Результат пошуку "60n06" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
60N06 60N06 Goford Semiconductor GOFORD-60N06.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.54 грн
15000+ 11.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
60N06 60N06 Goford Semiconductor GOFORD-60N06.pdf Description: N60V,RD(MAX)<17M@10V,RD(MAX)<21M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 30 V
на замовлення 1203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.27 грн
10+ 41.41 грн
100+ 28.65 грн
500+ 22.47 грн
1000+ 19.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
60N06 GOFORD Semiconductor GOFORD-60N06.pdf N-CH,60V,60A,RD(max) Less Than 17mOhm at 10V,RD(max) Less Than 21mOhm at 4.5V,VTH 1V to 2V,TO-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.52 грн
15000+ 13.4 грн
30000+ 12.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
60N06 IR GOFORD-60N06.pdf 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
60N06 N/A GOFORD-60N06.pdf 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
G60N06T G60N06T Goford Semiconductor GOFORD-G60N06T.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.26 грн
Мінімальне замовлення: 2000
G60N06T G60N06T Goford Semiconductor GOFORD-G60N06T.pdf Description: N60V, 50A,RD<17M@10V,VTH1.0V~2.0
Packaging: Tube
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 30 V
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.24 грн
50+ 43.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
IAUC60N06S5L073ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC60N06S5L073-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4f9c26feb Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1655 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.37 грн
10+ 63.91 грн
100+ 49.69 грн
500+ 39.53 грн
1000+ 32.2 грн
2000+ 30.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
IAUC60N06S5N074ATMA1 IAUC60N06S5N074ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC60N06S5N074-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb505e56fee Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1461 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.2 грн
10+ 50.47 грн
100+ 39.24 грн
500+ 31.22 грн
1000+ 25.43 грн
2000+ 23.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPA060N06NXKSA1 IPA060N06NXKSA1 Infineon Technologies DS_IPA060N06N_2_1.pdf?fileId=5546d46146d18cb40146f653200154cf Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.63 грн
50+ 103.3 грн
100+ 85 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPA060N06NXKSA1 IPA060N06NXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPA060N06N_DS_v02_02_EN-1731718.pdf MOSFET MV POWER MOS
на замовлення 265 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
3+144.93 грн
10+ 115.08 грн
100+ 82.82 грн
500+ 69.01 грн
1000+ 56.04 грн
5000+ 54.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP060N06N IPP060N06N Infineon Technologies Infineon_IPP060N06N_DS_v02_02_en-1731846.pdf MOSFET N-Ch 60V 45A TO220-3
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.55 грн
10+ 95.24 грн
100+ 64.8 грн
500+ 54.8 грн
1000+ 44.58 грн
2500+ 43.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP060N06NAKSA1 IPP060N06NAKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP060N06N_DS_v02_02_en-1731846.pdf MOSFET N-Ch 60V 45A TO220-3
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.94 грн
10+ 92.86 грн
100+ 65.49 грн
250+ 61.01 грн
500+ 51.14 грн
1000+ 45.07 грн
2500+ 44.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP060N06NAKSA1 IPP060N06NAKSA1 Infineon Technologies IPP060N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372c06d9d7498a Description: MOSFET N-CH 60V 17A/45A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.5 грн
50+ 83.05 грн
100+ 68.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP060N06NAKSA1 Infineon IPP060N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372c06d9d7498a Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP060N06NAKSA1 IPP060N06N TIPP060n06n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+43.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
MCACD60N06YHE3-TP MCACD60N06YHE3-TP Micro Commercial Co MCACD60N06YHE3(PDFN5060-8D).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET,PDFN5060-8D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PDFN5060-8D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+64.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
MCACD60N06YHE3-TP MCACD60N06YHE3-TP Micro Commercial Co MCACD60N06YHE3(PDFN5060-8D).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET,PDFN5060-8D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PDFN5060-8D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.81 грн
