Результат пошуку "6n65" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFH26N65X2 | IXYS |
![]() |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFH46N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 46A Power dissipation: 660W Case: TO247-3 On-state resistance: 69mΩ Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 180ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class |
на замовлення 244 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFH46N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 46A Power dissipation: 660W Case: TO247-3 On-state resistance: 69mΩ Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 180ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 244 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFH46N65X2 | IXYS |
![]() |
на замовлення 403 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFH46N65X2W | IXYS |
![]() |
на замовлення 566 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFH46N65X3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 292 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFP26N65X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 26A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 460W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFP26N65X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 26A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 460W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 42 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHD6N65E-GE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 5647 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHF6N65E-GE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 896 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHJ6N65E-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 5727 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHP6N65E-GE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 968 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHU6N65E-GE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 2645 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STB6N65K3 | STMicroelectronics | MOSFETs PTD HIGH VOLTAGE |
на замовлення 1992 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STD16N65M2 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STD16N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 710V Drain current: 12A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 279mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STD16N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 710V Drain current: 12A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 279mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2340 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STD16N65M5 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 956 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STD6N65M2 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 3227 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF16N65M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Gate charge: 19.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF16N65M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Gate charge: 19.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 55 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF16N65M2 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF16N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7.3A Power dissipation: 90W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 279mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF16N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7.3A Power dissipation: 90W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 279mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 54 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF16N65M5 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 9120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
STF26N65DM2 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
STF6N65K3 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 796 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STL16N65M2 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP16N65M2 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 956 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP16N65M5 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
STP16N65M5 | ST |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
STU16N65M2 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 828 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STU6N65M2 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW56N65DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Power dissipation: 360W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 58mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW56N65DM2 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 238 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TRS16N65FB,S1Q | Toshiba |
![]() |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
WMK16N65C2 | WAYON |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13A Power dissipation: 86W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm |
на замовлення 416 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
WMK36N65C4 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 277W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 97mΩ Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 242 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
WML26N65C4 | WAYON |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10.5A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 135W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm |
на замовлення 277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
WMN16N65C2 | WAYON |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13A Power dissipation: 86W Case: TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
