Результат пошуку "7n65" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AOTF7N65 AOTF7N65
Код товару: 153855
Додати до обраних Обраний товар

A&O aot7n65-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Uds,V: 650 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 1,56 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 887/19
Монтаж: THT
у наявності: 37 шт
26 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+40.00 грн
10+36.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
7N65F 7N65F EVVO 7N65F_P.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.10 грн
10+52.14 грн
100+34.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
7N65F 7N65F UMW f03ca9eb9afe0cac12f0c823bf0e29ed.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
Packaging: Tube
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.17 грн
10+61.07 грн
100+40.52 грн
500+29.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
7N65L 7N65L UMW f03ca9eb9afe0cac12f0c823bf0e29ed.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+80.30 грн
10+48.47 грн
100+31.77 грн
500+23.10 грн
1000+20.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AOD7N65 AOD7N65 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD7N65.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
на замовлення 6792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.39 грн
10+71.99 грн
100+48.13 грн
500+35.57 грн
1000+32.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOD7N65 AOD7N65 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD7N65.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.25 грн
5000+28.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
AOT7N65 AOT7N65 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR TO220.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.5A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+58.36 грн
21+44.96 грн
58+42.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AOT7N65 AOT7N65 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR TO220.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.5A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.48 грн
5+72.72 грн
21+53.95 грн
58+50.99 грн
1000+50.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AOT7N65 ALPHA&OMEGA TO220.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 192W; -55°C ~ 150°C; AOT7N65 TAOT7n65
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+41.84 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF7N65 ALPHA&OMEGA TO220F.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; AOTF7N65 TAOTF7n65
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+56.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF7N65 ALPHA&OMEGA TO220F.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; AOTF7N65 TAOTF7n65
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+41.84 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BXP7N65CF BXP7N65CF BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE7BE2EC8580D2&compId=BXP7N65.pdf?ci_sign=61e4d534adddd9cf1a31c189e552bd288826b846 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 46W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 46W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+49.79 грн
12+35.56 грн
25+28.70 грн
47+20.09 грн
129+18.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BXP7N65CF BXP7N65CF BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE7BE2EC8580D2&compId=BXP7N65.pdf?ci_sign=61e4d534adddd9cf1a31c189e552bd288826b846 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 46W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 46W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 820 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+59.75 грн
10+44.31 грн
25+34.44 грн
47+24.11 грн
129+22.77 грн
1000+21.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BXP7N65D BXP7N65D BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE7BE2EC8580D2&compId=BXP7N65.pdf?ci_sign=61e4d534adddd9cf1a31c189e552bd288826b846 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 145W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 145W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+56.66 грн
11+36.35 грн
25+29.34 грн
49+19.37 грн
133+18.34 грн
1000+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BXP7N65D BXP7N65D BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE7BE2EC8580D2&compId=BXP7N65.pdf?ci_sign=61e4d534adddd9cf1a31c189e552bd288826b846 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 145W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 145W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.00 грн
10+45.30 грн
25+35.20 грн
49+23.25 грн
133+22.00 грн
1000+21.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BXP7N65P BXP7N65P BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE7BE2EC8580D2&compId=BXP7N65.pdf?ci_sign=61e4d534adddd9cf1a31c189e552bd288826b846 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 167W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+53.23 грн
12+33.64 грн
25+30.05 грн
39+24.39 грн
106+23.12 грн
250+22.72 грн
500+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BXP7N65P BXP7N65P BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE7BE2EC8580D2&compId=BXP7N65.pdf?ci_sign=61e4d534adddd9cf1a31c189e552bd288826b846 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 167W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 703 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+63.87 грн
10+41.92 грн
25+36.07 грн
39+29.27 грн
106+27.74 грн
250+27.26 грн
