Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11085) > Сторінка 57 з 185

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 72 90 108 126 144 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4910DY-T1-GE3 SI4910DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4910dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4913DY-T1-GE3 SI4913DY-T1-GE3 Vishay Siliconix 71997.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4914BDY-T1-GE3 SI4914BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4914bd.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A/8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W, 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A, 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4931DY-T1-GE3 SI4931DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4931dy.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 13589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.08 грн
10+100.75 грн
100+74.07 грн
500+65.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-GE3 SI4946BEY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4946be.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 13175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.67 грн
10+103.45 грн
100+70.51 грн
500+52.96 грн
1000+48.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4947ADY-T1-GE3 SI4947ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2P-CH 30V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4948be.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.51 грн
10+80.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4992EY-T1-GE3 SI4992EY-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2N-CH 75V 3.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5402BDC-T1-GE3 SI5402BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5402bdc.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5419DU-T1-GE3 SI5419DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5419du.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
на замовлення 12650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.59 грн
14+23.98 грн
100+20.17 грн
500+16.32 грн
1000+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI5424DC-T1-GE3 SI5424DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5424dc.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 4181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.29 грн
10+52.40 грн
100+36.27 грн
500+28.44 грн
1000+24.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI5433BDC-T1-GE3 SI5433BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix 73208.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5440DC-T1-GE3 SI5440DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5440dc.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5456DU-T1-GE3 SI5456DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5456du.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5458DU-T1-GE3 SI5458DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5458du.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5468DC-T1-GE3 SI5468DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5468dc.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 9816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.52 грн
14+23.66 грн
100+13.49 грн
500+11.84 грн
1000+10.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI5471DC-T1-GE3 SI5471DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5471dc.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2945 pF @ 10 V
на замовлення 12045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.92 грн
10+34.27 грн
100+27.18 грн
500+22.08 грн
1000+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI5476DU-T1-GE3 SI5476DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5476du.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A CHIPFET
на замовлення 12664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+106.03 грн
10+91.49 грн
100+71.39 грн
500+55.34 грн
1000+43.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI5486DU-T1-GE3 SI5486DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5486du.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 12A CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5499DC-T1-GE3 SI5499DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5499dc.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8 CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5504BDC-T1-GE3 SI5504BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5504bdc.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.12W, 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 33298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.00 грн
10+72.97 грн
100+48.60 грн
500+35.80 грн
1000+32.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI5511DC-T1-GE3 SI5511DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5511dc.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.6A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 2.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5513CDC-T1-GE3 SI5513CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5513cd.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.29 грн
10+38.31 грн
100+24.82 грн
500+17.86 грн
1000+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI5515CDC-T1-GE3 SI5515CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5515cd.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.05 грн
10+55.56 грн
100+36.58 грн
500+26.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI5517DU-T1-GE3 SI5517DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5517du.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 8.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Dual
на замовлення 1423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.79 грн
10+82.15 грн
100+55.05 грн
500+40.76 грн
1000+37.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI5902BDC-T1-GE3 SI5902BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5902bd.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.12W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
на замовлення 3482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.30 грн
10+89.67 грн
100+60.34 грн
500+44.83 грн
1000+41.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI5904DC-T1-GE3 SI5904DC-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5908DC-T1-GE3 SI5908DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5908dc.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 11042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.81 грн
10+67.20 грн
100+52.86 грн
500+45.22 грн
