Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11163) > Сторінка 95 з 187

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 108 126 144 162 180 187  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIA439EDJ-T1-GE3 SIA439EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia439edj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA462DJ-T1-GE3 SIA462DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia462dj.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
на замовлення 8047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.22 грн
13+24.11 грн
100+16.75 грн
500+12.28 грн
1000+9.98 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SIA467EDJ-T1-GE3 SIA467EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia467edj.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 31A PPAK SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA817EDJ-T1-GE3 SIA817EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia817edj.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
на замовлення 7824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.06 грн
16+20.08 грн
100+17.07 грн
500+14.23 грн
1000+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SIB441EDK-T1-GE3 SIB441EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix sib441edk.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 6 V
на замовлення 11928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.59 грн
12+25.86 грн
100+17.94 грн
500+13.14 грн
1000+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIR664DP-T1-GE3 SIR664DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir664dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 30 V
на замовлення 2593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.51 грн
10+69.66 грн
100+46.58 грн
500+34.44 грн
1000+31.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR872ADP-T1-GE3 SIR872ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir872adp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1286 pF @ 75 V
на замовлення 7082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.38 грн
10+106.17 грн
100+72.64 грн
500+54.72 грн
1000+54.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIS413DN-T1-GE3 SIS413DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis413dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V
на замовлення 24662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.55 грн
10+48.52 грн
100+31.90 грн
500+23.23 грн
1000+21.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 SIS443DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis443dn.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 20 V
на замовлення 27135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.90 грн
10+99.55 грн
100+67.44 грн
500+50.41 грн
1000+46.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SISS23DN-T1-GE3 SISS23DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss23dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8840 pF @ 15 V
на замовлення 21986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.88 грн
10+61.98 грн
100+41.23 грн
500+30.34 грн
1000+27.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS27DN-T1-GE3 SISS27DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss27dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V
на замовлення 3816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.93 грн
10+59.40 грн
100+39.45 грн
500+28.98 грн
1000+26.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIA439EDJ-T1-GE3 SIA439EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia439edj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2323dds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-GE3 SI2371EDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2371eds.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392DS-T1-GE3 SI2392DS-T1-GE3 Vishay Siliconix Si2392DS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5415EDU-T1-GE3 SI5415EDU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5415edu.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5442DU-T1-GE3 SI5442DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5442du.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.71 грн
6000+14.83 грн
9000+14.18 грн
15000+12.63 грн
21000+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7101DN-T1-GE3 SI7101DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7101dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7149adp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 15 V
на замовлення 15358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.14 грн
6000+19.75 грн
9000+18.95 грн
15000+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI8816EDB-T2-E1 SI8816EDB-T2-E1 Vishay Siliconix si8816edb.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI8821EDB-T2-E1 SI8821EDB-T2-E1 Vishay Siliconix si8821edb.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA439EDJ-T1-GE3 SIA439EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia439edj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA462DJ-T1-GE3 SIA462DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia462dj.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.87 грн
6000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA467EDJ-T1-GE3 SIA467EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia467edj.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 31A PPAK SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA817EDJ-T1-GE3 SIA817EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia817edj.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.72 грн
6000+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIB441EDK-T1-GE3 SIB441EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix sib441edk.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 6 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.57 грн
6000+9.66 грн
9000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR664DP-T1-GE3 SIR664DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir664dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR872ADP-T1-GE3 SIR872ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir872adp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1286 pF @ 75 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+49.69 грн
6000+47.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS413DN-T1-GE3 SIS413DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis413dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.28 грн
6000+18.06 грн
9000+17.31 грн
15000+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 SIS443DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis443dn.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 20 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.39 грн
6000+41.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISS23DN-T1-GE3 SISS23DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss23dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8840 pF @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.82 грн
6000+24.00 грн
9000+23.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISS27DN-T1-GE3 SISS27DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss27dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI8806DB-T2-E1 SI8806DB-T2-E1 Vishay Siliconix si8806db.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI8806DB-T2-E1 SI8806DB-T2-E1 Vishay Siliconix si8806db.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V
на замовлення 7196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.70 грн
