Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (129542) > Сторінка 405 з 2160

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 216 400 401 402 403 404 405 406 407 408 409 410 432 648 864 1080 1296 1512 1728 1944 2160  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
LIS2DE12TR LIS2DE12TR STMicroelectronics en.DM00153214.pdf Description: ACCEL 2-16G I2C/SPI 12LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Adjustable Bandwidth, Selectable Scale, Temperature Sensor
Package / Case: 12-VFLGA
Output Type: I2C, SPI
Mounting Type: Surface Mount
Type: Digital
Axis: X, Y, Z
Acceleration Range: ±2g, 4g, 8g, 16g
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.71V ~ 3.6V
Bandwidth: 0.5Hz ~ 2.69kHz
Supplier Device Package: 12-LGA (2x2)
Sensitivity (LSB/g): 64 (±2g) ~ 5 (±16g)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSX712IYST TSX712IYST STMicroelectronics en.DM00108580.pdf Description: IC CMOS 2 CIRCUIT 8MINISO
Voltage - Supply Span (Max): 16 V
Voltage - Supply Span (Min): 2.7 V
Current - Output / Channel: 50 mA
Number of Circuits: 2
Supplier Device Package: 8-MiniSO
Voltage - Input Offset: 200 µV
Current - Input Bias: 1 pA
Gain Bandwidth Product: 2.7 MHz
Slew Rate: 1.4V/µs
Current - Supply: 660µA (x2 Channels)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Amplifier Type: CMOS
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Rail-to-Rail
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LIS2DE12TR LIS2DE12TR STMicroelectronics en.DM00153214.pdf Description: ACCEL 2-16G I2C/SPI 12LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Adjustable Bandwidth, Selectable Scale, Temperature Sensor
Package / Case: 12-VFLGA
Output Type: I2C, SPI
Mounting Type: Surface Mount
Type: Digital
Axis: X, Y, Z
Acceleration Range: ±2g, 4g, 8g, 16g
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.71V ~ 3.6V
Bandwidth: 0.5Hz ~ 2.69kHz
Supplier Device Package: 12-LGA (2x2)
Sensitivity (LSB/g): 64 (±2g) ~ 5 (±16g)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSX712IYST TSX712IYST STMicroelectronics en.DM00108580.pdf Description: IC CMOS 2 CIRCUIT 8MINISO
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-MiniSO
Voltage - Input Offset: 200 µV
Current - Input Bias: 1 pA
Gain Bandwidth Product: 2.7 MHz
Slew Rate: 1.4V/µs
Current - Supply: 660µA (x2 Channels)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Amplifier Type: CMOS
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Rail-to-Rail
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Voltage - Supply Span (Max): 16 V
Voltage - Supply Span (Min): 2.7 V
Current - Output / Channel: 50 mA
Number of Circuits: 2
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.68 грн
10+177.66 грн
25+168.03 грн
100+136.65 грн
250+129.64 грн
500+116.33 грн
1000+96.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSV991AIQ1T TSV991AIQ1T STMicroelectronics en.CD00144611.pdf Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 6UDFN
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Current - Output / Channel: 35 mA
Number of Circuits: 1
Voltage - Input Offset: 1.5 mV
Current - Input Bias: 1 pA
Gain Bandwidth Product: 20 MHz
Slew Rate: 10V/µs
Current - Supply: 820µA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Rail-to-Rail
Package / Case: 6-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS556IDTTR TS556IDTTR STMicroelectronics en.CD00000894.pdf Description: IC OSC TIMER DUAL 2.7MHZ 14-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.7MHz
Type: 555 Type, Timer/Oscillator (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 16V
Supplier Device Package: 14-SO
Part Status: Active
Current - Supply: 130 µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSV991AIQ1T TSV991AIQ1T STMicroelectronics en.CD00144611.pdf Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Current - Output / Channel: 35 mA
Number of Circuits: 1
Voltage - Input Offset: 1.5 mV
Current - Input Bias: 1 pA
Gain Bandwidth Product: 20 MHz
Slew Rate: 10V/µs
Current - Supply: 820µA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Rail-to-Rail
Package / Case: 6-UFDFN
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.17 грн
10+49.18 грн
25+44.37 грн
100+36.74 грн
250+34.40 грн
500+32.98 грн
1000+31.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS556IDTTR TS556IDTTR STMicroelectronics en.CD00000894.pdf Description: IC OSC TIMER DUAL 2.7MHZ 14-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.7MHz
Type: 555 Type, Timer/Oscillator (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 16V
Supplier Device Package: 14-SO
Part Status: Active
Current - Supply: 130 µA
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.58 грн
10+74.26 грн
25+67.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
X-NUCLEO-PLC01A1 X-NUCLEO-PLC01A1 STMicroelectronics en.DM00209600.pdf Description: NUCLEO BOARD PLC GPIO
Packaging: Box
Function: GPIO
Type: Interface
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: CLT01-38SQ7, VNI8200XP
Platform: Nucleo
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+748.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STD110N8F6 STD110N8F6 STMicroelectronics en.DM00151073.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9130 pF @ 40 V
