Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11841) > Сторінка 35 з 198

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 57 76 95 114 133 152 171 190 198  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7107DN-T1-E3 SI7107DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7107dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7136DP-T1-E3 SI7136DP-T1-E3 Vishay Siliconix 73601.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7138DP-T1-E3 SI7138DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7138dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7366DP-T1-E3 SI7366DP-T1-E3 Vishay Siliconix 72296.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7382DP-T1-E3 SI7382DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7382dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7384DP-T1-E3 SI7384DP-T1-E3 Vishay Siliconix 72656.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7413DN-T1-E3 SI7413DN-T1-E3 Vishay Siliconix 72616.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 8.4A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7421DN-T1-E3 SI7421DN-T1-E3 Vishay Siliconix 72416.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 6.4A 1212-8
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si7448DP-T1-E3 Si7448DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7448dp.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7476DP-T1-E3 SI7476DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7476dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7530DP-T1-E3 SI7530DP-T1-E3 Vishay Siliconix 73249.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7703EDN-T1-E3 SI7703EDN-T1-E3 Vishay Siliconix si7703edn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7802DN-T1-E3 SI7802DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7802dn.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7866ADP-T1-E3 SI7866ADP-T1-E3 Vishay Siliconix 73380.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
на замовлення 8498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7911DN-T1-E3 SI7911DN-T1-E3 Vishay Siliconix 72340.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7946DP-T1-E3 SI7946DP-T1-E3 Vishay Siliconix 72282.pdf Description: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si7958DP-T1-E3 Si7958DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7958dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7962DP-T1-E3 SI7962DP-T1-E3 Vishay Siliconix 72914.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8415DB-T1-E1 SI8415DB-T1-E1 Vishay Siliconix 73210.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 5.3A 2X2 4-MFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8435DB-T1-E1 SI8435DB-T1-E1 Vishay Siliconix si8435db.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 10A 2X2 4-MFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA411DJ-T1-E3 SIA411DJ-T1-E3 Vishay Siliconix sia411dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA443DJ-T1-E3 SIA443DJ-T1-E3 Vishay Siliconix sia443dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA450DJ-T1-E3 SIA450DJ-T1-E3 Vishay Siliconix sia450dj.pdf Description: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA810DJ-T1-E3 SIA810DJ-T1-E3 Vishay Siliconix sia810dj.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA914DJ-T1-E3 SIA914DJ-T1-E3 Vishay Siliconix sia914dj.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE800DF-T1-E3 SIE800DF-T1-E3 Vishay Siliconix sie800df.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE802DF-T1-E3 SIE802DF-T1-E3 Vishay Siliconix 72985.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE806DF-T1-E3 SIE806DF-T1-E3 Vishay Siliconix sie806df.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE812DF-T1-E3 SIE812DF-T1-E3 Vishay Siliconix sie812df.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 60A 10-POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE820DF-T1-E3 SIE820DF-T1-E3 Vishay Siliconix sie820df.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE822DF-T1-E3 SIE822DF-T1-E3 Vishay Siliconix sie822df.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE830DF-T1-E3 SIE830DF-T1-E3 Vishay Siliconix sie830df.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE832DF-T1-E3 SIE832DF-T1-E3 Vishay Siliconix sie832df.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM36N20-54P-E3 SUM36N20-54P-E3 Vishay Siliconix sum36n20.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 36A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM09N20-270-E3 SUM09N20-270-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-2M3L-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N06-3M4L-E3 SUM110N06-3M4L-E3 Vishay Siliconix 73036.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N10-09-E3 SUM110N10-09-E3 Vishay Siliconix sum110n1.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3 SUM110P04-05-E3 Vishay Siliconix 73493.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
на замовлення 18125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+408.24 грн
10+262.16 грн
100+188.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3 SUM110P06-07L-E3 Vishay Siliconix sum110p06-07l.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V
на замовлення 43200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+152.47 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3 SUM110P08-11L-E3 Vishay Siliconix sum110p0.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 40 V
на замовлення 19958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.89 грн
10+236.48 грн
100+169.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM18N25-165-E3 SUM18N25-165-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 250V 18A TO263
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM27N20-78-E3 SUM27N20-78-E3 Vishay Siliconix sum27n20.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 27A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40N10-30-E3 SUM40N10-30-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM45N25-58-E3 SUM45N25-58-E3 Vishay Siliconix sum45n25.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 45A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+426.44 грн
10+274.73 грн
100+197.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM47N10-24L-E3 SUM47N10-24L-E3 Vishay Siliconix sum47n10.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50N06-16L-E3 SUM50N06-16L-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1325 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 93W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM55P06-19L-E3 SUM55P06-19L-E3 Vishay Siliconix sum55p06.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 55A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N10-17-E3 SUM60N10-17-E3 Vishay Siliconix 72070.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+380.55 грн
10+243.57 грн
50+190.79 грн
100+163.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM65N20-30-E3 SUM65N20-30-E3 Vishay Siliconix 71702.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO263
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
на замовлення 1483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+464.41 грн
10+300.48 грн
100+217.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM85N15-19-E3 SUM85N15-19-E3 Vishay Siliconix 71703.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 85A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+247.92 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N08-4M8P-E3 SUM90N08-4M8P-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90P10-19L-E3 SUM90P10-19L-E3 Vishay Siliconix sum90p10.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 39317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+382.13 грн
10+244.71 грн
50+191.71 грн
100+163.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM27N20-78-E3 SUM27N20-78-E3 Vishay Siliconix sum27n20.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 27A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG201BDQ-T1-E3 DG201BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix dg201b.pdf Description: IC SW SPST-NCX4 85OHM 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 85Ohm
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 25V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 22V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 300ns, 200ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG201BDY-T1-E3 DG201BDY-T1-E3 Vishay Siliconix dg201b.pdf Description: IC SWITCH SPST-NCX4 85OHM 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 85Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 25V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 22V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 300ns, 200ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2041DQ-T1-E3 DG2041DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72091.pdf Description: IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2042DQ-T1-E3 DG2042DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72091.pdf Description: IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2043DQ-T1-E3 DG2043DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72091.pdf Description: IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG211BDQ-T1-E3 DG211BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix dg211.pdf Description: IC SW SPST-NCX4 85OHM 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 85Ohm