10+32.17 грн
100+20.67 грн
500+14.75 грн
1000+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4554DY-T1-GE3 SI4554DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4554dy.pdf Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA36DP-T1-GE3 SIRA36DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira36dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2815 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS427EDN-T1-GE3 SIS427EDN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis427edn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.37 грн
6000+16.33 грн
9000+15.64 грн
15000+13.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR670DP-T1-GE3 SIR670DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir670dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2815 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862DN-T1-GE3 SIS862DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis862dn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.27 грн
6000+28.05 грн
9000+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3 SIA440DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia440dj.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.48 грн
6000+9.75 грн
9000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA442DJ-T1-GE3 SIA442DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SiA442DJ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A SC70-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA931DJ-T1-GE3 SIA931DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia931dj.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA914ADJ-T1-GE3 SIA914ADJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia914adj.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3 SI4062DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4062dy.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2369d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
на замовлення 3692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3474DV-T1-GE3 SI3474DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3474dv.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA527DJ-T1-GE3 SIA527DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia527dj.pdf Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ462DP-T1-GE3 SIJ462DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sij462dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ470DP-T1-GE3 SIJ470DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sij470dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS488DN-T1-GE3 SIS488DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis488dn.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.67 грн
6000+23.86 грн
9000+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ478DP-T1-GE3 SIJ478DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sij478dp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR644DP-T1-GE3 SIR644DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir644dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS439DNT-T1-GE3 SIS439DNT-T1-GE3 Vishay Siliconix sis439dnt.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5415AEDU-T1-GE3 SI5415AEDU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5415aedu.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA36DP-T1-GE3 SIRA36DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira36dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2815 pF @ 15 V
на замовлення 2924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.00 грн
10+94.61 грн
100+64.02 грн
500+47.75 грн
1000+43.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIS427EDN-T1-GE3 SIS427EDN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis427edn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 15 V
на замовлення 17474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.24 грн
10+44.41 грн
100+29.11 грн
500+21.13 грн
1000+19.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR670DP-T1-GE3 SIR670DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir670dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2815 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862DN-T1-GE3 SIS862DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis862dn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V
на замовлення 22750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.09 грн
10+70.88 грн
100+47.48 грн
500+35.14 грн
1000+32.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3 SIA440DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia440dj.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
на замовлення 15985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.12 грн
14+22.21 грн
100+17.19 грн
500+13.97 грн
1000+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIA442DJ-T1-GE3 SIA442DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SiA442DJ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A SC70-6L
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA439EDJ-T1-GE3 sia439edj.pdf
SIA439EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA462DJ-T1-GE3 sia462dj.pdf
SIA462DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
на замовлення 8047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.22 грн
13+24.11 грн
100+16.75 грн
500+12.28 грн
1000+9.98 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SIA467EDJ-T1-GE3 sia467edj.pdf
SIA467EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 31A PPAK SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA817EDJ-T1-GE3 sia817edj.pdf
SIA817EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
на замовлення 7824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.06 грн
16+20.08 грн
100+17.07 грн
500+14.23 грн
1000+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SIB441EDK-T1-GE3 sib441edk.pdf
SIB441EDK-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 6 V
на замовлення 11928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.59 грн
12+25.86 грн
100+17.94 грн
500+13.14 грн
1000+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIR664DP-T1-GE3 sir664dp.pdf
SIR664DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 30 V
на замовлення 2593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.51 грн
10+69.66 грн
100+46.58 грн
500+34.44 грн
1000+31.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR872ADP-T1-GE3 sir872adp.pdf
SIR872ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1286 pF @ 75 V
на замовлення 7082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.38 грн
10+106.17 грн
100+72.64 грн
500+54.72 грн
1000+54.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIS413DN-T1-GE3 sis413dn.pdf
SIS413DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V
на замовлення 24662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.55 грн
10+48.52 грн
100+31.90 грн
500+23.23 грн
1000+21.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 sis443dn.pdf
SIS443DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 20 V
на замовлення 27135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+161.90 грн
10+99.55 грн
100+67.44 грн
500+50.41 грн
1000+46.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SISS23DN-T1-GE3 siss23dn.pdf
SISS23DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8840 pF @ 15 V
на замовлення 21986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.88 грн
10+61.98 грн
100+41.23 грн
500+30.34 грн
1000+27.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS27DN-T1-GE3 siss27dn.pdf
