Результат пошуку "7n65" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
7N65 7N65 GOODWORK 1779530032317604.pdf Description: 650V 7A 1.18@10V TO-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7N65F 7N65F GOODWORK 1779529700653077.pdf Description: 650V 7A 1.3@10V ITO-220AB-3
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7N65F 7N65F EVVO 5272_7N65F.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.56 грн
10+101.56 грн
50+77.01 грн
100+64.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7N65F 7N65F UMW 6ec2eeb8f22b3e73706ad8a0193e8f0b.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
Packaging: Tube
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.06 грн
10+62.24 грн
50+46.40 грн
100+38.74 грн
500+30.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7N65L 7N65L UMW 6ec2eeb8f22b3e73706ad8a0193e8f0b.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.28 грн
10+49.29 грн
50+36.51 грн
100+30.37 грн
500+23.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD7N65 AOD7N65 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD7N65.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
на замовлення 5299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.96 грн
10+78.62 грн
50+59.12 грн
100+49.55 грн
500+39.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD7N65 AOD7N65 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD7N65.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOT7N65 AOT7N65 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR TO220.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.5A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 258 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.28 грн
8+57.39 грн
25+50.62 грн
100+46.22 грн
250+43.43 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOT7N65 AOT7N65 ALPHA&OMEGA info-taot7n65.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 192W; -55°C ~ 150°C; AOT7N65 TAOT7n65
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+45.58 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF7N65 AOTF7N65 ALPHA&OMEGA info-taotf7n65.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; AOTF7N65 TAOTF7n65
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+45.58 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BXP7N65CF BXP7N65CF BRIDGELUX BXP7N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 46W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 46W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Kind of package: tube
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+52.87 грн
12+38.43 грн
25+31.07 грн
100+26.07 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BXP7N65D BXP7N65D BRIDGELUX BXP7N65.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 145W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 145W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+64.73 грн
11+41.73 грн
25+33.69 грн
100+28.27 грн
250+25.40 грн
500+22.52 грн
1000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BXP7N65P BXP7N65P BRIDGELUX BXP7N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 167W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Kind of package: tube
на замовлення 642 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+72.02 грн
10+45.54 грн
25+40.63 грн
100+34.20 грн
250+30.73 грн
500+27.09 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI5A7N65D1K-AQ DI5A7N65D1K-AQ Diotec Semiconductor di5a7n65d1k.pdf MOSFETs MOSFET, DPAK, 650V, 5.7A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI5A7N65D1K-AQ DI5A7N65D1K-AQ Diotec Semiconductor di5a7n65d1k.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 5.7A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.55 грн
10+113.97 грн
50+86.79 грн
100+73.23 грн
500+58.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7N65SCT DMG7N65SCT Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 501V-650V
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7N65SCTI DMG7N65SCTI Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 501V-650V
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCH067N65S3-F155 FCH067N65S3-F155 onsemi FCH067N65S3-D.PDF MOSFETs SuperFET3 650V 67 mOhm
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCH077N65F-F085 FCH077N65F-F085 onsemi FCH077N65F_F085-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7162 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+806.99 грн
30+468.14 грн
60+431.29 грн
120+375.68 грн
510+368.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH077N65F-F085 FCH077N65F-F085 onsemi FCH077N65F_F085-D.PDF FAIR-S-A0000209824-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs 650V N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCH077N65F-F085 FCH077N65F-F085 Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0000209824-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7162 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+537.12 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCH077N65F-F155 FCH077N65F-F155 onsemi FCH077N65F-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7109 pF @ 100 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+751.60 грн
30+433.37 грн
60+398.74 грн
120+346.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH077N65F-F155 FCH077N65F-F155 onsemi FCH077N65F-D.PDF MOSFETs SuperFET2 650V, 77 mOhm, FRFET
на замовлення 1282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP067N65S3 FCP067N65S3 onsemi FCP067N65S3-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 44A TO220
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+563.31 грн
10+370.42 грн
50+296.65 грн
100+256.13 грн
500+230.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP067N65S3 FCP067N65S3 onsemi FCP067N65S3-D.PDF MOSFETs 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF067N65S3 FCPF067N65S3 onsemi FCPF067N65S3-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 44A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+567.26 грн
10+372.63 грн
50+298.50 грн
100+257.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF067N65S3 FCPF067N65S3 onsemi FCPF067N65S3-D.PDF MOSFETs SuperFET3 650V 67 mOhm
на замовлення 4437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP7N65C FQP7N65C Fairchild Semiconductor FAIRS34459-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
на замовлення 25372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
252+80.60 грн
