| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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SSM3K318R,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K318R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.0835 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 1W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0835ohm |
на замовлення 4870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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SSM3K333R,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K333R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.0257 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0257ohm |
на замовлення 15157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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SSM3K335R,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K335R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.026 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 12305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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SSM3K333R,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K333R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.0257 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-23F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0257ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0257ohm |
на замовлення 15157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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SSM3K36FS,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K36FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.46 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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TB67H480FNG(O,EL) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TB67H480FNG(O,EL) - Motortreiber, Schrittmotor und DC-Bürstenmotor, 4 Ausgänge, 50V/2Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C tariffCode: 85423190 euEccn: NLR IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 2A Motortyp: DC-Bürstenmotor, Zwei-Phasen-Schrittmotor Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP Ausgangsspannung: 50V Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 0V Bauform - Treiber: HTSSOP SVHC: To Be Advised Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.25V Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge |
на замовлення 3995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TB67H481FNG(O,EL) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TB67H481FNG(O,EL) - Motortreiber, Schrittmotor und DC-Bürstenmotor, 4 Ausgänge, 50V/2Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C tariffCode: 85423190 euEccn: NLR IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 2A Motortyp: DC-Bürstenmotor, Schrittmotor Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP Ausgangsspannung: 50V Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 0V Bauform - Treiber: HTSSOP SVHC: To Be Advised Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.25V Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge |
на замовлення 3940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TB67H480FNG(O,EL) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TB67H480FNG(O,EL) - Motortreiber, Schrittmotor und DC-Bürstenmotor, 4 Ausgänge, 50V/2Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C tariffCode: 85423190 euEccn: NLR IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 2A Motortyp: DC-Bürstenmotor, Zwei-Phasen-Schrittmotor Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP Ausgangsspannung: 50V Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 0V Bauform - Treiber: HTSSOP SVHC: To Be Advised Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.25V Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge |
на замовлення 3995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TB67H481FNG(O,EL) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TB67H481FNG(O,EL) - Motortreiber, Schrittmotor und DC-Bürstenmotor, 4 Ausgänge, 50V/2Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C tariffCode: 85423190 euEccn: NLR IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 2A Motortyp: DC-Bürstenmotor, Schrittmotor Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP Ausgangsspannung: 50V Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 0V Bauform - Treiber: HTSSOP SVHC: To Be Advised Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.25V Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge |
на замовлення 3940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TB67S581FNG(O,EL) | TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - TB67S581FNG(O,EL) - Motortreiber, Zwei-Phasen-Schrittmotor, 4 Ausgänge, 50V/2Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°CtariffCode: 85423190 euEccn: NLR IC-Typ: Motortreiber rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 2A Motortyp: Zwei-Phasen-Schrittmotor Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP Ausgangsspannung: 50V Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 0V Bauform - Treiber: HTSSOP SVHC: To Be Advised Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.25V Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge |
на замовлення 3792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TB67S580FNG(O,EL) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TB67S580FNG(O,EL) - Motortreiber, Zwei-Phasen-Schrittmotor, 4 Ausgänge, 50V/1.28Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C tariffCode: 85423190 euEccn: NLR IC-Typ: Motortreiber rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 1.28A Motortyp: Zwei-Phasen-Schrittmotor Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP Ausgangsspannung: 50V Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 0V Bauform - Treiber: HTSSOP SVHC: To Be Advised Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.25V Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge |
на замовлення 3847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TB67S580FNG(O,EL) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TB67S580FNG(O,EL) - Motortreiber, Zwei-Phasen-Schrittmotor, 4 Ausgänge, 50V/1.28Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C tariffCode: 85423190 euEccn: NLR IC-Typ: Motortreiber rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 1.28A Motortyp: Zwei-Phasen-Schrittmotor Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP Ausgangsspannung: 50V Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 0V Bauform - Treiber: HTSSOP SVHC: To Be Advised Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.25V Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge |
на замовлення 3847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TB67S581FNG(O,EL) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TB67S581FNG(O,EL) - Motortreiber, Zwei-Phasen-Schrittmotor, 4 Ausgänge, 50V/2Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C tariffCode: 85423190 euEccn: NLR IC-Typ: Motortreiber rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 2A Motortyp: Zwei-Phasen-Schrittmotor Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP Ausgangsspannung: 50V Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 0V Bauform - Treiber: HTSSOP SVHC: To Be Advised Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.25V Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge |
на замовлення 3792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TK12P60W,RVQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK12P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TK16G60W,RVQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK16G60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 130W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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TK8P60W5,RVQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK8P60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.44 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TK16G60W5,RVQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK16G60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 130W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 130W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm |
