aluminium Electrolytic Capacitors - Snap In 680uF 450V 20%
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1706.73 грн
10+1121.28 грн
48+920.56 грн
96+892.57 грн
528+815.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AM50N06-15D AM50N06-15D.pdf
AM50N06-15D
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 51A TO-252 (D-Pa
Packaging: Strip
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 16A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2022 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
AM50N06-15D-CT AM50N06-15D.pdf
AM50N06-15D-CT
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 51A TO-252 (D-Pa
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252 (D-Pak)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 16A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (D-Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2022 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.46 грн
13+24.82 грн
100+22.36 грн
500+16.32 грн
1000+13.41 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
D2450N06T Infineon_D2450N_DS_v03_01_en_de-3360096.pdf
D2450N06T
Виробник: Infineon Technologies
Rectifiers Rectifier Diode 2450A 600V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+15890.97 грн
9+14198.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA6A9E363F32140CE&compId=di050n06d1.pdf?ci_sign=b4612d5f733ac8ba60d6a2d629c8056ebae084c6
DI050N06D1
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+55.16 грн
11+38.14 грн
48+19.70 грн
130+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA6A9E363F32140CE&compId=di050n06d1.pdf?ci_sign=b4612d5f733ac8ba60d6a2d629c8056ebae084c6
DI050N06D1
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.19 грн
10+47.52 грн
48+23.64 грн
130+22.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1
DI050N06D1
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 0, 42W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.64 грн
10+53.42 грн
100+32.05 грн
500+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1
DI050N06D1
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 150C, N
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.22 грн
10+61.85 грн
100+32.30 грн
500+31.92 грн
1000+30.94 грн
2500+27.38 грн
5000+25.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1-AQ di050n06d1.pdf
DI050N06D1-AQ
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET DPAK N 60V 50A 0.0085OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.46 грн
10+50.19 грн
100+32.97 грн
500+23.99 грн
1000+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DIT050N06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93AF3496006EA0C4&compId=dit050n06.pdf?ci_sign=ce593fb33bb37229999662264b9a58ab203ba25c
DIT050N06
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+47.52 грн
13+31.36 грн
41+22.85 грн
50+22.77 грн
112+21.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DIT050N06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93AF3496006EA0C4&compId=dit050n06.pdf?ci_sign=ce593fb33bb37229999662264b9a58ab203ba25c
DIT050N06
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 337 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.02 грн
8+39.08 грн
41+27.42 грн
50+27.33 грн
112+25.91 грн
500+25.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DIT050N06 dit050n06.pdf
DIT050N06
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 60V, 50A, 175C, N
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.54 грн
10+56.63 грн
100+35.02 грн
1000+29.50 грн
2500+26.93 грн
5000+24.81 грн
10000+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DIT050N06 dit050n06.pdf
DIT050N06
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET TO220AB N 60V 0.014OHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 30 V
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.10 грн
50+49.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQI50N06LTU FAIRS18825-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQI50N06LTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 26.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
224+96.03 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
FQI50N06TU fqi50n06-d.pdf
FQI50N06TU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 50A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 25 V
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
337+63.78 грн
Мінімальне замовлення: 337
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06 fqp50n06-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 50A 60V 120W 0.022Ω FQP50N06 TFQP50n06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+41.28 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06 fqp50n06-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 50A 60V 120W 0.022Ω FQP50N06 TFQP50n06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+41.28 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06 fqp50n06-d.pdf
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FQP50N06 Onsemi; FQP50N06 JSMICRO TFQP50n06 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06L fqp50n06l-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 60V 52,4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP50N06L TFQP50n06l
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+52.07 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
G050N06LL G050N06LL.pdf
G050N06LL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 5A SOT-23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.73 грн
15000+5.11 грн
30000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G050N06LL G050N06LL.pdf
G050N06LL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 5A,RD<45M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1343 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.89 грн
6000+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G050N06LL G050N06LL.pdf
G050N06LL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 5A,RD<45M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1343 pF @ 30 V
на замовлення 5770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.28 грн
14+23.56 грн
100+14.97 грн
500+10.58 грн
1000+9.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
G350N06D32 G350N06D32.pdf
G350N06D32
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 10A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
на замовлення 3067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.82 грн
10+38.14 грн
100+24.76 грн
500+17.82 грн
1000+16.07 грн
2000+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G350N06D32 G350N06D32.pdf
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 10A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU250N06 GSFU250N06.pdf
GSFU250N06
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 64A, 60V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1051 pF @ 30 V
на замовлення 2127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.10 грн
50+25.51 грн
100+22.50 грн
500+16.14 грн
1000+14.53 грн
2000+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06L G Infineon_IPD350N06LG__DS_v01_03_en-3359999.pdf
IPD350N06L G
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 29A DPAK-2
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.48 грн
10+45.84 грн