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.09 грн
10+110.86 грн
100+75.68 грн
500+56.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD36P4LLF6 STD36P4LLF6 STMicroelectronics en.DM00101793.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 36A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
на замовлення 8129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.00 грн
10+74.26 грн
100+49.75 грн
500+36.82 грн
1000+33.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD4NK100Z STD4NK100Z STMicroelectronics en.DM00048613.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.80 грн
10+141.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB7H60DF STGB7H60DF STMicroelectronics en.DM00164492.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 14A TO-263
Power - Max: 88 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Part Status: Active
Gate Charge: 46 nC
Test Condition: 400V, 7A, 47Ohm, 15V
Switching Energy: 99µJ (on), 100µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/160ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 7A
Reverse Recovery Time (trr): 136 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL23NS3LLH7 STL23NS3LLH7 STMicroelectronics en.DM00091911.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 92A POWERFLAT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 4.5 V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL8P4LLF6 STL8P4LLF6 STMicroelectronics en.DM00101796.pdf Description: MOSFET P-CH 40V POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
на замовлення 2962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.53 грн
10+70.87 грн
100+47.33 грн
500+34.91 грн
1000+31.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS7P4LLF6 STS7P4LLF6 STMicroelectronics en.DM00101798.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 7A POWER8-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
на замовлення 2853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.67 грн
10+62.06 грн
100+41.36 грн
500+30.47 грн
1000+27.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD110N8F6 STD110N8F6 STMicroelectronics en.DM00151073.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9130 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD36P4LLF6 STD36P4LLF6 STMicroelectronics en.DM00101793.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 36A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.43 грн
5000+29.93 грн
7500+28.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD4NK100Z STD4NK100Z STMicroelectronics en.DM00048613.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD9HN65M2 STMicroelectronics Description: MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB7H60DF STGB7H60DF STMicroelectronics en.DM00164492.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 14A TO-263
Power - Max: 88 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Part Status: Active
Gate Charge: 46 nC
Test Condition: 400V, 7A, 47Ohm, 15V
Switching Energy: 99µJ (on), 100µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/160ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 7A
Reverse Recovery Time (trr): 136 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL110NS3LLH7 STL110NS3LLH7 STMicroelectronics en.DM00082932.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 120A POWERFLAT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL23NS3LLH7 STL23NS3LLH7 STMicroelectronics en.DM00091911.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 92A POWERFLAT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL7N6LF3 STL7N6LF3 STMicroelectronics en.DM00138248.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 20A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8P4LLF6 STL8P4LLF6 STMicroelectronics en.DM00101796.pdf Description: MOSFET P-CH 40V POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS7P4LLF6 STS7P4LLF6 STMicroelectronics en.DM00101798.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 7A POWER8-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N60M2 STD12N60M2 STMicroelectronics std12n60m2.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.34 грн
10+87.44 грн
100+58.97 грн
500+43.89 грн
1000+40.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH170N8F7-2 STH170N8F7-2 STMicroelectronics en.DM00117288.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 120A H2PAK-2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8710 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.22 грн
10+130.96 грн
25+119.77 грн
100+100.88 грн
250+95.39 грн
500+92.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL12N60M2 STL12N60M2 STMicroelectronics en.DM00187264.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6.5A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL16N60M2 STL16N60M2 STMicroelectronics en.DM00148686.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 355mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 704 pF @ 100 V
на замовлення 2203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.33 грн
10+138.27 грн
100+95.59 грн
500+72.59 грн
