Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11099) > Сторінка 75 з 185
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI7214DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7218DN-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7218DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7224DN-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7228DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 26A PPAK 1212-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7230DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7236DP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 60A PWRPAK 8-SO |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7302DN-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7302DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7328DN-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
SI7336ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
|
SI7342DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7356ADP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7356ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
SI7358ADP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
SI7358ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7368DP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7368DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
SI7370ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7374DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7380ADP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7380ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7382DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7384DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7388DP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7388DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7390DP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7390DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7392ADP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7392ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7392DP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7392DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7402DN-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7402DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7404DN-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7404DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7405BDN-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK 1212-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7407DN-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7407DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
SI7409ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 7A PPAK 1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7413DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 8.4A PPAK 1212-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7421DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 6.4A PPAK 1212-8 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7423DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK 1212-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7425DN-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7425DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
Si7440DP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7440DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
Si7445DP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK 1212-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7445DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK 1212-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
SI7446BDP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3076 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
SI7446BDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3076 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7447ADP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7447ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7448DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7452DP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7452DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
SI7455DP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
SI7455DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7457DP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SI7457DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| SI7214DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7218DN-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7218DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7224DN-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7228DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 26A PPAK 1212-8
Description: MOSFET 2N-CH 30V 26A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7230DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7236DP-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 60A PWRPAK 8-SO
Description: MOSFET 2N-CH 20V 60A PWRPAK 8-SO
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7302DN-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
Description: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7302DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
Description: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7328DN-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7336ADP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 52.86 грн |
| SI7342DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7356ADP-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7356ADP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7358ADP-T1-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7358ADP-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7368DP-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7368DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7370ADP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7374DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7380ADP-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7380ADP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7382DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7384DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7388DP-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7388DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7390DP-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7390DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7392ADP-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7392ADP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7392DP-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7392DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7402DN-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8
Description: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7402DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8
Description: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7404DN-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7404DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7405BDN-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK 1212-8
Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7407DN-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Description: MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7407DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Description: MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7409ADN-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 7A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Description: MOSFET P-CH 30V 7A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7413DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8.4A PPAK 1212-8
Description: MOSFET P-CH 20V 8.4A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7421DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 6.4A PPAK 1212-8
Description: MOSFET P-CH 30V 6.4A PPAK 1212-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| SI7423DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK 1212-8
Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7425DN-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8
Description: MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7425DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8
Description: MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| Si7440DP-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7440DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| Si7445DP-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK 1212-8
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7445DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK 1212-8
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7446BDP-T1-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3076 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3076 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7446BDP-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3076 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3076 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7447ADP-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7447ADP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7448DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7452DP-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7452DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7455DP-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 40 V
Description: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7455DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 40 V
Description: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7457DP-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Description: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7457DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Description: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.




