Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11828) > Сторінка 72 з 198

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI5853CDC-T1-E3 SI5853CDC-T1-E3 Vishay Siliconix si5853cd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 2.5A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5855CDC-T1-E3 SI5855CDC-T1-E3 Vishay Siliconix si5855cd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 2.5A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 276 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5857DU-T1-GE3 SI5857DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5857du.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5858DU-T1-GE3 SI5858DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5858du.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5903DC-T1-GE3 SI5903DC-T1-GE3 Vishay Siliconix 71054.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5905BDC-T1-E3 SI5905BDC-T1-E3 Vishay Siliconix si5905bd.pdf Description: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5905BDC-T1-GE3 SI5905BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5905bd.pdf Description: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5905DC-T1-E3 SI5905DC-T1-E3 Vishay Siliconix si5905dc.pdf Description: MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5905DC-T1-GE3 SI5905DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5905dc.pdf Description: MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5906DU-T1-GE3 SI5906DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5906DU.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5913DC-T1-E3 SI5913DC-T1-E3 Vishay Siliconix si5913dc.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5915BDC-T1-E3 SI5915BDC-T1-E3 Vishay Siliconix si5915bd.pdf Description: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5915BDC-T1-GE3 SI5915BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5915bd.pdf Description: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5915DC-T1-E3 SI5915DC-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5915DC-T1-GE3 SI5915DC-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5933CDC-T1-E3 SI5933CDC-T1-E3 Vishay Siliconix si5933cd.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5933DC-T1-GE3 SI5933DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5933dc.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5935DC-T1-GE3 SI5935DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5935dc.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5943DU-T1-GE3 SI5943DU-T1-GE3 Vishay Siliconix 73669.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 6A 8PWRPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5944DU-T1-GE3 SI5944DU-T1-GE3 Vishay Siliconix 73683.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5975DC-T1-E3 SI5975DC-T1-E3 Vishay Siliconix si5975dc.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5975DC-T1-GE3 SI5975DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5975dc.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si6404DQ-T1-E3 Si6404DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 71440.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6404DQ-T1-GE3 SI6404DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 71440.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6413DQ-T1-E3 SI6413DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72084.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6413DQ-T1-GE3 SI6413DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 72084.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6443DQ-T1-E3 SI6443DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72083.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6465DQ-T1-E3 SI6465DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 70812.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 8.8A 8TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6465DQ-T1-GE3 SI6465DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 70812.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 8.8A 8TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si6466ADQ-T1-E3 Si6466ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix 71182.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6466ADQ-T1-GE3 SI6466ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 71182.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si6469DQ-T1-E3 Si6469DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 70858.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 8TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6469DQ-T1-GE3 SI6469DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 70858.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 8TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si6473DQ-T1-E3 Si6473DQ-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.08W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6473DQ-T1-GE3 SI6473DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.08W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6933DQ-T1-E3 SI6933DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 70640.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 8-TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6933DQ-T1-GE3 SI6933DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 70640.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 8-TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6943BDQ-T1-GE3 SI6943BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 72016.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si6955ADQ-T1-E3 Si6955ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix 71103.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 8-TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6955ADQ-T1-GE3 SI6955ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 71103.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 8-TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6966DQ-T1-E3 SI6966DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 71808.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6966DQ-T1-GE3 SI6966DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 71808.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6966EDQ-T1-E3 SI6966EDQ-T1-E3 Vishay Siliconix 70809.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6966EDQ-T1-GE3 SI6966EDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 70809.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si6967DQ-T1-E3 Si6967DQ-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2P-CH 8V 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6967DQ-T1-GE3 SI6967DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2P-CH 8V 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6969BDQ-T1-GE3 SI6969BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 72017.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 4A 8TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6969DQ-T1-E3 SI6969DQ-T1-E3 Vishay Siliconix si6969dq.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 8TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6969DQ-T1-GE3 SI6969DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix si6969dq.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 8TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si6973DQ-T1-E3 Si6973DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 71190.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6973DQ-T1-GE3 SI6973DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 71190.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si6975DQ-T1-E3 Si6975DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 71319.