Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > Всі товари виробника WEEN SEMICONDUCTORS (5953) > Сторінка 87 з 100

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 100  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
WNSC2D10650TJ WNSC2D10650TJ WEEN SEMICONDUCTORS WNSC2D10650T.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650TJ WNSC2D10650TJ WEEN SEMICONDUCTORS WNSC2D10650T.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650DJ WNSC2D10650DJ WEEN SEMICONDUCTORS WNSC2D10650D.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650DJ WNSC2D10650DJ WEEN SEMICONDUCTORS WNSC2D10650D.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC10650WQ WNSC10650WQ WEEN SEMICONDUCTORS WNSC10650W_0.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC10650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650T6J WNSC12650T6J WEEN SEMICONDUCTORS 3204980.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC12650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 16 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650T6J WNSC12650T6J WEEN SEMICONDUCTORS 3204980.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC12650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 16 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BYV32EB-200,118 BYV32EB-200,118 WEEN SEMICONDUCTORS WEEN-S-A0009379936-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV32EB-200,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.15 V, 25 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-404
Durchlassstoßstrom: 137A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 25ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BYV32
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D16650CWQ WNSC2D16650CWQ WEEN SEMICONDUCTORS 3266684.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D16650CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 16 A, 13 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D04650Q WNSC6D04650Q WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D04650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 16 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BT151S-650L,118 BT151S-650L,118 WEEN SEMICONDUCTORS WEEN-S-A0001703672-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT151S-650L,118 - Thyristor, 650 V, 5 mA, 7.5 A, 12 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 20mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 120A
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Durchlassstrom, durchschnittlich: 7.5A
RMS-Durchlassstrom: 12A
SVHC: To Be Advised
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BT151S
Zündstrom, max.: 5mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Bauform - Thyristor: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 4644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-600CT,118 BTA312B-600CT,118 WEEN SEMICONDUCTORS 2893353.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA312B-600CT,118 - Triac, 600 V, 12 A, TO-263 (D2PAK), 1 V, 100 A, 35 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: TO-263 (D2PAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 35mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 100A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
isCanonical: N
RMS-Durchlassstrom: 12A
SVHC: To Be Advised
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-600B,118 BTA312B-600B,118 WEEN SEMICONDUCTORS 2893352.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA312B-600B,118 - Triac, 600 V, 12 A, TO-263 (D2PAK), 1 V, 100 A, 60 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: TO-263 (D2PAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 60mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 100A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
isCanonical: N
RMS-Durchlassstrom: 12A
SVHC: To Be Advised
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204S-800E,118 BTA204S-800E,118 WEEN SEMICONDUCTORS 2724526.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA204S-800E,118 - Triac, 800 V, 4 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 25 A, 12 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 12mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
RMS-Durchlassstrom: 4A
SVHC: To Be Advised
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BT136S-600D,118 BT136S-600D,118 WEEN SEMICONDUCTORS 2623891.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136S-600D,118 - Triac, 600 V, 4 A, SOT-428, 1.5 V, 25 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: SOT-428
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
isCanonical: Y
MSL: -
RMS-Durchlassstrom: 4A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNC3060D45160WQ WNC3060D45160WQ WEEN SEMICONDUCTORS 3204975.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNC3060D45160WQ - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 30 A, Einfach
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: -
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: -
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650BJ WNSC2D10650BJ WEEN SEMICONDUCTORS 3672592.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650BJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA440Z-1200ATQ BTA440Z-1200ATQ WEEN SEMICONDUCTORS 4553164.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA440Z-1200ATQ - Triac, 1.2 kV, 40 A, IITO-3P, 1.2 V, 440 A, 80 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: IITO-3P
rohsCompliant: TBA
Haltestrom, max.: 80mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 440A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.4V
isCanonical: Y
RMS-Durchlassstrom: 40A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Zündspannung, max.: 1.2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: AT Series
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BTA410Y-800CT,127 BTA410Y-800CT,127 WEEN SEMICONDUCTORS 4553165.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA410Y-800CT,127 - Triac, 800 V, 10 A, TO-220, 1 V, 110 A, 35 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: TO-220
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 35mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 110A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
isCanonical: Y
RMS-Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CT Series
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D20650W6Q WNSC5D20650W6Q WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC5D20650W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 28 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D206506Q WNSC5D206506Q WEEN SEMICONDUCTORS 3928021.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC5D206506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 28 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC006H12B2P6T WMSC006H12B2P6T WEEN SEMICONDUCTORS 4553146.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WMSC006H12B2P6T - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, WeEnPACK-B2
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: WeEnPACK-B2
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BT136S-600D,118 BT136S-600D,118 WEEN SEMICONDUCTORS 2623891.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136S-600D,118 - Triac, 600 V, 4 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 27 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 27A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
