Результат пошуку "50N06" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQP50N06 FQP50N06
Код товару: 31258
Додати до обраних Обраний товар

Fairchild fqp50n06-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31
Монтаж: THT
у наявності: 2 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+44.00 грн
10+39.60 грн
100+35.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06C FQP50N06C
Код товару: 205802
Додати до обраних Обраний товар

JSMSemi Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Монтаж: THT
у наявності: 121 шт
89 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Одеса
17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+33.00 грн
10+29.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06LE RFP50N06LE
Код товару: 189268
Додати до обраних Обраний товар

JSMICRO JSM50N06C_TO-220AB.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 56 шт
33 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+49.00 грн
10+44.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
D2450N06T D2450N06T Infineon Technologies Infineon-D2450N-DS-v03_01-en_de.pdf Rectifiers Rectifier Diode 2450A 600V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+18630.56 грн
9+15686.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1 DI050N06D1 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA6A9E363F32140CE&compId=di050n06d1.pdf?ci_sign=b4612d5f733ac8ba60d6a2d629c8056ebae084c6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+69.72 грн
10+48.24 грн
48+19.66 грн
130+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1 DI050N06D1 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA6A9E363F32140CE&compId=di050n06d1.pdf?ci_sign=b4612d5f733ac8ba60d6a2d629c8056ebae084c6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2539 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+83.67 грн
10+60.12 грн
48+23.59 грн
130+22.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1 DI050N06D1 Diotec Semiconductor di050n06d1.pdf MOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 150C, N
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.85 грн
10+59.19 грн
100+30.93 грн
500+30.55 грн
1000+29.56 грн
2500+26.23 грн
5000+24.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DIT050N06 DIT050N06 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93AF3496006EA0C4&compId=dit050n06.pdf?ci_sign=ce593fb33bb37229999662264b9a58ab203ba25c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+56.97 грн
10+40.43 грн
11+37.19 грн
41+22.82 грн
112+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DIT050N06 DIT050N06 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93AF3496006EA0C4&compId=dit050n06.pdf?ci_sign=ce593fb33bb37229999662264b9a58ab203ba25c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.36 грн
6+50.38 грн
10+44.63 грн
41+27.38 грн
112+25.87 грн
5000+25.68 грн
10000+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DIT050N06 DIT050N06 Diotec Semiconductor dit050n06.pdf MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 60V, 50A, 175C, N
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.31 грн
10+69.12 грн
100+36.08 грн
500+35.62 грн
1000+34.56 грн
2500+30.47 грн
5000+28.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DIT050N06 DIOTEC dit050n06.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube ODPOWIEDNIK: DIT050N06-DIO; DIT050N06 TDIT050n06
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.32 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06 ON-Semicoductor fqp50n06-d.pdf N-MOSFET 50A 60V 120W 0.022Ω FQP50N06 TFQP50n06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+42.02 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06 ON-Semicoductor fqp50n06-d.pdf N-MOSFET 50A 60V 120W 0.022Ω FQP50N06 TFQP50n06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+55.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06L ON-Semicoductor fqp50n06l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52,4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP50N06L TFQP50n06l
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+53.00 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06L G IPD350N06L G Infineon Technologies Infineon-IPD350N06LG_-DS-v01_03-en.pdf MOSFETs N-Ch 60V 29A DPAK-2
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.04 грн
10+46.55 грн
100+27.51 грн
500+21.75 грн
1000+19.33 грн
2500+17.13 грн
5000+15.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC2F9789B411C&compId=IPD350N06LG-DTE.pdf?ci_sign=87fae814c5bc9e76dd51c3647c62fa14ffec9864 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+89.28 грн
10+52.74 грн
35+27.16 грн
95+25.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC2F9789B411C&compId=IPD350N06LG-DTE.pdf?ci_sign=87fae814c5bc9e76dd51c3647c62fa14ffec9864 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 203 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+107.14 грн
10+65.73 грн
35+32.59 грн
95+30.79 грн
1000+29.75 грн
2500+29.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 IPD50N06S214ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.33 грн
10+103.73 грн
100+60.41 грн
500+48.66 грн
1000+45.63 грн