WMO16N65C2 | WAYON |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13A Power dissipation: 86W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
MPF06N65 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
SPA26N65C3 |
на замовлення 2002 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
STF16N65M5 |
![]() |
на замовлення 600 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STI16N65M5 |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STU6N65K3 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 85 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
TMPF6N65G |
на замовлення 19102 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
YMP6N65BCD |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
STD16N65M2 Код товару: 198608
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STD16N65M5 Код товару: 189591
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STF16N65M5 Код товару: 201571
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STF6N65K3 Код товару: 198720
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
STP16N65M5 (транзистори польові N-канальні) Код товару: 43778
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
5STP 26N6500 | ABB | 5STP26N6500 Button thyristors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BXP16N65F | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.1A; Idm: 64A; 43W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10.1A Pulsed drain current: 64A Power dissipation: 43W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.56Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IXFA26N65X3 | Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IXFH26N65X2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IXFH26N65X3 | Littelfuse | MOSFETs TO247 650V 26A N-CH X3CLASS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IXFH46N65X3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IXFP26N65X2 | IXYS | MOSFETs TO220 650V 26A N-CH X2CLASS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IXFH26N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs TO247 650V 26A N-CH X2CLASS
MOSFETs TO247 650V 26A N-CH X2CLASS
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 904.18 грн |
10+ | 681.55 грн |
510+ | 581.26 грн |
IXFH46N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 493.51 грн |
6+ | 447.18 грн |
10+ | 429.77 грн |
IXFH46N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 244 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 592.21 грн |
6+ | 557.26 грн |
10+ | 515.72 грн |
IXFH46N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2
MOSFETs MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 569.10 грн |
10+ | 548.74 грн |
510+ | 468.04 грн |
IXFH46N65X2W |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs 650V 69mohm 46A X2-Class HiPerFET in TO-247
MOSFETs 650V 69mohm 46A X2-Class HiPerFET in TO-247
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 780.96 грн |
10+ | 602.04 грн |
120+ | 436.13 грн |
510+ | 388.26 грн |
1020+ | 345.71 грн |
IXFH46N65X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs TO247 650V 46A N-CH X3CLASS
MOSFETs TO247 650V 46A N-CH X3CLASS
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 775.64 грн |
10+ | 598.54 грн |
120+ | 411.82 грн |
510+ | 403.46 грн |
1020+ | 395.86 грн |
IXFP26N65X2 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 460W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 460W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 622.22 грн |
3+ | 418.69 грн |
7+ | 395.74 грн |
IXFP26N65X2 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 460W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 460W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 746.66 грн |
3+ | 521.75 грн |
7+ | 474.88 грн |
SIHD6N65E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 5647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 111.69 грн |
10+ | 71.74 грн |
100+ | 57.14 грн |
500+ | 53.03 грн |
1000+ | 49.39 грн |
3000+ | 46.58 грн |
6000+ | 45.66 грн |
SIHF6N65E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 249.09 грн |
10+ | 159.03 грн |
100+ | 101.81 грн |
500+ | 85.86 грн |
1000+ | 69.29 грн |
SIHJ6N65E-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 5727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 224.27 грн |
10+ | 142.43 грн |
100+ | 88.90 грн |
500+ | 74.46 грн |
1000+ | 72.56 грн |
3000+ | 66.71 грн |
SIHP6N65E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 220.73 грн |
10+ | 141.55 грн |
100+ | 90.42 грн |
500+ | 75.83 грн |
1000+ | 63.06 грн |
2000+ | 62.30 грн |
5000+ | 61.47 грн |
SIHU6N65E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 190.59 грн |
10+ | 120.58 грн |
100+ | 71.19 грн |
500+ | 59.34 грн |
1000+ | 52.20 грн |
3000+ | 46.80 грн |
6000+ | 46.73 грн |
STB6N65K3 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
MOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 155.13 грн |
10+ | 98.74 грн |
100+ | 58.96 грн |
500+ | 49.92 грн |
1000+ | 41.71 грн |
2000+ | 38.52 грн |
5000+ | 36.39 грн |
STD16N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 169.31 грн |
10+ | 134.56 грн |
100+ | 84.34 грн |
500+ | 69.29 грн |
1000+ | 66.64 грн |
2500+ | 58.81 грн |
STD16N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 144.90 грн |
5+ | 124.26 грн |
8+ | 121.10 грн |
10+ | 113.18 грн |
50+ | 110.01 грн |
STD16N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 173.88 грн |
5+ | 154.85 грн |
8+ | 145.31 грн |
10+ | 135.82 грн |
50+ | 132.02 грн |
STD16N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650 Volt 12 Amp
MOSFETs N-Ch 650 Volt 12 Amp
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 171.08 грн |
10+ | 133.69 грн |
100+ | 100.30 грн |
500+ | 91.94 грн |
2500+ | 80.54 грн |
STD6N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
MOSFETs N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 3227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 106.37 грн |
10+ | 69.29 грн |
100+ | 40.80 грн |
500+ | 32.14 грн |
1000+ | 29.25 грн |
2500+ | 26.14 грн |