RMS-Durchlassstrom: 4A
SVHC: To Be Advised
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BT136S
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BT136S-600D,118 BT136S-600D,118 WEEN SEMICONDUCTORS 2623891.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136S-600D,118 - Triac, 600 V, 4 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 27 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 27A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
RMS-Durchlassstrom: 4A
SVHC: To Be Advised
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BT136S
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D501200W6Q WNSC2D501200W6Q WEEN SEMICONDUCTORS 3928023.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D501200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 125 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 125nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200W-B6Q WNSC2D201200W-B6Q WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200W-B6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 36 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650WQ WNSC2D10650WQ WEEN SEMICONDUCTORS WNSC2D10650WQ.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WG30R135W1Q WG30R135W1Q WEEN SEMICONDUCTORS 4553155.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG30R135W1Q - IGBT, 60 A, 1.7 V, 428 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WG25R135W1Q WG25R135W1Q WEEN SEMICONDUCTORS 4553158.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG25R135W1Q - IGBT, 50 A, 1.85 V, 300 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WG30N65HAW1Q WG30N65HAW1Q WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG30N65HAW1Q - IGBT, 60 A, 1.55 V, 312 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Verlustleistung: 312W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WG40N120MFW1Q WG40N120MFW1Q WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N120MFW1Q - IGBT, 80 A, 1.68 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.68V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WG40N120HFW1Q WG40N120HFW1Q WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N120HFW1Q - IGBT, 80 A, 2.2 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WG30R140W1Q WG30R140W1Q WEEN SEMICONDUCTORS 4553156.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG30R140W1Q - IGBT, 60 A, 1.8 V, 357 W, 1.4 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.4kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WG40N120UFW1Q WG40N120UFW1Q WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N120UFW1Q - IGBT, 80 A, 1.75 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC006H12B2S6T WMSC006H12B2S6T WEEN SEMICONDUCTORS 4553147.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WMSC006H12B2S6T - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, WeEnPACK-B2
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: WeEnPACK-B2
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650Q WNSC2D04650Q WEEN SEMICONDUCTORS 3672593.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D021200D6J WNSC2D021200D6J WEEN SEMICONDUCTORS WNSC2D021200D6J.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D021200D6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 8 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D021200D6J WNSC2D021200D6J WEEN SEMICONDUCTORS WNSC2D021200D6J.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D021200D6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 8 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D301200W6Q WNSC2D301200W6Q WEEN SEMICONDUCTORS WNSC2D301200W.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D301200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 30 A, 68 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 68nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D601200W6Q WNSC2D601200W6Q WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D601200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 60 A, 143 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 143nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30MW-650PT2Q BYC30MW-650PT2Q WEEN SEMICONDUCTORS 4553162.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYC30MW-650PT2Q - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 30 A, Einfach, 2.75 V, 38 ns, 297 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 297A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 2.75V
Sperrverzögerungszeit: 38ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BTA208S-800E,118 BTA208S-800E,118 WEEN SEMICONDUCTORS 2623927.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA208S-800E,118 - Triac, 800 V, 8 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 72 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 72A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
RMS-Durchlassstrom: 8A
SVHC: To Be Advised
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BTA208
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA208S-800E,118 BTA208S-800E,118 WEEN SEMICONDUCTORS 2623927.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA208S-800E,118 - Triac, 800 V, 8 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 72 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 72A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
RMS-Durchlassstrom: 8A
SVHC: To Be Advised
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BTA208
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA208S-800E,118 BTA208S-800E,118 WEEN SEMICONDUCTORS 2623927.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA208S-800E,118 - Triac, 800 V, 8 A, SOT-428, 1.5 V, 65 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: SOT-428
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 65A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: N
RMS-Durchlassstrom: 8A
SVHC: To Be Advised
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650DJ WNSC2D04650DJ WEEN SEMICONDUCTORS 3204981.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650DJ WNSC2D04650DJ WEEN SEMICONDUCTORS 3204981.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D16650CW6Q WNSC6D16650CW6Q WEEN SEMICONDUCTORS 3689934.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D16650CW6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ACT108W-600E,135 ACT108W-600E,135 WEEN SEMICONDUCTORS 2623886.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - ACT108W-600E,135 - Triac, Schalter, 600 V, 800 mA, SOT-223, 1 V, 8.8 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: SOT-223
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 8.8A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.3V
isCanonical: N
MSL: -
RMS-Durchlassstrom: 800mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 37000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR860J MUR860J WEEN SEMICONDUCTORS 3204969.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - MUR860J - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Einfach, 1.25 V, 93 ns, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 200A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 93ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D16650B6J WNSC6D16650B6J WEEN SEMICONDUCTORS 3689924.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D16650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D16650B6J WNSC6D16650B6J WEEN SEMICONDUCTORS 3689924.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D16650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT1308W-600D,115 BT1308W-600D,115 WEEN SEMICONDUCTORS 2724493.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT1308W-600D,115 - Triac, 600 V, 800 mA, SC-73, 1.5 V, 9 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: SC-73