1000+70.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N60M2 STD12N60M2 STMicroelectronics std12n60m2.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL12N60M2 STL12N60M2 STMicroelectronics en.DM00187264.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6.5A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL86N3LLH6AG STL86N3LLH6AG STMicroelectronics STL86N3LLH6AG.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 80A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FERD20M60SR FERD20M60SR STMicroelectronics en.DM00148451.pdf Description: DIODE FERD 60V 20A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: FERD (Field Effect Rectifier Diode)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: I2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FERD40U50CFP FERD40U50CFP STMicroelectronics en.DM00190703.pdf Description: DIODE ARR FERD 50V 20A TO220FPAB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220FPAB
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: FERD (Field Effect Rectifier Diode)
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 1189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.13 грн
50+72.60 грн
100+69.75 грн
500+59.20 грн
1000+54.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N120K5 STF12N120K5 STMicroelectronics en.DM00117846.pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+784.42 грн
50+426.00 грн
100+394.24 грн
500+342.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STTH80S06W STTH80S06W STMicroelectronics en.DM00215059.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 80A DO247
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-247
Current - Average Rectified (Io): 80A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW12N150K5 STW12N150K5 STMicroelectronics en.DM00182307.pdf Description: MOSFET N-CH 1500V 7A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+635.04 грн
30+339.40 грн
120+305.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N150K5 STW21N150K5 STMicroelectronics en.DM00130400.pdf Description: MOSFET N-CH 1500V 14A TO247
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3145 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+991.66 грн
30+582.78 грн
120+528.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T250CAY SM6T250CAY STMicroelectronics en.DM00166232.pdf Description: TVS DIODE 213VWM 344VC SMB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 344V
Voltage - Breakdown (Min): 237V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: SMB
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 213V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.75A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 45276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.86 грн
10+45.94 грн
100+30.02 грн
500+21.74 грн
1000+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T250CAY SM6T250CAY STMicroelectronics en.DM00166232.pdf Description: TVS DIODE 213VWM 344VC SMB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 344V
Voltage - Breakdown (Min): 237V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: SMB
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 213V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.75A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.28 грн
5000+17.09 грн
7500+16.33 грн
12500+14.53 грн
17500+14.06 грн
25000+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N60M2 STF12N60M2 STMicroelectronics en.DM00187616.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.55 грн
50+65.47 грн
100+58.58 грн
500+43.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF16N60M2 STF16N60M2 STMicroelectronics en.DM00147519.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF9HN65M2 STF9HN65M2 STMicroelectronics Description: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220FP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.46 грн
10+66.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFI12N60M2 STMicroelectronics Description: MOSFET N-CH 600V 9A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI13N65M2 STFI13N65M2 STMicroelectronics en.DM00133025.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGF7H60DF STGF7H60DF STMicroelectronics en.DM00164492.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 14A TO-220FP
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/160ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-220FP
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 7A
Reverse Recovery Time (trr): 136 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Power - Max: 24 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Part Status: Active
Gate Charge: 46 nC
Test Condition: 400V, 7A, 47Ohm, 15V
Switching Energy: 99µJ (on), 100µJ (off)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP7H60DF STGP7H60DF STMicroelectronics en.DM00164492.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 14A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 136 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/160ns
Switching Energy: 99µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 7A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 46 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 28 A
Power - Max: 88 W
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.95 грн
50+61.20 грн
100+54.70 грн
500+40.60 грн
1000+37.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N8F6 STMicroelectronics Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9130 pF @ 40 V