10+ 118.26 грн
100+ 94.11 грн
500+ 74.73 грн
1000+ 63.41 грн
2000+ 60.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
MCACD60N06YHE3-TP MCACD60N06YHE3-TP Micro Commercial Components (MCC) MCACD60N06YHE3_PDFN5060_8D_-3386012.pdf MOSFET N-CHANNEL MOSFET,PDFN5060-8D
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.23 грн
10+ 131.75 грн
100+ 90.41 грн
250+ 83.51 грн
500+ 75.91 грн
1000+ 64.8 грн
2500+ 62.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
MCG60N06YHE3-TP MCG60N06YHE3-TP Micro Commercial Components (MCC) MCG60N06YHE3_DFN3333_-3326846.pdf MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.03 грн
10+ 79.36 грн
100+ 54.45 грн
500+ 46.17 грн
1000+ 37.54 грн
2500+ 35.33 грн
5000+ 33.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
MCGWF60N06YHE3-TP MCGWF60N06YHE3-TP Micro Commercial Components (MCC) MCGWF60N06YHE3(DFN3333-8(SWF)).pdf MOSFET N-CHANNEL MOSFET,DFN3333-8(SWF)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
2+176.33 грн
10+ 144.44 грн
100+ 100.07 грн
250+ 92.48 грн
500+ 84.2 грн
1000+ 73.15 грн
5000+ 65.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
MCU60N06-TP Micro Commercial Co MCU60N06(DPAK).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET,DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.62 грн
5000+ 20.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MCU60N06-TP Micro Commercial Co MCU60N06(DPAK).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET,DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.98 грн
10+ 49.68 грн
100+ 34.38 грн
500+ 26.96 грн
1000+ 22.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
NP60N06VDK-E1-AY NP60N06VDK-E1-AY Renesas Electronics REN_r07ds1340ej0200_pomosfet_DST_20180524-2930603.pdf MOSFET P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.75 грн
10+ 96.03 грн
100+ 66.11 грн
250+ 61.35 грн
500+ 55.62 грн
1000+ 47.69 грн
2500+ 45.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP60N06VDK-E1-AY NP60N06VDK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n06vdk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499906 Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.25 грн
10+ 86.41 грн
100+ 68.75 грн
500+ 54.6 грн
1000+ 46.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP60N06VDK-E1-AY NP60N06VDK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n06vdk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499906 Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.7 грн
5000+ 45.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP60N06VLK-E1-AY NP60N06VLK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n06vlk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499911 Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.23 грн
10+ 88.64 грн
100+ 70.58 грн
500+ 56.05 грн
1000+ 47.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP60N06VLK-E1-AY NP60N06VLK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n06vlk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499911 Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NTBG060N065SC1 NTBG060N065SC1 onsemi NTBG060N065SC1_D-3150611.pdf MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+793.07 грн
10+ 669.84 грн
25+ 528.64 грн
100+ 485.85 грн
250+ 456.87 грн
500+ 428.57 грн
800+ 385.09 грн
NTBG060N065SC1 NTBG060N065SC1 onsemi ntbg060n065sc1-d.pdf Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+730.11 грн
10+ 602.35 грн
100+ 501.98 грн
NTBL060N065SC1 NTBL060N065SC1 onsemi MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TOLL Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TOLL
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+622.38 грн
10+ 525.4 грн
25+ 414.77 грн
100+ 380.26 грн
250+ 358.18 грн
500+ 336.09 грн
1000+ 318.15 грн
NTH4L060N065SC1 NTH4L060N065SC1 onsemi nth4l060n065sc1-d.pdf Description: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
на замовлення 25364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+773.41 грн
30+ 594.33 грн
120+ 531.76 грн
510+ 440.33 грн
1020+ 396.29 грн
NTH4L060N065SC1 NTH4L060N065SC1 onsemi NTH4L060N065SC1_D-2944142.pdf MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+837.36 грн
10+ 707.14 грн
25+ 557.63 грн
100+ 512.08 грн
250+ 482.4 грн
450+ 452.04 грн
900+ 406.49 грн
NTHL060N065SC1 NTHL060N065SC1 onsemi NTHL060N065SC1_D-3150442.pdf MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+789.05 грн
10+ 666.67 грн
25+ 525.88 грн
100+ 483.09 грн
250+ 454.11 грн
450+ 425.81 грн
900+ 383.02 грн
NTHL060N065SC1 NTHL060N065SC1 onsemi nthl060n065sc1-d.pdf Description: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