на замовлення 1048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TK8P60W5,RVQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK8P60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.44 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TK12P60W,RVQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK12P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TK7P60W5,RVQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK7P60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TK6P60W,RVQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK6P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 60W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.68ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TPH1110ENH,L1Q(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TPH1110ENH,L1Q(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TK28A65W,S5X(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK28A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.094 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 27.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TPH3R506PL,LQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 2600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 135A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 116W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TPH3R506PL,LQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 2600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 135A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 116W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TK20A25D,S5X(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK20A25D,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 20 A, 0.073 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TK39N60W,S1VF(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK39N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TK39N60X,S1F(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK39N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 270W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TK39N60W5,S1VF(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK39N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.062 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TLX9000(TEE-TL,F(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TLX9000(TEE-TL,F(O - Optokoppler, 1 Kanal, SMD, 4 Pin(s), 30 mA, 3.75 kV, 20 % tariffCode: 85414090 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 20% usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 3.75kV Durchlassstrom If, max.: 30mA euEccn: NLR Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V Bauform - Optokoppler: SMD Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No SVHC: To Be Advised |
на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TLX9000(TEE-TL,F(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TLX9000(TEE-TL,F(O - Optokoppler, 1 Kanal, SMD, 4 Pin(s), 30 mA, 3.75 kV, 20 % tariffCode: 85414090 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 20% usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 3.75kV Durchlassstrom If, max.: 30mA euEccn: NLR Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V Bauform - Optokoppler: SMD Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: To Be Advised |
на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 112 шт В кошику од. на суму грн. |
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TBD62084APG(Z,HZW) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TBD62084APG(Z,HZW) - Peripherietreiber, 50V/0.5Aout, 8 Ausgänge, PDIP, -40°C bis 85°C tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 500mA isCanonical: Y Ausgangsspannung: 50V Versorgungsspannung, min.: - Bauform - Treiber: PDIP SVHC: To Be Advised Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: - Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge |
на замовлення 613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TLP176AM(TPL,E(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TLP176AM(TPL,E(T - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 60 V, 700 mA, SOP-4, Oberflächenmontage tariffCode: 85414900 euEccn: NLR Art der Last: AC/DC rohsCompliant: YES Relaisanschlüsse: Gull-Wing hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA Isolationsspannung: 3.75kV SVHC: To Be Advised Lastspannung, max.: 60V Relaismontage: Oberflächenmontage Kontaktform: SPST-NO (1 Form A) Laststrom: 700mA Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code I/O-Kapazität: 0.8pF usEccn: EAR99 Bauform MOSFET-Relais: SOP-4 Durchlasswiderstand, max.: 2ohm |
на замовлення 755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TLP176AM(TPL,E(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TLP176AM(TPL,E(T - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 60 V, 700 mA, SOP-4, Oberflächenmontage tariffCode: 85414900 euEccn: NLR Art der Last: AC/DC rohsCompliant: YES Relaisanschlüsse: Gull-Wing hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA Isolationsspannung: 3.75kV SVHC: To Be Advised Lastspannung, max.: 60V Relaismontage: Oberflächenmontage Kontaktform: SPST-NO (1 Form A) Laststrom: 700mA Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code I/O-Kapazität: 0.8pF usEccn: EAR99 Bauform MOSFET-Relais: SOP-4 Durchlasswiderstand, max.: 2ohm |
на замовлення 755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TK62N60X,S1F(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK62N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 400W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TK065N65Z,S1F(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK065N65Z,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TK49N65W,S1F(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK49N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 49.2 A, 0.048 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 49.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 400W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TK49N65W5,S1F(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK49N65W5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 49.2 A, 0.051 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 49.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 400W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TLX9175J(TEETL,F(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TLX9175J(TEETL,F(O - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 4 Pin(s), 3.75 kV tariffCode: 85364110 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 3.75kV euEccn: NLR Bauform - Optokoppler: SOIC Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Compute Module 3+ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: To Be Advised |
на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 115 шт В кошику од. на суму грн. |
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TLX9175J(TEETL,F(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TLX9175J(TEETL,F(O - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 4 Pin(s), 3.75 kV tariffCode: 85364110 productTraceability: No Anzahl der Kanäle: 1 Kanal rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 4Pin(s) Isolationsspannung: 3.75kV euEccn: NLR hazardous: false Bauform - Optokoppler: SOIC rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: Compute Module 3+ Series SVHC: To Be Advised |
на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TTA009,L1Q(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TTA009,L1Q(O - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 3 A, 12 W, New PW-Mold, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 12W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: New PW-Mold Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 3988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TTA009,L1Q(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TTA009,L1Q(O - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 3 A, 12 W, New PW-Mold, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 12W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: New PW-Mold Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 3988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TPH12008NH,L1Q(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH12008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0101 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TPH12008NH,L1Q(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH12008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0101 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 48W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm |
на замовлення 2854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TPW4R50ANH,L1Q(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPW4R50ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 3700 µohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 92A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 142W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: DSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm |
