Продукція > SEMIKRON DANFOSS > Всі товари виробника SEMIKRON DANFOSS (2462) > Сторінка 2 з 42
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DBI 25-22 P 07641300 | SEMIKRON DANFOSS |
![]() Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 2.2kV; If: 27A; Ifsm: 310A Case: DBI-P Electrical mounting: THT Type of bridge rectifier: three-phase Max. forward voltage: 1.95V Max. forward impulse current: 310A Load current: 27A Max. off-state voltage: 2.2kV Leads: wire Ø 0.8mm Version: flat кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
DBI 6-04 P 07641430 | SEMIKRON DANFOSS | DBI6-04P Three phase diode bridge rectifiers |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||
DBI 6-08 07640730 | SEMIKRON DANFOSS | DBI6-08 Three phase diode bridge rectifiers |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
![]() |
DBI 6-08 P 07641370 | SEMIKRON DANFOSS |
![]() Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 800V; If: 9A; Ifsm: 150A; THT Case: DBI-P Version: flat Leads: wire Ø 0.8mm Electrical mounting: THT Type of bridge rectifier: three-phase Max. forward voltage: 2.65V Load current: 9A Max. forward impulse current: 150A Max. off-state voltage: 0.8kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
DBI 6-12 07640740 | SEMIKRON DANFOSS | DBI6-12 Three phase diode bridge rectifiers |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DBI 6-16 07640760 | SEMIKRON DANFOSS | DBI6-16 Three phase diode bridge rectifiers |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||
![]() |
DBI 6-16 P 07641190 | SEMIKRON DANFOSS |
![]() Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.6kV; If: 9A; Ifsm: 150A; THT Case: DBI-P Leads: wire Ø 0.8mm Version: flat Electrical mounting: THT Type of bridge rectifier: three-phase Max. forward voltage: 2.65V Load current: 9A Max. forward impulse current: 150A Max. off-state voltage: 1.6kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
DBI 6-20 P 07641450 | SEMIKRON DANFOSS | DBI6-20P Three phase diode bridge rectifiers |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||
DBI 6-22 P 07641460 | SEMIKRON DANFOSS | DBI6-22P Three phase diode bridge rectifiers |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
![]() |
P6KE16A | SEMIKRON DANFOSS |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() Description: Diode: TVS; 600W; 16V; 28A; unidirectional; DO15 Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 13.6V Breakdown voltage: 16V Semiconductor structure: unidirectional Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 5µA Max. forward impulse current: 28A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
P6KE16CA | SEMIKRON DANFOSS |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() Description: Diode: TVS; 27A; bidirectional; DO15; 600W Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 13.6V Semiconductor structure: bidirectional Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 1mA Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. forward impulse current: 27A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
P6KE33A | SEMIKRON DANFOSS |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 33V; 13.2A; unidirectional; DO15 Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 28.2V Breakdown voltage: 33V Max. forward impulse current: 13.2A Semiconductor structure: unidirectional Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 5µA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
P6KE39CA | SEMIKRON DANFOSS |
![]() Description: Diode: TVS; 39V; 11.2A; bidirectional; DO15; 600W Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 33.3V Breakdown voltage: 39V Max. forward impulse current: 11.2A Semiconductor structure: bidirectional Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 5µA Peak pulse power dissipation: 0.6kW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
P6SMB30CA | SEMIKRON DANFOSS |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() Description: Diode: TVS; 600W; 30V; 14.7A; bidirectional; DO214AA Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Breakdown voltage: 30V Max. forward impulse current: 14.7A Semiconductor structure: bidirectional Case: DO214AA Mounting: SMD Leakage current: 1µA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
SB260 | SEMIKRON DANFOSS |
![]() ![]() Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 60V; 2A; DO41 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 60V Load current: 2A Case: DO41 Forward voltage at If: 700mV Capacitance: 140pF |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
SB560 | SEMIKRON DANFOSS |
![]() ![]() ![]() ![]() Description: Diode: rectifying; THT; 60V; 5A; DO201 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 60V Load current: 5A Case: DO201 Forward voltage at If: 0.67V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
SEMIX101GD066HDS 27891200 | SEMIKRON DANFOSS |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Mechanical mounting: screw Electrical mounting: Press-Fit; screw Case: SEMIX®13 Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 200A Max. off-state voltage: 0.6kV Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SEMIX101GD066HDS 27891200 | SEMIKRON DANFOSS |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Mechanical mounting: screw Electrical mounting: Press-Fit; screw Case: SEMIX®13 Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 200A Max. off-state voltage: 0.6kV Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SEMIX101GD126HDS 27890730 | SEMIKRON DANFOSS | SEMIX101GD126HDS IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SEMIX101GD12E4S 27890195 | SEMIKRON DANFOSS |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Case: SEMIX®13 Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor Electrical mounting: Press-Fit; screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 300A Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SEMIX101GD12E4S 