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.58 грн
50+78.13 грн
100+70.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N60M2 STP12N60M2 STMicroelectronics en.DM00187280.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP160N3LL STP160N3LL STMicroelectronics en.DM00091903.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.55 грн
50+65.94 грн
100+59.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP16N60M2 STMicroelectronics Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU12N60M2 STU12N60M2 STMicroelectronics en.dm00187267.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 9A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU16N60M2 STMicroelectronics Description: MOSFET N-CH 600V 12A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU9HN65M2 STU9HN65M2 STMicroelectronics Description: MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STWA12N120K5 STWA12N120K5 STMicroelectronics en.DM00036727.pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Part Status: Active
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+713.25 грн
30+414.26 грн
120+398.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
M24C32-DFDW6TP M24C32-DFDW6TP STMicroelectronics en.CD00001012.pdf Description: IC EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 450 ns
Memory Organization: 4K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 27066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.45 грн
25+24.79 грн
50+22.79 грн
100+22.31 грн
250+21.66 грн
500+20.83 грн
1000+20.34 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
M24C32-XDW5TP M24C32-XDW5TP STMicroelectronics en.CD00001012.pdf Description: IC EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 450 ns
Memory Organization: 4K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.94 грн
25+27.17 грн
50+24.99 грн
100+24.45 грн
250+23.74 грн
500+22.82 грн
1000+22.29 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
M24C64-DFDW6TP M24C64-DFDW6TP STMicroelectronics en.CD00259166.pdf Description: IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 450 ns
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.98 грн
10+32.31 грн
25+31.45 грн
50+28.91 грн
100+28.28 грн
250+27.46 грн
500+26.39 грн
1000+25.77 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
M24C64-DFMC6TG M24C64-DFMC6TG STMicroelectronics en.CD00259166.pdf Description: IC EEPROM 64KBIT I2C 8UFDFPN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-UFDFPN (2x3)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 450 ns
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 13424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.76 грн
10+33.44 грн
25+32.59 грн
50+29.95 грн
100+29.32 грн
250+28.46 грн
500+27.35 грн
1000+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LIS2DE12TR en.DM00153214.pdf
LIS2DE12TR
Виробник: STMicroelectronics
Description: ACCEL 2-16G I2C/SPI 12LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Adjustable Bandwidth, Selectable Scale, Temperature Sensor
Package / Case: 12-VFLGA
Output Type: I2C, SPI
Mounting Type: Surface Mount
Type: Digital
Axis: X, Y, Z
Acceleration Range: ±2g, 4g, 8g, 16g
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.71V ~ 3.6V
Bandwidth: 0.5Hz ~ 2.69kHz
Supplier Device Package: 12-LGA (2x2)
Sensitivity (LSB/g): 64 (±2g) ~ 5 (±16g)
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSX712IYST en.DM00108580.pdf
TSX712IYST
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC CMOS 2 CIRCUIT 8MINISO
Voltage - Supply Span (Max): 16 V
Voltage - Supply Span (Min): 2.7 V
Current - Output / Channel: 50 mA
Number of Circuits: 2
Supplier Device Package: 8-MiniSO
Voltage - Input Offset: 200 µV
Current - Input Bias: 1 pA
Gain Bandwidth Product: 2.7 MHz
Slew Rate: 1.4V/µs
Current - Supply: 660µA (x2 Channels)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Amplifier Type: CMOS
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Rail-to-Rail
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LIS2DE12TR en.DM00153214.pdf
LIS2DE12TR
Виробник: STMicroelectronics
Description: ACCEL 2-16G I2C/SPI 12LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Adjustable Bandwidth, Selectable Scale, Temperature Sensor
Package / Case: 12-VFLGA
Output Type: I2C, SPI
Mounting Type: Surface Mount
Type: Digital
Axis: X, Y, Z
Acceleration Range: ±2g, 4g, 8g, 16g
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.71V ~ 3.6V
Bandwidth: 0.5Hz ~ 2.69kHz
Supplier Device Package: 12-LGA (2x2)
Sensitivity (LSB/g): 64 (±2g) ~ 5 (±16g)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSX712IYST en.DM00108580.pdf
TSX712IYST
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC CMOS 2 CIRCUIT 8MINISO
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-MiniSO
Voltage - Input Offset: 200 µV
Current - Input Bias: 1 pA
Gain Bandwidth Product: 2.7 MHz
Slew Rate: 1.4V/µs
Current - Supply: 660µA (x2 Channels)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Amplifier Type: CMOS
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Rail-to-Rail
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Voltage - Supply Span (Max): 16 V
Voltage - Supply Span (Min): 2.7 V
Current - Output / Channel: 50 mA
Number of Circuits: 2
