Результат пошуку "IRF840" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF840APBF (TO-220AB, Vishay) IRF840APBF (TO-220AB, Vishay)
Код товару: 35892
Додати до обраних Обраний товар

Vishay Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38
Монтаж: THT
у наявності: 260 шт
181 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
56 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+48.00 грн
10+43.50 грн
100+38.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF
Код товару: 182602
Додати до обраних Обраний товар

Siliconix irf840pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
Монтаж: THT
у наявності: 460 шт
394 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
24 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+32.00 грн
10+27.80 грн
100+25.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF IRF840SPBF
Код товару: 82665
Додати до обраних Обраний товар

Vishay sihf840s.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,84 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
Монтаж: SMD
у наявності: 205 шт
156 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
8 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+74.00 грн
10+68.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840 Vishay irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf IRF840.pdf Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=500V; Id=8A; Pdmax=125W; Rds=0,85 Ohm
на замовлення 247 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+78.44 грн
10+64.74 грн
100+53.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF84093 HARRIS IRF84093
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+94.02 грн
Мінімальне замовлення: 325
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840A IRF840A 91065.pdf description MOSFET 500V 8A (32A pulse), N Channel TO-220
на замовлення 7 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3+109.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840A Siliconix 91065.pdf description Tranz MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF840A; IRF840A-VB; IRF840A-BE3; IRF840A VISHAY TIRF840a
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+56.53 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF IRF840ALPBF VISHAY VISH-S-A0013329313-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840ALPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+241.81 грн
10+176.61 грн
100+142.77 грн
500+118.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF IRF840ALPBF Vishay sihf840.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+150.54 грн
96+128.05 грн
100+122.45 грн
Мінімальне замовлення: 82
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF IRF840ALPBF Vishay Siliconix sihf840.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.14 грн
50+114.77 грн
100+111.33 грн
500+89.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF IRF840ALPBF Vishay sihf840.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+139.28 грн
25+118.48 грн
100+113.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF IRF840APBF VISHAY IRF840A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+136.17 грн
10+104.22 грн
17+53.64 грн
46+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF Vishay 91065.pdf Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=500V; Id=8A; Pdmax=125W; Rds=0,85 Ohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+61.00 грн
10+50.71 грн
100+46.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF IRF840APBF VISHAY IRF840A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 607 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+163.41 грн
10+129.88 грн
17+64.37 грн
46+60.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF IRF840APBF VISHAY VISH-S-A0013276592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.66 грн
10+134.52 грн
100+99.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF IRF840APBF Vishay Siliconix 91065.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.61 грн
50+86.60 грн
100+83.84 грн
500+76.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF-BE3 IRF840APBF-BE3 Vishay 91065.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+132.40 грн
96+127.35 грн
100+123.03 грн
250+115.04 грн
500+103.62 грн
Мінімальне замовлення: 93
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF-BE3 IRF840APBF-BE3 Vishay Siliconix 91065.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.65 грн
10+94.11 грн
100+81.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF-BE3 IRF840APBF-BE3 VISHAY VISH-S-A0001435520-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840APBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 8A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF840A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.56 грн
10+135.35 грн
25+128.74 грн
50+111.88 грн
100+97.62 грн
500+92.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF VISHAY IRF840ASPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.68 грн
10+82.76 грн
15+61.31 грн
41+57.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF Vishay Siliconix sihf840.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.90 грн
50+94.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF VISHAY VISH-S-A0013329313-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+175.79 грн
10+110.59 грн
100+107.29 грн
500+96.56 грн
1000+87.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF Vishay sihf840.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+235.74 грн
78+157.47 грн
500+143.79 грн
1000+128.91 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF Vishay sihf840.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+88.97 грн
50+73.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF Vishay sihf840.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+132.79 грн
600+121.33 грн
900+112.90 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRLPBF IRF840ASTRLPBF Vishay sihf840.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+69.25 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRLPBF IRF840ASTRLPBF Vishay Siliconix sihf840.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.42 грн
10+126.45 грн
100+115.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRLPBF IRF840ASTRLPBF Vishay sihf840.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+121.78 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRRPBF IRF840ASTRRPBF Vishay Siliconix sihf840.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.99 грн