27890195 | SEMIKRON DANFOSS |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Case: SEMIX®13 Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor Electrical mounting: Press-Fit; screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 300A Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SEMIX106GD12M7P 27896100 | SEMIKRON DANFOSS | SEMIX106GD12M7P IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SEMIX106GD12T4P 27896010 | SEMIKRON DANFOSS | SEMIX106GD12T4P IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SEMIX126DGL22P 27896300 | SEMIKRON DANFOSS | SEMIX126DGL22P IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SEMIX151GAL12E4S 27890102 | SEMIKRON DANFOSS | SEMIX151GAL12E4S IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SEMIX151GAL12VS 27890103 | SEMIKRON DANFOSS | SEMIX151GAL12VS IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SEMIX151GAR12E4S 27890104 | SEMIKRON DANFOSS | SEMIX151GAR12E4S IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SEMIX151GB12E4S 27890100 | SEMIKRON DANFOSS | SEMIX151GB12E4S IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SEMIX151GB12VS 27890101 | SEMIKRON DANFOSS |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge; thermistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 150A Case: SEMIX1S Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Electrical mounting: Press-Fit; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 450A Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SEMIX151GB12VS 27890101 | SEMIKRON DANFOSS |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge; thermistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 150A Case: SEMIX1S Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Electrical mounting: Press-Fit; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 450A Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SEMIX151GB17E4S 27892100 | SEMIKRON DANFOSS | SEMIX151GB17E4S IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SEMIX151GD066HDS 27891210 | SEMIKRON DANFOSS | SEMIX151GD066HDS IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SEMIX151GD126HDS 27890731 | SEMIKRON DANFOSS | SEMIX151GD126HDS IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SEMIX151GD12E4S 27890200 | SEMIKRON DANFOSS | SEMIX151GD12E4S IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SEMIX151GD12VS 27890201 | SEMIKRON DANFOSS | SEMIX151GD12VS IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SEMIX155MLI07E4 21919410 | SEMIKRON DANFOSS | SEMIX155MLI07E4 IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SEMIX156GD12M7P 27896110 | SEMIKRON DANFOSS | SEMIX156GD12M7P IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SEMIX156GD12T4P 27896020 | SEMIKRON DANFOSS | SEMIX156GD12T4P IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SEMIX186DGL16P 27896200 | SEMIKRON DANFOSS | SEMIX186DGL16P IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SEMIX191KD16S 27890812 | SEMIKRON DANFOSS |
![]() Description: Module: diode; double series; 1.6kV; If: 190A; SEMIX1S; Ufmax: 1.5V Electrical mounting: screw Type of semiconductor module: diode Semiconductor structure: double series Mechanical mounting: screw Case: SEMIX1S Max. forward voltage: 1.5V Load current: 190A Max. off-state voltage: 1.6kV Max. forward impulse current: 5kA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SEMIX191KD16S 27890812 | SEMIKRON DANFOSS |
![]() Description: Module: diode; double series; 1.6kV; If: 190A; SEMIX1S; Ufmax: 1.5V Electrical mounting: screw Type of semiconductor module: diode Semiconductor structure: double series Mechanical mounting: screw Case: SEMIX1S Max. forward voltage: 1.5V Load current: 190A Max. off-state voltage: 1.6kV Max. forward impulse current: 5kA кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SEMIX201GD066HDS 27891220 | SEMIKRON DANFOSS | SEMIX201GD066HDS IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SEMIX202GB066HDS 27891110 | SEMIKRON DANFOSS |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Electrical mounting: Press-Fit; screw Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT half-bridge; thermistor Case: SEMIX2S Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Max. off-state voltage: 0.6kV Application: for UPS; Inverter; photovoltaics |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SEMIX202GB066HDS 27891110 | SEMIKRON DANFOSS |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Electrical mounting: Press-Fit; screw Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT half-bridge; thermistor Case: SEMIX2S Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Max. off-state voltage: 0.6kV Application: for UPS; Inverter; photovoltaics кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SEMIX202GB12E4S 27890110 | SEMIKRON DANFOSS | SEMIX202GB12E4S IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
![]() |
SEMIX202GB12VS 27890111 | SEMIKRON DANFOSS |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Case: SEMIX2S Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT half-bridge; thermistor Mechanical mounting: screw Electrical mounting: Press-Fit; screw Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 600A Max. off-state voltage: 1.2kV |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
SEMIX202GB12VS 27890111 | SEMIKRON DANFOSS |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Case: SEMIX2S Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT half-bridge; thermistor Mechanical mounting: screw Electrical mounting: Press-Fit; screw Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 600A Max. off-state voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
