Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (10981) > Сторінка 76 з 184

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 90 108 126 144 162 180 184  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SI7137DP-T1-GE3 SI7137DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7137dp.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 585 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+70.05 грн
6000+ 64.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7138DP-T1-GE3 SI7138DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7138dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7149DP-T1-GE3 SI7149DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7149dp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.11 грн
6000+ 44.59 грн
9000+ 43.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7156DP-T1-E3 SI7156DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7156dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7156DP-T1-GE3 SI7156DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7156dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7159DP-T1-GE3 SI7159DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5170 pF @ 15 V
товар відсутній
SI7160DP-T1-E3 SI7160DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7160dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7186DP-T1-E3 SI7186DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7186dp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7196DP-T1-E3 SI7196DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7196dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1577 pF @ 15 V
товар відсутній
SI7214DN-T1-GE3 SI7214DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7214dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8
товар відсутній
SI7218DN-T1-E3 SI7218DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7218dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
товар відсутній
SI7218DN-T1-GE3 SI7218DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7218dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
товар відсутній
SI7224DN-T1-E3 SI7224DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7224dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8
товар відсутній
SI7228DN-T1-GE3 SI7228DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7228dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 26A PPAK 1212-8
товар відсутній
SI7230DN-T1-GE3 SI7230DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7230dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
товар відсутній
SI7236DP-T1-E3 SI7236DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7236dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 60A PWRPAK 8-SO
товар відсутній
SI7302DN-T1-E3 SI7302DN-T1-E3 Vishay Siliconix 73306.pdf Description: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
товар відсутній
SI7302DN-T1-GE3 SI7302DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 73306.pdf Description: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
товар відсутній
SI7328DN-T1-E3 SI7328DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7328dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
товар відсутній
SI7336ADP-T1-GE3 SI7336ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7336adp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+56.12 грн
6000+ 52.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7342DP-T1-GE3 SI7342DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7342dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7356ADP-T1-E3 SI7356ADP-T1-E3 Vishay Siliconix si7356ad.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7356ADP-T1-GE3 SI7356ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7356ad.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7358ADP-T1-E3 SI7358ADP-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V
товар відсутній
SI7358ADP-T1-GE3 SI7358ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V
товар відсутній
SI7368DP-T1-E3 SI7368DP-T1-E3 Vishay Siliconix 72154.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7368DP-T1-GE3 SI7368DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 72154.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7370ADP-T1-GE3 SI7370ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix Si7370ADP.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V
товар відсутній
SI7374DP-T1-GE3 SI7374DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 73560.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7380ADP-T1-E3 SI7380ADP-T1-E3 Vishay Siliconix 73408.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7380ADP-T1-GE3 SI7380ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix 73408.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7382DP-T1-GE3 SI7382DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7382dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7384DP-T1-GE3 SI7384DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 72656.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7388DP-T1-E3 SI7388DP-T1-E3 Vishay Siliconix 71919.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7388DP-T1-GE3 SI7388DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 71919.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7390DP-T1-E3 SI7390DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7390dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7390DP-T1-GE3 SI7390DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7390dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7392ADP-T1-E3 SI7392ADP-T1-E3 Vishay Siliconix si7392ad.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7392ADP-T1-GE3 SI7392ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7392ad.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7392DP-T1-E3 SI7392DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7392dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7392DP-T1-GE3 SI7392DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7392dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7402DN-T1-E3 SI7402DN-T1-E3 Vishay Siliconix 72646.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8
товар відсутній
SI7402DN-T1-GE3 SI7402DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 72646.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8
товар відсутній
SI7404DN-T1-E3 SI7404DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7404dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8
товар відсутній
SI7404DN-T1-GE3 SI7404DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7404dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8
товар відсутній
SI7405BDN-T1-E3 SI7405BDN-T1-E3 Vishay Siliconix si7405bd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK 1212-8
товар відсутній
SI7407DN-T1-E3 SI7407DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7407dn.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
товар відсутній
SI7407DN-T1-GE3 SI7407DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7407dn.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
товар відсутній
SI7409ADN-T1-GE3 SI7409ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 7A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
товар відсутній
SI7413DN-T1-GE3 SI7413DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 72616.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 8.4A PPAK 1212-8
товар відсутній
SI7421DN-T1-GE3 SI7421DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 72416.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 6.4A PPAK 1212-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SI7423DN-T1-GE3 SI7423DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 72582.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK 1212-8