2500+39.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2 IPD50N06S2L13ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 29972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+114.08 грн
10+68.77 грн
100+51.47 грн
500+48.21 грн
1000+47.30 грн
2500+41.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50N06S4_09-DS-v01_02-en.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 7975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.42 грн
10+70.87 грн
100+44.80 грн
500+36.53 грн
1000+33.43 грн
2500+29.71 грн
5000+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50N06S4L_08-DS-v01_00-en.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 10315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.81 грн
10+69.47 грн
100+46.39 грн
500+36.91 грн
1000+33.65 грн
2500+28.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA46AFD6105A143&compId=IPD50N06S4L12.pdf?ci_sign=c6c9560e346518f86140ea30fd599c19ca15cdc8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+77.38 грн
9+48.64 грн
21+45.00 грн
25+43.58 грн
57+42.56 грн
100+40.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA46AFD6105A143&compId=IPD50N06S4L12.pdf?ci_sign=c6c9560e346518f86140ea30fd599c19ca15cdc8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+92.85 грн
5+60.61 грн
21+54.01 грн
25+52.30 грн
57+51.07 грн
100+49.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50N06S4L_12-DS-v01_00-en.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 4519 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.95 грн
10+52.74 грн
100+35.40 грн
500+29.56 грн
1000+24.03 грн
2500+22.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MCACD50N06YHE3-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS MCACD50N06YHE3(PDFN5060-8D).pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; 60V; 50A; PDFN5060D-8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Case: PDFN5060D-8
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+71.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
MCTL150N06YHE3-TP MCTL150N06YHE3-TP Micro Commercial Components (MCC) MCTL150N06YHE3(TOLL-8).pdf MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,TOLL-8L
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+412.97 грн
10+323.39 грн
100+238.00 грн
500+217.54 грн
1000+194.04 грн
2000+193.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06 RFP50N06 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0AB3A6FEB9F1A303005056AB0C4F&compId=RFP50N06.pdf?ci_sign=97a5effd8691ccb8bb007880ff25eb5b1a0ba7ed Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+118.43 грн
10+101.06 грн
11+92.38 грн
28+86.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06 RFP50N06 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0AB3A6FEB9F1A303005056AB0C4F&compId=RFP50N06.pdf?ci_sign=97a5effd8691ccb8bb007880ff25eb5b1a0ba7ed Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+164.28 грн
3+147.59 грн
10+121.28 грн
11+110.85 грн
28+104.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06 RFP50N06 onsemi / Fairchild RFP50N06-D.PDF MOSFETs TO-220AB N-CH POWER
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.14 грн
10+91.53 грн
100+67.76 грн
500+64.12 грн
1000+63.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06 ON-Semicoductor rfp50n06-d.pdf FAIRS45482-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-MOSFET 50A 60V 0.022Ω RFP50N06 TRFP50N06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+75.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SICW050N065H-BP SICW050N065H-BP Micro Commercial Components (MCC) SICW050N065H(TO-247AB).pdf SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247AB
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+679.15 грн
10+486.39 грн
100+352.46 грн
500+314.56 грн
1000+293.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SICW050N065H4-BP SICW050N065H4-BP Micro Commercial Components (MCC) SICW050N065H4(TO-247-4).pdf SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+687.11 грн
10+493.37 грн
100+357.01 грн
500+319.11 грн
1000+297.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N06-09L_GE3 SQD50N06-09L_GE3 Vishay Semiconductors sqd50n06-09l.pdf MOSFETs 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 39071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+312.16 грн
10+264.12 грн
100+184.19 грн
500+180.40 грн
1000+162.96 грн
2000+153.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP50N06 ST MICROELECTRONICS -n 60V 0.028 50.0A 125W TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+64.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 VISHAY sud50n06.pdf SUD50N06-09L-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 2539 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+203.05 грн
12+99.48 грн
31+93.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 Siliconix sud50n06.pdf N-MOSFET 60V 50A 9.3mΩ 136W SUD50N06-09L-E3 Vishay TSUD50N06-09L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+74.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM850N06CX_C1811.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+33.16 грн
21+19.27 грн
62+15.16 грн
169+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX RFG Taiwan Semiconductor TSM850N06CX_C1811.pdf MOSFETs 60V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 19976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.62 грн