на замовлення 2448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TPN1600ANH,L1Q(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPN1600ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.013 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 42W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
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TPW4R50ANH,L1Q(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPW4R50ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 3700 µohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 92A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 142W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 142W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: DSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm |
на замовлення 2448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TPH3R70APL1,LQ(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH3R70APL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 3100 µohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 210W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm |
на замовлення 6941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TPH3R70APL1,LQ(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH3R70APL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 3100 µohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 210W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 210W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm |
на замовлення 6941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TPH1R005PL,L1Q(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 800 µohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 170W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm |
на замовлення 13921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TPWR8004PL,L1Q(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPWR8004PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 650 µohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 170W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: DSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm |
на замовлення 842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TPH2R608NH,L1Q(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 2100 µohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 142W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TPH2900ENH,L1Q(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 78W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm |
на замовлення 2463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TPH7R006PL,L1Q(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 5400 µohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 81W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm |
на замовлення 3273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TPWR8004PL,L1Q(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPWR8004PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 650 µohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 170W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 170W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: DSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm |
на замовлення 842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TPH1R005PL,L1Q(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 800 µohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 170W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 170W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm |
на замовлення 13921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TPH2R608NH,L1Q(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 2100 µohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 142W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 142W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
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TPN1600ANH,L1Q(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPN1600ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.013 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 42W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 42W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TPH7R006PL,L1Q(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 5400 µohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 81W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 81W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm |
на замовлення 3273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SSM3K318R,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K318R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.0835 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0835ohm
Description: TOSHIBA - SSM3K318R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.0835 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0835ohm
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SSM3K333R,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K333R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.0257 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0257ohm
Description: TOSHIBA - SSM3K333R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.0257 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0257ohm
на замовлення 15157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SSM3K335R,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K335R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.026 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - SSM3K335R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.026 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 12305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SSM3K333R,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K333R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.0257 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0257ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0257ohm
Description: TOSHIBA - SSM3K333R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.0257 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0257ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0257ohm
на замовлення 15157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SSM3K36FS,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K36FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.46 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - SSM3K36FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.46 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TB67H480FNG(O,EL) |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TB67H480FNG(O,EL) - Motortreiber, Schrittmotor und DC-Bürstenmotor, 4 Ausgänge, 50V/2Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2A
Motortyp: DC-Bürstenmotor, Zwei-Phasen-Schrittmotor
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP
Ausgangsspannung: 50V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0V
Bauform - Treiber: HTSSOP
SVHC: To Be Advised
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
Description: TOSHIBA - TB67H480FNG(O,EL) - Motortreiber, Schrittmotor und DC-Bürstenmotor, 4 Ausgänge, 50V/2Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2A
Motortyp: DC-Bürstenmotor, Zwei-Phasen-Schrittmotor
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP
Ausgangsspannung: 50V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0V
Bauform - Treiber: HTSSOP
SVHC: To Be Advised
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TB67H481FNG(O,EL) |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TB67H481FNG(O,EL) - Motortreiber, Schrittmotor und DC-Bürstenmotor, 4 Ausgänge, 50V/2Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2A
Motortyp: DC-Bürstenmotor, Schrittmotor
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP
Ausgangsspannung: 50V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0V
Bauform - Treiber: HTSSOP
SVHC: To Be Advised
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
Description: TOSHIBA - TB67H481FNG(O,EL) - Motortreiber, Schrittmotor und DC-Bürstenmotor, 4 Ausgänge, 50V/2Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2A
Motortyp: DC-Bürstenmotor, Schrittmotor
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP
Ausgangsspannung: 50V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0V
Bauform - Treiber: HTSSOP
SVHC: To Be Advised
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TB67H480FNG(O,EL) |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TB67H480FNG(O,EL) - Motortreiber, Schrittmotor und DC-Bürstenmotor, 4 Ausgänge, 50V/2Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2A