на замовлення 20765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+725.63 грн
30+ 557.9 грн
120+ 499.18 грн
510+ 413.35 грн
1020+ 372.02 грн
NVB60N06T4G NVB60N06T4G onsemi Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+99.25 грн
Мінімальне замовлення: 210
NVBG060N065SC1 NVBG060N065SC1 onsemi nvbg060n065sc1-d.pdf Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+823.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
NVBG060N065SC1 NVBG060N065SC1 onsemi nvbg060n065sc1-d.pdf Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1192.96 грн
10+ 1012.26 грн
100+ 875.44 грн
NVBG060N065SC1 NVBG060N065SC1 onsemi NVBG060N065SC1_D-3150486.pdf MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 44 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L
на замовлення 800 шт:
термін постачання 140-149 дні (днів)
1+1003.22 грн
10+ 871.43 грн
25+ 737.75 грн
50+ 696.34 грн
100+ 655.62 грн
250+ 634.92 грн
500+ 594.2 грн
NVH4L060N065SC1 NVH4L060N065SC1 onsemi nvh4l060n065sc1-d.pdf Description: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+991.4 грн
30+ 773.07 грн
120+ 727.59 грн
510+ 618.8 грн
1020+ 567.59 грн
NVH4L060N065SC1 NVH4L060N065SC1 onsemi NVH4L060N065SC1_D-3150329.pdf MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 44mohm, 650V, M2, TO247-4L
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1076.49 грн
10+ 934.92 грн
25+ 791.58 грн
50+ 747.41 грн
100+ 703.24 грн
250+ 681.16 грн
450+ 636.99 грн
NVHL060N065SC1 NVHL060N065SC1 onsemi NVHL060N065SC1_D-3326442.pdf MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 60mohm, 650 V, M2, TO247-3L SiC MOSFET, 650V, 44mohm, 47A
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1789.05 грн
10+ 1566.67 грн
25+ 1270.53 грн
50+ 1231.88 грн
100+ 1191.86 грн
250+ 1112.49 грн
450+ 1015.87 грн
NVHL060N065SC1 NVHL060N065SC1 onsemi nvhl060n065sc1-d.pdf Description: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+957.06 грн
10+ 847.35 грн
25+ 812.25 грн
100+ 671.62 грн
450+ 597.45 грн
PSMQC060N06LS1-AU_R2_006A1 PSMQC060N06LS1-AU_R2_006A1 Panjit International Inc. PSMQC060N06LS1-AU.pdf Description: 60V/ 6M / AECQ101 QUALIFIED / SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2057 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.25 грн
10+ 85.12 грн
100+ 66.16 грн
500+ 52.63 грн
1000+ 42.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
PSMQC060N06LS1-AU_R2_006A1 PSMQC060N06LS1-AU_R2_006A1 Panjit PSMQC060N06LS1_AU-3179888.pdf MOSFET 60V 6m ohms AECQ101 qualified Solution for Automotive lighting
на замовлення 5920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.75 грн
10+ 95.24 грн
100+ 63.98 грн
500+ 54.24 грн
1000+ 46.31 грн
3000+ 39.34 грн
9000+ 39.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
PSMQC060N06LS1-AU_R2_006A1 PSMQC060N06LS1-AU_R2_006A1 Panjit International Inc. PSMQC060N06LS1-AU.pdf Description: 60V/ 6M / AECQ101 QUALIFIED / SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2057 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+44.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SDIX60N-064G-GN6NN SDIX60N-064G-GN6NN SANDISK Category: Pendrives
Description: Pendrive; USB 3.0; 64GB; Apple Lightning plug,USB A
Kind of connector: Apple Lightning plug; USB A
Memory capacity: 64GB
Type of data storage device: pendrive
Pendrive series: iXpand Flash Drive Go
Version: USB 3.0
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3334.26 грн
2+ 3177.55 грн
3+ 2886.47 грн
SQM60N06-15_GE3 SQM60N06-15_GE3 Vishay / Siliconix sqm60n06-15.pdf MOSFET 60V 60A 100W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.6 грн
10+ 153.97 грн
100+ 106.28 грн
250+ 98 грн
500+ 89.03 грн
800+ 76.6 грн
2400+ 72.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB60N06HDT4 STB60N06HDT4 onsemi Description: RF MOSFET 60V D2PAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+70.99 грн
Мінімальне замовлення: 293
DD260N06K EUPEC 05+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DT60N06KOF EUPEC CDH2-4
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTB60N06HD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTB60N06HDG ON
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTB60N06HDT4 ON 09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTM60N06 MOT 01+ TO-3
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTM60N06 MOTOROLA
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTP60N06 XIM.Z 2004 TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTP60N06HD MOTOROL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB60N06 ON SOT-263
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB60N06 ON TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB60N06 ON 07+ SOT-263
