Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25572) > Сторінка 161 з 427

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 42 84 126 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 168 210 252 294 336 378 420 427  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TS10P05G C2G TS10P05G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS10P01G%20SERIES_L2203.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 600V 10A TS-6P
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Supplier Device Package: TS-6P
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS10P05GHC2G TS10P05GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TS10P01G%20SERIES_L2203.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 600V 10A TS-6P
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TS-6P
Technology: Standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS10P05GHD2G TS10P05GHD2G Taiwan Semiconductor Corporation TS10P01G%20SERIES_L2203.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 600V 10A TS-6P
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TS-6P
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR3035CT C0G MBR3035CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR3035CT%20SERIES_K2104.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 35V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR3035CTHC0G MBR3035CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR3035CT%20SERIES_K2104.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 35V 30A TO220AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR3035PT C0G MBR3035PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR3035PT%20SERIES_K2103.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 35V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-26B R0G BZW04-26B R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW04%20SERIES_I15.pdf Description: TVS DIODE 25.6V 41.5V DO204AL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-273B R0G BZW04-273B R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW04%20SERIES_I15.pdf Description: TVS DIODE 273V 438V DO204AL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-28B R0G BZW04-28B R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW04%20SERIES_J2104.pdf Description: TVS DIODE 28.2VWM 45.7VC DO204AL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-299B R0G BZW04-299B R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW04%20SERIES_I15.pdf Description: TVS DIODE 299V 482V DO204AL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-31B R0G BZW04-31B R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW04%20SERIES_I15.pdf Description: TVS DIODE 30.8V 49.9V DO204AL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-33B R0G BZW04-33B R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW04%20SERIES_I15.pdf Description: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO204AL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-342B R0G BZW04-342B R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW04%20SERIES_I15.pdf Description: TVS DIODE 342V 548V DO204AL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-40HR0G BZW04-40HR0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW04%20SERIES_I15.pdf Description: TVS DIODE 40.2V 64.8V DO204AL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-40 R1G BZW04-40 R1G Taiwan Semiconductor Corporation BZW04%20SERIES_J2104.pdf Description: TVS DIODE 40.2VWM 64.8VC DO204AL
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.8V
Voltage - Breakdown (Min): 44.7V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40.2V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6.2A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-40HR1G BZW04-40HR1G Taiwan Semiconductor Corporation BZW04%20SERIES_J2104.pdf Description: TVS DIODE 40.2VWM 64.8VC DO204AL
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.8V
Voltage - Breakdown (Min): 44.7V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40.2V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6.2A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-40 A0G BZW04-40 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW04%20SERIES_J2104.pdf Description: TVS DIODE 40.2VWM 64.8VC DO204AL
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.8V
Voltage - Breakdown (Min): 44.7V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40.2V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6.2A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-40HA0G BZW04-40HA0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW04%20SERIES_J2104.pdf Description: TVS DIODE 40.2VWM 64.8VC DO204AL
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.8V
Voltage - Breakdown (Min): 44.7V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40.2V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6.2A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
Power - Peak Pulse: 400W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-40HB0G BZW04-40HB0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW04%20SERIES_J2104.pdf Description: TVS DIODE 40.2VWM 64.8VC DO204AL
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.8V
Voltage - Breakdown (Min): 44.7V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40.2V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6.2A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GAL M3G RS1GAL M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 150NS, 1A, 400V, FAST RECOVERY R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GAL M3G RS1GAL M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 150NS, 1A, 400V, FAST RECOVERY R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ES1F R3G ES1F R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES1A%20SERIES_O2112.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1F R3G ES1F R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES1A%20SERIES_O2112.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FL RVG ES1FL RVG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FL RVG ES1FL RVG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1F M2G ES1F M2G Taiwan Semiconductor Corporation ES1A%20SERIES_M15.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FHM2G ES1FHM2G Taiwan Semiconductor Corporation ES1A%20SERIES_M15.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FL RQG ES1FL RQG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FLHRQG ES1FLHRQG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_K15.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FLHRVG ES1FLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FL RUG ES1FL RUG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FHR3G ES1FHR3G Taiwan Semiconductor Corporation ES1A%20SERIES_M15.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FLHR3G ES1FLHR3G Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_K15.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FL RHG ES1FL RHG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FLHRHG ES1FLHRHG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FL M2G ES1FL M2G Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FL MHG ES1FL MHG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FLHM2G ES1FLHM2G Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FLHMHG ES1FLHMHG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FL MQG ES1FL MQG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FL MTG ES1FL MTG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FL RTG ES1FL RTG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_K15.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FLHMQG ES1FLHMQG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_K15.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FLHMTG ES1FLHMTG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_K15.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FLHRTG ES1FLHRTG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_K15.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5255B A0G 1N5255B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5221B%20SERIES_G1804.pdf Description: DIODE ZENER 28V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 21 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 44 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 28 V