1000+42.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI5913DC-T1-GE3 SI5913DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5913dc.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 3.7A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5920DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5920dc.pdf Description: MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5933CDC-T1-GE3 SI5933CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5933cd.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
на замовлення 3753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5935CDC-T1-GE3 SI5935CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix Si5935CDC.PDF Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 8275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.36 грн
10+31.90 грн
100+20.30 грн
500+16.27 грн
1000+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI5947DU-T1-GE3 SI5947DU-T1-GE3 Vishay Siliconix 73695.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5980DU-T1-GE3 SI5980DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5980du.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6443DQ-T1-GE3 SI6443DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 72083.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6467BDQ-T1-GE3 SI6467BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 72087.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6544BDQ-T1-GE3 SI6544BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 72244.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6562CDQ-T1-GE3 SI6562CDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix si6562cd.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W, 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A, 6.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 23153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+109.31 грн
10+54.22 грн
100+35.28 грн
500+29.87 грн
1000+28.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI6913DQ-T1-GE3 SI6913DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix si6913dq.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 400µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 15688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.94 грн
10+90.86 грн
100+61.23 грн
500+45.52 грн
1000+41.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI6924AEDQ-T1-GE3 SI6924AEDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 28V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6968BEDQ-T1-GE3 SI6968BEDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix si6968be.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 19691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.29 грн
10+65.06 грн
100+39.64 грн
500+28.19 грн
1000+26.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI6981DQ-T1-GE3 SI6981DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix si6981dq.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6993DQ-T1-GE3 SI6993DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 72369.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7119DN-T1-GE3 SI7119DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7119dn.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 50 V
на замовлення 29581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.45 грн
10+64.19 грн
100+47.02 грн
500+34.63 грн
1000+31.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Si7120ADN-T1-GE3 Si7120ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix Si7120ADN.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
на замовлення 5981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+159.45 грн
10+100.44 грн
100+72.62 грн
500+54.35 грн
1000+49.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7139DP-T1-GE3 SI7139DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7139dp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 15 V
на замовлення 3997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.11 грн
10+80.57 грн
100+56.87 грн
500+43.45 грн
1000+40.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7141DP-T1-GE3 SI7141DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7141dp.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14300 pF @ 10 V
на замовлення 4219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+162.74 грн
10+129.96 грн
100+103.37 грн
500+78.52 грн
1000+72.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7143DP-T1-GE3 SI7143DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7143dp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
на замовлення 2952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.05 грн
10+93.39 грн
100+62.97 грн
500+46.86 грн
1000+42.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7190DP-T1-GE3 SI7190DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7190dp.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2214 pF @ 125 V
на замовлення 6123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.77 грн
10+118.88 грн
100+94.65 грн
500+75.16 грн
1000+63.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212DN-T1-GE3 SI7212DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7212dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 24564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+161.09 грн
10+99.09 грн
100+67.14 грн
500+50.15 грн
1000+46.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7222DN-T1-GE3 SI7222DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 73439.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7232DN-T1-GE3 SI7232DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7232dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 23W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 11880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.75 грн
10+55.17 грн
100+38.20 грн
500+29.95 грн
1000+25.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7236DP-T1-GE3 SI7236DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7236dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8
на замовлення 3014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7272DP-T1-GE3 SI7272DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7272dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 22W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 17287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.66 грн
10+50.34 грн
100+45.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7288dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 92942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.46 грн
10+89.36 грн
100+65.29 грн
500+48.73 грн