SEMIX202GB17E4S 27892074 | SEMIKRON DANFOSS | SEMIX202GB17E4S IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SEMIX205GD12E4 21919530 | SEMIKRON DANFOSS | SEMIX205GD12E4 IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SEMIX205MLI07E4 21919420 | SEMIKRON DANFOSS | SEMIX205MLI07E4 IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SEMIX205MLI12E4V2 27922890 | SEMIKRON DANFOSS | SEMIX205MLI12E4V2 IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SEMIX205TMLI12E4B 21919470 | SEMIKRON DANFOSS |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; 3-level inverter TNPC Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: 3-level inverter TNPC; thermistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 200A Case: SEMiX® 5 Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Electrical mounting: Press-Fit; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 600A Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SEMIX205TMLI12E4B 21919470 | SEMIKRON DANFOSS |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; 3-level inverter TNPC Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: 3-level inverter TNPC; thermistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 200A Case: SEMiX® 5 Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Electrical mounting: Press-Fit; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 600A Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SEMIX206GD12M7P 27896120 | SEMIKRON DANFOSS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: SEMiX® 6p Electrical mounting: Press-Fit Mechanical mounting: screw Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor Gate-emitter voltage: ±20V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SEMIX206GD12M7P 27896120 | SEMIKRON DANFOSS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: SEMiX® 6p Electrical mounting: Press-Fit Mechanical mounting: screw Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SEMIX206GD12T4P 27896030 | SEMIKRON DANFOSS | SEMIX206GD12T4P IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SEMIX223GB12E4P 27895002 | SEMIKRON DANFOSS |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 225A Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT half-bridge; thermistor Electrical mounting: Press-Fit; screw Case: SEMiX® 3p Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 225A Pulsed collector current: 675A Max. off-state voltage: 1.2kV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SEMIX223GB12E4P 27895002 | SEMIKRON DANFOSS |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 225A Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT half-bridge; thermistor Electrical mounting: Press-Fit; screw Case: SEMiX® 3p Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 225A Pulsed collector current: 675A Max. off-state voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SEMIX223GB12M7P 27895102 | SEMIKRON DANFOSS | SEMIX223GB12M7P IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SEMIX223GB17E4P 27895402 | SEMIKRON DANFOSS |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 225A Mechanical mounting: screw Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT half-bridge; thermistor Electrical mounting: Press-Fit; screw Case: SEMiX® 3p Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 225A Pulsed collector current: 675A Max. off-state voltage: 1.7kV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
DBI 25-22 P 07641300 |
![]() |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 2.2kV; If: 27A; Ifsm: 310A
Case: DBI-P
Electrical mounting: THT
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. forward voltage: 1.95V
Max. forward impulse current: 310A
Load current: 27A
Max. off-state voltage: 2.2kV
Leads: wire Ø 0.8mm
Version: flat
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 2.2kV; If: 27A; Ifsm: 310A
Case: DBI-P
Electrical mounting: THT
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. forward voltage: 1.95V
Max. forward impulse current: 310A
Load current: 27A
Max. off-state voltage: 2.2kV
Leads: wire Ø 0.8mm
Version: flat
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1791.11 грн |
2+ | 1632.88 грн |
DBI 6-04 P 07641430 |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
DBI6-04P Three phase diode bridge rectifiers
DBI6-04P Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1058.99 грн |
2+ | 713.87 грн |
5+ | 675.10 грн |
DBI 6-08 07640730 |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
DBI6-08 Three phase diode bridge rectifiers
DBI6-08 Three phase diode bridge rectifiers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DBI 6-08 P 07641370 |
![]() |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 800V; If: 9A; Ifsm: 150A; THT
Case: DBI-P
Version: flat
Leads: wire Ø 0.8mm
Electrical mounting: THT
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. forward voltage: 2.65V
Load current: 9A
Max. forward impulse current: 150A
Max. off-state voltage: 0.8kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 800V; If: 9A; Ifsm: 150A; THT
Case: DBI-P
Version: flat
Leads: wire Ø 0.8mm
Electrical mounting: THT
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. forward voltage: 2.65V
Load current: 9A
Max. forward impulse current: 150A
Max. off-state voltage: 0.8kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1344.10 грн |
2+ | 993.67 грн |
4+ | 904.87 грн |
DBI 6-12 07640740 |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
DBI6-12 Three phase diode bridge rectifiers
DBI6-12 Three phase diode bridge rectifiers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DBI 6-16 07640760 |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
DBI6-16 Three phase diode bridge rectifiers
DBI6-16 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1214.05 грн |
3+ | 1146.92 грн |
DBI 6-16 P 07641190 |
![]() |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.6kV; If: 9A; Ifsm: 150A; THT
Case: DBI-P
Leads: wire Ø 0.8mm
Version: flat
Electrical mounting: THT
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. forward voltage: 2.65V
Load current: 9A
Max. forward impulse current: 150A