500+26.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI5A7N65D1K-AQ DI5A7N65D1K-AQ Diotec Semiconductor di5a7n65d1k.pdf Description: MOSFET, DPAK, 650V, 5.7A, 150C,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722 pF @ 325 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.20 грн
10+106.91 грн
100+72.67 грн
500+57.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI5A7N65D1K-AQ DI5A7N65D1K-AQ Diotec Semiconductor di5a7n65d1k.pdf MOSFETs MOSFET, DPAK, 650V, 5.7A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.93 грн
10+179.54 грн
100+93.37 грн
1000+90.31 грн
2500+79.59 грн
5000+74.39 грн
10000+64.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCH067N65S3-F155 FCH067N65S3-F155 onsemi / Fairchild fch067n65s3-d.pdf MOSFETs SuperFET3 650V 67 mOhm
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+454.47 грн
10+368.77 грн
120+273.22 грн
510+254.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH067N65S3-F155 FCH067N65S3-F155 onsemi fch067n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 44A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+402.34 грн
30+318.83 грн
120+292.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH077N65F-F085 FCH077N65F-F085 onsemi / Fairchild fch077n65f_f085-d.pdf FAIR-S-A0000209824-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs 650V N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+716.98 грн
10+542.15 грн
120+410.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH077N65F-F085 FCH077N65F-F085 Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0000209824-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7162 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+445.32 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
FCH077N65F-F085 FCH077N65F-F085 onsemi fch077n65f_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7162 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+816.28 грн
30+472.11 грн
120+403.15 грн
510+368.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH077N65F-F155 FCH077N65F-F155 onsemi fch077n65f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7109 pF @ 100 V
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+697.06 грн
30+422.04 грн
120+379.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH077N65F-F155 FCH077N65F-F155 onsemi / Fairchild fch077n65f-d.pdf MOSFETs SuperFET2 650V, 77 mOhm, FRFET
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+787.51 грн
10+488.46 грн
120+423.99 грн
1020+411.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP067N65S3 FCP067N65S3 onsemi / Fairchild fcp067n65s3-d.pdf MOSFETs 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+397.33 грн
10+273.72 грн
100+234.95 грн
1000+231.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP067N65S3 FCP067N65S3 onsemi fcp067n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 44A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.02 грн
50+236.52 грн
100+234.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF067N65S3 FCPF067N65S3 onsemi / Fairchild fcpf067n65s3-d.pdf MOSFETs SuperFET3 650V 67 mOhm
на замовлення 4743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+568.76 грн
10+288.68 грн
100+245.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF067N65S3 FCPF067N65S3 onsemi fcpf067n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 44A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V
на замовлення 1111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+503.34 грн
50+248.74 грн
100+244.21 грн
500+220.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQB7N65CTM FQB7N65CTM Fairchild Semiconductor FAIRS27372-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 173W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
на замовлення 7686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+105.28 грн
Мінімальне замовлення: 204
В кошику  од. на суму  грн.
FQP7N65C FQP7N65C Fairchild Semiconductor FAIRS34459-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
на замовлення 25372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
304+70.43 грн
Мінімальне замовлення: 304
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65C FQPF7N65C onsemi fqpf7n65c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
на замовлення 42681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+74.70 грн
Мінімальне замовлення: 286
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65CYDTU FQPF7N65CYDTU Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003584734-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+71.14 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
MCPF07N65-BP MCPF07N65-BP MCC (Micro Commercial Components) MCPF05N80(TO-220F).pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 3713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.61 грн
10+50.30 грн
100+33.05 грн
500+24.07 грн
1000+21.83 грн
2000+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MDD7N65D MDD7N65D MDD MDD7N65D0000SD.pdf?rlkey=7phff0q9c4ht5b2hnyvn7kejy&st=sjawxp4n&dl=0 Description: MOSFET N 650V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
на замовлення 73876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+97.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MSJU07N65A-TP MSJU07N65A-TP MCC (Micro Commercial Components) MSJU07N65A(DPAK).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET, DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 25 V
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.33 грн
10+93.91 грн
100+63.66 грн
500+47.59 грн
1000+45.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTH027N65S3F-F155 NTH027N65S3F-F155 onsemi nth027n65s3f-d.pdf MOSFETs SF3 FRFET 650V 27MOHM