1000+44.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7309DN-T1-GE3 SI7309DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7309dn.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
на замовлення 10150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.23 грн
10+59.20 грн
100+41.25 грн
500+31.16 грн
1000+28.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7403BDN-T1-GE3 SI7403BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix 73333.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 8A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7431DP-T1-GE3 SI7431DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7431dp.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 174mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+394.52 грн
10+252.24 грн
100+179.73 грн
500+139.66 грн
1000+130.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI7439DP-T1-GE3 SI7439DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7439dp.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
на замовлення 6335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.12 грн
10+247.41 грн
100+176.07 грн
500+136.69 грн
1000+127.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454CDP-T1-GE3 SI7454CDP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7454cd.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 22A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4910DY-T1-GE3 si4910dy.pdf
SI4910DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4913DY-T1-GE3 71997.pdf
SI4913DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4914BDY-T1-GE3 si4914bd.pdf
SI4914BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A/8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W, 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A, 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4931DY-T1-GE3 si4931dy.pdf
SI4931DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 13589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.08 грн
10+100.75 грн
100+74.07 грн
500+65.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-GE3 si4946be.pdf
SI4946BEY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 13175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.67 грн
10+103.45 грн
100+70.51 грн
500+52.96 грн
1000+48.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4947ADY-T1-GE3
SI4947ADY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 si4948be.pdf
SI4948BEY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.51 грн
10+80.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4992EY-T1-GE3
SI4992EY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 75V 3.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5402BDC-T1-GE3 si5402bdc.pdf
SI5402BDC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5419DU-T1-GE3 si5419du.pdf
SI5419DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
на замовлення 12650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.59 грн
14+23.98 грн
100+20.17 грн
500+16.32 грн
1000+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI5424DC-T1-GE3 si5424dc.pdf
SI5424DC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 4181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.29 грн
10+52.40 грн
100+36.27 грн
500+28.44 грн
1000+24.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI5433BDC-T1-GE3 73208.pdf
SI5433BDC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5440DC-T1-GE3 si5440dc.pdf
SI5440DC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5456DU-T1-GE3 si5456du.pdf
SI5456DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5458DU-T1-GE3 si5458du.pdf
SI5458DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5468DC-T1-GE3 si5468dc.pdf
SI5468DC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 9816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.52 грн
14+23.66 грн
100+13.49 грн
500+11.84 грн
1000+10.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI5471DC-T1-GE3 si5471dc.pdf
SI5471DC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2945 pF @ 10 V
на замовлення 12045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.92 грн
10+34.27 грн
100+27.18 грн
500+22.08 грн
1000+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI5476DU-T1-GE3 si5476du.pdf
SI5476DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 12A CHIPFET
на замовлення 12664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.03 грн
10+91.49 грн
100+71.39 грн
500+55.34 грн
1000+43.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI5486DU-T1-GE3 si5486du.pdf
SI5486DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 12A CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5499DC-T1-GE3 si5499dc.pdf
SI5499DC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8 CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5504BDC-T1-GE3 si5504bdc.pdf
SI5504BDC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.12W, 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 33298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.00 грн
10+72.97 грн
100+48.60 грн
500+35.80 грн
1000+32.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI5511DC-T1-GE3 si5511dc.pdf
SI5511DC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.6A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 2.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5513CDC-T1-GE3 si5513cd.pdf
SI5513CDC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.29 грн
10+38.31 грн
100+24.82 грн
500+17.86 грн
1000+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI5515CDC-T1-GE3 si5515cd.pdf
SI5515CDC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.05 грн
10+55.56 грн
100+36.58 грн
500+26.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI5517DU-T1-GE3 si5517du.pdf
SI5517DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 8.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Dual
на замовлення 1423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.79 грн
10+82.15 грн
100+55.05 грн
500+40.76 грн
1000+37.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI5902BDC-T1-GE3 si5902bd.pdf
SI5902BDC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.12W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
на замовлення 3482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.30 грн
10+89.67 грн
100+60.34 грн
500+44.83 грн
1000+41.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI5904DC-T1-GE3
SI5904DC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5908DC-T1-GE3 si5908dc.pdf
SI5908DC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 11042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.81 грн
10+67.20 грн