10+162.16 грн
100+123.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840B Siliconix IRF%28S%29840B.pdf description N-MOSFET 8A 500V 125W 0.85Ω IRF840 TIRF840
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 215 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+49.37 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF IRF840BPBF VISHAY VISH-S-A0014180325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.7 A, 0.7 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.02 грн
10+88.31 грн
100+67.67 грн
500+52.65 грн
1000+41.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF IRF840BPBF Vishay irf840b.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF IRF840BPBF Vishay irf840b.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+67.11 грн
11+59.28 грн
25+57.15 грн
50+48.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF IRF840BPBF Vishay Siliconix irf840b.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V
на замовлення 4807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.43 грн
50+68.04 грн
100+60.95 грн
500+45.51 грн
1000+41.76 грн
2000+38.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF-BE3 IRF840BPBF-BE3 Vishay Siliconix irf840b.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.08 грн
50+63.08 грн
100+56.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840HPBF IRF840HPBF Vishay irf840hpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+40.56 грн
25+40.43 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840HPBF IRF840HPBF Vishay Siliconix irf840hpbf.pdf Description: POWER MOSFET TO220AB, 850 M @ 10
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1059 pF @ 25 V
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.02 грн
10+91.27 грн
100+61.88 грн
500+46.24 грн
1000+42.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840HPBF IRF840HPBF VISHAY 3789918.pdf Description: VISHAY - IRF840HPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.3 A, 0.74 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.90 грн
10+99.03 грн
100+68.58 грн
500+43.53 грн
1000+37.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840HPBF IRF840HPBF Vishay irf840hpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCLPBF IRF840LCLPBF Vishay Siliconix sihf840l.pdf description Description: MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.42 грн
50+102.73 грн
100+99.65 грн
500+83.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LCPBF VISHAY IRF840LC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.29 грн
16+59.01 грн
42+55.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LCPBF VISHAY IRF840LC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 746 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+128.74 грн
16+73.53 грн
42+67.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LCPBF VISHAY VISH-S-A0013276628-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.77 грн
10+161.76 грн
100+102.34 грн
500+94.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LCPBF Vishay Siliconix 91067.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 7204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.67 грн
50+94.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LCPBF Vishay 91067.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+232.97 грн
95+129.43 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LCPBF VISHAY VISH-S-A0013276628-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840LCPBF - N CHANNEL MOSFET, 500V, 8A TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+193.94 грн
10+151.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LCPBF Vishay 91067.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+88.08 грн
50+79.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF-BE3 IRF840LCPBF-BE3 Vishay Siliconix 91067.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.18 грн
10+121.62 грн
100+115.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF VISHAY IRF840PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 1846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.99 грн
10+91.96 грн
19+49.05 грн
50+46.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF Vishay/IR irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 8 А; Ptot, Вт = 125; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 12 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
9+75.86 грн
10+70.81 грн
100+65.75 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF VISHAY IRF840PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1846 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+150.53 грн
3+130.83 грн
10+110.35 грн
19+58.85 грн
50+56.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 10289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+87.59 грн
50+85.08 грн
100+57.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+89.69 грн
3100+81.95 грн
4650+76.25 грн
6200+69.34 грн
Мінімальне замовлення: 137
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Vishay Siliconix irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 2694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.37 грн
50+79.71 грн
100+76.97 грн
2000+71.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 10289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+94.33 грн
134+91.63 грн
199+61.51 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 6368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+66.61 грн
50+65.36 грн
100+49.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 6356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+60.47 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF VISHAY VISH-S-A0013329288-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.70 грн
10+119.67 грн
100+89.13 грн
500+76.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF-BE3 IRF840PBF-BE3 Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF-BE3 IRF840PBF-BE3 Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+144.79 грн
113+108.18 грн
Мінімальне замовлення: 85
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF (TO-220AB, Vishay)
Код товару: 35892
Додати до обраних Обраний товар

IRF840APBF (TO-220AB, Vishay)
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38
Монтаж: THT
у наявності: 260 шт
181 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