Мінімальне замовлення: 252 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDD7N65D MDD7N65D MDD MDD7N65D0000SD.pdf Description: MOSFET N 650V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
на замовлення 73876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+92.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N65AC MOT7N65AC Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_105.html Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.37 грн
10+59.27 грн
100+35.56 грн
500+23.36 грн
1000+19.85 грн
4200+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N65AD MOT7N65AD Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.58 грн
10+59.27 грн
100+35.56 грн
500+23.36 грн
1000+19.85 грн
2500+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N65AF MOT7N65AF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.26 грн
10+69.33 грн
100+41.59 грн
500+27.32 грн
1000+23.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N65F MOT7N65F MOT T7N65F_MOT_MOT-MOS_0002.pdf TRANSISTOR Equivalent: MAGNACHIP MDF7N65BTH; MOT7N65F TO-220F T7N65F MOT
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+30.75 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH027N65S3F-F155 NTH027N65S3F-F155 onsemi nth027n65s3f-d.pdf MOSFETs SF3 FRFET 650V 27MOHM
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L027N65S3F NTH4L027N65S3F onsemi nth4l027n65s3f-d.pdf MOSFETs FRFET 650V 75A 27.4 mOhm
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L027N65S3F NTH4L027N65S3F onsemi nth4l027n65s3f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 400 V
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1719.99 грн
10+1200.54 грн
50+1021.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L067N65S3H NTH4L067N65S3H onsemi nth4l067n65s3h-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN067N65S3H NTH4LN067N65S3H onsemi nth4ln067n65s3h-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+697.01 грн
30+398.91 грн
60+366.49 грн
120+318.36 грн
510+304.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN067N65S3H NTH4LN067N65S3H onsemi nth4ln067n65s3h-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL027N65S3HF NTHL027N65S3HF onsemi nthl027n65s3hf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 400 V
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1541.19 грн
30+945.34 грн
60+902.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL027N65S3HF NTHL027N65S3HF onsemi nthl027n65s3hf-d.pdf MOSFETs FRFET 650V 75A 27.4mOhm
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL067N65S3H NTHL067N65S3H onsemi nthl067n65s3h-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+738.15 грн
30+422.83 грн
60+388.47 грн
120+337.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL067N65S3H NTHL067N65S3H onsemi nthl067n65s3h-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-3
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTP067N65S3H NTP067N65S3H ONSEMI ntp067n65s3h-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 112A; 266W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Power dissipation: 266W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 112A
Kind of package: tube
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+577.97 грн
2+450.34 грн
5+371.62 грн
10+364.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP067N65S3H NTP067N65S3H onsemi ntp067n65s3h-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-220
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTP067N65S3H NTP067N65S3H onsemi ntp067n65s3h-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+596.54 грн
10+393.27 грн
50+315.76 грн
100+272.94 грн
500+248.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L027N65S3F NVH4L027N65S3F onsemi nvh4l027n65s3f-d.pdf Description: SF3 FRFET AUTO 27MOHM TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7780 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1433.59 грн
30+874.49 грн
60+823.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L027N65S3F NVH4L027N65S3F onsemi nvh4l027n65s3f-d.pdf MOSFETs SF3 FRFET AUTO 27MOHM TO-247-4L
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL027N65S3F NVHL027N65S3F onsemi nvhl027n65s3f-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V TO247 PKG
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL027N65S3F NVHL027N65S3F onsemi nvhl027n65s3f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7780 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1497.67 грн
30+912.10 грн
60+857.03 грн
120+758.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N65E-GE3 SIHG47N65E-GE3 Vishay / Siliconix tf-sihg47n65e-ge3.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N65E-GE3 SIHG47N65E-GE3 Vishay Siliconix tf-sihg47n65e-ge3.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 47A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5682 pF @ 100 V
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+696.22 грн
10+459.02 грн
50+368.54 грн
100+318.55 грн
500+270.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ7N65E-T1-GE3 SIHJ7N65E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihj7n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7.9A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 598mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.35 грн
10+149.02 грн
50+114.64 грн
100+97.17 грн
500+78.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ7N65E-T1-GE3 SIHJ7N65E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihj7n65e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI07N65C3XKSA1 SPI07N65C3XKSA1 Infineon Technologies INFNS17080-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+88.73 грн
Мінімальне замовлення: 229 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N65C3 SPW47N65C3 Infineon Technologies Infineon-SPW47N65C3-DS-v01_02-en.pdf MOSFETs N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB57N65M5 STB57N65M5 STMicroelectronics en.DM00049152.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
на замовлення 4824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+843.38 грн
10+561.80 грн
50+454.80 грн
100+412.92 грн
500+389.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB57N65M5 STB57N65M5 STMicroelectronics en.DM00049152.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+352.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB57N65M5 STB57N65M5 STMicroelectronics en.DM00049152.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N65M2 STD7N65M2 STMicroelectronics en.DM00128915.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
