Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (10944) > Сторінка 71 з 183

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 90 108 126 144 162 180 183  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SI3493DV-T1-E3 SI3493DV-T1-E3 Vishay Siliconix si3493dv.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP
товар відсутній
SI3493DV-T1-GE3 SI3493DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3493dv.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP
товар відсутній
SI3495DV-T1-GE3 SI3495DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3495dv.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP
товар відсутній
SI3499DV-T1-GE3 SI3499DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3499dv.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3529DV-T1-E3 SI3529DV-T1-E3 Vishay Siliconix si3529dv.pdf Description: MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.95A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
товар відсутній
SI3529DV-T1-GE3 SI3529DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3529dv.pdf Description: MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.95A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
товар відсутній
Si3590DV-T1-GE3 Si3590DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3590dv.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.91 грн
6000+ 20.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3805DV-T1-E3 SI3805DV-T1-E3 Vishay Siliconix si3805dv.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP
товар відсутній
SI3812DV-T1-GE3 SI3812DV-T1-GE3 Vishay Siliconix 71069.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP
товар відсутній
SI3831DV-T1-E3 SI3831DV-T1-E3 Vishay Siliconix 70785.pdf Description: IC PWR SW BI-DIR PCHAN 6TSOP
товар відсутній
SI3831DV-T1-GE3 SI3831DV-T1-GE3 Vishay Siliconix 70785.pdf Description: IC PWR SW BI-DIR PCHAN 6TSOP
товар відсутній
SI3853DV-T1-GE3 SI3853DV-T1-GE3 Vishay Siliconix 70979.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP
товар відсутній
SI3861BDV-T1-GE3 SI3861BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3861bd.pdf Description: IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP
товар відсутній
SI3865BDV-T1-GE3 SI3865BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix 72848.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 6TSOP
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 45mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Current - Output (Max): 2.9A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-TSOP
товар відсутній
SI3865CDV-T1-E3 SI3865CDV-T1-E3 Vishay Siliconix si3865cd.pdf Description: IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP
товар відсутній
SI3865CDV-T1-GE3 SI3865CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3865cd.pdf Description: IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP
товар відсутній
SI3867DV-T1-GE3 SI3867DV-T1-GE3 Vishay Siliconix 72608.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP
товар відсутній
SI3879DV-T1-E3 SI3879DV-T1-E3 Vishay Siliconix si3879dv.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP
товар відсутній
SI3879DV-T1-GE3 SI3879DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3879dv.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP
товар відсутній
SI3905DV-T1-E3 SI3905DV-T1-E3 Vishay Siliconix si3905dv.pdf Description: MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP
товар відсутній
SI3905DV-T1-GE3 SI3905DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3905dv.pdf Description: MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP
товар відсутній
SI3909DV-T1-E3 SI3909DV-T1-E3 Vishay Siliconix 70968.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP
товар відсутній
SI3909DV-T1-GE3 SI3909DV-T1-GE3 Vishay Siliconix 70968.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP
товар відсутній
SI3911DV-T1-GE3 SI3911DV-T1-GE3 Vishay Siliconix 71380.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP
товар відсутній
SI3948DV-T1-GE3 SI3948DV-T1-GE3 Vishay Siliconix 70969.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6-TSOP
товар відсутній
SI3951DV-T1-GE3 SI3951DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3951dv.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6-TSOP
товар відсутній
SI3981DV-T1-GE3 SI3981DV-T1-GE3 Vishay Siliconix 72502.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6-TSOP
товар відсутній
SI3983DV-T1-GE3 SI3983DV-T1-GE3 Vishay Siliconix 72316.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 6-TSOP
товар відсутній
SI3993DV-T1-GE3 SI3993DV-T1-GE3 Vishay Siliconix 72320.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP
товар відсутній
SI4100DY-T1-E3 SI4100DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4100dy.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.76 грн
5000+ 31.88 грн
12500+ 30.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4100DY-T1-GE3 SI4100DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4100dy.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.76 грн
5000+ 31.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4102DY-T1-E3 SI4102DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4102dy.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC
товар відсутній
SI4104DY-T1-E3 SI4104DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4104dy.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC
товар відсутній
SI4114DY-T1-E3 SI4114DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4114dy.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
товар відсутній
SI4124DY-T1-E3 SI4124DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4124dy.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO
товар відсутній
SI4128DY-T1-E3 SI4128DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4128dy-old.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.14 грн