Motortyp: DC-Bürstenmotor, Zwei-Phasen-Schrittmotor
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP
Ausgangsspannung: 50V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0V
Bauform - Treiber: HTSSOP
SVHC: To Be Advised
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
Description: TOSHIBA - TB67H480FNG(O,EL) - Motortreiber, Schrittmotor und DC-Bürstenmotor, 4 Ausgänge, 50V/2Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2A
Motortyp: DC-Bürstenmotor, Zwei-Phasen-Schrittmotor
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP
Ausgangsspannung: 50V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0V
Bauform - Treiber: HTSSOP
SVHC: To Be Advised
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TB67H481FNG(O,EL) |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TB67H481FNG(O,EL) - Motortreiber, Schrittmotor und DC-Bürstenmotor, 4 Ausgänge, 50V/2Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2A
Motortyp: DC-Bürstenmotor, Schrittmotor
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP
Ausgangsspannung: 50V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0V
Bauform - Treiber: HTSSOP
SVHC: To Be Advised
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
Description: TOSHIBA - TB67H481FNG(O,EL) - Motortreiber, Schrittmotor und DC-Bürstenmotor, 4 Ausgänge, 50V/2Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2A
Motortyp: DC-Bürstenmotor, Schrittmotor
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP
Ausgangsspannung: 50V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0V
Bauform - Treiber: HTSSOP
SVHC: To Be Advised
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TB67S581FNG(O,EL) |
|
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TB67S581FNG(O,EL) - Motortreiber, Zwei-Phasen-Schrittmotor, 4 Ausgänge, 50V/2Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
IC-Typ: Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2A
Motortyp: Zwei-Phasen-Schrittmotor
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP
Ausgangsspannung: 50V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0V
Bauform - Treiber: HTSSOP
SVHC: To Be Advised
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
Description: TOSHIBA - TB67S581FNG(O,EL) - Motortreiber, Zwei-Phasen-Schrittmotor, 4 Ausgänge, 50V/2Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
IC-Typ: Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2A
Motortyp: Zwei-Phasen-Schrittmotor
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP
Ausgangsspannung: 50V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0V
Bauform - Treiber: HTSSOP
SVHC: To Be Advised
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
на замовлення 3792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TB67S580FNG(O,EL) |
|
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TB67S580FNG(O,EL) - Motortreiber, Zwei-Phasen-Schrittmotor, 4 Ausgänge, 50V/1.28Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
IC-Typ: Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.28A
Motortyp: Zwei-Phasen-Schrittmotor
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP
Ausgangsspannung: 50V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0V
Bauform - Treiber: HTSSOP
SVHC: To Be Advised
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
Description: TOSHIBA - TB67S580FNG(O,EL) - Motortreiber, Zwei-Phasen-Schrittmotor, 4 Ausgänge, 50V/1.28Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
IC-Typ: Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.28A
Motortyp: Zwei-Phasen-Schrittmotor
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP
Ausgangsspannung: 50V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0V
Bauform - Treiber: HTSSOP
SVHC: To Be Advised
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
на замовлення 3847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TB67S580FNG(O,EL) |
|
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TB67S580FNG(O,EL) - Motortreiber, Zwei-Phasen-Schrittmotor, 4 Ausgänge, 50V/1.28Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
IC-Typ: Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.28A
Motortyp: Zwei-Phasen-Schrittmotor
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP
Ausgangsspannung: 50V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0V
Bauform - Treiber: HTSSOP
SVHC: To Be Advised
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
Description: TOSHIBA - TB67S580FNG(O,EL) - Motortreiber, Zwei-Phasen-Schrittmotor, 4 Ausgänge, 50V/1.28Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
IC-Typ: Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.28A
Motortyp: Zwei-Phasen-Schrittmotor
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP
Ausgangsspannung: 50V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0V
Bauform - Treiber: HTSSOP
SVHC: To Be Advised
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
на замовлення 3847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TB67S581FNG(O,EL) |
|
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TB67S581FNG(O,EL) - Motortreiber, Zwei-Phasen-Schrittmotor, 4 Ausgänge, 50V/2Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
IC-Typ: Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2A
Motortyp: Zwei-Phasen-Schrittmotor
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP
Ausgangsspannung: 50V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0V
Bauform - Treiber: HTSSOP
SVHC: To Be Advised
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
Description: TOSHIBA - TB67S581FNG(O,EL) - Motortreiber, Zwei-Phasen-Schrittmotor, 4 Ausgänge, 50V/2Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
IC-Typ: Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2A
Motortyp: Zwei-Phasen-Schrittmotor
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP
Ausgangsspannung: 50V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0V
Bauform - Treiber: HTSSOP
SVHC: To Be Advised
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
на замовлення 3792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TK12P60W,RVQ(S |
|
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK12P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK12P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TK16G60W,RVQ(S |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK16G60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 130W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK16G60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 130W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TK8P60W5,RVQ(S |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK8P60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.44 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK8P60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.44 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TK16G60W5,RVQ(S |
|
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK16G60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 130W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 130W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
Description: TOSHIBA - TK16G60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 130W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 130W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TK8P60W5,RVQ(S |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK8P60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.44 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK8P60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.44 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TK12P60W,RVQ(S |
|
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK12P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK12P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TK7P60W5,RVQ(S |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK7P60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK7P60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TK6P60W,RVQ(S |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK6P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.68ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK6P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.68ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TPH1110ENH,L1Q(M |
|
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: TOSHIBA - TPH1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TPH1110ENH,L1Q(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: TOSHIBA - TPH1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TK28A65W,S5X(M |
|