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6975DQ-T1-GE3 SI6975DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 71319.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6983DQ-T1-GE3 SI6983DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 72367.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7100DN-T1-GE3 SI7100DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7100dn.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7102DN-T1-E3 SI7102DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7102dn.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7104DN-T1-E3 SI7104DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7104dn.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7104DN-T1-GE3 SI7104DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7104dn.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114ADN-T1-GE3 SI7114ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7114ad.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-E3 SI7115DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7115dn.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5853CDC-T1-E3 si5853cd.pdf
SI5853CDC-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 2.5A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5855CDC-T1-E3 si5855cd.pdf
SI5855CDC-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 2.5A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 276 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5857DU-T1-GE3 si5857du.pdf
SI5857DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5858DU-T1-GE3 si5858du.pdf
SI5858DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5903DC-T1-GE3 71054.pdf
SI5903DC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5905BDC-T1-E3 si5905bd.pdf
SI5905BDC-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5905BDC-T1-GE3 si5905bd.pdf
SI5905BDC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5905DC-T1-E3 si5905dc.pdf
SI5905DC-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5905DC-T1-GE3 si5905dc.pdf
SI5905DC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5906DU-T1-GE3 SI5906DU.pdf
SI5906DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5913DC-T1-E3 si5913dc.pdf
SI5913DC-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5915BDC-T1-E3 si5915bd.pdf
SI5915BDC-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5915BDC-T1-GE3 si5915bd.pdf
SI5915BDC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5915DC-T1-E3
SI5915DC-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5915DC-T1-GE3
SI5915DC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5933CDC-T1-E3 si5933cd.pdf
SI5933CDC-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5933DC-T1-GE3 si5933dc.pdf
SI5933DC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5935DC-T1-GE3 si5935dc.pdf
SI5935DC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5943DU-T1-GE3 73669.pdf
SI5943DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 6A 8PWRPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5944DU-T1-GE3 73683.pdf
SI5944DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5975DC-T1-E3 si5975dc.pdf
SI5975DC-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5975DC-T1-GE3 si5975dc.pdf
SI5975DC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si6404DQ-T1-E3 71440.pdf
Si6404DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6404DQ-T1-GE3 71440.pdf
SI6404DQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6413DQ-T1-E3 72084.pdf
SI6413DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6413DQ-T1-GE3 72084.pdf
SI6413DQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6443DQ-T1-E3 72083.pdf
SI6443DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6465DQ-T1-E3 70812.pdf
SI6465DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 8.8A 8TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6465DQ-T1-GE3 70812.pdf
SI6465DQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 8.8A 8TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si6466ADQ-T1-E3 71182.pdf
Si6466ADQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6466ADQ-T1-GE3 71182.pdf
SI6466ADQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si6469DQ-T1-E3 70858.pdf
Si6469DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 8TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6469DQ-T1-GE3 70858.pdf
SI6469DQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 8TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si6473DQ-T1-E3
Si6473DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.08W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 5 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6473DQ-T1-GE3
SI6473DQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.08W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 5 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6933DQ-T1-E3 70640.pdf
SI6933DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8-TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6933DQ-T1-GE3 70640.pdf
SI6933DQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8-TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6943BDQ-T1-GE3 72016.pdf
SI6943BDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si6955ADQ-T1-E3 71103.pdf
Si6955ADQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 8-TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6955ADQ-T1-GE3 71103.pdf
SI6955ADQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 8-TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6966DQ-T1-E3 71808.pdf
SI6966DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6966DQ-T1-GE3 71808.pdf
SI6966DQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6966EDQ-T1-E3 70809.pdf
SI6966EDQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6966EDQ-T1-GE3 70809.pdf
SI6966EDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si6967DQ-T1-E3
Si6967DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 8V 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6967DQ-T1-GE3
SI6967DQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 8V 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6969BDQ-T1-GE3 72017.pdf
SI6969BDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4A 8TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6969DQ-T1-E3 si6969dq.pdf
SI6969DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 8TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6969DQ-T1-GE3 si6969dq.pdf
SI6969DQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 8TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si6973DQ-T1-E3 71190.pdf
Si6973DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6973DQ-T1-GE3 71190.pdf
SI6973DQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si6975DQ-T1-E3 71319.pdf
Si6975DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6975DQ-T1-GE3 71319.pdf
SI6975DQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6983DQ-T1-GE3 72367.pdf
SI6983DQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7100DN-T1-GE3 si7100dn.pdf
SI7100DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7102DN-T1-E3 si7102dn.pdf
SI7102DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7104DN-T1-E3 si7104dn.pdf
SI7104DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7104DN-T1-GE3 si7104dn.pdf
SI7104DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114ADN-T1-GE3 si7114ad.pdf
SI7114ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-E3 si7115dn.pdf
SI7115DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+60.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.