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1241.98 грн
10+1184.64 грн
120+1010.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH027N65S3F-F155 NTH027N65S3F-F155 onsemi nth027n65s3f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 400 V
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1099.41 грн
30+1023.67 грн
120+966.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L027N65S3F NTH4L027N65S3F onsemi nth4l027n65s3f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 400 V
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1670.64 грн
10+1164.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L027N65S3F NTH4L027N65S3F onsemi nth4l027n65s3f-d.pdf MOSFETs FRFET 650V 75A 27.4 mOhm
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1886.64 грн
10+1347.46 грн
120+1107.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN067N65S3H NTH4LN067N65S3H onsemi nth4ln067n65s3h-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+800.90 грн
10+618.72 грн
120+384.95 грн
510+339.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN067N65S3H NTH4LN067N65S3H onsemi nth4ln067n65s3h-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+501.69 грн
30+332.62 грн
120+327.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL027N65S3HF NTHL027N65S3HF onsemi nthl027n65s3hf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 400 V
на замовлення 13283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1424.76 грн
30+938.42 грн
120+902.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL027N65S3HF NTHL027N65S3HF onsemi nthl027n65s3hf-d.pdf MOSFETs FRFET 650V 75A 27.4mOhm
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1609.85 грн
10+1086.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL067N65S3H NTHL067N65S3H onsemi nthl067n65s3h-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
на замовлення 9845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+447.88 грн
30+336.79 грн
120+333.65 грн
510+304.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL067N65S3H NTHL067N65S3H onsemi nthl067n65s3h-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-3
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+506.26 грн
10+428.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP067N65S3H NTP067N65S3H onsemi ntp067n65s3h-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-220
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+536.62 грн
10+419.81 грн
100+319.14 грн
500+298.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP067N65S3H NTP067N65S3H onsemi ntp067n65s3h-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
на замовлення 3262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+438.77 грн
50+330.30 грн
100+314.19 грн
500+260.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L027N65S3F NVH4L027N65S3F onsemi nvh4l027n65s3f-d.pdf Description: SF3 FRFET AUTO 27MOHM TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7780 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1494.30 грн
30+908.23 грн
120+824.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL027N65S3F NVHL027N65S3F onsemi nvhl027n65s3f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7780 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1453.74 грн
30+989.55 грн
120+941.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL027N65S3F NVHL027N65S3F onsemi nvhl027n65s3f-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V TO247 PKG
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1641.99 грн
10+1145.03 грн
120+946.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N65E-GE3 SIHG47N65E-GE3 Vishay / Siliconix tf-sihg47n65e-ge3.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+643.76 грн
10+518.39 грн
100+375.77 грн
500+341.33 грн
1000+335.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N65E-GE3 SIHG47N65E-GE3 Vishay Siliconix tf-sihg47n65e-ge3.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 47A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5682 pF @ 100 V
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+569.57 грн
10+447.79 грн
100+373.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ7N65E-T1-GE3 SIHJ7N65E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihj7n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7.9A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 598mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+73.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ7N65E-T1-GE3 SIHJ7N65E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihj7n65e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+229.47 грн
10+169.86 грн
100+110.97 грн
500+90.31 грн
1000+81.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ7N65E-T1-GE3 SIHJ7N65E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihj7n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7.9A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 598mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.83 грн
10+146.29 грн
100+110.10 грн
500+83.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPI07N65C3XKSA1 SPI07N65C3XKSA1 Infineon Technologies INFNS17080-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
275+77.54 грн
Мінімальне замовлення: 275
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N65C3 SPW47N65C3 Infineon Technologies Infineon_SPW47N65C3_DS_v01_02_en-3360035.pdf MOSFETs N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1216.09 грн
10+1141.51 грн
25+903.84 грн
100+866.34 грн
240+491.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB57N65M5 STB57N65M5 STMicroelectronics en.DM00049152.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