100+27.61 грн
500+22.24 грн
1000+19.97 грн
2500+18.38 грн
5000+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC2F9789B411C&compId=IPD350N06LG-DTE.pdf?ci_sign=87fae814c5bc9e76dd51c3647c62fa14ffec9864
IPD350N06LGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+89.10 грн
10+52.63 грн
35+27.18 грн
94+25.69 грн
1000+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC2F9789B411C&compId=IPD350N06LG-DTE.pdf?ci_sign=87fae814c5bc9e76dd51c3647c62fa14ffec9864
IPD350N06LGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.92 грн
10+65.59 грн
35+32.62 грн
94+30.82 грн
1000+29.69 грн
2500+29.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06L+G++Rev1.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431be39b97011c320778777982
IPD350N06LGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V
на замовлення 2368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.19 грн
10+48.38 грн
100+31.73 грн
500+23.06 грн
1000+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2-14 c089c789955e3561f990881f64147a04.pdf
IPD50N06S2-14
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351315b1a&ack=t
IPD50N06S214ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+43.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 Infineon_IPD50N06S2_14_DS_v01_01_en-1731714.pdf
IPD50N06S214ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.67 грн
10+106.13 грн
100+61.80 грн
500+50.00 грн
1000+46.75 грн
2500+41.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351315b1a&ack=t
IPD50N06S214ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.74 грн
10+95.03 грн
100+63.92 грн
500+48.31 грн
1000+46.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2 Infineon-IPD50N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433e8e55e1a
IPD50N06S2L13ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.64 грн
10+66.97 грн
100+55.68 грн
500+48.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2 Infineon_IPD50N06S2L_13_DS_v01_00_en-1731785.pdf
IPD50N06S2L13ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 30005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.43 грн
10+74.55 грн
100+53.86 грн
500+47.58 грн
1000+44.40 грн
2500+43.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2 Infineon-IPD50N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433e8e55e1a
IPD50N06S2L13ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+43.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2 Infineon_IPD50N06S4_09_DS_v01_02_en-1227078.pdf
IPD50N06S409ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.43 грн
10+65.07 грн
25+53.55 грн
100+43.27 грн
250+42.28 грн
500+37.59 грн
1000+33.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2 INFNS13307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD50N06S409ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.73 грн
10+58.54 грн
100+44.70 грн
500+36.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA1 INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD50N06S4L08ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
682+31.53 грн
Мінімальне замовлення: 682
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD50N06S4L08ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.92 грн
10+63.98 грн
100+49.14 грн
500+36.71 грн
1000+33.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon_IPD50N06S4L_08_DS_v01_00_en-1731795.pdf
IPD50N06S4L08ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
на замовлення 11905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.37 грн
10+71.16 грн
100+47.50 грн
250+47.43 грн
500+37.44 грн
1000+33.21 грн
2500+29.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD50N06S4L08ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+31.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA46AFD6105A143&compId=IPD50N06S4L12.pdf?ci_sign=c6c9560e346518f86140ea30fd599c19ca15cdc8
IPD50N06S4L12ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2023 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+77.22 грн
9+48.54 грн
21+44.83 грн
25+43.49 грн
57+42.39 грн
100+40.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA46AFD6105A143&compId=IPD50N06S4L12.pdf?ci_sign=c6c9560e346518f86140ea30fd599c19ca15cdc8
IPD50N06S4L12ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2023 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.66 грн
5+60.48 грн
21+53.80 грн
25+52.19 грн
57+50.87 грн
100+48.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 Infineon-IPD50N06S4L_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203885cc580ca0
IPD50N06S4L12ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.51 грн
5000+24.05 грн
7500+23.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 Infineon-IPD50N06S4L_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203885cc580ca0
IPD50N06S4L12ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.01 грн
10+49.48 грн
100+38.29 грн
500+30.58 грн
1000+26.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 Infineon_IPD50N06S4L_12_DS_v01_00_en-1226991.pdf
IPD50N06S4L12ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
на замовлення 4704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.28 грн
10+51.67 грн
25+44.63 грн
100+35.55 грн
250+35.25 грн
500+29.80 грн
1000+25.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MCACD50N06YHE3-TP MCACD50N06YHE3(PDFN5060-8D).pdf
Виробник: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2
Type of transistor: N-MOSFET x2
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+71.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
MCB150N06KY-TP MCB150N06KY(D2-PAK).PDF
MCB150N06KY-TP
Виробник: MCC (Micro Commercial Components)
Description: N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 30 V
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.10 грн
10+102.75 грн
100+69.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MCTL150N06YHE3-TP MCTL150N06YHE3(TOLL-8L).pdf
MCTL150N06YHE3-TP
Виробник: MCC (Micro Commercial Components)
Description: N-CHANNEL MOSFET,TOLL-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Power Dissipation (Max): 158W (Tj)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+210.69 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MCTL150N06YHE3-TP MCTL150N06YHE3(TOLL-8L).pdf
MCTL150N06YHE3-TP
Виробник: MCC (Micro Commercial Components)
Description: N-CHANNEL MOSFET,TOLL-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Power Dissipation (Max): 158W (Tj)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+342.84 грн
10+290.04 грн
100+250.89 грн
500+219.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCTL150N06YHE3-TP MCTL150N06YHE3_TOLL_8_-3462174.pdf
MCTL150N06YHE3-TP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,TOLL-8L
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+372.41 грн
10+327.95 грн
25+271.55 грн
100+252.64 грн
250+245.84 грн
500+241.30 грн
2000+204.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MDD50N06D MDD50N06D000SD.pdf?rlkey=vmp20l8iwnfbm2jjkvcnzvr1s&st=vb0gwgud&dl=0
MDD50N06D
Виробник: MDD
Description: MOSFET N 60V 50A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1889 pF @ 30 V
на замовлення 97500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+42.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]