Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11842) > Сторінка 95 з 198

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 114 133 152 171 190 198  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DG442DY-T1 DG442DY-T1 Vishay Siliconix dg441.pdf Description: IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-GE3 SI2356DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2356ds.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 4.3A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 20 V
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.11 грн
9000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340DT-T1-GE3 SIZ340DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz340dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/40A 8PWR33
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 40A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 16.7W, 31W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7317DN-T1-GE3 SI7317DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7317dn.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.99 грн
6000+31.17 грн
9000+29.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3476DV-T1-GE3 SI3476DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3476dv.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 4.6A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.28 грн
9000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5411EDU-T1-GE3 SI5411EDU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5411edu.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 25A PPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3417DV-T1-GE3 SI3417DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3417dv.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 7.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.32 грн
9000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DDP-T1-GE3 SI7454DDP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7454ddp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 29.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.60 грн
9000+37.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DDP-T1-GE3 SI7456DDP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7456ddp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 27.8A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA453EDJ-T1-GE3 SIA453EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia453edj.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR472ADP-T1-GE3 SIR472ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir472adp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 14.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS990DN-T1-GE3 SIS990DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis990dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-GE3 SI2356DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2356ds.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 4.3A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 20 V
на замовлення 138582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.77 грн
14+22.86 грн
50+16.56 грн
100+13.63 грн
500+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340DT-T1-GE3 SIZ340DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz340dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/40A 8PWR33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 40A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 16.7W, 31W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.6A, 10V
на замовлення 6695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.10 грн
10+61.41 грн
100+42.16 грн
500+32.12 грн
1000+29.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7317DN-T1-GE3 SI7317DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7317dn.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.49 грн
10+64.76 грн
100+50.36 грн
500+40.06 грн
1000+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3476DV-T1-GE3 SI3476DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3476dv.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 4.6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 40 V
на замовлення 26582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.13 грн
10+35.96 грн
50+26.36 грн
100+21.81 грн
500+16.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5411EDU-T1-GE3 SI5411EDU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5411edu.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 25A PPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3417DV-T1-GE3 SI3417DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3417dv.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 11229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.05 грн
11+29.26 грн
50+21.35 грн
100+17.61 грн
500+13.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DDP-T1-GE3 SI7454DDP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7454ddp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 29.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
на замовлення 34412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.86 грн
10+95.77 грн
50+72.44 грн
100+60.90 грн
500+48.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DDP-T1-GE3 SI7456DDP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7456ddp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 27.8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.01 грн
10+109.94 грн
50+83.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA453EDJ-T1-GE3 SIA453EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia453edj.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6
на замовлення 7362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR472ADP-T1-GE3 SIR472ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir472adp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 14.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 6053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.74 грн
10+45.86 грн
100+29.92 грн
500+21.65 грн
1000+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS990DN-T1-GE3 SIS990DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis990dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.43 грн
10+63.23 грн
50+47.22 грн
100+39.43 грн
500+30.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA453EDJ-T1-GE3 SIA453EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia453edj.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6
на замовлення 7362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG1411EN-T1-GE4 DG1411EN-T1-GE4 Vishay Siliconix DG141x.pdf Description: IC SWITCH SPST-NCX4 1.8OHM 16QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.8Ohm
-3db Bandwidth: 210MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -20pC
Crosstalk: -100dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 80mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 150ns, 120ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 24pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 550pA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG1412EN-T1-GE4 DG1412EN-T1-GE4 Vishay Siliconix DG141x.pdf Description: IC SWITCH SPST-NOX4 1.8OHM 16QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.8Ohm
-3db Bandwidth: 210MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -20pC
