Результат пошуку "7n65" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 9
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AOTF7N65 Код товару: 153855
Додати до обраних
Обраний товар
|
A&O |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220F Uds,V: 650 V Idd,A: 7 А Rds(on), Ohm: 1,56 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 887/19 Монтаж: THT |
у наявності: 11 шт
10 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Київ |
|
||||||||||||||
|
AOT7N65 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.5A Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.56Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 274 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AOT7N65 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.5A Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.56Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 274 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| AOT7N65 | ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 192W; -55°C ~ 150°C; AOT7N65 TAOT7n65кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| AOTF7N65 | ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; AOTF7N65 TAOTF7n65кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BXP7N65CF | BRIDGELUX |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 46W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.9A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 46W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 21nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 769 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BXP7N65CF | BRIDGELUX |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 46W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.9A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 46W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 21nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 769 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BXP7N65D | BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 145W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.9A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 145W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2429 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BXP7N65D | BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 145W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.9A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 145W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2429 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BXP7N65P | BRIDGELUX |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 167W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.9A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 167W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 21nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 689 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BXP7N65P | BRIDGELUX |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 167W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.9A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 167W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 21nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 689 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DI5A7N65D1K-AQ | Diotec Semiconductor |
MOSFETs MOSFET, DPAK, 650V, 5.7A, 150C, N, AEC-Q101 |
на замовлення 2403 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FCH067N65S3-F155 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs SuperFET3 650V 67 mOhm |
на замовлення 868 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FCH077N65F-F085 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 650V N-Channel SuperFET II MOSFET |
на замовлення 892 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FCH077N65F-F155 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs SuperFET2 650V, 77 mOhm, FRFET |
на замовлення 1325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FCP067N65S3 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET |
на замовлення 633 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FCPF067N65S3 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs SuperFET3 650V 67 mOhm |
на замовлення 4595 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| MOT7N65F | MOT |
TRANSISTOR ODPOWIEDNIK: MAGNACHIP MDF7N65BTH; MOT7N65F TO-220F T7N65F MOT кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
NTH027N65S3F-F155 | onsemi |
MOSFETs SF3 FRFET 650V 27MOHM |
на замовлення 1307 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTH4L027N65S3F | onsemi |
MOSFETs FRFET 650V 75A 27.4 mOhm |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTH4LN067N65S3H | onsemi |
MOSFETs SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4 |
на замовлення 377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTHL027N65S3HF | onsemi |
MOSFETs FRFET 650V 75A 27.4mOhm |
на замовлення 1288 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTHL067N65S3H | onsemi |
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 40 A, 67 mohm, TO-247 |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTP067N65S3H | onsemi |
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 40 A, 67 mohm, TO-220 |
на замовлення 224 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NVH4L027N65S3F | onsemi |
MOSFETs SUPERFET III MOSFET, 650V, 27mohm |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NVHL027N65S3F | onsemi |
MOSFETs SUPERFET3 650V TO247 PKG |
на замовлення 449 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SIHG47N65E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC |
на замовлення 598 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SIHJ7N65E-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L |
на замовлення 2502 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SPW47N65C3 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STB57N65M5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5 |
на замовлення 1907 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD7N65M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package |
на замовлення 1003 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF57N65M5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5 |
на замовлення 516 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STL57N65M5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5 |