5000+ 13.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4128DY-T1-GE3 SI4128DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4128dy-old.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4134DY-T1-E3 SI4134DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4134dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.1 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4134DY-T1-GE3 SI4134DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4134dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.1 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4136DY-T1-GE3 SI4136DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4136dy.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 46A 8SO
товар відсутній
SI4158DY-T1-GE3 SI4158DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4158dy.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 36.5A 8SO
товар відсутній
SI4160DY-T1-GE3 SI4160DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4160dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V
товар відсутній
SI4162DY-T1-GE3 SI4162DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4162dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.92 грн
5000+ 20.91 грн
12500+ 19.36 грн
25000+ 17.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4166DY-T1-GE3 SI4166DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4166dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V
товар відсутній
SI4168DY-T1-GE3 SI4168DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4168dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4172DY-T1-GE3 SI4172DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4172dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
товар відсутній
SI4174DY-T1-GE3 SI4174DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4174dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.96 грн
5000+ 20.04 грн
12500+ 18.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4176DY-T1-GE3 SI4176DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4176dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
товар відсутній
SI4186DY-T1-GE3 SI4186DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4186dy.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.02 грн
5000+ 29.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4196DY-T1-E3 SI4196DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4196dy.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC
товар відсутній
SI4210DY-T1-GE3 SI4210DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4210dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Si4214DDY-T1-GE3 Si4214DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4214ddy-t1-e3.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.71 грн
5000+ 15.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Si4226DY-T1-E3 Si4226DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4226dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
товар відсутній
SI4230DY-T1-GE3 SI4230DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4230dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
товар відсутній
SI4310BDY-T1-E3 SI4310BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4310bd.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 14SOIC
товар відсутній
SI4320DY-T1-E3 SI4320DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4320dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 15 V
товар відсутній
SI4320DY-T1-GE3 SI4320DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4320dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 15 V
товар відсутній
SI4322DY-T1-GE3 SI4322DY-T1-GE3 Vishay Siliconix 73860.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 15 V
товар відсутній
SI4324DY-T1-E3 SI4324DY-T1-E3 Vishay Siliconix 73340.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 36A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3510 pF @ 15 V
товар відсутній
SI4324DY-T1-GE3 SI4324DY-T1-GE3 Vishay Siliconix 73340.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 36A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3510 pF @ 15 V
товар відсутній
SI3493DV-T1-E3 si3493dv.pdf
SI3493DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP
товар відсутній
SI3493DV-T1-GE3 si3493dv.pdf
SI3493DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP
товар відсутній
SI3495DV-T1-GE3 si3495dv.pdf
SI3495DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP
товар відсутній
SI3499DV-T1-GE3 si3499dv.pdf
SI3499DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3529DV-T1-E3 si3529dv.pdf
SI3529DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.95A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
товар відсутній
SI3529DV-T1-GE3 si3529dv.pdf
SI3529DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.95A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
товар відсутній
Si3590DV-T1-GE3 si3590dv.pdf
Si3590DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+22.91 грн
6000+ 20.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3805DV-T1-E3 si3805dv.pdf
SI3805DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP
товар відсутній
SI3812DV-T1-GE3 71069.pdf
SI3812DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP
товар відсутній
SI3831DV-T1-E3 70785.pdf
SI3831DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SW BI-DIR PCHAN 6TSOP
товар відсутній
SI3831DV-T1-GE3 70785.pdf
SI3831DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SW BI-DIR PCHAN 6TSOP
товар відсутній
SI3853DV-T1-GE3 70979.pdf
SI3853DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP
товар відсутній
SI3861BDV-T1-GE3 si3861bd.pdf
SI3861BDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP
товар відсутній
SI3865BDV-T1-GE3 72848.pdf
SI3865BDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 6TSOP