Crosstalk: -100dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 80mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 150ns, 120ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 24pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 550pA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG1413EN-T1-GE4 DG1413EN-T1-GE4 Vishay Siliconix DG141x.pdf Description: IC SW SPST-NO/NCX4 1.5OHM 16QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 210MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -20pC
Crosstalk: -100dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 80mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 150ns, 120ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 24pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 550pA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG1411EQ-T1-GE3 DG1411EQ-T1-GE3 Vishay Siliconix DG141x.pdf Description: IC SW SPST-NCX4 1.8OHM 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.8Ohm
-3db Bandwidth: 210MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -20pC
Crosstalk: -100dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 80mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 150ns, 120ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 24pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 550pA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG1412EQ-T1-GE3 DG1412EQ-T1-GE3 Vishay Siliconix DG141x.pdf Description: IC SW SPST-NOX4 1.8OHM 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.8Ohm
-3db Bandwidth: 210MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -20pC
Crosstalk: -100dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 80mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 150ns, 120ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 24pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 550pA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG1413EQ-T1-GE3 DG1413EQ-T1-GE3 Vishay Siliconix DG141x.pdf Description: IC SW SPST-NO/NC 1.8OHM 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.8Ohm
-3db Bandwidth: 210MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -20pC
Crosstalk: -100dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 80mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 150ns, 120ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 24pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 550pA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740BPBF IRF740BPBF Vishay Siliconix irf740b.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BPBF IRF830BPBF Vishay Siliconix irf830b.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF IRF840BPBF Vishay Siliconix irf840b.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.90 грн
50+70.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB10N40D-GE3 SIHB10N40D-GE3 Vishay Siliconix sihb10n40d.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB8N50D-GE3 SIHB8N50D-GE3 Vishay Siliconix sihb8n50d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP10N40D-GE3 SIHP10N40D-GE3 Vishay Siliconix sihp10n40d.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 100 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N40D-GE3 SIHP6N40D-GE3 Vishay Siliconix sihp6n40d.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHU3N50D-GE3 SIHU3N50D-GE3 Vishay Siliconix sihu3n50d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO251
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHU5N50D-GE3 SIHU5N50D-GE3 Vishay Siliconix sihu5n50d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460BPBF IRFP460BPBF Vishay Siliconix sihg460b.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3094 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP8N50D-GE3 SIHP8N50D-GE3 Vishay Siliconix sihp8n50d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Mounting Type: Through Hole
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.33 грн
50+60.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4202DY-T1-GE3 SI4202DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4202dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.7W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4288DY-T1-GE3 SI4288DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4288dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4909DY-T1-GE3 SI4909DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4909dy.pdf Description: MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB410DK-T1-GE3 SIB410DK-T1-GE3 Vishay Siliconix sib410dk.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR876ADP-T1-GE3 SIR876ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir876adp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.06 грн
9000+44.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3 SQ2310ES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2310es.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6A TO236
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1_GE3 SQ7415AEN-T1_GE3 Vishay Siliconix sq7415aen.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 16A PPAK1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N04-1m7L_GE3 SQM120N04-1m7L_GE3 Vishay Siliconix sqm120n0.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14606 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+325.96 грн
10+207.15 грн
50+161.19 грн
100+137.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUD42N03-3M9P-GE3 SUD42N03-3M9P-GE3 Vishay Siliconix SUD42N03-3m9P.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 42A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4202DY-T1-GE3 SI4202DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4202dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.7W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
на замовлення 4135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.20 грн
10+87.84 грн
100+59.26 грн
500+44.09 грн
1000+40.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4288DY-T1-GE3 SI4288DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4288dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SOIC
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
на замовлення 2603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.33 грн
10+80.38 грн
100+54.20 грн
500+40.33 грн
1000+37.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4909DY-T1-GE3 SI4909DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4909dy.pdf Description: MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.30 грн
10+70.85 грн
100+47.26 грн
500+34.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB410DK-T1-GE3 SIB410DK-T1-GE3 Vishay Siliconix sib410dk.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR876ADP-T1-GE3 SIR876ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir876adp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 50 V
на замовлення 18210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.01 грн
10+109.94 грн
50+83.53 грн
100+70.40 грн
500+56.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3 SQ2310ES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2310es.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6A TO236