Operating Temperature: 100°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ14CHR3G SMAJ14CHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: TVS DIODE 14VWM 25.8VC DO214AC
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25.8V
Voltage - Breakdown (Min): 15.6V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ14CHR3G SMAJ14CHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: TVS DIODE 14VWM 25.8VC DO214AC
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25.8V
Voltage - Breakdown (Min): 15.6V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ14HR3G SMAJ14HR3G Taiwan Semiconductor Corporation SMAJ%20SERIES_U2102.pdf Description: TVS DIODE 14VWM 25.8VC DO214AC
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25.8V
Voltage - Breakdown (Min): 15.6V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ14HR3G SMAJ14HR3G Taiwan Semiconductor Corporation SMAJ%20SERIES_U2102.pdf Description: TVS DIODE 14VWM 25.8VC DO214AC
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25.8V
Voltage - Breakdown (Min): 15.6V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB39A M4G P6SMB39A M4G Taiwan Semiconductor Corporation P6SMB%20SERIES_P2102.pdf Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB39AHM4G P6SMB39AHM4G Taiwan Semiconductor Corporation P6SMB%20SERIES_P2102.pdf Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB39AHR5G P6SMB39AHR5G Taiwan Semiconductor Corporation P6SMB%20SERIES_Q2209.pdf Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9V DO214AA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.6A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1KSMB39A M4G 1KSMB39A M4G Taiwan Semiconductor Corporation 1KSMB SERIES_A2102.pdf Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AA
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 1000W (1kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 18.6A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1KSMB39AHM4G 1KSMB39AHM4G Taiwan Semiconductor Corporation 1KSMB SERIES_H1902.pdf Description: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO214AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1KSMB39A R5G 1KSMB39A R5G Taiwan Semiconductor Corporation 1KSMB SERIES_H1902.pdf Description: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO214AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1KSMB39AHR5G 1KSMB39AHR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1KSMB SERIES_H1902.pdf Description: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO214AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2JA R3G S2JA R3G Taiwan Semiconductor Corporation S2AA%20SERIES_J15.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P4KE16CA R1G P4KE16CA R1G Taiwan Semiconductor Corporation P4KE%20SERIES_M1602.pdf Description: TVS DIODE 13.6V 22.5V DO204AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4KE16CAHR1G P4KE16CAHR1G Taiwan Semiconductor Corporation P4KE%20SERIES_M1602.pdf Description: TVS DIODE 13.6V 22.5V DO204AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS10P05G C2G TS10P01G%20SERIES_L2203.pdf
TS10P05G C2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 10A TS-6P
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Supplier Device Package: TS-6P
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS10P05GHC2G TS10P01G%20SERIES_L2203.pdf
TS10P05GHC2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 10A TS-6P
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TS-6P
Technology: Standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS10P05GHD2G TS10P01G%20SERIES_L2203.pdf
TS10P05GHD2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 10A TS-6P
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TS-6P
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR3035CT C0G MBR3035CT%20SERIES_K2104.pdf
MBR3035CT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARR SCHOTT 35V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR3035CTHC0G MBR3035CT%20SERIES_K2104.pdf
MBR3035CTHC0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARR SCHOTT 35V 30A TO220AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR3035PT C0G MBR3035PT%20SERIES_K2103.pdf
MBR3035PT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARR SCHOTT 35V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-26B R0G BZW04%20SERIES_I15.pdf
BZW04-26B R0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 25.6V 41.5V DO204AL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-273B R0G BZW04%20SERIES_I15.pdf
BZW04-273B R0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 273V 438V DO204AL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-28B R0G BZW04%20SERIES_J2104.pdf
BZW04-28B R0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 28.2VWM 45.7VC DO204AL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-299B R0G BZW04%20SERIES_I15.pdf
BZW04-299B R0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 299V 482V DO204AL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-31B R0G BZW04%20SERIES_I15.pdf
BZW04-31B R0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30.8V 49.9V DO204AL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-33B R0G BZW04%20SERIES_I15.pdf
BZW04-33B R0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO204AL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-342B R0G BZW04%20SERIES_I15.pdf
BZW04-342B R0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 342V 548V DO204AL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-40HR0G BZW04%20SERIES_I15.pdf
BZW04-40HR0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 40.2V 64.8V DO204AL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-40 R1G BZW04%20SERIES_J2104.pdf
BZW04-40 R1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 40.2VWM 64.8VC DO204AL
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.8V
Voltage - Breakdown (Min): 44.7V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40.2V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6.2A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-40HR1G BZW04%20SERIES_J2104.pdf
BZW04-40HR1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 40.2VWM 64.8VC DO204AL
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.8V