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 9A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
RMS-Durchlassstrom: 800mA
SVHC: To Be Advised
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC008H12B2P6T WMSC008H12B2P6T WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WMSC008H12B2P6T - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 157 A, 1.2 kV, 0.013 ohm, WeEnPACK-B2
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 272W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: WeEnPACK-B2
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BT137S-600D,118 BT137S-600D,118 WEEN SEMICONDUCTORS BT137S-600D.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT137S-600D,118 - Triac, 600 V, 8 A, SOT-428, 1.5 V, 65 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: SOT-428
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 65A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: N
RMS-Durchlassstrom: 8A
SVHC: To Be Advised
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA16-600BQ BTA16-600BQ WeEn Semiconductors BTA16-600B.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 50/70mA; Ifsm: 160A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50/70mA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Technology: 4Q
на замовлення 439 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+88.59 грн
10+72.88 грн
50+62.57 грн
100+58.00 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA16-800BQ BTA16-800BQ WeEn Semiconductors BTA16-800B.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; TO220AB; Igt: 50/70mA; Ifsm: 160A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50/70mA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Technology: 4Q
на замовлення 555 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+87.70 грн
10+57.84 грн
100+44.96 грн
500+37.06 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA408X-1000C0TQ BTA408X-1000C0TQ WeEn Semiconductors bta408x-1000c0t.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 1kV; 8A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 90A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 1kV
Max. load current: 8A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 90A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 351 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+56.38 грн
12+36.56 грн
25+32.16 грн
100+29.17 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT152-800R,127 BT152-800R,127 WeEn Semiconductors BT152-800R.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 20A; 13A; Igt: 3mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 20A
Load current: 13A
Gate current: 3mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+140.50 грн
10+84.43 грн
50+64.65 грн
100+58.17 грн
250+51.19 грн
500+46.95 грн
1000+43.29 грн
1250+42.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT169D,112 BT169D,112 WeEn Semiconductors BT169D.pdf _ween_psg2020.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 400V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50mA; TO92; THT; bulk; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.8A
Load current: 0.5A
Gate current: 50mA
Case: TO92
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 8A
Manufacturer standard package: 1000pcs.
Turn-on time: 2µs
Kind of package: bulk
на замовлення 5262 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+27.74 грн
20+21.44 грн
22+19.61 грн
50+16.04 грн
100+14.62 грн
500+11.63 грн
1000+10.55 грн
5000+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHE13009,127 PHE13009,127 WeEn Semiconductors PHE13009.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 400V
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 8...40
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Collector current: 12A
на замовлення 656 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+58.17 грн
10+48.69 грн
50+39.72 грн
100+35.07 грн
250+29.42 грн
500+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650TJ WNSC2D10650T.pdf
WNSC2D10650TJ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650TJ WNSC2D10650T.pdf
WNSC2D10650TJ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650DJ WNSC2D10650D.pdf
WNSC2D10650DJ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650DJ WNSC2D10650D.pdf
WNSC2D10650DJ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC10650WQ WNSC10650W_0.pdf
WNSC10650WQ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC10650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650T6J 3204980.pdf
WNSC12650T6J
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC12650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 16 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650T6J 3204980.pdf
WNSC12650T6J
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC12650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 16 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BYV32EB-200,118 WEEN-S-A0009379936-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BYV32EB-200,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV32EB-200,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.15 V, 25 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-404
Durchlassstoßstrom: 137A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 25ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BYV32
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D16650CWQ 3266684.pdf
WNSC2D16650CWQ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D16650CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 16 A, 13 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D04650Q
WNSC6D04650Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D04650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 16 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BT151S-650L,118 WEEN-S-A0001703672-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BT151S-650L,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT151S-650L,118 - Thyristor, 650 V, 5 mA, 7.5 A, 12 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 20mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 120A
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Durchlassstrom, durchschnittlich: 7.5A
RMS-Durchlassstrom: 12A
SVHC: To Be Advised
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BT151S
Zündstrom, max.: 5mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Bauform - Thyristor: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 4644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-600CT,118 2893353.pdf
BTA312B-600CT,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA312B-600CT,118 - Triac, 600 V, 12 A, TO-263 (D2PAK), 1 V, 100 A, 35 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: TO-263 (D2PAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 35mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 100A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
isCanonical: N
RMS-Durchlassstrom: 12A
SVHC: To Be Advised
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-600B,118 2893352.pdf