Max. off-state voltage: 1.6kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.6kV; If: 9A; Ifsm: 150A; THT
Case: DBI-P
Leads: wire Ø 0.8mm
Version: flat
Electrical mounting: THT
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. forward voltage: 2.65V
Load current: 9A
Max. forward impulse current: 150A
Max. off-state voltage: 1.6kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1244.31 грн |
3+ | 1134.08 грн |
DBI 6-20 P 07641450 |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
DBI6-20P Three phase diode bridge rectifiers
DBI6-20P Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1168.67 грн |
3+ | 1104.37 грн |
DBI 6-22 P 07641460 |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
DBI6-22P Three phase diode bridge rectifiers
DBI6-22P Three phase diode bridge rectifiers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
P6KE16A |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 16V; 28A; unidirectional; DO15
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 13.6V
Breakdown voltage: 16V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 5µA
Max. forward impulse current: 28A
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 16V; 28A; unidirectional; DO15
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 13.6V
Breakdown voltage: 16V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 5µA
Max. forward impulse current: 28A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
P6KE16CA |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 27A; bidirectional; DO15; 600W
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 13.6V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 1mA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. forward impulse current: 27A
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 27A; bidirectional; DO15; 600W
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 13.6V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 1mA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. forward impulse current: 27A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
P6KE33A |
![]() |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 33V; 13.2A; unidirectional; DO15
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28.2V
Breakdown voltage: 33V
Max. forward impulse current: 13.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 5µA
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 33V; 13.2A; unidirectional; DO15
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28.2V
Breakdown voltage: 33V
Max. forward impulse current: 13.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 5µA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
P6KE39CA |
![]() |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 39V; 11.2A; bidirectional; DO15; 600W
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 33.3V
Breakdown voltage: 39V
Max. forward impulse current: 11.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 39V; 11.2A; bidirectional; DO15; 600W
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 33.3V
Breakdown voltage: 39V
Max. forward impulse current: 11.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
P6SMB30CA | ![]() |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 30V; 14.7A; bidirectional; DO214AA
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Breakdown voltage: 30V
Max. forward impulse current: 14.7A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO214AA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 30V; 14.7A; bidirectional; DO214AA
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Breakdown voltage: 30V
Max. forward impulse current: 14.7A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO214AA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SB260 |
![]() ![]() |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 60V; 2A; DO41
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 2A
Case: DO41
Forward voltage at If: 700mV
Capacitance: 140pF
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 60V; 2A; DO41
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 2A
Case: DO41
Forward voltage at If: 700mV
Capacitance: 140pF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SB560 |
![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 60V; 5A; DO201
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 5A
Case: DO201
Forward voltage at If: 0.67V
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 60V; 5A; DO201
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 5A
Case: DO201
Forward voltage at If: 0.67V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SEMIX101GD066HDS 27891200 |
![]() |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Case: SEMIX®13
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Case: SEMIX®13
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SEMIX101GD066HDS 27891200 |
![]() |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Case: SEMIX®13
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Case: SEMIX®13
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SEMIX101GD126HDS 27890730 |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
SEMIX101GD126HDS IGBT modules
SEMIX101GD126HDS IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SEMIX101GD12E4S 27890195 |
![]() |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Case: SEMIX®13
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 300A
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Mechanical mounting: screw
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Case: SEMIX®13
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 300A
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SEMIX101GD12E4S 27890195 |
![]() |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Case: SEMIX®13
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 300A
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Case: SEMIX®13