на замовлення 2727 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP57N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 26.5A; Idm: 168A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 26.5A Pulsed drain current: 168A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 63mΩ Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ M5 |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP57N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 26.5A; Idm: 168A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 26.5A Pulsed drain current: 168A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 63mΩ Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ M5 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 37 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STW57N65M5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5 |
на замовлення 524 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STW57N65M5-4 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 26.5A Power dissipation: 250W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 56mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ V Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Version: ESD |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STW57N65M5-4 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 26.5A Power dissipation: 250W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 56mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ V Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STW77N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 41.5A; 400W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 41.5A Power dissipation: 400W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ V |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STW77N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 41.5A; 400W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 41.5A Power dissipation: 400W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STW77N65M5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V 0.033ohm 69A Mdmesh |
на замовлення 540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TK17N65W,S1F | Toshiba |
MOSFETs Power MOSFET N-Channel |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TW027N65C,S1F | Toshiba |
SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TW107N65C,S1F | Toshiba |
SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm |
на замовлення 76 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMF07N65C4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SJMOS™ C4; unipolar; 650V; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: SJMOS™ C4 |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMF07N65C4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SJMOS™ C4; unipolar; 650V; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: SJMOS™ C4 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMK07N65C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Power dissipation: 42W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.14Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm Technology: WMOS™ C2 |
на замовлення 470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMK07N65C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Power dissipation: 42W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.14Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm Technology: WMOS™ C2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 470 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMO07N65C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Power dissipation: 42W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.14Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: WMOS™ C2 |
на замовлення 311 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMO07N65C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Power dissipation: 42W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.14Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: WMOS™ C2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 311 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| 24G62587N65 | N/A | 2006 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FCH077N65F-F085 | ON Semiconductor |
|
на замовлення 3600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FCH077N65F-F155 | ON Semiconductor |
|
на замовлення 8910 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB7N65C | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB7N65C | FAIRCHILD | SOT-263 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB7N65C | fairchild | to-263/d2-pak |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB7N65CTM | fairchild |
to-263/d2-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQB7N65CTM | FAIRCHILD |
SOT-263 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQPF7N65 |
на замовлення 87090 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MDF7N65BTH |
на замовлення 56000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| AOTF7N65 Код товару: 153855
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: A&O
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Uds,V: 650 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 1,56 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 887/19
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Uds,V: 650 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 1,56 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 887/19
Монтаж: THT
у наявності: 11 шт
10 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 40.00 грн |
| 10+ | 36.00 грн |
| AOT7N65 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.5A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.5A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 64.82 грн |
| 8+ | 53.69 грн |
| 25+ | 47.36 грн |
| 100+ | 43.24 грн |
| 250+ | 40.63 грн |
| AOT7N65 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.5A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.5A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 77.78 грн |
| 5+ | 66.91 грн |
| 25+ | 56.83 грн |
| 100+ | 51.89 грн |
| 250+ | 48.75 грн |
| AOT7N65 |
![]() |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 192W; -55°C ~ 150°C; AOT7N65 TAOT7n65
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 192W; -55°C ~ 150°C; AOT7N65 TAOT7n65
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 42.54 грн |
| AOTF7N65 |
![]() |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; AOTF7N65 TAOTF7n65
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; AOTF7N65 TAOTF7n65
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 42.54 грн |
| BXP7N65CF |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 46W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 46W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 46W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 46W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 49.47 грн |