56 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+48.00 грн
10+43.50 грн
100+38.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF
Код товару: 182602
Додати до обраних Обраний товар

irf840pbf-datasheet.pdf
IRF840PBF
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
Монтаж: THT
у наявності: 460 шт
394 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
24 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+32.00 грн
10+27.80 грн
100+25.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF
Код товару: 82665
Додати до обраних Обраний товар

sihf840s.pdf
IRF840SPBF
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,84 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
Монтаж: SMD
у наявності: 205 шт
156 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
8 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+74.00 грн
10+68.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840 irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf IRF840.pdf
Виробник: Vishay
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=500V; Id=8A; Pdmax=125W; Rds=0,85 Ohm
на замовлення 247 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.44 грн
10+64.74 грн
100+53.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF84093
Виробник: HARRIS
IRF84093
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
325+94.02 грн
Мінімальне замовлення: 325
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840A description 91065.pdf
IRF840A
MOSFET 500V 8A (32A pulse), N Channel TO-220
на замовлення 7 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840A description 91065.pdf
Виробник: Siliconix
Tranz MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF840A; IRF840A-VB; IRF840A-BE3; IRF840A VISHAY TIRF840a
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+56.53 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF VISH-S-A0013329313-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840ALPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840ALPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+241.81 грн
10+176.61 грн
100+142.77 грн
500+118.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF sihf840.pdf
IRF840ALPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
82+150.54 грн
96+128.05 грн
100+122.45 грн
Мінімальне замовлення: 82
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF sihf840.pdf
IRF840ALPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.14 грн
50+114.77 грн
100+111.33 грн
500+89.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF sihf840.pdf
IRF840ALPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+139.28 грн
25+118.48 грн
100+113.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF IRF840A.pdf
IRF840APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+136.17 грн
10+104.22 грн
17+53.64 грн
46+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF 91065.pdf
Виробник: Vishay
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=500V; Id=8A; Pdmax=125W; Rds=0,85 Ohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
5+61.00 грн
10+50.71 грн
100+46.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF IRF840A.pdf
IRF840APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 607 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.41 грн
10+129.88 грн
17+64.37 грн
46+60.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF VISH-S-A0013276592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840APBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+171.66 грн
10+134.52 грн
100+99.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF 91065.pdf
IRF840APBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.61 грн
50+86.60 грн
100+83.84 грн
500+76.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF-BE3 91065.pdf
IRF840APBF-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
93+132.40 грн
96+127.35 грн
100+123.03 грн
250+115.04 грн
500+103.62 грн
Мінімальне замовлення: 93
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF-BE3 91065.pdf
IRF840APBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.65 грн
10+94.11 грн
100+81.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF-BE3 VISH-S-A0001435520-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840APBF-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840APBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 8A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF840A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+181.56 грн
10+135.35 грн
25+128.74 грн
50+111.88 грн
100+97.62 грн
500+92.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF.pdf
IRF840ASPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.68 грн
10+82.76 грн
15+61.31 грн
41+57.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF sihf840.pdf
IRF840ASPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.90 грн
50+94.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF VISH-S-A0013329313-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840ASPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+175.79 грн
10+110.59 грн
100+107.29 грн
500+96.56 грн
1000+87.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF sihf840.pdf
IRF840ASPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
52+235.74 грн
78+157.47 грн
500+143.79 грн
1000+128.91 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF sihf840.pdf
IRF840ASPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+88.97 грн
50+73.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF sihf840.pdf
IRF840ASPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
92+132.79 грн
600+121.33 грн
900+112.90 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRLPBF sihf840.pdf
IRF840ASTRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+69.25 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRLPBF sihf840.pdf
IRF840ASTRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.42 грн
10+126.45 грн
100+115.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRLPBF sihf840.pdf
IRF840ASTRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+121.78 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRRPBF sihf840.pdf
IRF840ASTRRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.99 грн
10+162.16 грн
100+123.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840B description IRF%28S%29840B.pdf
