Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (10949) > Сторінка 75 з 183

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 90 108 126 144 162 180 183  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SI5441BDC-T1-GE3 SI5441BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix 73207.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
товар відсутній
SI5441DC-T1-E3 SI5441DC-T1-E3 Vishay Siliconix si5441dc.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8
товар відсутній
SI5441DC-T1-GE3 SI5441DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5441dc.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8
товар відсутній
SI5443DC-T1-E3 SI5443DC-T1-E3 Vishay Siliconix 71064.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8
товар відсутній
SI5443DC-T1-GE3 SI5443DC-T1-GE3 Vishay Siliconix 71064.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8
товар відсутній
SI5445BDC-T1-GE3 SI5445BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix 73251.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8
товар відсутній
SI5449DC-T1-E3 SI5449DC-T1-E3 Vishay Siliconix 71327.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8
товар відсутній
SI5449DC-T1-GE3 SI5449DC-T1-GE3 Vishay Siliconix 71327.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8
товар відсутній
SI5459DU-T1-GE3 SI5459DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5459du.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 8A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 10.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 10 V
товар відсутній
SI5461EDC-T1-E3 SI5461EDC-T1-E3 Vishay Siliconix 71413.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A CHIPFET
товар відсутній
SI5461EDC-T1-GE3 SI5461EDC-T1-GE3 Vishay Siliconix 71413.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A CHIPFET
товар відсутній
SI5463EDC-T1-GE3 SI5463EDC-T1-GE3 Vishay Siliconix 71364.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8
товар відсутній
SI5473DC-T1-GE3 SI5473DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5473dc.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8
товар відсутній
SI5475BDC-T1-E3 SI5475BDC-T1-E3 Vishay Siliconix si5475bd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
товар відсутній
SI5475BDC-T1-GE3 SI5475BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5475bd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
товар відсутній
SI5475DC-T1-E3 SI5475DC-T1-E3 Vishay Siliconix si5475dc.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 1mA (Min)
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
товар відсутній
SI5475DC-T1-GE3 SI5475DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5475dc.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 1mA (Min)
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
товар відсутній
SI5479DU-T1-GE3 Vishay Siliconix 73368.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 16A CHIPFET
товар відсутній
SI5480DU-T1-GE3 Vishay Siliconix 73585.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
товар відсутній
SI5481DU-T1-GE3 Vishay Siliconix 73777.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
товар відсутній
SI5482DU-T1-GE3 Vishay Siliconix 73594.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
товар відсутній
SI5484DU-T1-GE3 Vishay Siliconix 73589.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
товар відсутній
SI5485DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5485du.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
товар відсутній
SI5504BDC-T1-E3 SI5504BDC-T1-E3 Vishay Siliconix si5504bdc.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.12W, 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.25 грн
6000+ 24.07 грн
9000+ 22.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI5504DC-T1-GE3 SI5504DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5504dc.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Obsolete
товар відсутній
SI5509DC-T1-GE3 SI5509DC-T1-GE3 Vishay Siliconix 73629.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
товар відсутній
SI5513CDC-T1-E3 SI5513CDC-T1-E3 Vishay Siliconix si5513cd.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
товар відсутній
SI5513DC-T1-GE3 SI5513DC-T1-GE3 Vishay Siliconix 71186.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
товар відсутній
SI5515DC-T1-GE3 SI5515DC-T1-GE3 Vishay Siliconix 72221.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8
товар відсутній
SI5853CDC-T1-E3 SI5853CDC-T1-E3 Vishay Siliconix si5853cd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 2.5A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 10 V
товар відсутній
SI5855CDC-T1-E3 SI5855CDC-T1-E3 Vishay Siliconix si5855cd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 2.5A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 276 pF @ 10 V
товар відсутній
SI5857DU-T1-GE3 SI5857DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5857du.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
товар відсутній
SI5858DU-T1-GE3 SI5858DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5858du.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
товар відсутній
SI5903DC-T1-GE3 SI5903DC-T1-GE3 Vishay Siliconix 71054.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
товар відсутній
SI5905BDC-T1-E3 SI5905BDC-T1-E3 Vishay Siliconix si5905bd.pdf Description: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