BTA312B-600B,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA312B-600B,118 - Triac, 600 V, 12 A, TO-263 (D2PAK), 1 V, 100 A, 60 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: TO-263 (D2PAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 60mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 100A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
isCanonical: N
RMS-Durchlassstrom: 12A
SVHC: To Be Advised
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204S-800E,118 2724526.pdf
BTA204S-800E,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA204S-800E,118 - Triac, 800 V, 4 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 25 A, 12 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 12mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
RMS-Durchlassstrom: 4A
SVHC: To Be Advised
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BT136S-600D,118 2623891.pdf
BT136S-600D,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136S-600D,118 - Triac, 600 V, 4 A, SOT-428, 1.5 V, 25 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: SOT-428
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
isCanonical: Y
MSL: -
RMS-Durchlassstrom: 4A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNC3060D45160WQ 3204975.pdf
WNC3060D45160WQ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNC3060D45160WQ - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 30 A, Einfach
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: -
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: -
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650BJ 3672592.pdf
WNSC2D10650BJ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650BJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA440Z-1200ATQ 4553164.pdf
BTA440Z-1200ATQ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA440Z-1200ATQ - Triac, 1.2 kV, 40 A, IITO-3P, 1.2 V, 440 A, 80 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: IITO-3P
rohsCompliant: TBA
Haltestrom, max.: 80mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 440A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.4V
isCanonical: Y
RMS-Durchlassstrom: 40A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Zündspannung, max.: 1.2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: AT Series
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BTA410Y-800CT,127 4553165.pdf
BTA410Y-800CT,127
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA410Y-800CT,127 - Triac, 800 V, 10 A, TO-220, 1 V, 110 A, 35 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: TO-220
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 35mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 110A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
isCanonical: Y
RMS-Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CT Series
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D20650W6Q
WNSC5D20650W6Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC5D20650W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 28 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D206506Q 3928021.pdf
WNSC5D206506Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC5D206506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 28 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC006H12B2P6T 4553146.pdf
WMSC006H12B2P6T
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WMSC006H12B2P6T - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, WeEnPACK-B2
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: WeEnPACK-B2
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BT136S-600D,118 2623891.pdf
BT136S-600D,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136S-600D,118 - Triac, 600 V, 4 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 27 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 27A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
RMS-Durchlassstrom: 4A
SVHC: To Be Advised
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BT136S
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BT136S-600D,118 2623891.pdf
BT136S-600D,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136S-600D,118 - Triac, 600 V, 4 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 27 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 27A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
RMS-Durchlassstrom: 4A
SVHC: To Be Advised
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BT136S
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D501200W6Q 3928023.pdf
WNSC2D501200W6Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D501200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 125 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 125nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200W-B6Q
WNSC2D201200W-B6Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200W-B6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 36 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650WQ WNSC2D10650WQ.pdf
WNSC2D10650WQ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WG30R135W1Q 4553155.pdf
WG30R135W1Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG30R135W1Q - IGBT, 60 A, 1.7 V, 428 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WG25R135W1Q 4553158.pdf
WG25R135W1Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG25R135W1Q - IGBT, 50 A, 1.85 V, 300 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WG30N65HAW1Q
WG30N65HAW1Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG30N65HAW1Q - IGBT, 60 A, 1.55 V, 312 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Verlustleistung: 312W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WG40N120MFW1Q
WG40N120MFW1Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N120MFW1Q - IGBT, 80 A, 1.68 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.68V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WG40N120HFW1Q
WG40N120HFW1Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N120HFW1Q - IGBT, 80 A, 2.2 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WG30R140W1Q 4553156.pdf
WG30R140W1Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG30R140W1Q - IGBT, 60 A, 1.8 V, 357 W, 1.4 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.4kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WG40N120UFW1Q
WG40N120UFW1Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N120UFW1Q - IGBT, 80 A, 1.75 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC006H12B2S6T 4553147.pdf
WMSC006H12B2S6T
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WMSC006H12B2S6T - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, WeEnPACK-B2
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: WeEnPACK-B2
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650Q 3672593.pdf
WNSC2D04650Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D021200D6J WNSC2D021200D6J.pdf
WNSC2D021200D6J
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D021200D6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 8 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D021200D6J WNSC2D021200D6J.pdf
WNSC2D021200D6J
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D021200D6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 8 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D301200W6Q WNSC2D301200W.pdf
WNSC2D301200W6Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D301200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 30 A, 68 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 68nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D601200W6Q