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8425DB-T1-E1 SI8425DB-T1-E1 Vishay Siliconix si8425db.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8425DB-T1-E1 SI8425DB-T1-E1 Vishay Siliconix si8425db.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
на замовлення 2862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.96 грн
10+38.32 грн
100+26.11 грн
500+20.36 грн
1000+17.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8483DB-T2-E1 SI8483DB-T2-E1 Vishay Siliconix si8483db.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: P-Channel
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.36 грн
6000+12.44 грн
9000+12.02 грн
15000+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8483DB-T2-E1 SI8483DB-T2-E1 Vishay Siliconix si8483db.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOT
Package / Case: 6-UFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 16799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.43 грн
10+32.30 грн
100+23.13 грн
500+17.26 грн
1000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG442DY-T1 dg441.pdf
DG442DY-T1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-GE3 si2356ds.pdf
SI2356DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 4.3A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 20 V
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.11 грн
9000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340DT-T1-GE3 siz340dt.pdf
SIZ340DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/40A 8PWR33
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 40A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 16.7W, 31W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7317DN-T1-GE3 si7317dn.pdf
SI7317DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+33.99 грн
6000+31.17 грн
9000+29.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3476DV-T1-GE3 si3476dv.pdf
SI3476DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 4.6A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.28 грн
9000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5411EDU-T1-GE3 si5411edu.pdf
SI5411EDU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 25A PPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3417DV-T1-GE3 si3417dv.pdf
SI3417DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 7.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.32 грн
9000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DDP-T1-GE3 si7454ddp.pdf
SI7454DDP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 29.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+43.60 грн
9000+37.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DDP-T1-GE3 si7456ddp.pdf
SI7456DDP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 27.8A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA453EDJ-T1-GE3 sia453edj.pdf
SIA453EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR472ADP-T1-GE3 sir472adp.pdf
SIR472ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 14.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+18.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS990DN-T1-GE3 sis990dn.pdf
SIS990DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-GE3 si2356ds.pdf
SI2356DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 4.3A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 20 V
на замовлення 138582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+38.77 грн
14+22.86 грн
50+16.56 грн
100+13.63 грн
500+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340DT-T1-GE3 siz340dt.pdf
SIZ340DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/40A 8PWR33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 40A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 16.7W, 31W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.6A, 10V
на замовлення 6695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+98.10 грн
10+61.41 грн
100+42.16 грн
500+32.12 грн
1000+29.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7317DN-T1-GE3 si7317dn.pdf
SI7317DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.49 грн
10+64.76 грн
100+50.36 грн
500+40.06 грн
1000+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3476DV-T1-GE3 si3476dv.pdf
SI3476DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 4.6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 40 V
на замовлення 26582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+60.13 грн
10+35.96 грн
50+26.36 грн
100+21.81 грн
500+16.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5411EDU-T1-GE3 si5411edu.pdf
SI5411EDU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 25A PPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3417DV-T1-GE3 si3417dv.pdf
SI3417DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 11229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.05 грн
11+29.26 грн
50+21.35 грн
100+17.61 грн
500+13.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DDP-T1-GE3 si7454ddp.pdf
SI7454DDP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 29.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
на замовлення 34412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+155.86 грн
10+95.77 грн
50+72.44 грн
100+60.90 грн
500+48.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DDP-T1-GE3 si7456ddp.pdf
SI7456DDP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 27.8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+178.01 грн
10+109.94 грн
50+83.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA453EDJ-T1-GE3 sia453edj.pdf
SIA453EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6
на замовлення 7362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR472ADP-T1-GE3 sir472adp.pdf
SIR472ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 14.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 6053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.74 грн
10+45.86 грн
100+29.92 грн
500+21.65 грн
1000+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS990DN-T1-GE3 sis990dn.pdf
SIS990DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+104.43 грн
10+63.23 грн
50+47.22 грн
100+39.43 грн
500+30.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA453EDJ-T1-GE3 sia453edj.pdf
SIA453EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6
на замовлення 7362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG1411EN-T1-GE4 DG141x.pdf
DG1411EN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 1.8OHM 16QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.8Ohm
-3db Bandwidth: 210MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -20pC
Crosstalk: -100dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 80mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 150ns, 120ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 24pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 550pA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG1412EN-T1-GE4 DG141x.pdf
DG1412EN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NOX4 1.8OHM 16QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.8Ohm
-3db Bandwidth: 210MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -20pC
Crosstalk: -100dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 80mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 150ns, 120ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 24pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 550pA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG1413EN-T1-GE4 DG141x.pdf