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 45mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Current - Output (Max): 2.9A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-TSOP
товар відсутній
SI3865CDV-T1-E3 si3865cd.pdf
SI3865CDV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP
товар відсутній
SI3865CDV-T1-GE3 si3865cd.pdf
SI3865CDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP
товар відсутній
SI3867DV-T1-GE3 72608.pdf
SI3867DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP
товар відсутній
SI3879DV-T1-E3 si3879dv.pdf
SI3879DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP
товар відсутній
SI3879DV-T1-GE3 si3879dv.pdf
SI3879DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP
товар відсутній
SI3905DV-T1-E3 si3905dv.pdf
SI3905DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP
товар відсутній
SI3905DV-T1-GE3 si3905dv.pdf
SI3905DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP
товар відсутній
SI3909DV-T1-E3 70968.pdf
SI3909DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP
товар відсутній
SI3909DV-T1-GE3 70968.pdf
SI3909DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP
товар відсутній
SI3911DV-T1-GE3 71380.pdf
SI3911DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP
товар відсутній
SI3948DV-T1-GE3 70969.pdf
SI3948DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6-TSOP
товар відсутній
SI3951DV-T1-GE3 si3951dv.pdf
SI3951DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6-TSOP
товар відсутній
SI3981DV-T1-GE3 72502.pdf
SI3981DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6-TSOP
товар відсутній
SI3983DV-T1-GE3 72316.pdf
SI3983DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 6-TSOP
товар відсутній
SI3993DV-T1-GE3 72320.pdf
SI3993DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP
товар відсутній
SI4100DY-T1-E3 si4100dy.pdf
SI4100DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+34.76 грн
5000+ 31.88 грн
12500+ 30.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4100DY-T1-GE3 si4100dy.pdf
SI4100DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+34.76 грн
5000+ 31.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4102DY-T1-E3 si4102dy.pdf
SI4102DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC
товар відсутній
SI4104DY-T1-E3 si4104dy.pdf
SI4104DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC
товар відсутній
SI4114DY-T1-E3 si4114dy.pdf
SI4114DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
товар відсутній
SI4124DY-T1-E3 si4124dy.pdf
SI4124DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO
товар відсутній
SI4128DY-T1-E3 si4128dy-old.pdf
SI4128DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+15.14 грн
5000+ 13.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4128DY-T1-GE3 si4128dy-old.pdf
SI4128DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4134DY-T1-E3 si4134dy.pdf
SI4134DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+19.1 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4134DY-T1-GE3 si4134dy.pdf
SI4134DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+19.1 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4136DY-T1-GE3 si4136dy.pdf
SI4136DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 46A 8SO
товар відсутній
SI4158DY-T1-GE3 si4158dy.pdf
SI4158DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 36.5A 8SO
товар відсутній
SI4160DY-T1-GE3 si4160dy.pdf
SI4160DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V
товар відсутній
SI4162DY-T1-GE3 si4162dy.pdf
SI4162DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+22.92 грн
5000+ 20.91 грн
12500+ 19.36 грн
25000+ 17.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4166DY-T1-GE3 si4166dy.pdf
SI4166DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V
товар відсутній
SI4168DY-T1-GE3 si4168dy.pdf
SI4168DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+35.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4172DY-T1-GE3 si4172dy.pdf
SI4172DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
товар відсутній
SI4174DY-T1-GE3 si4174dy.pdf
SI4174DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+21.96 грн
5000+ 20.04 грн
12500+ 18.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4176DY-T1-GE3 si4176dy.pdf
SI4176DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
товар відсутній
SI4186DY-T1-GE3 si4186dy.pdf
SI4186DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+32.02 грн
5000+ 29.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4196DY-T1-E3 si4196dy.pdf
SI4196DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC
товар відсутній
SI4210DY-T1-GE3 si4210dy.pdf
SI4210DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Si4214DDY-T1-GE3 si4214ddy-t1-e3.pdf
Si4214DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+16.71 грн
5000+ 15.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Si4226DY-T1-E3 si4226dy.pdf
Si4226DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
товар відсутній
SI4230DY-T1-GE3 si4230dy.pdf
SI4230DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
товар відсутній
SI4310BDY-T1-E3 si4310bd.pdf
SI4310BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 14SOIC
товар відсутній
SI4320DY-T1-E3 si4320dy.pdf
SI4320DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 15 V
товар відсутній
SI4320DY-T1-GE3 si4320dy.pdf
SI4320DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 15 V
товар відсутній
SI4322DY-T1-GE3 73860.pdf
SI4322DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 15 V
товар відсутній
SI4324DY-T1-E3 73340.pdf
SI4324DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 36A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3510 pF @ 15 V
товар відсутній
SI4324DY-T1-GE3 73340.pdf
SI4324DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 36A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3510 pF @ 15 V
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 90 108 126 144 162 180 183  [ Наступна Сторінка >> ]