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK28A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.094 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK28A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.094 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TPH3R506PL,LQ(S |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 2600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 116W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
Description: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 2600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 116W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TPH3R506PL,LQ(S |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 2600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 116W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
Description: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 2600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 116W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TK20A25D,S5X(M |
|
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK20A25D,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 20 A, 0.073 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK20A25D,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 20 A, 0.073 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TK39N60W,S1VF(S |
|
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK39N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK39N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TK39N60X,S1F(S |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK39N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 270W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
Description: TOSHIBA - TK39N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 270W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TK39N60W5,S1VF(S |
|
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK39N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.062 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK39N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.062 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TLX9000(TEE-TL,F(O |
|
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLX9000(TEE-TL,F(O - Optokoppler, 1 Kanal, SMD, 4 Pin(s), 30 mA, 3.75 kV, 20 %
tariffCode: 85414090
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 30mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Bauform - Optokoppler: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TLX9000(TEE-TL,F(O - Optokoppler, 1 Kanal, SMD, 4 Pin(s), 30 mA, 3.75 kV, 20 %
tariffCode: 85414090
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 30mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Bauform - Optokoppler: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: To Be Advised
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TLX9000(TEE-TL,F(O |
|
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLX9000(TEE-TL,F(O - Optokoppler, 1 Kanal, SMD, 4 Pin(s), 30 mA, 3.75 kV, 20 %
tariffCode: 85414090
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 30mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Bauform - Optokoppler: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TLX9000(TEE-TL,F(O - Optokoppler, 1 Kanal, SMD, 4 Pin(s), 30 mA, 3.75 kV, 20 %
tariffCode: 85414090
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 30mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Bauform - Optokoppler: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TBD62084APG(Z,HZW) |
|
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TBD62084APG(Z,HZW) - Peripherietreiber, 50V/0.5Aout, 8 Ausgänge, PDIP, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500mA
isCanonical: Y
Ausgangsspannung: 50V
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Treiber: PDIP
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: -
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
Description: TOSHIBA - TBD62084APG(Z,HZW) - Peripherietreiber, 50V/0.5Aout, 8 Ausgänge, PDIP, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500mA
isCanonical: Y
Ausgangsspannung: 50V
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Treiber: PDIP
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: -
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TLP176AM(TPL,E(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP176AM(TPL,E(T - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 60 V, 700 mA, SOP-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 3.75kV
SVHC: To Be Advised
Lastspannung, max.: 60V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 700mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 0.8pF
usEccn: EAR99
Bauform MOSFET-Relais: SOP-4
Durchlasswiderstand, max.: 2ohm
Description: TOSHIBA - TLP176AM(TPL,E(T - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 60 V, 700 mA, SOP-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 3.75kV
SVHC: To Be Advised
Lastspannung, max.: 60V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 700mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 0.8pF
usEccn: EAR99
Bauform MOSFET-Relais: SOP-4
Durchlasswiderstand, max.: 2ohm
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TLP176AM(TPL,E(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP176AM(TPL,E(T - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 60 V, 700 mA, SOP-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 3.75kV
SVHC: To Be Advised
Lastspannung, max.: 60V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 700mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 0.8pF
usEccn: EAR99
Bauform MOSFET-Relais: SOP-4
Durchlasswiderstand, max.: 2ohm
Description: TOSHIBA - TLP176AM(TPL,E(T - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 60 V, 700 mA, SOP-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 3.75kV
SVHC: To Be Advised
Lastspannung, max.: 60V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 700mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 0.8pF
usEccn: EAR99
Bauform MOSFET-Relais: SOP-4
Durchlasswiderstand, max.: 2ohm
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TK62N60X,S1F(S |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK62N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK62N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TK065N65Z,S1F(S |
|
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK065N65Z,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK065N65Z,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TK49N65W,S1F(S |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK49N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 49.2 A, 0.048 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 400W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
Description: TOSHIBA - TK49N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 49.2 A, 0.048 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 400W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TK49N65W5,S1F(S |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK49N65W5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 49.2 A, 0.051 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 400W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
Description: TOSHIBA - TK49N65W5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 49.2 A, 0.051 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 400W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TLX9175J(TEETL,F(O |
|
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLX9175J(TEETL,F(O - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 4 Pin(s), 3.75 kV
tariffCode: 85364110
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TLX9175J(TEETL,F(O - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 4 Pin(s), 3.75 kV
tariffCode: 85364110
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TLX9175J(TEETL,F(O |
|
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLX9175J(TEETL,F(O - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 4 Pin(s), 3.75 kV
tariffCode: 85364110
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TLX9175J(TEETL,F(O - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 4 Pin(s), 3.75 kV
tariffCode: 85364110
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
SVHC: To Be Advised
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TTA009,L1Q(O |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TTA009,L1Q(O - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 3 A, 12 W, New PW-Mold, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 12W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: New PW-Mold