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
60N06 GOFORD-60N06.pdf
60N06
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+12.54 грн
15000+ 11.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
60N06 GOFORD-60N06.pdf
60N06
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<17M@10V,RD(MAX)<21M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 30 V
на замовлення 1203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+49.27 грн
10+ 41.41 грн
100+ 28.65 грн
500+ 22.47 грн
1000+ 19.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
60N06 GOFORD-60N06.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,60V,60A,RD(max) Less Than 17mOhm at 10V,RD(max) Less Than 21mOhm at 4.5V,VTH 1V to 2V,TO-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+14.52 грн
15000+ 13.4 грн
30000+ 12.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
60N06 GOFORD-60N06.pdf
Виробник: IR
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
60N06 GOFORD-60N06.pdf
Виробник: N/A
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
G60N06T GOFORD-G60N06T.pdf
G60N06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+18.26 грн
Мінімальне замовлення: 2000
G60N06T GOFORD-G60N06T.pdf
G60N06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 50A,RD<17M@10V,VTH1.0V~2.0
Packaging: Tube
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 30 V
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.24 грн
50+ 43.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
IAUC60N06S5L073ATMA1 Infineon-IAUC60N06S5L073-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4f9c26feb
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1655 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.37 грн
10+ 63.91 грн
100+ 49.69 грн
500+ 39.53 грн
1000+ 32.2 грн
2000+ 30.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
IAUC60N06S5N074ATMA1 Infineon-IAUC60N06S5N074-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb505e56fee
IAUC60N06S5N074ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1461 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.2 грн
10+ 50.47 грн
100+ 39.24 грн
500+ 31.22 грн
1000+ 25.43 грн
2000+ 23.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPA060N06NXKSA1 DS_IPA060N06N_2_1.pdf?fileId=5546d46146d18cb40146f653200154cf
IPA060N06NXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+133.63 грн
50+ 103.3 грн
100+ 85 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPA060N06NXKSA1 Infineon_IPA060N06N_DS_v02_02_EN-1731718.pdf
IPA060N06NXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MV POWER MOS
на замовлення 265 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+144.93 грн
10+ 115.08 грн
100+ 82.82 грн
500+ 69.01 грн
1000+ 56.04 грн
5000+ 54.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP060N06N Infineon_IPP060N06N_DS_v02_02_en-1731846.pdf
IPP060N06N
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 60V 45A TO220-3
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.55 грн
10+ 95.24 грн
100+ 64.8 грн
500+ 54.8 грн
1000+ 44.58 грн
2500+ 43.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP060N06NAKSA1 Infineon_IPP060N06N_DS_v02_02_en-1731846.pdf
IPP060N06NAKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 60V 45A TO220-3
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.94 грн
10+ 92.86 грн
100+ 65.49 грн
250+ 61.01 грн
500+ 51.14 грн
1000+ 45.07 грн
2500+ 44.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP060N06NAKSA1 IPP060N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372c06d9d7498a
IPP060N06NAKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 17A/45A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.5 грн
50+ 83.05 грн
100+ 68.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP060N06NAKSA1 IPP060N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372c06d9d7498a
Виробник: Infineon
Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP060N06NAKSA1 IPP060N06N TIPP060n06n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+43.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
MCACD60N06YHE3-TP MCACD60N06YHE3(PDFN5060-8D).pdf
MCACD60N06YHE3-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET,PDFN5060-8D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PDFN5060-8D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+64.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
MCACD60N06YHE3-TP MCACD60N06YHE3(PDFN5060-8D).pdf
MCACD60N06YHE3-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET,PDFN5060-8D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PDFN5060-8D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+147.81 грн
10+ 118.26 грн
100+ 94.11 грн