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+205.68 грн
10+177.66 грн
25+168.03 грн
100+136.65 грн
250+129.64 грн
500+116.33 грн
1000+96.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSV991AIQ1T en.CD00144611.pdf
TSV991AIQ1T
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 6UDFN
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Current - Output / Channel: 35 mA
Number of Circuits: 1
Voltage - Input Offset: 1.5 mV
Current - Input Bias: 1 pA
Gain Bandwidth Product: 20 MHz
Slew Rate: 10V/µs
Current - Supply: 820µA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Rail-to-Rail
Package / Case: 6-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS556IDTTR en.CD00000894.pdf
TS556IDTTR
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC OSC TIMER DUAL 2.7MHZ 14-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.7MHz
Type: 555 Type, Timer/Oscillator (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 16V
Supplier Device Package: 14-SO
Part Status: Active
Current - Supply: 130 µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSV991AIQ1T en.CD00144611.pdf
TSV991AIQ1T
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Current - Output / Channel: 35 mA
Number of Circuits: 1
Voltage - Input Offset: 1.5 mV
Current - Input Bias: 1 pA
Gain Bandwidth Product: 20 MHz
Slew Rate: 10V/µs
Current - Supply: 820µA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Rail-to-Rail
Package / Case: 6-UFDFN
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+71.17 грн
10+49.18 грн
25+44.37 грн
100+36.74 грн
250+34.40 грн
500+32.98 грн
1000+31.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS556IDTTR en.CD00000894.pdf
TS556IDTTR
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC OSC TIMER DUAL 2.7MHZ 14-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.7MHz
Type: 555 Type, Timer/Oscillator (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 16V
Supplier Device Package: 14-SO
Part Status: Active
Current - Supply: 130 µA
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+105.58 грн
10+74.26 грн
25+67.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
X-NUCLEO-PLC01A1 en.DM00209600.pdf
X-NUCLEO-PLC01A1
Виробник: STMicroelectronics
Description: NUCLEO BOARD PLC GPIO
Packaging: Box
Function: GPIO
Type: Interface
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: CLT01-38SQ7, VNI8200XP
Platform: Nucleo
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+748.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STD110N8F6 en.DM00151073.pdf
STD110N8F6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 80V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9130 pF @ 40 V
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+179.09 грн
10+110.86 грн
100+75.68 грн
500+56.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD36P4LLF6 en.DM00101793.pdf
STD36P4LLF6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 40V 36A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
на замовлення 8129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+122.00 грн
10+74.26 грн
100+49.75 грн
500+36.82 грн
1000+33.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD4NK100Z en.DM00048613.pdf
STD4NK100Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+226.80 грн
10+141.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB7H60DF en.DM00164492.pdf
STGB7H60DF
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 600V 14A TO-263
Power - Max: 88 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Part Status: Active
Gate Charge: 46 nC
Test Condition: 400V, 7A, 47Ohm, 15V
Switching Energy: 99µJ (on), 100µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/160ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 7A
Reverse Recovery Time (trr): 136 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL23NS3LLH7 en.DM00091911.pdf
STL23NS3LLH7
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 92A POWERFLAT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 4.5 V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL8P4LLF6 en.DM00101796.pdf
STL8P4LLF6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 40V POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
на замовлення 2962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+116.53 грн
10+70.87 грн
100+47.33 грн
500+34.91 грн
1000+31.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS7P4LLF6 en.DM00101798.pdf
STS7P4LLF6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 40V 7A POWER8-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
на замовлення 2853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+101.67 грн
10+62.06 грн
100+41.36 грн
500+30.47 грн
1000+27.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD110N8F6 en.DM00151073.pdf
STD110N8F6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 80V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9130 pF @ 40 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD36P4LLF6 en.DM00101793.pdf
STD36P4LLF6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 40V 36A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+33.43 грн
5000+29.93 грн
7500+28.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD4NK100Z en.DM00048613.pdf
STD4NK100Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD9HN65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB7H60DF en.DM00164492.pdf