товар відсутній
SI7425DN-T1-E3 SI7425DN-T1-E3 Vishay Siliconix 72400.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8
товар відсутній
SI7425DN-T1-GE3 SI7425DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 72400.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8
товар відсутній
Si7440DP-T1-E3 Si7440DP-T1-E3 Vishay Siliconix 71623.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7440DP-T1-GE3 SI7440DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 71623.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
товар відсутній
Si7445DP-T1-E3 Si7445DP-T1-E3 Vishay Siliconix 71626.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK 1212-8
товар відсутній
SI7445DP-T1-GE3 SI7445DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 71626.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK 1212-8
товар відсутній
SI7446BDP-T1-E3 SI7446BDP-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3076 pF @ 15 V
товар відсутній
SI7446BDP-T1-GE3 SI7446BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3076 pF @ 15 V
товар відсутній
SI7137DP-T1-GE3 si7137dp.pdf
SI7137DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 585 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+70.05 грн
6000+ 64.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7138DP-T1-GE3 si7138dp.pdf
SI7138DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7149DP-T1-GE3 si7149dp.pdf
SI7149DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+48.11 грн
6000+ 44.59 грн
9000+ 43.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7156DP-T1-E3 si7156dp.pdf
SI7156DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7156DP-T1-GE3 si7156dp.pdf
SI7156DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7159DP-T1-GE3
SI7159DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5170 pF @ 15 V
товар відсутній
SI7160DP-T1-E3 si7160dp.pdf
SI7160DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7186DP-T1-E3 si7186dp.pdf
SI7186DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7196DP-T1-E3 si7196dp.pdf
SI7196DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1577 pF @ 15 V
товар відсутній
SI7214DN-T1-GE3 si7214dn.pdf
SI7214DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8
товар відсутній
SI7218DN-T1-E3 si7218dn.pdf
SI7218DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
товар відсутній
SI7218DN-T1-GE3 si7218dn.pdf
SI7218DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
товар відсутній
SI7224DN-T1-E3 si7224dn.pdf
SI7224DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8
товар відсутній
SI7228DN-T1-GE3 si7228dn.pdf
SI7228DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 26A PPAK 1212-8
товар відсутній
SI7230DN-T1-GE3 si7230dn.pdf
SI7230DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
товар відсутній
SI7236DP-T1-E3 si7236dp.pdf
SI7236DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 60A PWRPAK 8-SO
товар відсутній
SI7302DN-T1-E3 73306.pdf
SI7302DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
товар відсутній
SI7302DN-T1-GE3 73306.pdf
SI7302DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
товар відсутній
SI7328DN-T1-E3 si7328dn.pdf
SI7328DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
товар відсутній
SI7336ADP-T1-GE3 si7336adp.pdf
SI7336ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+56.12 грн
6000+ 52.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7342DP-T1-GE3 si7342dp.pdf
SI7342DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7356ADP-T1-E3 si7356ad.pdf
SI7356ADP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7356ADP-T1-GE3 si7356ad.pdf
SI7356ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7358ADP-T1-E3
SI7358ADP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V
товар відсутній
SI7358ADP-T1-GE3
SI7358ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V
товар відсутній
SI7368DP-T1-E3 72154.pdf
SI7368DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7368DP-T1-GE3 72154.pdf
SI7368DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7370ADP-T1-GE3 Si7370ADP.pdf
SI7370ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V
товар відсутній
SI7374DP-T1-GE3 73560.pdf
SI7374DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7380ADP-T1-E3 73408.pdf
SI7380ADP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7380ADP-T1-GE3 73408.pdf
SI7380ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7382DP-T1-GE3 si7382dp.pdf
SI7382DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7384DP-T1-GE3 72656.pdf
SI7384DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7388DP-T1-E3 71919.pdf
SI7388DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7388DP-T1-GE3 71919.pdf
SI7388DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7390DP-T1-E3 si7390dp.pdf
SI7390DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7390DP-T1-GE3 si7390dp.pdf
SI7390DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7392ADP-T1-E3 si7392ad.pdf
SI7392ADP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7392ADP-T1-GE3 si7392ad.pdf
SI7392ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7392DP-T1-E3 si7392dp.pdf
SI7392DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7392DP-T1-GE3 si7392dp.pdf
SI7392DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7402DN-T1-E3 72646.pdf
SI7402DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8
товар відсутній
SI7402DN-T1-GE3 72646.pdf
SI7402DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8
товар відсутній
SI7404DN-T1-E3 si7404dn.pdf
SI7404DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8
товар відсутній
SI7404DN-T1-GE3 si7404dn.pdf
SI7404DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8
товар відсутній
SI7405BDN-T1-E3 si7405bd.pdf
SI7405BDN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK 1212-8
товар відсутній
SI7407DN-T1-E3 si7407dn.pdf
SI7407DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
товар відсутній
SI7407DN-T1-GE3 si7407dn.pdf
SI7407DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
товар відсутній
SI7409ADN-T1-GE3
SI7409ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 7A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
товар відсутній
SI7413DN-T1-GE3 72616.pdf
SI7413DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8.4A PPAK 1212-8
товар відсутній
SI7421DN-T1-GE3 72416.pdf
SI7421DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 6.4A PPAK 1212-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SI7423DN-T1-GE3 72582.pdf
SI7423DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK 1212-8
товар відсутній
SI7425DN-T1-E3 72400.pdf
SI7425DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8
товар відсутній
SI7425DN-T1-GE3 72400.pdf
SI7425DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8
товар відсутній
Si7440DP-T1-E3 71623.pdf
Si7440DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
товар відсутній
SI7440DP-T1-GE3 71623.pdf
SI7440DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
товар відсутній
Si7445DP-T1-E3 71626.pdf
Si7445DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK 1212-8
товар відсутній
SI7445DP-T1-GE3 71626.pdf
SI7445DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK 1212-8
товар відсутній
SI7446BDP-T1-E3
SI7446BDP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3076 pF @ 15 V
товар відсутній
SI7446BDP-T1-GE3
SI7446BDP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3076 pF @ 15 V
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 90 108 126 144 162 180 184  [ Наступна Сторінка >> ]