500+ 74.73 грн
1000+ 63.41 грн
2000+ 60.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
MCACD60N06YHE3-TP MCACD60N06YHE3_PDFN5060_8D_-3386012.pdf
MCACD60N06YHE3-TP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFET N-CHANNEL MOSFET,PDFN5060-8D
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+160.23 грн
10+ 131.75 грн
100+ 90.41 грн
250+ 83.51 грн
500+ 75.91 грн
1000+ 64.8 грн
2500+ 62.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
MCG60N06YHE3-TP MCG60N06YHE3_DFN3333_-3326846.pdf
MCG60N06YHE3-TP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+99.03 грн
10+ 79.36 грн
100+ 54.45 грн
500+ 46.17 грн
1000+ 37.54 грн
2500+ 35.33 грн
5000+ 33.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
MCGWF60N06YHE3-TP MCGWF60N06YHE3(DFN3333-8(SWF)).pdf
MCGWF60N06YHE3-TP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFET N-CHANNEL MOSFET,DFN3333-8(SWF)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+176.33 грн
10+ 144.44 грн
100+ 100.07 грн
250+ 92.48 грн
500+ 84.2 грн
1000+ 73.15 грн
5000+ 65.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
MCU60N06-TP MCU60N06(DPAK).pdf
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET,DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+22.62 грн
5000+ 20.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MCU60N06-TP MCU60N06(DPAK).pdf
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET,DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.98 грн
10+ 49.68 грн
100+ 34.38 грн
500+ 26.96 грн
1000+ 22.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
NP60N06VDK-E1-AY REN_r07ds1340ej0200_pomosfet_DST_20180524-2930603.pdf
NP60N06VDK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics
MOSFET P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.75 грн
10+ 96.03 грн
100+ 66.11 грн
250+ 61.35 грн
500+ 55.62 грн
1000+ 47.69 грн
2500+ 45.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP60N06VDK-E1-AY np60n06vdk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499906
NP60N06VDK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.25 грн
10+ 86.41 грн
100+ 68.75 грн
500+ 54.6 грн
1000+ 46.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP60N06VDK-E1-AY np60n06vdk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499906
NP60N06VDK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+48.7 грн
5000+ 45.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP60N06VLK-E1-AY np60n06vlk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499911
NP60N06VLK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.23 грн
10+ 88.64 грн
100+ 70.58 грн
500+ 56.05 грн
1000+ 47.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP60N06VLK-E1-AY np60n06vlk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499911
NP60N06VLK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+49.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NTBG060N065SC1 NTBG060N065SC1_D-3150611.pdf
NTBG060N065SC1
Виробник: onsemi
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+793.07 грн
10+ 669.84 грн
25+ 528.64 грн
100+ 485.85 грн
250+ 456.87 грн
500+ 428.57 грн
800+ 385.09 грн
NTBG060N065SC1 ntbg060n065sc1-d.pdf
NTBG060N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+730.11 грн
10+ 602.35 грн
100+ 501.98 грн
NTBL060N065SC1
NTBL060N065SC1
Виробник: onsemi
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TOLL Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TOLL
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+622.38 грн
10+ 525.4 грн
25+ 414.77 грн
100+ 380.26 грн
250+ 358.18 грн
500+ 336.09 грн
1000+ 318.15 грн
NTH4L060N065SC1 nth4l060n065sc1-d.pdf
NTH4L060N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
на замовлення 25364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+773.41 грн
30+ 594.33 грн
120+ 531.76 грн
510+ 440.33 грн
1020+ 396.29 грн
NTH4L060N065SC1 NTH4L060N065SC1_D-2944142.pdf
NTH4L060N065SC1
Виробник: onsemi
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+837.36 грн
10+ 707.14 грн
25+ 557.63 грн
100+ 512.08 грн
250+ 482.4 грн
450+ 452.04 грн
900+ 406.49 грн
NTHL060N065SC1 NTHL060N065SC1_D-3150442.pdf
NTHL060N065SC1
Виробник: onsemi
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+789.05 грн
10+ 666.67 грн
25+ 525.88 грн
100+ 483.09 грн
250+ 454.11 грн
450+ 425.81 грн
900+ 383.02 грн
NTHL060N065SC1 nthl060n065sc1-d.pdf
NTHL060N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
на замовлення 20765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+725.63 грн
30+ 557.9 грн
120+ 499.18 грн
510+ 413.35 грн
1020+ 372.02 грн
NVB60N06T4G
NVB60N06T4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
210+99.25 грн
Мінімальне замовлення: 210