STGB7H60DF
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 600V 14A TO-263
Power - Max: 88 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Part Status: Active
Gate Charge: 46 nC
Test Condition: 400V, 7A, 47Ohm, 15V
Switching Energy: 99µJ (on), 100µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/160ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 7A
Reverse Recovery Time (trr): 136 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL110NS3LLH7 en.DM00082932.pdf
STL110NS3LLH7
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 120A POWERFLAT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL23NS3LLH7 en.DM00091911.pdf
STL23NS3LLH7
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 92A POWERFLAT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL7N6LF3 en.DM00138248.pdf
STL7N6LF3
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 20A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8P4LLF6 en.DM00101796.pdf
STL8P4LLF6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 40V POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS7P4LLF6 en.DM00101798.pdf
STS7P4LLF6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 40V 7A POWER8-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+29.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N60M2 std12n60m2.pdf
STD12N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+142.34 грн
10+87.44 грн
100+58.97 грн
500+43.89 грн
1000+40.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH170N8F7-2 en.DM00117288.pdf
STH170N8F7-2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 80V 120A H2PAK-2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8710 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+182.22 грн
10+130.96 грн
25+119.77 грн
100+100.88 грн
250+95.39 грн
500+92.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL12N60M2 en.DM00187264.pdf
STL12N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 6.5A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL16N60M2 en.DM00148686.pdf
STL16N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 355mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 704 pF @ 100 V
на замовлення 2203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+221.33 грн
10+138.27 грн
100+95.59 грн
500+72.59 грн
1000+70.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N60M2 std12n60m2.pdf
STD12N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+40.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL12N60M2 en.DM00187264.pdf
STL12N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 6.5A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL86N3LLH6AG STL86N3LLH6AG.pdf
STL86N3LLH6AG
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 80A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FERD20M60SR en.DM00148451.pdf
FERD20M60SR
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE FERD 60V 20A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: FERD (Field Effect Rectifier Diode)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: I2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FERD40U50CFP en.DM00190703.pdf
FERD40U50CFP
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE ARR FERD 50V 20A TO220FPAB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220FPAB
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: FERD (Field Effect Rectifier Diode)
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 1189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+125.13 грн
50+72.60 грн
100+69.75 грн
500+59.20 грн
1000+54.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N120K5 en.DM00117846.pdf
STF12N120K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1200V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+784.42 грн
50+426.00 грн
100+394.24 грн
500+342.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STTH80S06W en.DM00215059.pdf
STTH80S06W
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 600V 80A DO247
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-247
Current - Average Rectified (Io): 80A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW12N150K5 en.DM00182307.pdf
STW12N150K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1500V 7A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+635.04 грн
30+339.40 грн
120+305.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW21N150K5 en.DM00130400.pdf
STW21N150K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1500V 14A TO247
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3145 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+991.66 грн
30+582.78 грн
120+528.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T250CAY en.DM00166232.pdf
SM6T250CAY
Виробник: STMicroelectronics
Description: TVS DIODE 213VWM 344VC SMB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 344V
Voltage - Breakdown (Min): 237V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: SMB
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 213V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.75A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 45276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+75.86 грн
10+45.94 грн
100+30.02 грн
500+21.74 грн