DG1413EN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NO/NCX4 1.5OHM 16QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 210MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -20pC
Crosstalk: -100dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 80mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 150ns, 120ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 24pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 550pA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG1411EQ-T1-GE3 DG141x.pdf
DG1411EQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NCX4 1.8OHM 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.8Ohm
-3db Bandwidth: 210MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -20pC
Crosstalk: -100dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 80mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 150ns, 120ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 24pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 550pA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG1412EQ-T1-GE3 DG141x.pdf
DG1412EQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NOX4 1.8OHM 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.8Ohm
-3db Bandwidth: 210MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -20pC
Crosstalk: -100dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 80mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 150ns, 120ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 24pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 550pA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG1413EQ-T1-GE3 DG141x.pdf
DG1413EQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NO/NC 1.8OHM 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.8Ohm
-3db Bandwidth: 210MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -20pC
Crosstalk: -100dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 80mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 150ns, 120ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 24pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 550pA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740BPBF irf740b.pdf
IRF740BPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BPBF irf830b.pdf
IRF830BPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF irf840b.pdf
IRF840BPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+151.90 грн
50+70.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB10N40D-GE3 sihb10n40d.pdf
SIHB10N40D-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB8N50D-GE3 sihb8n50d.pdf
SIHB8N50D-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A D2PAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP10N40D-GE3 sihp10n40d.pdf
SIHP10N40D-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 100 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N40D-GE3 sihp6n40d.pdf
SIHP6N40D-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHU3N50D-GE3 sihu3n50d.pdf
SIHU3N50D-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO251
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHU5N50D-GE3 sihu5n50d.pdf
SIHU5N50D-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460BPBF sihg460b.pdf
IRFP460BPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3094 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP8N50D-GE3 sihp8n50d.pdf
SIHP8N50D-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Mounting Type: Through Hole
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+131.33 грн
50+60.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4202DY-T1-GE3 si4202dy.pdf
SI4202DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.7W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4288DY-T1-GE3 si4288dy.pdf
SI4288DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4909DY-T1-GE3 si4909dy.pdf
SI4909DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB410DK-T1-GE3 sib410dk.pdf
SIB410DK-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR876ADP-T1-GE3 sir876adp.pdf
SIR876ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+51.06 грн
9000+44.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3 sq2310es.pdf
SQ2310ES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 6A TO236
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1_GE3 sq7415aen.pdf
SQ7415AEN-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 16A PPAK1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N04-1m7L_GE3 sqm120n0.pdf
SQM120N04-1m7L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14606 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+325.96 грн
10+207.15 грн
50+161.19 грн
100+137.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUD42N03-3M9P-GE3 SUD42N03-3m9P.pdf
SUD42N03-3M9P-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 42A TO252
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4202DY-T1-GE3 si4202dy.pdf
SI4202DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.7W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
на замовлення 4135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+143.20 грн
10+87.84 грн
100+59.26 грн
500+44.09 грн
1000+40.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4288DY-T1-GE3 si4288dy.pdf
SI4288DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SOIC
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
на замовлення 2603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+131.33 грн
10+80.38 грн
100+54.20 грн
500+40.33 грн
1000+37.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4909DY-T1-GE3 si4909dy.pdf
SI4909DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+116.30 грн
10+70.85 грн
100+47.26 грн
500+34.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB410DK-T1-GE3 sib410dk.pdf
SIB410DK-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR876ADP-T1-GE3 sir876adp.pdf
SIR876ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 50 V
на замовлення 18210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+178.01 грн
10+109.94 грн
50+83.53 грн
100+70.40 грн
500+56.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3 sq2310es.pdf
SQ2310ES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 6A TO236
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8425DB-T1-E1 si8425db.pdf
SI8425DB-T1-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8425DB-T1-E1 si8425db.pdf
SI8425DB-T1-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
на замовлення 2862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.96 грн
10+38.32 грн
100+26.11 грн
500+20.36 грн
1000+17.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8483DB-T2-E1 si8483db.pdf
SI8483DB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: P-Channel
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.36 грн
6000+12.44 грн
9000+12.02 грн
15000+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8483DB-T2-E1 si8483db.pdf
SI8483DB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOT
Package / Case: 6-UFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 16799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+51.43 грн
10+32.30 грн
100+23.13 грн
500+17.26 грн
1000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 114 133 152 171 190 198  [ Наступна Сторінка >> ]