| 12+ | 35.64 грн |
| 25+ | 28.75 грн |
| 100+ | 24.15 грн |
| 250+ | 21.78 грн |
| 500+ | 19.24 грн |
| BXP7N65CF |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 46W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 46W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 46W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 46W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 769 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.36 грн |
| 10+ | 44.41 грн |
| 25+ | 34.50 грн |
| 100+ | 28.99 грн |
| 250+ | 26.13 грн |
| 500+ | 23.09 грн |
| 1000+ | 21.86 грн |
| BXP7N65D |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 145W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 145W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 145W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 145W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 59.70 грн |
| 11+ | 38.65 грн |
| 25+ | 31.20 грн |
| 100+ | 26.21 грн |
| 250+ | 23.52 грн |
| 500+ | 20.83 грн |
| 1000+ | 18.77 грн |
| BXP7N65D |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 145W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 145W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 145W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 145W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.64 грн |
| 10+ | 48.16 грн |
| 25+ | 37.44 грн |
| 100+ | 31.46 грн |
| 250+ | 28.23 грн |
| 500+ | 24.99 грн |
| 1000+ | 22.52 грн |
| BXP7N65P |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 167W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 167W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 66.52 грн |
| 10+ | 42.21 грн |
| 25+ | 37.70 грн |
| 100+ | 31.68 грн |
| 250+ | 28.51 грн |
| 500+ | 25.10 грн |
| BXP7N65P |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 167W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 167W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 689 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 79.83 грн |
| 10+ | 52.60 грн |
| 25+ | 45.24 грн |
| 100+ | 38.01 грн |
| 250+ | 34.21 грн |
| 500+ | 30.13 грн |
| 1000+ | 27.18 грн |
| DI5A7N65D1K-AQ |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, DPAK, 650V, 5.7A, 150C, N, AEC-Q101
MOSFETs MOSFET, DPAK, 650V, 5.7A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 187.15 грн |
| 10+ | 119.78 грн |
| 100+ | 70.63 грн |
| 500+ | 58.31 грн |
| 2500+ | 46.68 грн |
| FCH067N65S3-F155 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET3 650V 67 mOhm
MOSFETs SuperFET3 650V 67 mOhm
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 431.08 грн |
| 10+ | 307.76 грн |
| 120+ | 226.56 грн |
| 510+ | 223.52 грн |
| FCH077N65F-F085 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 650V N-Channel SuperFET II MOSFET
MOSFETs 650V N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 545.50 грн |
| 10+ | 449.40 грн |
| FCH077N65F-F155 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET2 650V, 77 mOhm, FRFET
MOSFETs SuperFET2 650V, 77 mOhm, FRFET
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 858.60 грн |
| 10+ | 504.48 грн |
| 120+ | 390.78 грн |
| FCP067N65S3 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET
MOSFETs 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 416.88 грн |
| 10+ | 285.03 грн |
| 100+ | 234.93 грн |
| 500+ | 219.72 грн |
| FCPF067N65S3 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET3 650V 67 mOhm
MOSFETs SuperFET3 650V 67 mOhm
на замовлення 4595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 540.18 грн |
| 10+ | 287.65 грн |
| 100+ | 239.49 грн |
| 500+ | 233.40 грн |
| MOT7N65F |
Виробник: MOT
TRANSISTOR ODPOWIEDNIK: MAGNACHIP MDF7N65BTH; MOT7N65F TO-220F T7N65F MOT
кількість в упаковці: 50 шт
TRANSISTOR ODPOWIEDNIK: MAGNACHIP MDF7N65BTH; MOT7N65F TO-220F T7N65F MOT
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 28.69 грн |
| NTH027N65S3F-F155 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 FRFET 650V 27MOHM
MOSFETs SF3 FRFET 650V 27MOHM
на замовлення 1307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1119.38 грн |
| NTH4L027N65S3F |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs FRFET 650V 75A 27.4 mOhm
MOSFETs FRFET 650V 75A 27.4 mOhm
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1808.57 грн |
| 10+ | 1290.49 грн |
| 120+ | 1051.46 грн |
| NTH4LN067N65S3H |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4
MOSFETs SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 760.15 грн |
| 10+ | 455.52 грн |
| 120+ | 322.36 грн |
| NTHL027N65S3HF |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs FRFET 650V 75A 27.4mOhm
MOSFETs FRFET 650V 75A 27.4mOhm
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1528.28 грн |
| 10+ | 1030.82 грн |
| NTHL067N65S3H |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 40 A, 67 mohm, TO-247
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 40 A, 67 mohm, TO-247
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 548.16 грн |
| 10+ | 415.30 грн |
| 120+ | 353.53 грн |
| NTP067N65S3H |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 40 A, 67 mohm, TO-220
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 40 A, 67 mohm, TO-220
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 486.96 грн |
| 10+ | 339.24 грн |
| 100+ | 288.90 грн |
| NVH4L027N65S3F |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET III MOSFET, 650V, 27mohm
MOSFETs SUPERFET III MOSFET, 650V, 27mohm
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1602.79 грн |
| 10+ | 996.72 грн |
| 120+ | 818.06 грн |
| NVHL027N65S3F |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V TO247 PKG
MOSFETs SUPERFET3 650V TO247 PKG
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1576.18 грн |
| 10+ | 980.98 грн |
| 120+ | 802.85 грн |
| SIHG47N65E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 665.24 грн |
| 10+ | 466.89 грн |
| 100+ | 300.31 грн |
| 500+ | 274.46 грн |
| SIHJ7N65E-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 242.15 грн |
| 10+ | 160.87 грн |
| 100+ | 97.32 грн |
| 500+ | 82.87 грн |
| 1000+ | 82.11 грн |
| 3000+ | 80.59 грн |
| SPW47N65C3 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
MOSFETs N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1201.87 грн |
| 10+ | 1127.87 грн |
| 25+ | 893.32 грн |
| 100+ | 828.70 грн |
| 240+ | 467.57 грн |
| STB57N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
на замовлення 1907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 848.85 грн |