1000+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T250CAY en.DM00166232.pdf
SM6T250CAY
Виробник: STMicroelectronics
Description: TVS DIODE 213VWM 344VC SMB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 344V
Voltage - Breakdown (Min): 237V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: SMB
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 213V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.75A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+19.28 грн
5000+17.09 грн
7500+16.33 грн
12500+14.53 грн
17500+14.06 грн
25000+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N60M2 en.DM00187616.pdf
STF12N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+141.55 грн
50+65.47 грн
100+58.58 грн
500+43.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF16N60M2 en.DM00147519.pdf
STF16N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF9HN65M2
STF9HN65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220FP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+84.46 грн
10+66.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFI12N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 9A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI13N65M2 en.DM00133025.pdf
STFI13N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGF7H60DF en.DM00164492.pdf
STGF7H60DF
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 600V 14A TO-220FP
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/160ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-220FP
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 7A
Reverse Recovery Time (trr): 136 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Power - Max: 24 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Part Status: Active
Gate Charge: 46 nC
Test Condition: 400V, 7A, 47Ohm, 15V
Switching Energy: 99µJ (on), 100µJ (off)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP7H60DF en.DM00164492.pdf
STGP7H60DF
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 600V 14A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 136 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/160ns
Switching Energy: 99µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 7A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 46 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 28 A
Power - Max: 88 W
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+132.95 грн
50+61.20 грн
100+54.70 грн
500+40.60 грн
1000+37.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N8F6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9130 pF @ 40 V
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+166.58 грн
50+78.13 грн
100+70.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N60M2 en.DM00187280.pdf
STP12N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP160N3LL en.DM00091903.pdf
STP160N3LL
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+141.55 грн
50+65.94 грн
100+59.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP16N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU12N60M2 en.dm00187267.pdf
STU12N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 9A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU16N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 12A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU9HN65M2
STU9HN65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STWA12N120K5 en.DM00036727.pdf
STWA12N120K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Part Status: Active
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+713.25 грн
30+414.26 грн
120+398.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
M24C32-DFDW6TP en.CD00001012.pdf
M24C32-DFDW6TP
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 450 ns
Memory Organization: 4K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 27066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+25.45 грн
25+24.79 грн
50+22.79 грн
100+22.31 грн
250+21.66 грн
500+20.83 грн
1000+20.34 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
M24C32-XDW5TP en.CD00001012.pdf
M24C32-XDW5TP
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 450 ns
Memory Organization: 4K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+27.94 грн
25+27.17 грн
50+24.99 грн
100+24.45 грн
250+23.74 грн
500+22.82 грн
1000+22.29 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
M24C64-DFDW6TP en.CD00259166.pdf
M24C64-DFDW6TP
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 450 ns
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.98 грн
10+32.31 грн
25+31.45 грн
50+28.91 грн
100+28.28 грн
250+27.46 грн
500+26.39 грн
1000+25.77 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
M24C64-DFMC6TG en.CD00259166.pdf
M24C64-DFMC6TG
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC EEPROM 64KBIT I2C 8UFDFPN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-UFDFPN (2x3)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 450 ns
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 13424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.76 грн
10+33.44 грн
25+32.59 грн
50+29.95 грн
100+29.32 грн
250+28.46 грн
500+27.35 грн
1000+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 216 400 401 402 403 404 405 406 407 408 409 410 432 648 864 1080 1296 1512 1728 1944 2160  [ Наступна Сторінка >> ]