7N65 1779530032317604.pdf
7N65
Виробник: GOODWORK
Description: 650V 7A 1.18@10V TO-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7N65F 1779529700653077.pdf
7N65F
Виробник: GOODWORK
Description: 650V 7A 1.3@10V ITO-220AB-3
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7N65F 5272_7N65F.pdf
7N65F
Виробник: EVVO
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+164.56 грн
10+101.56 грн
50+77.01 грн
100+64.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7N65F 6ec2eeb8f22b3e73706ad8a0193e8f0b.pdf
7N65F
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
Packaging: Tube
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+102.06 грн
10+62.24 грн
50+46.40 грн
100+38.74 грн
500+30.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7N65L 6ec2eeb8f22b3e73706ad8a0193e8f0b.pdf
7N65L
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+82.28 грн
10+49.29 грн
50+36.51 грн
100+30.37 грн
500+23.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD7N65 AOD7N65.pdf
AOD7N65
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
на замовлення 5299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+128.96 грн
10+78.62 грн
50+59.12 грн
100+49.55 грн
500+39.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD7N65 AOD7N65.pdf
AOD7N65
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+35.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOT7N65 TO220.pdf
AOT7N65
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.5A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 258 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+69.28 грн
8+57.39 грн
25+50.62 грн
100+46.22 грн
250+43.43 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOT7N65 info-taot7n65.pdf
AOT7N65
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 192W; -55°C ~ 150°C; AOT7N65 TAOT7n65
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+45.58 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF7N65 info-taotf7n65.pdf
AOTF7N65
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; AOTF7N65 TAOTF7n65
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+45.58 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BXP7N65CF BXP7N65.pdf
BXP7N65CF
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 46W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 46W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Kind of package: tube
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+52.87 грн
12+38.43 грн
25+31.07 грн
100+26.07 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BXP7N65D BXP7N65.pdf
BXP7N65D
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 145W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 145W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+64.73 грн
11+41.73 грн
25+33.69 грн
100+28.27 грн
250+25.40 грн
500+22.52 грн
1000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BXP7N65P BXP7N65.pdf
BXP7N65P
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 167W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Kind of package: tube
на замовлення 642 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+72.02 грн
10+45.54 грн
25+40.63 грн
100+34.20 грн
250+30.73 грн
500+27.09 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI5A7N65D1K-AQ di5a7n65d1k.pdf
DI5A7N65D1K-AQ
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, DPAK, 650V, 5.7A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI5A7N65D1K-AQ di5a7n65d1k.pdf
DI5A7N65D1K-AQ
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 5.7A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+183.55 грн
10+113.97 грн
50+86.79 грн
100+73.23 грн
500+58.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7N65SCT
DMG7N65SCT
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 501V-650V
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7N65SCTI
DMG7N65SCTI
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 501V-650V
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCH067N65S3-F155 FCH067N65S3-D.PDF
FCH067N65S3-F155
Виробник: onsemi
MOSFETs SuperFET3 650V 67 mOhm
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCH077N65F-F085 FCH077N65F_F085-D.PDF
FCH077N65F-F085
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7162 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+806.99 грн
30+468.14 грн
60+431.29 грн
120+375.68 грн
510+368.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH077N65F-F085 FCH077N65F_F085-D.PDF FAIR-S-A0000209824-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCH077N65F-F085
Виробник: onsemi
MOSFETs 650V N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCH077N65F-F085 FAIR-S-A0000209824-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCH077N65F-F085
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7162 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
38+537.12 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCH077N65F-F155 FCH077N65F-D.PDF
FCH077N65F-F155
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7109 pF @ 100 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+751.60 грн
30+433.37 грн
60+398.74 грн
120+346.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH077N65F-F155 FCH077N65F-D.PDF
FCH077N65F-F155
Виробник: onsemi
MOSFETs SuperFET2 650V, 77 mOhm, FRFET
на замовлення 1282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP067N65S3 FCP067N65S3-D.PDF
FCP067N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 44A TO220
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+563.31 грн
10+370.42 грн
50+296.65 грн
100+256.13 грн
500+230.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP067N65S3 FCP067N65S3-D.PDF
FCP067N65S3
Виробник: onsemi
MOSFETs 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF067N65S3 FCPF067N65S3-D.PDF
FCPF067N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 44A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+567.26 грн
10+372.63 грн
50+298.50 грн
100+257.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF067N65S3 FCPF067N65S3-D.PDF
FCPF067N65S3
Виробник: onsemi
MOSFETs SuperFET3 650V 67 mOhm
на замовлення 4437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP7N65C FAIRS34459-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQP7N65C
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
на замовлення 25372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
