Результат пошуку "irf71" : > 120
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 295
Мінімальне замовлення: 279
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 606
Мінімальне замовлення: 606
Мінімальне замовлення: 396
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF710PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; 36W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 1.2A Power dissipation: 36W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: THT Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1559 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF710PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF710PBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 400V N-CH HEXFET |
на замовлення 1590 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF710PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF710PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF710PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF710PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 1.5 A, 3.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF710PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF710PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V |
на замовлення 6648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF710PBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 400V N-CH HEXFET |
на замовлення 1537 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF710PBF-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V |
на замовлення 2462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF710SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 36W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF710SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 36W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 94 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF710SPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 400V N-CH HEXFET D2-PA |
на замовлення 1687 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF710STRLPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF711 | Harris Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V |
на замовлення 6031 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF712S2497 | Harris Corporation |
Description: 1.7A, 400V, 5OHM, N-CHANNEL, Packaging: Bulk |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF710 PBF | Vishay/IR | TO-220AB |
на замовлення 13 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7101 | International Rectifier Corporation | (MFET,DUAL,N-CH,LL,1.4W,20V,1.4A,SO-8) |
на замовлення 2235 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7101TR | IOR |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRF7101TR | IR | 04+ |
на замовлення 116 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7102 | IOR | SOP-8 |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7102 | IR | 09+ |
на замовлення 95 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7102 | IOR |
на замовлення 8037 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRF7102 | IRF |
на замовлення 3325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRF7102 | IOR | 09+ SO-8 |
на замовлення 8891 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7102TR | IR | 04+ |
на замовлення 1052 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7102TR | IR | 09+ |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7103 | IOR | 09+ SO-8 |
на замовлення 123948 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7103 | IR | 09+ TO-220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7103 | IR |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRF7103 | IR | SO-8 |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7103 | IOR |
на замовлення 123828 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRF7103 | IR | 05+ SOP-8; |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7103 | IOR | 09+ |
на замовлення 1468 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7103 | IR | 09+ |
на замовлення 733 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7103/IR | IR | 08+; |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7103PBF | IR |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRF7103TRPBF | International Rectifier Corporation | (MFET,N-CH,DUAL,50V,3A,SO-8) |
на замовлення 87 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7104TRPBF | IRF7104TRPBF Транзисторы MOS FET Small Signal |
на замовлення 108 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRF7104TRPBF | International Rectifier Corporation | (MOSFET,P-CH,DUAL,20V,2.3A,SO-8) |
на замовлення 23116 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7105 | International Rectifier Corporation | (HEXFET,DUAL,N+P-CH,LL,2W,25V,2A,SO-8) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7105TR | IR | 09+ |
на замовлення 2694 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7105TR | IOR |
на замовлення 10041 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRF7105TR | IRC | 07+; |
на замовлення 588000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7105TR | IOR | 00+ |
на замовлення 3405 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7105TR | IR |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRF7105TR/IR | IR | 08+; |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7105TRPBF | IRF7105TRPBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 1084 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRF7106 | IR | 09+ |
на замовлення 47 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7106 | IRF |
на замовлення 8865 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRF7108 | IR | 09+ |
на замовлення 430 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7108 | IRF |
на замовлення 1950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRF7108 | IOR |
на замовлення 318 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRF7108 | IOR | 09+ SO-8 |
на замовлення 1318 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7130TR |
на замовлення 1592 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF7134TR | 04+ SOP |
на замовлення 4010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRF7136TR |
на замовлення 26500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF7169 | IOR | 09+ |
на замовлення 1158 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
AUIRF7103QTR | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 77212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
IRF710PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1559 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 81.37 грн |
10+ | 38.46 грн |
33+ | 29.58 грн |
90+ | 27.97 грн |
1000+ | 27.4 грн |
IRF710PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 38.79 грн |
IRF710PBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 400V N-CH HEXFET
MOSFET 400V N-CH HEXFET
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 56.96 грн |
10+ | 46.22 грн |
100+ | 32.95 грн |
500+ | 31.02 грн |
1000+ | 29.16 грн |
IRF710PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
295+ | 39.49 грн |
349+ | 33.4 грн |
500+ | 28 грн |
IRF710PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
279+ | 41.77 грн |
IRF710PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 43.41 грн |
16+ | 36.87 грн |
100+ | 31.18 грн |
500+ | 25.21 грн |
IRF710PBF |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 1.5 A, 3.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - IRF710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 1.5 A, 3.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 61.03 грн |
17+ | 45.23 грн |
100+ | 34.8 грн |
500+ | 31.34 грн |
IRF710PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 17.67 грн |
IRF710PBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 6648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 71.85 грн |
50+ | 55.56 грн |
100+ | 44.03 грн |
500+ | 35.02 грн |
1000+ | 28.53 грн |
2000+ | 26.86 грн |
5000+ | 25.16 грн |
IRF710PBF-BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 400V N-CH HEXFET
MOSFET 400V N-CH HEXFET
на замовлення 1537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 66.34 грн |
10+ | 45.99 грн |
100+ | 34.01 грн |
500+ | 31.09 грн |
1000+ | 29.16 грн |
IRF710PBF-BE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 71.85 грн |
50+ | 55.56 грн |
100+ | 44.03 грн |
500+ | 35.02 грн |
1000+ | 28.53 грн |
2000+ | 26.86 грн |
IRF710SPBF |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 59.61 грн |
10+ | 37.09 грн |
26+ | 31.14 грн |
72+ | 29.06 грн |
IRF710SPBF |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 71.54 грн |
10+ | 46.22 грн |
26+ | 37.36 грн |
72+ | 34.87 грн |
1000+ | 33.21 грн |
IRF710SPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 400V N-CH HEXFET D2-PA
MOSFET 400V N-CH HEXFET D2-PA
на замовлення 1687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 110.05 грн |
10+ | 88.61 грн |
100+ | 60.45 грн |
500+ | 51.21 грн |
1000+ | 41.65 грн |
5000+ | 39.26 грн |
IRF710STRLPBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 108.5 грн |
IRF711 |
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 6031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
606+ | 33.64 грн |
IRF712S2497 |
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
606+ | 33.64 грн |
IRF7101 |
Виробник: International Rectifier Corporation
(MFET,DUAL,N-CH,LL,1.4W,20V,1.4A,SO-8)
(MFET,DUAL,N-CH,LL,1.4W,20V,1.4A,SO-8)
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 5 дні (днів)IRF7103TRPBF |
Виробник: International Rectifier Corporation
(MFET,N-CH,DUAL,50V,3A,SO-8)
(MFET,N-CH,DUAL,50V,3A,SO-8)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 5 дні (днів)IRF7104TRPBF |
IRF7104TRPBF Транзисторы MOS FET Small Signal
на замовлення 108 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)IRF7104TRPBF |
Виробник: International Rectifier Corporation
(MOSFET,P-CH,DUAL,20V,2.3A,SO-8)
(MOSFET,P-CH,DUAL,20V,2.3A,SO-8)
на замовлення 23116 шт:
термін постачання 5 дні (днів)IRF7105 |
Виробник: International Rectifier Corporation
(HEXFET,DUAL,N+P-CH,LL,2W,25V,2A,SO-8)
(HEXFET,DUAL,N+P-CH,LL,2W,25V,2A,SO-8)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)AUIRF7103QTR |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 77212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
396+ | 51.13 грн |