SISS27DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V
на замовлення 3816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.93 грн
10+59.40 грн
100+39.45 грн
500+28.98 грн
1000+26.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIA439EDJ-T1-GE3 sia439edj.pdf
SIA439EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-GE3 si2323dds.pdf
SI2323DDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-GE3 si2371eds.pdf
SI2371EDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392DS-T1-GE3 Si2392DS.pdf
SI2392DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5415EDU-T1-GE3 si5415edu.pdf
SI5415EDU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5442DU-T1-GE3 si5442du.pdf
SI5442DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.71 грн
6000+14.83 грн
9000+14.18 грн
15000+12.63 грн
21000+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7101DN-T1-GE3 si7101dn.pdf
SI7101DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+35.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3 si7149adp.pdf
SI7149ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 15 V
на замовлення 15358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.14 грн
6000+19.75 грн
9000+18.95 грн
15000+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI8816EDB-T2-E1 si8816edb.pdf
SI8816EDB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI8821EDB-T2-E1 si8821edb.pdf
SI8821EDB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA439EDJ-T1-GE3 sia439edj.pdf
SIA439EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA462DJ-T1-GE3 sia462dj.pdf
SIA462DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.87 грн
6000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA467EDJ-T1-GE3 sia467edj.pdf
SIA467EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 31A PPAK SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA817EDJ-T1-GE3 sia817edj.pdf
SIA817EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.72 грн
6000+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIB441EDK-T1-GE3 sib441edk.pdf
SIB441EDK-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 6 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.57 грн
6000+9.66 грн
9000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR664DP-T1-GE3 sir664dp.pdf
SIR664DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR872ADP-T1-GE3 sir872adp.pdf
SIR872ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1286 pF @ 75 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+49.69 грн
6000+47.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS413DN-T1-GE3 sis413dn.pdf
SIS413DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.28 грн
6000+18.06 грн
9000+17.31 грн
15000+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 sis443dn.pdf
SIS443DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 20 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+45.39 грн
6000+41.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISS23DN-T1-GE3 siss23dn.pdf
SISS23DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8840 pF @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+26.82 грн
6000+24.00 грн
9000+23.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISS27DN-T1-GE3 siss27dn.pdf
SISS27DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI8806DB-T2-E1 si8806db.pdf
SI8806DB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI8806DB-T2-E1 si8806db.pdf
SI8806DB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V
на замовлення 7196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.70 грн
10+32.17 грн
100+20.67 грн
500+14.75 грн
1000+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4554DY-T1-GE3 si4554dy.pdf
SI4554DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA36DP-T1-GE3 sira36dp.pdf
SIRA36DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2815 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS427EDN-T1-GE3 sis427edn.pdf
SIS427EDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.37 грн
6000+16.33 грн
9000+15.64 грн
15000+13.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR670DP-T1-GE3 sir670dp.pdf
SIR670DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2815 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862DN-T1-GE3 sis862dn.pdf
SIS862DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+31.27 грн
6000+28.05 грн
9000+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3 sia440dj.pdf
SIA440DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.48 грн
6000+9.75 грн
9000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA442DJ-T1-GE3 SiA442DJ.pdf
SIA442DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 12A SC70-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA931DJ-T1-GE3 sia931dj.pdf
SIA931DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA914ADJ-T1-GE3 sia914adj.pdf
SIA914ADJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3 si4062dy.pdf
SI4062DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+43.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 si2369d.pdf
SI2369DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
на замовлення 3692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3474DV-T1-GE3 si3474dv.pdf
SI3474DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA527DJ-T1-GE3 sia527dj.pdf
SIA527DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ462DP-T1-GE3 sij462dp.pdf
SIJ462DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ470DP-T1-GE3 sij470dp.pdf
SIJ470DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS488DN-T1-GE3 sis488dn.pdf
SIS488DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+26.67 грн
6000+23.86 грн
9000+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ478DP-T1-GE3 sij478dp.pdf
SIJ478DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR644DP-T1-GE3 sir644dp.pdf
SIR644DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS439DNT-T1-GE3 sis439dnt.pdf
SIS439DNT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5415AEDU-T1-GE3 si5415aedu.pdf
SI5415AEDU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA36DP-T1-GE3 sira36dp.pdf
SIRA36DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2815 pF @ 15 V
на замовлення 2924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.00 грн
10+94.61 грн
100+64.02 грн
500+47.75 грн
1000+43.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIS427EDN-T1-GE3 sis427edn.pdf
SIS427EDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 15 V
на замовлення 17474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.24 грн
10+44.41 грн
100+29.11 грн
500+21.13 грн
1000+19.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR670DP-T1-GE3 sir670dp.pdf
SIR670DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2815 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862DN-T1-GE3 sis862dn.pdf
SIS862DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V
на замовлення 22750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.09 грн
10+70.88 грн
100+47.48 грн
500+35.14 грн
1000+32.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3 sia440dj.pdf
SIA440DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
на замовлення 15985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.12 грн
14+22.21 грн
100+17.19 грн
500+13.97 грн
1000+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIA442DJ-T1-GE3 SiA442DJ.pdf
SIA442DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 12A SC70-6L
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 108 126 144 162 180 187  [ Наступна Сторінка >> ]