на замовлення 9161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+767.43 грн
10+590.81 грн
100+492.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF7N65
Код товару: 153855
Додати до обраних Обраний товар

aot7n65-datasheet.pdf
AOTF7N65
Виробник: A&O
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Uds,V: 650 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 1,56 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 887/19
Монтаж: THT
у наявності: 37 шт
26 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+40.00 грн
10+36.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
7N65F 7N65F_P.pdf
7N65F
Виробник: EVVO
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.10 грн
10+52.14 грн
100+34.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
7N65F f03ca9eb9afe0cac12f0c823bf0e29ed.pdf
7N65F
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
Packaging: Tube
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.17 грн
10+61.07 грн
100+40.52 грн
500+29.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
7N65L f03ca9eb9afe0cac12f0c823bf0e29ed.pdf
7N65L
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.30 грн
10+48.47 грн
100+31.77 грн
500+23.10 грн
1000+20.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AOD7N65 AOD7N65.pdf
AOD7N65
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
на замовлення 6792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.39 грн
10+71.99 грн
100+48.13 грн
500+35.57 грн
1000+32.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOD7N65 AOD7N65.pdf
AOD7N65
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.25 грн
5000+28.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
AOT7N65 TO220.pdf
AOT7N65
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.5A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+58.36 грн
21+44.96 грн
58+42.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AOT7N65 TO220.pdf
AOT7N65
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.5A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.48 грн
5+72.72 грн
21+53.95 грн
58+50.99 грн
1000+50.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AOT7N65 TO220.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 192W; -55°C ~ 150°C; AOT7N65 TAOT7n65
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+41.84 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF7N65 TO220F.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; AOTF7N65 TAOTF7n65
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+56.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF7N65 TO220F.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; AOTF7N65 TAOTF7n65
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+41.84 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BXP7N65CF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE7BE2EC8580D2&compId=BXP7N65.pdf?ci_sign=61e4d534adddd9cf1a31c189e552bd288826b846
BXP7N65CF
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 46W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 46W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+49.79 грн
12+35.56 грн
25+28.70 грн
47+20.09 грн
129+18.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BXP7N65CF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE7BE2EC8580D2&compId=BXP7N65.pdf?ci_sign=61e4d534adddd9cf1a31c189e552bd288826b846
BXP7N65CF
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 46W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 46W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 820 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.75 грн
10+44.31 грн
25+34.44 грн
47+24.11 грн
129+22.77 грн
1000+21.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BXP7N65D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE7BE2EC8580D2&compId=BXP7N65.pdf?ci_sign=61e4d534adddd9cf1a31c189e552bd288826b846
BXP7N65D
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 145W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 145W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+56.66 грн
11+36.35 грн
25+29.34 грн
49+19.37 грн
133+18.34 грн
1000+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BXP7N65D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE7BE2EC8580D2&compId=BXP7N65.pdf?ci_sign=61e4d534adddd9cf1a31c189e552bd288826b846
BXP7N65D
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 145W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 145W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.00 грн
10+45.30 грн
25+35.20 грн
49+23.25 грн
133+22.00 грн
1000+21.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BXP7N65P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE7BE2EC8580D2&compId=BXP7N65.pdf?ci_sign=61e4d534adddd9cf1a31c189e552bd288826b846
BXP7N65P
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 167W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+53.23 грн
12+33.64 грн
25+30.05 грн
39+24.39 грн
106+23.12 грн
250+22.72 грн
500+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BXP7N65P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE7BE2EC8580D2&compId=BXP7N65.pdf?ci_sign=61e4d534adddd9cf1a31c189e552bd288826b846
BXP7N65P
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 167W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 703 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.87 грн
10+41.92 грн
25+36.07 грн
39+29.27 грн
106+27.74 грн
250+27.26 грн
500+26.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI5A7N65D1K-AQ di5a7n65d1k.pdf
DI5A7N65D1K-AQ
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET, DPAK, 650V, 5.7A, 150C,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722 pF @ 325 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.20 грн