100+52.86 грн
500+45.22 грн
1000+42.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI5913DC-T1-GE3 si5913dc.pdf
SI5913DC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 3.7A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5920DC-T1-GE3 si5920dc.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5933CDC-T1-GE3 si5933cd.pdf
SI5933CDC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
на замовлення 3753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5935CDC-T1-GE3 Si5935CDC.PDF
SI5935CDC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 8275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.36 грн
10+31.90 грн
100+20.30 грн
500+16.27 грн
1000+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI5947DU-T1-GE3 73695.pdf
SI5947DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5980DU-T1-GE3 si5980du.pdf
SI5980DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6443DQ-T1-GE3 72083.pdf
SI6443DQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6467BDQ-T1-GE3 72087.pdf
SI6467BDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6544BDQ-T1-GE3 72244.pdf
SI6544BDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6562CDQ-T1-GE3 si6562cd.pdf
SI6562CDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W, 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A, 6.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 23153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.31 грн
10+54.22 грн
100+35.28 грн
500+29.87 грн
1000+28.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI6913DQ-T1-GE3 si6913dq.pdf
SI6913DQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 400µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 15688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.94 грн
10+90.86 грн
100+61.23 грн
500+45.52 грн
1000+41.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI6924AEDQ-T1-GE3
SI6924AEDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 28V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6968BEDQ-T1-GE3 si6968be.pdf
SI6968BEDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 19691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.29 грн
10+65.06 грн
100+39.64 грн
500+28.19 грн
1000+26.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI6981DQ-T1-GE3 si6981dq.pdf
SI6981DQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6993DQ-T1-GE3 72369.pdf
SI6993DQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7119DN-T1-GE3 si7119dn.pdf
SI7119DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 50 V
на замовлення 29581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.45 грн
10+64.19 грн
100+47.02 грн
500+34.63 грн
1000+31.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Si7120ADN-T1-GE3 Si7120ADN.PDF
Si7120ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
на замовлення 5981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.45 грн
10+100.44 грн
100+72.62 грн
500+54.35 грн
1000+49.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7139DP-T1-GE3 si7139dp.pdf
SI7139DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 15 V
на замовлення 3997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.11 грн
10+80.57 грн
100+56.87 грн
500+43.45 грн
1000+40.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7141DP-T1-GE3 si7141dp.pdf
SI7141DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14300 pF @ 10 V
на замовлення 4219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+162.74 грн
10+129.96 грн
100+103.37 грн
500+78.52 грн
1000+72.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7143DP-T1-GE3 si7143dp.pdf
SI7143DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
на замовлення 2952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.05 грн
10+93.39 грн
100+62.97 грн
500+46.86 грн
1000+42.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7190DP-T1-GE3 si7190dp.pdf
SI7190DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2214 pF @ 125 V
на замовлення 6123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.77 грн
10+118.88 грн
100+94.65 грн
500+75.16 грн
1000+63.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212DN-T1-GE3 si7212dn.pdf
SI7212DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 24564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+161.09 грн
10+99.09 грн
100+67.14 грн
500+50.15 грн
1000+46.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7222DN-T1-GE3 73439.pdf
SI7222DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7232DN-T1-GE3 si7232dn.pdf
SI7232DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 23W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 11880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.75 грн
10+55.17 грн
100+38.20 грн
500+29.95 грн
1000+25.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7236DP-T1-GE3 si7236dp.pdf
SI7236DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8
на замовлення 3014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7272DP-T1-GE3 si7272dp.pdf
SI7272DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 22W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 17287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.66 грн
10+50.34 грн
100+45.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 si7288dp.pdf
SI7288DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 92942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.46 грн
10+89.36 грн
100+65.29 грн
500+48.73 грн
1000+44.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7309DN-T1-GE3 si7309dn.pdf
SI7309DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
на замовлення 10150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.23 грн
10+59.20 грн
100+41.25 грн
500+31.16 грн
1000+28.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7403BDN-T1-GE3 73333.pdf
SI7403BDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7431DP-T1-GE3 si7431dp.pdf
SI7431DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 174mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+394.52 грн
10+252.24 грн
100+179.73 грн
500+139.66 грн
1000+130.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI7439DP-T1-GE3 si7439dp.pdf
SI7439DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
на замовлення 6335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+387.12 грн
10+247.41 грн
100+176.07 грн
500+136.69 грн
1000+127.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454CDP-T1-GE3 si7454cd.pdf
SI7454CDP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 22A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 72 90 108 126 144 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]