товар відсутній
SI5905BDC-T1-GE3 SI5905BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5905bd.pdf Description: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
товар відсутній
SI5905DC-T1-E3 SI5905DC-T1-E3 Vishay Siliconix si5905dc.pdf Description: MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8
товар відсутній
SI5905DC-T1-GE3 SI5905DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5905dc.pdf Description: MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8
товар відсутній
SI5906DU-T1-GE3 SI5906DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5906DU.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET
товар відсутній
SI5913DC-T1-E3 SI5913DC-T1-E3 Vishay Siliconix si5913dc.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
товар відсутній
SI5915BDC-T1-E3 SI5915BDC-T1-E3 Vishay Siliconix si5915bd.pdf Description: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
товар відсутній
SI5915BDC-T1-GE3 SI5915BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5915bd.pdf Description: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
товар відсутній
SI5915DC-T1-E3 SI5915DC-T1-E3 Vishay Siliconix si5915dc.pdf Description: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
товар відсутній
SI5915DC-T1-GE3 SI5915DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5915dc.pdf Description: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
товар відсутній
SI5933CDC-T1-E3 SI5933CDC-T1-E3 Vishay Siliconix si5933cd.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
товар відсутній
SI5933DC-T1-GE3 SI5933DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5933dc.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8
товар відсутній
SI5935DC-T1-GE3 SI5935DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5935dc.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8
товар відсутній
SI5943DU-T1-GE3 SI5943DU-T1-GE3 Vishay Siliconix 73669.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 6A 8PWRPAK
товар відсутній
SI5944DU-T1-GE3 SI5944DU-T1-GE3 Vishay Siliconix 73683.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK
товар відсутній
SI5975DC-T1-E3 SI5975DC-T1-E3 Vishay Siliconix si5975dc.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET
товар відсутній
SI5975DC-T1-GE3 SI5975DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5975dc.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET
товар відсутній
Si6404DQ-T1-E3 Si6404DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 71440.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP
товар відсутній
SI6404DQ-T1-GE3 SI6404DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 71440.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP
товар відсутній
SI6413DQ-T1-E3 SI6413DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72084.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
товар відсутній
SI6413DQ-T1-GE3 SI6413DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 72084.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
товар відсутній
SI6443DQ-T1-E3 SI6443DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72083.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-TSSOP
товар відсутній
SI6465DQ-T1-E3 SI6465DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 70812.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 8.8A 8TSSOP
товар відсутній
SI6465DQ-T1-GE3 SI6465DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 70812.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 8.8A 8TSSOP
товар відсутній
Si6466ADQ-T1-E3 Si6466ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix 71182.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP
товар відсутній
SI6466ADQ-T1-GE3 SI6466ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 71182.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP
товар відсутній
SI5441BDC-T1-GE3 73207.pdf
SI5441BDC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
товар відсутній
SI5441DC-T1-E3 si5441dc.pdf
SI5441DC-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8
товар відсутній
SI5441DC-T1-GE3 si5441dc.pdf
SI5441DC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8
товар відсутній
SI5443DC-T1-E3 71064.pdf
SI5443DC-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8
товар відсутній
SI5443DC-T1-GE3 71064.pdf
SI5443DC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8
товар відсутній
SI5445BDC-T1-GE3 73251.pdf
SI5445BDC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8
товар відсутній
SI5449DC-T1-E3 71327.pdf
SI5449DC-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8
товар відсутній
SI5449DC-T1-GE3 71327.pdf
SI5449DC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8
товар відсутній
SI5459DU-T1-GE3 si5459du.pdf
SI5459DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 10.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 10 V
товар відсутній
SI5461EDC-T1-E3 71413.pdf
SI5461EDC-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A CHIPFET
товар відсутній
SI5461EDC-T1-GE3 71413.pdf
SI5461EDC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A CHIPFET
товар відсутній
SI5463EDC-T1-GE3 71364.pdf
SI5463EDC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8
товар відсутній
SI5473DC-T1-GE3 si5473dc.pdf
SI5473DC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8
товар відсутній
SI5475BDC-T1-E3 si5475bd.pdf
SI5475BDC-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