10+106.91 грн
100+72.67 грн
500+57.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI5A7N65D1K-AQ di5a7n65d1k.pdf
DI5A7N65D1K-AQ
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, DPAK, 650V, 5.7A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.93 грн
10+179.54 грн
100+93.37 грн
1000+90.31 грн
2500+79.59 грн
5000+74.39 грн
10000+64.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCH067N65S3-F155 fch067n65s3-d.pdf
FCH067N65S3-F155
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET3 650V 67 mOhm
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+454.47 грн
10+368.77 грн
120+273.22 грн
510+254.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH067N65S3-F155 fch067n65s3-d.pdf
FCH067N65S3-F155
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 44A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+402.34 грн
30+318.83 грн
120+292.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH077N65F-F085 fch077n65f_f085-d.pdf FAIR-S-A0000209824-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCH077N65F-F085
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 650V N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+716.98 грн
10+542.15 грн
120+410.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH077N65F-F085 FAIR-S-A0000209824-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCH077N65F-F085
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7162 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+445.32 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
FCH077N65F-F085 fch077n65f_f085-d.pdf
FCH077N65F-F085
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7162 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+816.28 грн
30+472.11 грн
120+403.15 грн
510+368.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH077N65F-F155 fch077n65f-d.pdf
FCH077N65F-F155
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7109 pF @ 100 V
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+697.06 грн
30+422.04 грн
120+379.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH077N65F-F155 fch077n65f-d.pdf
FCH077N65F-F155
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET2 650V, 77 mOhm, FRFET
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+787.51 грн
10+488.46 грн
120+423.99 грн
1020+411.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP067N65S3 fcp067n65s3-d.pdf
FCP067N65S3
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+397.33 грн
10+273.72 грн
100+234.95 грн
1000+231.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP067N65S3 fcp067n65s3-d.pdf
FCP067N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 44A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+351.02 грн
50+236.52 грн
100+234.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF067N65S3 fcpf067n65s3-d.pdf
FCPF067N65S3
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET3 650V 67 mOhm
на замовлення 4743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+568.76 грн
10+288.68 грн
100+245.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF067N65S3 fcpf067n65s3-d.pdf
FCPF067N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 44A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V
на замовлення 1111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+503.34 грн
50+248.74 грн
100+244.21 грн
500+220.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQB7N65CTM FAIRS27372-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQB7N65CTM
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 173W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
на замовлення 7686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
204+105.28 грн
Мінімальне замовлення: 204
В кошику  од. на суму  грн.
FQP7N65C FAIRS34459-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQP7N65C
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
на замовлення 25372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
304+70.43 грн
Мінімальне замовлення: 304
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65C fqpf7n65c-d.pdf
FQPF7N65C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
на замовлення 42681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
286+74.70 грн
Мінімальне замовлення: 286
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65CYDTU ONSM-S-A0003584734-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQPF7N65CYDTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+71.14 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
MCPF07N65-BP MCPF05N80(TO-220F).pdf
MCPF07N65-BP
Виробник: MCC (Micro Commercial Components)
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 3713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.61 грн
10+50.30 грн
100+33.05 грн
500+24.07 грн
1000+21.83 грн
2000+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MDD7N65D MDD7N65D0000SD.pdf?rlkey=7phff0q9c4ht5b2hnyvn7kejy&st=sjawxp4n&dl=0
MDD7N65D
Виробник: MDD
Description: MOSFET N 650V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
на замовлення 73876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+97.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MSJU07N65A-TP MSJU07N65A(DPAK).pdf
MSJU07N65A-TP
Виробник: MCC (Micro Commercial Components)
Description: N-CHANNEL MOSFET, DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 25 V
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.33 грн
10+93.91 грн
100+63.66 грн
500+47.59 грн
1000+45.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTH027N65S3F-F155 nth027n65s3f-d.pdf
NTH027N65S3F-F155