252+80.60 грн
Мінімальне замовлення: 252 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDD7N65D MDD7N65D0000SD.pdf
MDD7N65D
Виробник: MDD
Description: MOSFET N 650V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
на замовлення 73876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+92.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N65AC index_105.html
MOT7N65AC
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+74.37 грн
10+59.27 грн
100+35.56 грн
500+23.36 грн
1000+19.85 грн
4200+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N65AD
MOT7N65AD
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+73.58 грн
10+59.27 грн
100+35.56 грн
500+23.36 грн
1000+19.85 грн
2500+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N65AF
MOT7N65AF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+120.26 грн
10+69.33 грн
100+41.59 грн
500+27.32 грн
1000+23.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N65F T7N65F_MOT_MOT-MOS_0002.pdf
MOT7N65F
Виробник: MOT
TRANSISTOR Equivalent: MAGNACHIP MDF7N65BTH; MOT7N65F TO-220F T7N65F MOT
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+30.75 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH027N65S3F-F155 nth027n65s3f-d.pdf
NTH027N65S3F-F155
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 FRFET 650V 27MOHM
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L027N65S3F nth4l027n65s3f-d.pdf
NTH4L027N65S3F
Виробник: onsemi
MOSFETs FRFET 650V 75A 27.4 mOhm
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L027N65S3F nth4l027n65s3f-d.pdf
NTH4L027N65S3F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 400 V
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1719.99 грн
10+1200.54 грн
50+1021.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L067N65S3H nth4l067n65s3h-d.pdf
NTH4L067N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN067N65S3H nth4ln067n65s3h-d.pdf
NTH4LN067N65S3H
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+697.01 грн
30+398.91 грн
60+366.49 грн
120+318.36 грн
510+304.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN067N65S3H nth4ln067n65s3h-d.pdf
NTH4LN067N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL027N65S3HF nthl027n65s3hf-d.pdf
NTHL027N65S3HF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 400 V
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1541.19 грн
30+945.34 грн
60+902.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL027N65S3HF nthl027n65s3hf-d.pdf
NTHL027N65S3HF
Виробник: onsemi
MOSFETs FRFET 650V 75A 27.4mOhm
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL067N65S3H nthl067n65s3h-d.pdf
NTHL067N65S3H
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+738.15 грн
30+422.83 грн
60+388.47 грн
120+337.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL067N65S3H nthl067n65s3h-d.pdf
NTHL067N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-3
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTP067N65S3H ntp067n65s3h-d.pdf
NTP067N65S3H
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 112A; 266W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Power dissipation: 266W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 112A
Kind of package: tube
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+577.97 грн
2+450.34 грн
5+371.62 грн
10+364.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP067N65S3H ntp067n65s3h-d.pdf
NTP067N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-220
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTP067N65S3H ntp067n65s3h-d.pdf
NTP067N65S3H
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+596.54 грн
10+393.27 грн
50+315.76 грн
100+272.94 грн
500+248.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L027N65S3F nvh4l027n65s3f-d.pdf
NVH4L027N65S3F
Виробник: onsemi
Description: SF3 FRFET AUTO 27MOHM TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7780 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1433.59 грн
30+874.49 грн
60+823.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L027N65S3F nvh4l027n65s3f-d.pdf
NVH4L027N65S3F
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 FRFET AUTO 27MOHM TO-247-4L
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL027N65S3F nvhl027n65s3f-d.pdf
NVHL027N65S3F
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V TO247 PKG
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL027N65S3F nvhl027n65s3f-d.pdf
NVHL027N65S3F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7780 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1497.67 грн
30+912.10 грн
60+857.03 грн
120+758.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N65E-GE3 tf-sihg47n65e-ge3.pdf
SIHG47N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N65E-GE3 tf-sihg47n65e-ge3.pdf
SIHG47N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 47A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5682 pF @ 100 V
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+696.22 грн
10+459.02 грн
50+368.54 грн
100+318.55 грн
500+270.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ7N65E-T1-GE3 sihj7n65e.pdf
SIHJ7N65E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 7.9A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 598mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+237.35 грн
10+149.02 грн
50+114.64 грн
100+97.17 грн
500+78.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ7N65E-T1-GE3 sihj7n65e.pdf
SIHJ7N65E-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI07N65C3XKSA1 INFNS17080-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPI07N65C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
229+88.73 грн
Мінімальне замовлення: 229 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N65C3 Infineon-SPW47N65C3-DS-v01_02-en.pdf
SPW47N65C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB57N65M5 en.DM00049152.pdf
STB57N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
на замовлення 4824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+843.38 грн
10+561.80 грн
50+454.80 грн
100+412.92 грн
500+389.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB57N65M5 en.DM00049152.pdf
STB57N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+352.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB57N65M5 en.DM00049152.pdf
STB57N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N65M2 en.DM00128915.pdf
STD7N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]