5000+ | 23.78 грн |
STF16N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 157.69 грн |
10+ | 93.39 грн |
28+ | 88.64 грн |
STF16N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 189.22 грн |
10+ | 116.38 грн |
28+ | 106.37 грн |
500+ | 102.57 грн |
STF16N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 71.62 грн |
10+ | 60.12 грн |
100+ | 51.67 грн |
STF16N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 225.87 грн |
3+ | 198.66 грн |
7+ | 150.38 грн |
18+ | 141.67 грн |
STF16N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 271.05 грн |
3+ | 247.56 грн |
7+ | 180.46 грн |
18+ | 170.01 грн |
STF16N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 65V 12A MDMESH
MOSFETs N-CH 65V 12A MDMESH
на замовлення 9120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 258.84 грн |
10+ | 130.19 грн |
100+ | 102.57 грн |
500+ | 91.18 грн |
STF26N65DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.156 Ohm typ., 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
MOSFETs N-channel 650 V, 0.156 Ohm typ., 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 327.99 грн |
10+ | 215.82 грн |
100+ | 144.36 грн |
500+ | 128.41 грн |
1000+ | 109.41 грн |
2000+ | 104.09 грн |
STF6N65K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3
MOSFETs N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 248.21 грн |
10+ | 77.42 грн |
1000+ | 66.79 грн |
STL16N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
MOSFETs N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 222.50 грн |
10+ | 147.67 грн |
100+ | 88.90 грн |
500+ | 74.46 грн |
3000+ | 62.99 грн |
STP16N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 227.82 грн |
10+ | 84.15 грн |
100+ | 67.32 грн |
500+ | 64.36 грн |
1000+ | 61.62 грн |
2000+ | 60.48 грн |
5000+ | 59.87 грн |
STP16N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650 Volt 12 Amp
MOSFETs N-Ch 650 Volt 12 Amp
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 303.16 грн |
10+ | 148.54 грн |
100+ | 120.05 грн |
500+ | 98.78 грн |
1000+ | 91.18 грн |
STP16N65M5 |
![]() |
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 279mOhm; 12A; 25W; -55°C ~ 150°C; STP16N65M5 TSTP16N65M5
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 279mOhm; 12A; 25W; -55°C ~ 150°C; STP16N65M5 TSTP16N65M5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 144.71 грн |
STU16N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 191.47 грн |
10+ | 87.20 грн |
100+ | 69.29 грн |
500+ | 59.49 грн |
STU6N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
MOSFETs N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 103.71 грн |
10+ | 37.40 грн |
100+ | 31.84 грн |
500+ | 30.47 грн |
1000+ | 28.42 грн |
3000+ | 26.97 грн |
STW56N65DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 360W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 360W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 692.96 грн |
2+ | 556.40 грн |
5+ | 526.33 грн |
STW56N65DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag
MOSFETs N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 799.58 грн |
10+ | 477.09 грн |
100+ | 397.38 грн |
600+ | 380.67 грн |
TRS16N65FB,S1Q |
![]() |
Виробник: Toshiba
SiC Schottky Diodes SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=16A
SiC Schottky Diodes SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=16A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 608.99 грн |
10+ | 410.68 грн |
120+ | 282.65 грн |
510+ | 236.30 грн |
WMK16N65C2 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 163.65 грн |
4+ | 126.64 грн |
10+ | 101.31 грн |
18+ | 54.61 грн |
47+ | 51.45 грн |
WMK36N65C4 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 222.46 грн |
6+ | 159.09 грн |
17+ | 150.38 грн |
WML26N65C4 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 127.85 грн |
5+ | 106.06 грн |
12+ | 83.90 грн |
31+ | 79.15 грн |
WMN16N65C2 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 44.32 грн |
11+ | 36.41 грн |
25+ | 32.45 грн |
30+ | 31.66 грн |
WMO16N65C2 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 64.78 грн |
8+ | 53.03 грн |
20+ | 46.93 грн |
STU6N65K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
STD16N65M2 Код товару: 198608
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STD16N65M5 Код товару: 189591
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF16N65M5 Код товару: 201571
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF6N65K3 Код товару: 198720
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STP16N65M5 (транзистори польові N-канальні) Код товару: 43778
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
5STP 26N6500 |
Виробник: ABB
5STP26N6500 Button thyristors
5STP26N6500 Button thyristors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BXP16N65F |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.1A; Idm: 64A; 43W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.1A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 43W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.1A; Idm: 64A; 43W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.1A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 43W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFA26N65X3 |
![]() |
Виробник: Littelfuse
MOSFETs TO263 650V 26A N-CH HIPER
MOSFETs TO263 650V 26A N-CH HIPER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH26N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH26N65X2 THT N channel transistors
IXFH26N65X2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH26N65X3 |
Виробник: Littelfuse
MOSFETs TO247 650V 26A N-CH X3CLASS
MOSFETs TO247 650V 26A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFH46N65X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXFH46N65X3 THT N channel transistors
IXFH46N65X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXFP26N65X2 |
Виробник: IXYS
MOSFETs TO220 650V 26A N-CH X2CLASS
MOSFETs TO220 650V 26A N-CH X2CLASS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]