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 300A
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SEMIX106GD12M7P 27896100 |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
SEMIX106GD12M7P IGBT modules
SEMIX106GD12M7P IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SEMIX106GD12T4P 27896010 |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
SEMIX106GD12T4P IGBT modules
SEMIX106GD12T4P IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SEMIX126DGL22P 27896300 |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
SEMIX126DGL22P IGBT modules
SEMIX126DGL22P IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SEMIX151GAL12E4S 27890102 |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
SEMIX151GAL12E4S IGBT modules
SEMIX151GAL12E4S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SEMIX151GAL12VS 27890103 |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
SEMIX151GAL12VS IGBT modules
SEMIX151GAL12VS IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SEMIX151GAR12E4S 27890104 |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
SEMIX151GAR12E4S IGBT modules
SEMIX151GAR12E4S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SEMIX151GB12E4S 27890100 |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
SEMIX151GB12E4S IGBT modules
SEMIX151GB12E4S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SEMIX151GB12VS 27890101 |
![]() |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge; thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 150A
Case: SEMIX1S
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mechanical mounting: screw
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge; thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 150A
Case: SEMIX1S
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SEMIX151GB12VS 27890101 |
![]() |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge; thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 150A
Case: SEMIX1S
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge; thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 150A
Case: SEMIX1S
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SEMIX151GB17E4S 27892100 |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
SEMIX151GB17E4S IGBT modules
SEMIX151GB17E4S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SEMIX151GD066HDS 27891210 |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
SEMIX151GD066HDS IGBT modules
SEMIX151GD066HDS IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SEMIX151GD126HDS 27890731 |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
SEMIX151GD126HDS IGBT modules
SEMIX151GD126HDS IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SEMIX151GD12E4S 27890200 |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
SEMIX151GD12E4S IGBT modules
SEMIX151GD12E4S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SEMIX151GD12VS 27890201 |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
SEMIX151GD12VS IGBT modules
SEMIX151GD12VS IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SEMIX155MLI07E4 21919410 |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
SEMIX155MLI07E4 IGBT modules
SEMIX155MLI07E4 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SEMIX156GD12M7P 27896110 |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
SEMIX156GD12M7P IGBT modules
SEMIX156GD12M7P IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SEMIX156GD12T4P 27896020 |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
SEMIX156GD12T4P IGBT modules
SEMIX156GD12T4P IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SEMIX186DGL16P 27896200 |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
SEMIX186DGL16P IGBT modules
SEMIX186DGL16P IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SEMIX191KD16S 27890812 |
![]() |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.6kV; If: 190A; SEMIX1S; Ufmax: 1.5V
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double series
Mechanical mounting: screw
Case: SEMIX1S
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 190A
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 5kA
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.6kV; If: 190A; SEMIX1S; Ufmax: 1.5V
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double series
Mechanical mounting: screw
Case: SEMIX1S
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 190A
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 5kA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SEMIX191KD16S 27890812 |
![]() |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.6kV; If: 190A; SEMIX1S; Ufmax: 1.5V
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double series
Mechanical mounting: screw
Case: SEMIX1S
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 190A
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 5kA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.6kV; If: 190A; SEMIX1S; Ufmax: 1.5V
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double series
Mechanical mounting: screw
Case: SEMIX1S
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 190A
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 5kA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SEMIX201GD066HDS 27891220 |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
SEMIX201GD066HDS IGBT modules
SEMIX201GD066HDS IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SEMIX202GB066HDS 27891110 |
![]() |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge; thermistor
Case: SEMIX2S
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge; thermistor
Case: SEMIX2S
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SEMIX202GB066HDS 27891110 |
![]() |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge; thermistor
Case: SEMIX2S
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge; thermistor
Case: SEMIX2S
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SEMIX202GB12E4S 27890110 |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