товар відсутній
SI5475BDC-T1-GE3 si5475bd.pdf
SI5475BDC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
товар відсутній
SI5475DC-T1-E3 si5475dc.pdf
SI5475DC-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 1mA (Min)
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
товар відсутній
SI5475DC-T1-GE3 si5475dc.pdf
SI5475DC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 1mA (Min)
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
товар відсутній
SI5479DU-T1-GE3 73368.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 16A CHIPFET
товар відсутній
SI5480DU-T1-GE3 73585.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
товар відсутній
SI5481DU-T1-GE3 73777.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
товар відсутній
SI5482DU-T1-GE3 73594.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
товар відсутній
SI5484DU-T1-GE3 73589.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
товар відсутній
SI5485DU-T1-GE3 si5485du.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
товар відсутній
SI5504BDC-T1-E3 si5504bdc.pdf
SI5504BDC-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.12W, 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+26.25 грн
6000+ 24.07 грн
9000+ 22.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI5504DC-T1-GE3 si5504dc.pdf
SI5504DC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Obsolete
товар відсутній
SI5509DC-T1-GE3 73629.pdf
SI5509DC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
товар відсутній
SI5513CDC-T1-E3 si5513cd.pdf
SI5513CDC-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
товар відсутній
SI5513DC-T1-GE3 71186.pdf
SI5513DC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
товар відсутній
SI5515DC-T1-GE3 72221.pdf
SI5515DC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8
товар відсутній
SI5853CDC-T1-E3 si5853cd.pdf
SI5853CDC-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 2.5A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 10 V
товар відсутній
SI5855CDC-T1-E3 si5855cd.pdf
SI5855CDC-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 2.5A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 276 pF @ 10 V
товар відсутній
SI5857DU-T1-GE3 si5857du.pdf
SI5857DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
товар відсутній
SI5858DU-T1-GE3 si5858du.pdf
SI5858DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
товар відсутній
SI5903DC-T1-GE3 71054.pdf
SI5903DC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
товар відсутній
SI5905BDC-T1-E3 si5905bd.pdf
SI5905BDC-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
товар відсутній
SI5905BDC-T1-GE3 si5905bd.pdf
SI5905BDC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
товар відсутній
SI5905DC-T1-E3 si5905dc.pdf
SI5905DC-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8
товар відсутній
SI5905DC-T1-GE3 si5905dc.pdf
SI5905DC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8
товар відсутній
SI5906DU-T1-GE3 SI5906DU.pdf
SI5906DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET
товар відсутній
SI5913DC-T1-E3 si5913dc.pdf
SI5913DC-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
товар відсутній
SI5915BDC-T1-E3 si5915bd.pdf
SI5915BDC-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
товар відсутній
SI5915BDC-T1-GE3 si5915bd.pdf
SI5915BDC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
товар відсутній
SI5915DC-T1-E3 si5915dc.pdf
SI5915DC-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
товар відсутній
SI5915DC-T1-GE3 si5915dc.pdf
SI5915DC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
товар відсутній
SI5933CDC-T1-E3 si5933cd.pdf
SI5933CDC-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
товар відсутній
SI5933DC-T1-GE3 si5933dc.pdf
SI5933DC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8
товар відсутній
SI5935DC-T1-GE3 si5935dc.pdf
SI5935DC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8
товар відсутній
SI5943DU-T1-GE3 73669.pdf
SI5943DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 6A 8PWRPAK
товар відсутній
SI5944DU-T1-GE3 73683.pdf
SI5944DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK
товар відсутній
SI5975DC-T1-E3 si5975dc.pdf
SI5975DC-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET
товар відсутній
SI5975DC-T1-GE3 si5975dc.pdf
SI5975DC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET
товар відсутній
Si6404DQ-T1-E3 71440.pdf
Si6404DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP
товар відсутній
SI6404DQ-T1-GE3 71440.pdf
SI6404DQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP
товар відсутній
SI6413DQ-T1-E3 72084.pdf
SI6413DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
товар відсутній
SI6413DQ-T1-GE3 72084.pdf
SI6413DQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
товар відсутній
SI6443DQ-T1-E3 72083.pdf
SI6443DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-TSSOP
товар відсутній
SI6465DQ-T1-E3 70812.pdf
SI6465DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 8.8A 8TSSOP
товар відсутній
SI6465DQ-T1-GE3 70812.pdf
SI6465DQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 8.8A 8TSSOP
товар відсутній
Si6466ADQ-T1-E3 71182.pdf
Si6466ADQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP
товар відсутній
SI6466ADQ-T1-GE3 71182.pdf
SI6466ADQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 90 108 126 144 162 180 183  [ Наступна Сторінка >> ]