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 25V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 22V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 300ns, 200ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7107DN-T1-E3 si7107dn.pdf
SI7107DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7136DP-T1-E3 73601.pdf
SI7136DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7138DP-T1-E3 si7138dp.pdf
SI7138DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7366DP-T1-E3 72296.pdf
SI7366DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7382DP-T1-E3 si7382dp.pdf
SI7382DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7384DP-T1-E3 72656.pdf
SI7384DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7413DN-T1-E3 72616.pdf
SI7413DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8.4A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7421DN-T1-E3 72416.pdf
SI7421DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 6.4A 1212-8
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si7448DP-T1-E3 si7448dp.pdf
Si7448DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7476DP-T1-E3 si7476dp.pdf
SI7476DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7530DP-T1-E3 73249.pdf
SI7530DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7703EDN-T1-E3 si7703edn.pdf
SI7703EDN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7802DN-T1-E3 si7802dn.pdf
SI7802DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7866ADP-T1-E3 73380.pdf
SI7866ADP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
на замовлення 8498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7911DN-T1-E3 72340.pdf
SI7911DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7946DP-T1-E3 72282.pdf
SI7946DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si7958DP-T1-E3 si7958dp.pdf
Si7958DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7962DP-T1-E3 72914.pdf
SI7962DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8415DB-T1-E1 73210.pdf
SI8415DB-T1-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 5.3A 2X2 4-MFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8435DB-T1-E1 si8435db.pdf
SI8435DB-T1-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 2X2 4-MFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA411DJ-T1-E3 sia411dj.pdf
SIA411DJ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA443DJ-T1-E3 sia443dj.pdf
SIA443DJ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA450DJ-T1-E3 sia450dj.pdf
SIA450DJ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA810DJ-T1-E3 sia810dj.pdf
SIA810DJ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA914DJ-T1-E3 sia914dj.pdf
SIA914DJ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE800DF-T1-E3 sie800df.pdf
SIE800DF-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE802DF-T1-E3 72985.pdf
SIE802DF-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE806DF-T1-E3 sie806df.pdf
SIE806DF-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE812DF-T1-E3 sie812df.pdf
SIE812DF-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 60A 10-POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE820DF-T1-E3 sie820df.pdf
SIE820DF-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE822DF-T1-E3 sie822df.pdf
SIE822DF-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE830DF-T1-E3 sie830df.pdf
SIE830DF-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE832DF-T1-E3 sie832df.pdf
SIE832DF-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM36N20-54P-E3 sum36n20.pdf
SUM36N20-54P-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 36A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM09N20-270-E3
SUM09N20-270-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-2M3L-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N06-3M4L-E3 73036.pdf
SUM110N06-3M4L-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N10-09-E3 sum110n1.pdf
SUM110N10-09-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3 73493.pdf
SUM110P04-05-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
на замовлення 18125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+408.24 грн
10+262.16 грн
100+188.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3 sum110p06-07l.pdf
SUM110P06-07L-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V
на замовлення 43200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+152.47 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3 sum110p0.pdf
SUM110P08-11L-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 40 V
на замовлення 19958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+367.89 грн
10+236.48 грн
100+169.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM18N25-165-E3
SUM18N25-165-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 18A TO263
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM27N20-78-E3 sum27n20.pdf
SUM27N20-78-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 27A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40N10-30-E3
SUM40N10-30-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM45N25-58-E3 sum45n25.pdf
SUM45N25-58-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 45A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+426.44 грн
10+274.73 грн
100+197.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM47N10-24L-E3 sum47n10.pdf
SUM47N10-24L-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50N06-16L-E3
SUM50N06-16L-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1325 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 93W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM55P06-19L-E3 sum55p06.pdf
SUM55P06-19L-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 55A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N10-17-E3 72070.pdf
SUM60N10-17-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+380.55 грн
10+243.57 грн
50+190.79 грн
100+163.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM65N20-30-E3 71702.pdf
SUM65N20-30-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO263
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
на замовлення 1483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+464.41 грн
10+300.48 грн
100+217.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM85N15-19-E3 71703.pdf
SUM85N15-19-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 85A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+247.92 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N08-4M8P-E3
SUM90N08-4M8P-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90P10-19L-E3 sum90p10.pdf
SUM90P10-19L-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 39317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+382.13 грн
10+244.71 грн
50+191.71 грн
100+163.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM27N20-78-E3 sum27n20.pdf
SUM27N20-78-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 27A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG201BDQ-T1-E3 dg201b.pdf
DG201BDQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NCX4 85OHM 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 85Ohm
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 25V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 22V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 300ns, 200ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG201BDY-T1-E3 dg201b.pdf
DG201BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 85OHM 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 85Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 25V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 22V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 300ns, 200ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2041DQ-T1-E3 72091.pdf
DG2041DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2042DQ-T1-E3 72091.pdf
DG2042DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2043DQ-T1-E3 72091.pdf
DG2043DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG211BDQ-T1-E3 dg211.pdf
DG211BDQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NCX4 85OHM 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 85Ohm
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 25V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 22V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 300ns, 200ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 57 76 95 114 133 152 171 190 198  [ Наступна Сторінка >> ]