13+26.93 грн
100+12.73 грн
500+12.43 грн
1000+11.07 грн
3000+8.19 грн
6000+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TSM850N06CX RPG Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 3A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; TSM850N06CX RFG TSM850N06CX TTSM850n06cx
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+11.10 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
WMO50N06TS WMO50N06TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 69.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 69.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+33.16 грн
25+16.03 грн
28+14.45 грн
82+11.45 грн
224+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
YFW50N06AD YFW TO-252 MOSFETs Podobny do: CJ CJU20N06AYFW; YFW50N06AD; TECH PUBLIC NTD5867NLT4G; ONSEMI NTD5867NLT4G; VBSEMI NTD5867NLT4G-VB; HXY MOSFET NTD5867NLT4G-HXY; UMW NTD5867NLT4G(UMW); NTD5867NLT4G TNTD5867nl c
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий FQP50N06L 52.4A 60V N-ch TO-220
на замовлення 58 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
5+126.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060 module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060 fuji
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060 FUJI 150A/600V/IGBT/2U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060 FUJI .
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060 FUJI A4-3
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060 FUJI 03+ A3-5
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060 FUJI MODULE
на замовлення 546 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060 FUJI 150A/600V IGBT MODULE
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060??? FUJI IGBT 150A600V2U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N060 FUJI description MODULE
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060 FUJI MODULE
на замовлення 417 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060 FUJI .
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060 module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060 FUJI 50A/600V/IGBT/2U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060 FUJI A4-3
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060 FUJI
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBR50N-060 FUJI MODULE
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
6MBI50N-060 FUJI MODULE
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06
Код товару: 31258
Додати до обраних Обраний товар

fqp50n06-d.pdf
FQP50N06
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31
Монтаж: THT
у наявності: 2 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+44.00 грн
10+39.60 грн
100+35.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06C
Код товару: 205802
Додати до обраних Обраний товар

FQP50N06C
Виробник: JSMSemi
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Монтаж: THT
у наявності: 121 шт
89 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Одеса
17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+33.00 грн
10+29.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06LE
Код товару: 189268
Додати до обраних Обраний товар

JSM50N06C_TO-220AB.pdf
RFP50N06LE
Виробник: JSMICRO
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 56 шт
33 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+49.00 грн
10+44.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
D2450N06T Infineon-D2450N-DS-v03_01-en_de.pdf
D2450N06T
Виробник: Infineon Technologies
Rectifiers Rectifier Diode 2450A 600V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+18630.56 грн
9+15686.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA6A9E363F32140CE&compId=di050n06d1.pdf?ci_sign=b4612d5f733ac8ba60d6a2d629c8056ebae084c6
DI050N06D1
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+69.72 грн
10+48.24 грн
48+19.66 грн
130+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA6A9E363F32140CE&compId=di050n06d1.pdf?ci_sign=b4612d5f733ac8ba60d6a2d629c8056ebae084c6
DI050N06D1
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2539 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.67 грн
10+60.12 грн
48+23.59 грн
130+22.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1 di050n06d1.pdf
DI050N06D1
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 150C, N
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.85 грн
10+59.19 грн
100+30.93 грн
500+30.55 грн
1000+29.56 грн
2500+26.23 грн
5000+24.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DIT050N06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93AF3496006EA0C4&compId=dit050n06.pdf?ci_sign=ce593fb33bb37229999662264b9a58ab203ba25c
DIT050N06
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+56.97 грн
10+40.43 грн
11+37.19 грн
41+22.82 грн
112+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DIT050N06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93AF3496006EA0C4&compId=dit050n06.pdf?ci_sign=ce593fb33bb37229999662264b9a58ab203ba25c
DIT050N06
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.36 грн
6+50.38 грн
10+44.63 грн
41+27.38 грн
112+25.87 грн
5000+25.68 грн