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 8A 500V 125W 0.85Ω IRF840 TIRF840
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 215 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+49.37 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF VISH-S-A0014180325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840BPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.7 A, 0.7 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+118.02 грн
10+88.31 грн
100+67.67 грн
500+52.65 грн
1000+41.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF irf840b.pdf
IRF840BPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF irf840b.pdf
IRF840BPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+67.11 грн
11+59.28 грн
25+57.15 грн
50+48.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF irf840b.pdf
IRF840BPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V
на замовлення 4807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.43 грн
50+68.04 грн
100+60.95 грн
500+45.51 грн
1000+41.76 грн
2000+38.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF-BE3 irf840b.pdf
IRF840BPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.08 грн
50+63.08 грн
100+56.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840HPBF irf840hpbf.pdf
IRF840HPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+40.56 грн
25+40.43 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840HPBF irf840hpbf.pdf
IRF840HPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: POWER MOSFET TO220AB, 850 M @ 10
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1059 pF @ 25 V
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.02 грн
10+91.27 грн
100+61.88 грн
500+46.24 грн
1000+42.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840HPBF 3789918.pdf
IRF840HPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840HPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.3 A, 0.74 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+146.90 грн
10+99.03 грн
100+68.58 грн
500+43.53 грн
1000+37.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840HPBF irf840hpbf.pdf
IRF840HPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCLPBF description sihf840l.pdf
IRF840LCLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.42 грн
50+102.73 грн
100+99.65 грн
500+83.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LC.pdf
IRF840LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.29 грн
16+59.01 грн
42+55.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LC.pdf
IRF840LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 746 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.74 грн
16+73.53 грн
42+67.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF VISH-S-A0013276628-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840LCPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+194.77 грн
10+161.76 грн
100+102.34 грн
500+94.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF 91067.pdf
IRF840LCPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 7204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.67 грн
50+94.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF 91067.pdf
IRF840LCPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+232.97 грн
95+129.43 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF VISH-S-A0013276628-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840LCPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840LCPBF - N CHANNEL MOSFET, 500V, 8A TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+193.94 грн
10+151.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF 91067.pdf
IRF840LCPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+88.08 грн
50+79.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF-BE3 91067.pdf
IRF840LCPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.18 грн
10+121.62 грн
100+115.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF.pdf
IRF840PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 1846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.99 грн
10+91.96 грн
19+49.05 грн
50+46.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf
Виробник: Vishay/IR
N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 8 А; Ptot, Вт = 125; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 12 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
9+75.86 грн
10+70.81 грн
100+65.75 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF.pdf
IRF840PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1846 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+150.53 грн
3+130.83 грн
10+110.35 грн
19+58.85 грн
50+56.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF 91070.pdf
IRF840PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 10289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+87.59 грн
50+85.08 грн
100+57.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF 91070.pdf
IRF840PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
137+89.69 грн
3100+81.95 грн
4650+76.25 грн
6200+69.34 грн
Мінімальне замовлення: 137
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf
IRF840PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 2694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.37 грн
50+79.71 грн
100+76.97 грн
2000+71.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF 91070.pdf
IRF840PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 10289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
130+94.33 грн
134+91.63 грн
199+61.51 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF 91070.pdf
IRF840PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 6368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+66.61 грн
50+65.36 грн
100+49.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF 91070.pdf
IRF840PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 6356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
202+60.47 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF VISH-S-A0013329288-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+133.70 грн
10+119.67 грн
100+89.13 грн
500+76.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF-BE3 91070.pdf
IRF840PBF-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF-BE3 91070.pdf
IRF840PBF-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
85+144.79 грн
113+108.18 грн
Мінімальне замовлення: 85
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]