| 10+ | 599.78 грн |
| 100+ | 444.00 грн |
| 1000+ | 361.13 грн |
| STD7N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
MOSFETs N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.59 грн |
| 10+ | 68.02 грн |
| 500+ | 47.37 грн |
| 1000+ | 43.18 грн |
| 2500+ | 38.01 грн |
| 5000+ | 37.10 грн |
| STF57N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 682.09 грн |
| 10+ | 380.33 грн |
| 100+ | 328.44 грн |
| 500+ | 319.32 грн |
| STL57N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
MOSFETs N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
на замовлення 2727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 903.84 грн |
| 10+ | 627.76 грн |
| 100+ | 469.09 грн |
| 500+ | 468.33 грн |
| 1000+ | 398.38 грн |
| STP57N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 26.5A; Idm: 168A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M5
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 26.5A; Idm: 168A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M5
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 601.28 грн |
| 5+ | 459.33 грн |
| 10+ | 404.69 грн |
| STP57N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 26.5A; Idm: 168A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M5
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 26.5A; Idm: 168A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 721.53 грн |
| 5+ | 572.40 грн |
| 10+ | 485.63 грн |
| 50+ | 475.17 грн |
| STW57N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 667.90 грн |
| 10+ | 424.92 грн |
| 100+ | 355.05 грн |
| 600+ | 350.49 грн |
| 1200+ | 346.69 грн |
| STW57N65M5-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ V
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ V
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Version: ESD
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1043.92 грн |
| 3+ | 855.31 грн |
| 10+ | 772.95 грн |
| STW57N65M5-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ V
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ V
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1252.70 грн |
| 3+ | 1065.85 грн |
| 10+ | 927.54 грн |
| 30+ | 859.11 грн |
| STW77N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 41.5A; 400W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41.5A
Power dissipation: 400W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 41.5A; 400W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41.5A
Power dissipation: 400W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 930.49 грн |
| 5+ | 784.83 грн |
| STW77N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 41.5A; 400W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41.5A
Power dissipation: 400W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 41.5A; 400W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41.5A
Power dissipation: 400W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1116.58 грн |
| 5+ | 978.01 грн |
| STW77N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V 0.033ohm 69A Mdmesh
MOSFETs N-channel 650 V 0.033ohm 69A Mdmesh
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1158.41 грн |
| 10+ | 690.71 грн |
| TK17N65W,S1F |
![]() |
Виробник: Toshiba
MOSFETs Power MOSFET N-Channel
MOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 426.64 грн |
| 10+ | 285.03 грн |
| 120+ | 167.26 грн |
| 510+ | 145.97 грн |
| TW027N65C,S1F |
![]() |
Виробник: Toshiba
SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm
SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2081.76 грн |
| 10+ | 1363.06 грн |
| TW107N65C,S1F |
![]() |
Виробник: Toshiba
SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm
SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 925.13 грн |
| 10+ | 743.17 грн |
| 120+ | 561.84 грн |
| WMF07N65C4 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJMOS™ C4; unipolar; 650V; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SJMOS™ C4
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJMOS™ C4; unipolar; 650V; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SJMOS™ C4
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 42.64 грн |
| 12+ | 35.88 грн |
| 14+ | 30.33 грн |
| 25+ | 26.61 грн |
| 100+ | 24.63 грн |
| 250+ | 23.76 грн |
| 500+ | 21.78 грн |
| WMF07N65C4 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJMOS™ C4; unipolar; 650V; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SJMOS™ C4
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJMOS™ C4; unipolar; 650V; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SJMOS™ C4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 51.17 грн |
| 7+ | 44.71 грн |
| 10+ | 36.40 грн |
| 25+ | 31.93 грн |
| 100+ | 29.56 грн |
| 250+ | 28.51 грн |
| 500+ | 26.13 грн |
| WMK07N65C2 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
Technology: WMOS™ C2
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
Technology: WMOS™ C2
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 74.20 грн |
| 7+ | 57.02 грн |
| 10+ | 45.22 грн |
| 25+ | 33.97 грн |
| 100+ | 30.41 грн |
| 250+ | 28.35 грн |
| WMK07N65C2 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
Technology: WMOS™ C2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
Technology: WMOS™ C2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.04 грн |
| 5+ | 71.06 грн |
| 10+ | 54.26 грн |
| 25+ | 40.77 грн |
| 100+ | 36.49 грн |
| 250+ | 34.02 грн |
| 500+ | 32.22 грн |
| WMO07N65C2 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 45.20 грн |
| 16+ | 24.87 грн |
| 25+ | 21.46 грн |
| 100+ | 20.12 грн |
| WMO07N65C2 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 311 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 54.24 грн |
| 10+ | 30.99 грн |
| 25+ | 25.75 грн |
| 100+ | 24.14 грн |
| 24G62587N65 |
Виробник: N/A
2006
2006
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FCH077N65F-F085 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FCH077N65F-F155 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 8910 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FQB7N65C |
Виробник: FAIRCHILD
07+ SOT-263
07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FQB7N65C |
Виробник: FAIRCHILD
SOT-263
SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FQB7N65C |
Виробник: fairchild
to-263/d2-pak
to-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FQB7N65CTM |
![]() |
Виробник: fairchild
to-263/d2-pak
to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FQB7N65CTM |
![]() |
Виробник: FAIRCHILD
SOT-263
SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
