10000+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DIT050N06 dit050n06.pdf
DIT050N06
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 60V, 50A, 175C, N
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.31 грн
10+69.12 грн
100+36.08 грн
500+35.62 грн
1000+34.56 грн
2500+30.47 грн
5000+28.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DIT050N06 dit050n06.pdf
Виробник: DIOTEC
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube ODPOWIEDNIK: DIT050N06-DIO; DIT050N06 TDIT050n06
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+23.32 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06 fqp50n06-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 50A 60V 120W 0.022Ω FQP50N06 TFQP50n06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+42.02 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06 fqp50n06-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 50A 60V 120W 0.022Ω FQP50N06 TFQP50n06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+55.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06L fqp50n06l-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 60V 52,4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP50N06L TFQP50n06l
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+53.00 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06L G Infineon-IPD350N06LG_-DS-v01_03-en.pdf
IPD350N06L G
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 29A DPAK-2
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.04 грн
10+46.55 грн
100+27.51 грн
500+21.75 грн
1000+19.33 грн
2500+17.13 грн
5000+15.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC2F9789B411C&compId=IPD350N06LG-DTE.pdf?ci_sign=87fae814c5bc9e76dd51c3647c62fa14ffec9864
IPD350N06LGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+89.28 грн
10+52.74 грн
35+27.16 грн
95+25.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC2F9789B411C&compId=IPD350N06LG-DTE.pdf?ci_sign=87fae814c5bc9e76dd51c3647c62fa14ffec9864
IPD350N06LGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 203 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.14 грн
10+65.73 грн
35+32.59 грн
95+30.79 грн
1000+29.75 грн
2500+29.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf
IPD50N06S214ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.33 грн
10+103.73 грн
100+60.41 грн
500+48.66 грн
1000+45.63 грн
2500+39.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2 Infineon-IPD50N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf
IPD50N06S2L13ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 29972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+114.08 грн
10+68.77 грн
100+51.47 грн
500+48.21 грн
1000+47.30 грн
2500+41.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2 Infineon-IPD50N06S4_09-DS-v01_02-en.pdf
IPD50N06S409ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
на замовлення 7975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.42 грн
10+70.87 грн
100+44.80 грн
500+36.53 грн
1000+33.43 грн
2500+29.71 грн
5000+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon-IPD50N06S4L_08-DS-v01_00-en.pdf
IPD50N06S4L08ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
на замовлення 10315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.81 грн
10+69.47 грн
100+46.39 грн
500+36.91 грн
1000+33.65 грн
2500+28.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA46AFD6105A143&compId=IPD50N06S4L12.pdf?ci_sign=c6c9560e346518f86140ea30fd599c19ca15cdc8
IPD50N06S4L12ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+77.38 грн
9+48.64 грн
21+45.00 грн
25+43.58 грн
57+42.56 грн
100+40.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA46AFD6105A143&compId=IPD50N06S4L12.pdf?ci_sign=c6c9560e346518f86140ea30fd599c19ca15cdc8
IPD50N06S4L12ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.85 грн
5+60.61 грн
21+54.01 грн
25+52.30 грн
57+51.07 грн
100+49.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 Infineon-IPD50N06S4L_12-DS-v01_00-en.pdf
IPD50N06S4L12ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
на замовлення 4519 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.95 грн
10+52.74 грн
100+35.40 грн
500+29.56 грн
1000+24.03 грн
2500+22.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MCACD50N06YHE3-TP MCACD50N06YHE3(PDFN5060-8D).pdf
Виробник: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; 60V; 50A; PDFN5060D-8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Case: PDFN5060D-8
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+71.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
MCTL150N06YHE3-TP MCTL150N06YHE3(TOLL-8).pdf
MCTL150N06YHE3-TP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,TOLL-8L
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+412.97 грн
10+323.39 грн
100+238.00 грн
500+217.54 грн
1000+194.04 грн
2000+193.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0AB3A6FEB9F1A303005056AB0C4F&compId=RFP50N06.pdf?ci_sign=97a5effd8691ccb8bb007880ff25eb5b1a0ba7ed
RFP50N06
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+118.43 грн
10+101.06 грн
11+92.38 грн
28+86.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0AB3A6FEB9F1A303005056AB0C4F&compId=RFP50N06.pdf?ci_sign=97a5effd8691ccb8bb007880ff25eb5b1a0ba7ed