Voltage - Breakdown (Min): 44.7V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40.2V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6.2A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-40 A0G BZW04%20SERIES_J2104.pdf
BZW04-40 A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 40.2VWM 64.8VC DO204AL
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.8V
Voltage - Breakdown (Min): 44.7V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40.2V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6.2A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-40HA0G BZW04%20SERIES_J2104.pdf
BZW04-40HA0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 40.2VWM 64.8VC DO204AL
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.8V
Voltage - Breakdown (Min): 44.7V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40.2V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6.2A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
Power - Peak Pulse: 400W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-40HB0G BZW04%20SERIES_J2104.pdf
BZW04-40HB0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 40.2VWM 64.8VC DO204AL
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.8V
Voltage - Breakdown (Min): 44.7V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40.2V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6.2A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GAL M3G
RS1GAL M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 150NS, 1A, 400V, FAST RECOVERY R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GAL M3G
RS1GAL M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 150NS, 1A, 400V, FAST RECOVERY R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ES1F R3G ES1A%20SERIES_O2112.pdf
ES1F R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1F R3G ES1A%20SERIES_O2112.pdf
ES1F R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FL RVG ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1FL RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FL RVG ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1FL RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1F M2G ES1A%20SERIES_M15.pdf
ES1F M2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FHM2G ES1A%20SERIES_M15.pdf
ES1FHM2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FL RQG ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1FL RQG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FLHRQG ES1AL%20SERIES_K15.pdf
ES1FLHRQG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FLHRVG ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1FLHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FL RUG ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1FL RUG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FHR3G ES1A%20SERIES_M15.pdf
ES1FHR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FLHR3G ES1AL%20SERIES_K15.pdf
ES1FLHR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FL RHG ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1FL RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FLHRHG ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1FLHRHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FL M2G ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1FL M2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FL MHG ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1FL MHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FLHM2G ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1FLHM2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FLHMHG ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1FLHMHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FL MQG ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1FL MQG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FL MTG ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1FL MTG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FL RTG ES1AL%20SERIES_K15.pdf
ES1FL RTG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FLHMQG ES1AL%20SERIES_K15.pdf
ES1FLHMQG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FLHMTG ES1AL%20SERIES_K15.pdf
ES1FLHMTG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FLHRTG ES1AL%20SERIES_K15.pdf
ES1FLHRTG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5255B A0G 1N5221B%20SERIES_G1804.pdf
1N5255B A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 28V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 21 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 44 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 28 V
Operating Temperature: 100°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ14CHR3G
SMAJ14CHR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 14VWM 25.8VC DO214AC
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25.8V
Voltage - Breakdown (Min): 15.6V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ14CHR3G
SMAJ14CHR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 14VWM 25.8VC DO214AC
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25.8V
Voltage - Breakdown (Min): 15.6V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ14HR3G SMAJ%20SERIES_U2102.pdf
SMAJ14HR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 14VWM 25.8VC DO214AC
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25.8V
Voltage - Breakdown (Min): 15.6V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ14HR3G SMAJ%20SERIES_U2102.pdf
SMAJ14HR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 14VWM 25.8VC DO214AC
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25.8V
Voltage - Breakdown (Min): 15.6V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB39A M4G P6SMB%20SERIES_P2102.pdf
P6SMB39A M4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB39AHM4G P6SMB%20SERIES_P2102.pdf
P6SMB39AHM4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB39AHR5G P6SMB%20SERIES_Q2209.pdf
P6SMB39AHR5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9V DO214AA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.6A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1KSMB39A M4G 1KSMB SERIES_A2102.pdf
1KSMB39A M4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AA
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 1000W (1kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 18.6A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1KSMB39AHM4G 1KSMB SERIES_H1902.pdf
1KSMB39AHM4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO214AA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1KSMB39A R5G 1KSMB SERIES_H1902.pdf
1KSMB39A R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO214AA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1KSMB39AHR5G 1KSMB SERIES_H1902.pdf
1KSMB39AHR5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO214AA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2JA R3G S2AA%20SERIES_J15.pdf
S2JA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P4KE16CA R1G P4KE%20SERIES_M1602.pdf
P4KE16CA R1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 13.6V 22.5V DO204AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4KE16CAHR1G P4KE%20SERIES_M1602.pdf
P4KE16CAHR1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 13.6V 22.5V DO204AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 42 84 126 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 168 210 252 294 336 378 420 427  [ Наступна Сторінка >> ]