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 FRFET 650V 27MOHM
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1241.98 грн
10+1184.64 грн
120+1010.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH027N65S3F-F155 nth027n65s3f-d.pdf
NTH027N65S3F-F155
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 400 V
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1099.41 грн
30+1023.67 грн
120+966.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L027N65S3F nth4l027n65s3f-d.pdf
NTH4L027N65S3F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 400 V
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1670.64 грн
10+1164.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L027N65S3F nth4l027n65s3f-d.pdf
NTH4L027N65S3F
Виробник: onsemi
MOSFETs FRFET 650V 75A 27.4 mOhm
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1886.64 грн
10+1347.46 грн
120+1107.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN067N65S3H nth4ln067n65s3h-d.pdf
NTH4LN067N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+800.90 грн
10+618.72 грн
120+384.95 грн
510+339.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN067N65S3H nth4ln067n65s3h-d.pdf
NTH4LN067N65S3H
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+501.69 грн
30+332.62 грн
120+327.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL027N65S3HF nthl027n65s3hf-d.pdf
NTHL027N65S3HF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 400 V
на замовлення 13283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1424.76 грн
30+938.42 грн
120+902.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL027N65S3HF nthl027n65s3hf-d.pdf
NTHL027N65S3HF
Виробник: onsemi
MOSFETs FRFET 650V 75A 27.4mOhm
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1609.85 грн
10+1086.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL067N65S3H nthl067n65s3h-d.pdf
NTHL067N65S3H
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
на замовлення 9845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+447.88 грн
30+336.79 грн
120+333.65 грн
510+304.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL067N65S3H nthl067n65s3h-d.pdf
NTHL067N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-3
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+506.26 грн
10+428.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP067N65S3H ntp067n65s3h-d.pdf
NTP067N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-220
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+536.62 грн
10+419.81 грн
100+319.14 грн
500+298.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP067N65S3H ntp067n65s3h-d.pdf
NTP067N65S3H
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
на замовлення 3262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+438.77 грн
50+330.30 грн
100+314.19 грн
500+260.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L027N65S3F nvh4l027n65s3f-d.pdf
NVH4L027N65S3F
Виробник: onsemi
Description: SF3 FRFET AUTO 27MOHM TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7780 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1494.30 грн
30+908.23 грн
120+824.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL027N65S3F nvhl027n65s3f-d.pdf
NVHL027N65S3F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7780 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1453.74 грн
30+989.55 грн
120+941.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL027N65S3F nvhl027n65s3f-d.pdf
NVHL027N65S3F
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V TO247 PKG
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1641.99 грн
10+1145.03 грн
120+946.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N65E-GE3 tf-sihg47n65e-ge3.pdf
SIHG47N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+643.76 грн
10+518.39 грн
100+375.77 грн
500+341.33 грн
1000+335.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N65E-GE3 tf-sihg47n65e-ge3.pdf
SIHG47N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 47A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5682 pF @ 100 V
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+569.57 грн
10+447.79 грн
100+373.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ7N65E-T1-GE3 sihj7n65e.pdf
SIHJ7N65E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 7.9A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 598mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+73.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ7N65E-T1-GE3 sihj7n65e.pdf
SIHJ7N65E-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.47 грн
10+169.86 грн
100+110.97 грн
500+90.31 грн
1000+81.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ7N65E-T1-GE3 sihj7n65e.pdf
SIHJ7N65E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 7.9A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 598mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.83 грн
10+146.29 грн
100+110.10 грн
500+83.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPI07N65C3XKSA1 INFNS17080-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPI07N65C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
275+77.54 грн
Мінімальне замовлення: 275
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N65C3 Infineon_SPW47N65C3_DS_v01_02_en-3360035.pdf
SPW47N65C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1216.09 грн
10+1141.51 грн
25+903.84 грн
100+866.34 грн
240+491.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB57N65M5 en.DM00049152.pdf
STB57N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
на замовлення 9161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+767.43 грн
10+590.81 грн
100+492.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]