NVBG060N065SC1 nvbg060n065sc1-d.pdf
NVBG060N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+823.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
NVBG060N065SC1 nvbg060n065sc1-d.pdf
NVBG060N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1192.96 грн
10+ 1012.26 грн
100+ 875.44 грн
NVBG060N065SC1 NVBG060N065SC1_D-3150486.pdf
NVBG060N065SC1
Виробник: onsemi
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 44 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L
на замовлення 800 шт:
термін постачання 140-149 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1003.22 грн
10+ 871.43 грн
25+ 737.75 грн
50+ 696.34 грн
100+ 655.62 грн
250+ 634.92 грн
500+ 594.2 грн
NVH4L060N065SC1 nvh4l060n065sc1-d.pdf
NVH4L060N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+991.4 грн
30+ 773.07 грн
120+ 727.59 грн
510+ 618.8 грн
1020+ 567.59 грн
NVH4L060N065SC1 NVH4L060N065SC1_D-3150329.pdf
NVH4L060N065SC1
Виробник: onsemi
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 44mohm, 650V, M2, TO247-4L
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1076.49 грн
10+ 934.92 грн
25+ 791.58 грн
50+ 747.41 грн
100+ 703.24 грн
250+ 681.16 грн
450+ 636.99 грн
NVHL060N065SC1 NVHL060N065SC1_D-3326442.pdf
NVHL060N065SC1
Виробник: onsemi
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 60mohm, 650 V, M2, TO247-3L SiC MOSFET, 650V, 44mohm, 47A
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1789.05 грн
10+ 1566.67 грн
25+ 1270.53 грн
50+ 1231.88 грн
100+ 1191.86 грн
250+ 1112.49 грн
450+ 1015.87 грн
NVHL060N065SC1 nvhl060n065sc1-d.pdf
NVHL060N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+957.06 грн
10+ 847.35 грн
25+ 812.25 грн
100+ 671.62 грн
450+ 597.45 грн
PSMQC060N06LS1-AU_R2_006A1 PSMQC060N06LS1-AU.pdf
PSMQC060N06LS1-AU_R2_006A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 60V/ 6M / AECQ101 QUALIFIED / SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2057 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.25 грн
10+ 85.12 грн
100+ 66.16 грн
500+ 52.63 грн
1000+ 42.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
PSMQC060N06LS1-AU_R2_006A1 PSMQC060N06LS1_AU-3179888.pdf
PSMQC060N06LS1-AU_R2_006A1
Виробник: Panjit
MOSFET 60V 6m ohms AECQ101 qualified Solution for Automotive lighting
на замовлення 5920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.75 грн
10+ 95.24 грн
100+ 63.98 грн
500+ 54.24 грн
1000+ 46.31 грн
3000+ 39.34 грн
9000+ 39.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
PSMQC060N06LS1-AU_R2_006A1 PSMQC060N06LS1-AU.pdf
PSMQC060N06LS1-AU_R2_006A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 60V/ 6M / AECQ101 QUALIFIED / SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2057 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+44.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SDIX60N-064G-GN6NN
SDIX60N-064G-GN6NN
Виробник: SANDISK
Category: Pendrives
Description: Pendrive; USB 3.0; 64GB; Apple Lightning plug,USB A
Kind of connector: Apple Lightning plug; USB A
Memory capacity: 64GB
Type of data storage device: pendrive
Pendrive series: iXpand Flash Drive Go
Version: USB 3.0
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3334.26 грн
2+ 3177.55 грн
3+ 2886.47 грн
SQM60N06-15_GE3 sqm60n06-15.pdf
SQM60N06-15_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 60V 60A 100W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+187.6 грн
10+ 153.97 грн
100+ 106.28 грн
250+ 98 грн
500+ 89.03 грн
800+ 76.6 грн
2400+ 72.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB60N06HDT4
STB60N06HDT4
Виробник: onsemi
Description: RF MOSFET 60V D2PAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
293+70.99 грн
Мінімальне замовлення: 293
DD260N06K
Виробник: EUPEC
05+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DT60N06KOF
Виробник: EUPEC
CDH2-4
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTB60N06HD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTB60N06HDG
Виробник: ON
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTB60N06HDT4
Виробник: ON
09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTM60N06
Виробник: MOT
01+ TO-3
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTM60N06
Виробник: MOTOROLA
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTP60N06
Виробник: XIM.Z
2004 TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTP60N06HD
Виробник: MOTOROL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB60N06
Виробник: ON
SOT-263
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB60N06
Виробник: ON
TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB60N06
Виробник: ON
07+ SOT-263
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]