SEMIX202GB12E4S IGBT modules
SEMIX202GB12E4S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SEMIX202GB12VS 27890111 |
![]() |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Case: SEMIX2S
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge; thermistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Case: SEMIX2S
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge; thermistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 10570.34 грн |
SEMIX202GB12VS 27890111 |
![]() |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Case: SEMIX2S
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge; thermistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Case: SEMIX2S
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge; thermistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 12684.41 грн |
12+ | 11846.50 грн |
SEMIX202GB17E4S 27892074 |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
SEMIX202GB17E4S IGBT modules
SEMIX202GB17E4S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SEMIX205GD12E4 21919530 |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
SEMIX205GD12E4 IGBT modules
SEMIX205GD12E4 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SEMIX205MLI07E4 21919420 |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
SEMIX205MLI07E4 IGBT modules
SEMIX205MLI07E4 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SEMIX205MLI12E4V2 27922890 |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
SEMIX205MLI12E4V2 IGBT modules
SEMIX205MLI12E4V2 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SEMIX205TMLI12E4B 21919470 |
![]() |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; 3-level inverter TNPC
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: 3-level inverter TNPC; thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 200A
Case: SEMiX® 5
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mechanical mounting: screw
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; 3-level inverter TNPC
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: 3-level inverter TNPC; thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 200A
Case: SEMiX® 5
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SEMIX205TMLI12E4B 21919470 |
![]() |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; 3-level inverter TNPC
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: 3-level inverter TNPC; thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 200A
Case: SEMiX® 5
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; 3-level inverter TNPC
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: 3-level inverter TNPC; thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 200A
Case: SEMiX® 5
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SEMIX206GD12M7P 27896120 |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SEMiX® 6p
Electrical mounting: Press-Fit
Mechanical mounting: screw
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SEMiX® 6p
Electrical mounting: Press-Fit
Mechanical mounting: screw
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SEMIX206GD12M7P 27896120 |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SEMiX® 6p
Electrical mounting: Press-Fit
Mechanical mounting: screw
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SEMiX® 6p
Electrical mounting: Press-Fit
Mechanical mounting: screw
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SEMIX206GD12T4P 27896030 |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
SEMIX206GD12T4P IGBT modules
SEMIX206GD12T4P IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SEMIX223GB12E4P 27895002 |
![]() |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 225A
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge; thermistor
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Case: SEMiX® 3p
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 225A
Pulsed collector current: 675A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 225A
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge; thermistor
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Case: SEMiX® 3p
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 225A
Pulsed collector current: 675A
Max. off-state voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SEMIX223GB12E4P 27895002 |
![]() |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 225A
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge; thermistor
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Case: SEMiX® 3p
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 225A
Pulsed collector current: 675A
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 225A
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge; thermistor
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Case: SEMiX® 3p
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 225A
Pulsed collector current: 675A
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SEMIX223GB12M7P 27895102 |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
SEMIX223GB12M7P IGBT modules
SEMIX223GB12M7P IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SEMIX223GB17E4P 27895402 |
![]() |
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 225A
Mechanical mounting: screw
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge; thermistor
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Case: SEMiX® 3p
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 225A
Pulsed collector current: 675A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 225A
Mechanical mounting: screw
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge; thermistor
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Case: SEMiX® 3p
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 225A
Pulsed collector current: 675A
Max. off-state voltage: 1.7kV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.