RFP50N06
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.28 грн
3+147.59 грн
10+121.28 грн
11+110.85 грн
28+104.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06 RFP50N06-D.PDF
RFP50N06
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs TO-220AB N-CH POWER
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.14 грн
10+91.53 грн
100+67.76 грн
500+64.12 грн
1000+63.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06 rfp50n06-d.pdf FAIRS45482-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 50A 60V 0.022Ω RFP50N06 TRFP50N06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+75.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SICW050N065H-BP SICW050N065H(TO-247AB).pdf
SICW050N065H-BP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247AB
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+679.15 грн
10+486.39 грн
100+352.46 грн
500+314.56 грн
1000+293.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SICW050N065H4-BP SICW050N065H4(TO-247-4).pdf
SICW050N065H4-BP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+687.11 грн
10+493.37 грн
100+357.01 грн
500+319.11 грн
1000+297.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N06-09L_GE3 sqd50n06-09l.pdf
SQD50N06-09L_GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 39071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+312.16 грн
10+264.12 грн
100+184.19 грн
500+180.40 грн
1000+162.96 грн
2000+153.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP50N06
Виробник: ST MICROELECTRONICS
-n 60V 0.028 50.0A 125W TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
4+64.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 sud50n06.pdf
Виробник: VISHAY
SUD50N06-09L-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 2539 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.05 грн
12+99.48 грн
31+93.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 sud50n06.pdf
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 60V 50A 9.3mΩ 136W SUD50N06-09L-E3 Vishay TSUD50N06-09L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+74.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX_C1811.pdf
TSM850N06CX RFG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+33.16 грн
21+19.27 грн
62+15.16 грн
169+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX_C1811.pdf
TSM850N06CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFETs 60V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 19976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+42.62 грн
13+26.93 грн
100+12.73 грн
500+12.43 грн
1000+11.07 грн
3000+8.19 грн
6000+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TSM850N06CX RPG
Виробник: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 3A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; TSM850N06CX RFG TSM850N06CX TTSM850n06cx
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+11.10 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
WMO50N06TS
WMO50N06TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 69.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 69.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+33.16 грн
25+16.03 грн
28+14.45 грн
82+11.45 грн
224+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
YFW50N06AD
Виробник: YFW
TO-252 MOSFETs Podobny do: CJ CJU20N06AYFW; YFW50N06AD; TECH PUBLIC NTD5867NLT4G; ONSEMI NTD5867NLT4G; VBSEMI NTD5867NLT4G-VB; HXY MOSFET NTD5867NLT4G-HXY; UMW NTD5867NLT4G(UMW); NTD5867NLT4G TNTD5867nl c
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий FQP50N06L 52.4A 60V N-ch TO-220
на замовлення 58 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
5+126.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060
Виробник: module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060
Виробник: fuji
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060
Виробник: FUJI
150A/600V/IGBT/2U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060
Виробник: FUJI
.
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060
Виробник: FUJI
A4-3
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060
Виробник: FUJI
03+ A3-5
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060
Виробник: FUJI
MODULE
на замовлення 546 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060
Виробник: FUJI
150A/600V IGBT MODULE
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060???
Виробник: FUJI IGBT
150A600V2U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N060 description
Виробник: FUJI
MODULE
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060
Виробник: FUJI
MODULE
на замовлення 417 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060
Виробник: FUJI
.
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060
Виробник: module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060
Виробник: FUJI
50A/600V/IGBT/2U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060
Виробник: FUJI
A4-3
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060
Виробник: FUJI
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBR50N-060
Виробник: FUJI
MODULE
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
6MBI50N-060
Виробник: FUJI
MODULE
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]