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: TOSHIBA - TTA009,L1Q(O - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 3 A, 12 W, New PW-Mold, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 12W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: New PW-Mold
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TTA009,L1Q(O |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TTA009,L1Q(O - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 3 A, 12 W, New PW-Mold, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 12W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: New PW-Mold
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: TOSHIBA - TTA009,L1Q(O - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 3 A, 12 W, New PW-Mold, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 12W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: New PW-Mold
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TPH12008NH,L1Q(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH12008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0101 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPH12008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0101 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TPH12008NH,L1Q(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH12008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0101 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 48W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
Description: TOSHIBA - TPH12008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0101 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 48W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TPW4R50ANH,L1Q(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW4R50ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 3700 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
Description: TOSHIBA - TPW4R50ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 3700 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 92A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 142W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TPN1600ANH,L1Q(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN1600ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.013 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
Description: TOSHIBA - TPN1600ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.013 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 17A
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Qualifikation: -
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Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
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| TPW4R50ANH,L1Q(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW4R50ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 3700 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Verlustleistung Pd: 142W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 142W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: n-Kanal
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
Description: TOSHIBA - TPW4R50ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 3700 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 92A
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Qualifikation: -
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Verlustleistung Pd: 142W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 142W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TPH3R70APL1,LQ(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH3R70APL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 3100 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Verlustleistung: 210W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
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Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
Description: TOSHIBA - TPH3R70APL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 3100 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 210W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 6941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TPH3R70APL1,LQ(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH3R70APL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 3100 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 210W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 210W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
Description: TOSHIBA - TPH3R70APL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 3100 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 210W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 210W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 6941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TPH1R005PL,L1Q(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 800 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
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Dauer-Drainstrom Id: 150A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
Description: TOSHIBA - TPH1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 800 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
на замовлення 13921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TPWR8004PL,L1Q(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPWR8004PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 650 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
Description: TOSHIBA - TPWR8004PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 650 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TPH2R608NH,L1Q(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 2100 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 142W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
Description: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 2100 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 142W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TPH2900ENH,L1Q(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 78W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
Description: TOSHIBA - TPH2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 78W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TPH7R006PL,L1Q(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 5400 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 81W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
Description: TOSHIBA - TPH7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 5400 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 81W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
на замовлення 3273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TPWR8004PL,L1Q(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPWR8004PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 650 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
Description: TOSHIBA - TPWR8004PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 650 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TPH1R005PL,L1Q(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 800 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
Description: TOSHIBA - TPH1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 800 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
на замовлення 13921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TPH2R608NH,L1Q(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 2100 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 142W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 142W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
Description: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 2100 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 142W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 142W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TPN1600ANH,L1Q(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN1600ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.013 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
Description: TOSHIBA - TPN1600ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.013 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TPH7R006PL,L1Q(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 5400 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 81W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 81W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
Description: TOSHIBA - TPH7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 5400 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 81W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 81W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
на замовлення 3273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)