WNSC2D601200W6Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D601200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 60 A, 143 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 143nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30MW-650PT2Q 4553162.pdf
BYC30MW-650PT2Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYC30MW-650PT2Q - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 30 A, Einfach, 2.75 V, 38 ns, 297 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 297A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 2.75V
Sperrverzögerungszeit: 38ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BTA208S-800E,118 2623927.pdf
BTA208S-800E,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA208S-800E,118 - Triac, 800 V, 8 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 72 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 72A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
RMS-Durchlassstrom: 8A
SVHC: To Be Advised
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BTA208
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA208S-800E,118 2623927.pdf
BTA208S-800E,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA208S-800E,118 - Triac, 800 V, 8 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 72 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 72A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
RMS-Durchlassstrom: 8A
SVHC: To Be Advised
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BTA208
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA208S-800E,118 2623927.pdf
BTA208S-800E,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA208S-800E,118 - Triac, 800 V, 8 A, SOT-428, 1.5 V, 65 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: SOT-428
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 65A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: N
RMS-Durchlassstrom: 8A
SVHC: To Be Advised
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650DJ 3204981.pdf
WNSC2D04650DJ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650DJ 3204981.pdf
WNSC2D04650DJ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D16650CW6Q 3689934.pdf
WNSC6D16650CW6Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D16650CW6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ACT108W-600E,135 2623886.pdf
ACT108W-600E,135
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - ACT108W-600E,135 - Triac, Schalter, 600 V, 800 mA, SOT-223, 1 V, 8.8 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: SOT-223
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 8.8A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.3V
isCanonical: N
MSL: -
RMS-Durchlassstrom: 800mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 37000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR860J 3204969.pdf
MUR860J
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - MUR860J - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Einfach, 1.25 V, 93 ns, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 200A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 93ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D16650B6J 3689924.pdf
WNSC6D16650B6J
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D16650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D16650B6J 3689924.pdf
WNSC6D16650B6J
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D16650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT1308W-600D,115 2724493.pdf
BT1308W-600D,115
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT1308W-600D,115 - Triac, 600 V, 800 mA, SC-73, 1.5 V, 9 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: SC-73
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 9A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
RMS-Durchlassstrom: 800mA
SVHC: To Be Advised
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC008H12B2P6T
WMSC008H12B2P6T
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WMSC008H12B2P6T - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 157 A, 1.2 kV, 0.013 ohm, WeEnPACK-B2
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 272W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: WeEnPACK-B2
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BT137S-600D,118 BT137S-600D.pdf
BT137S-600D,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT137S-600D,118 - Triac, 600 V, 8 A, SOT-428, 1.5 V, 65 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: SOT-428
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 65A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: N
RMS-Durchlassstrom: 8A
SVHC: To Be Advised
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA16-600BQ BTA16-600B.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA16-600BQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 50/70mA; Ifsm: 160A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50/70mA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Technology: 4Q
на замовлення 439 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+88.59 грн
10+72.88 грн
50+62.57 грн
100+58.00 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA16-800BQ BTA16-800B.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA16-800BQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; TO220AB; Igt: 50/70mA; Ifsm: 160A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50/70mA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Technology: 4Q
на замовлення 555 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+87.70 грн
10+57.84 грн
100+44.96 грн
500+37.06 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA408X-1000C0TQ bta408x-1000c0t.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA408X-1000C0TQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 1kV; 8A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 90A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 1kV
Max. load current: 8A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 90A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 351 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+56.38 грн
12+36.56 грн
25+32.16 грн
100+29.17 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT152-800R,127 BT152-800R.pdf
BT152-800R,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 20A; 13A; Igt: 3mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 20A
Load current: 13A
Gate current: 3mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+140.50 грн
10+84.43 грн
50+64.65 грн
100+58.17 грн
250+51.19 грн
500+46.95 грн
1000+43.29 грн
1250+42.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT169D,112 BT169D.pdf _ween_psg2020.pdf
BT169D,112
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 400V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50mA; TO92; THT; bulk; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.8A
Load current: 0.5A
Gate current: 50mA
Case: TO92
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 8A
Manufacturer standard package: 1000pcs.
Turn-on time: 2µs
Kind of package: bulk
на замовлення 5262 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+27.74 грн
20+21.44 грн
22+19.61 грн
50+16.04 грн
100+14.62 грн
500+11.63 грн
1000+10.55 грн
5000+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHE13009,127 PHE13009.pdf
PHE13009,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 400V
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 8...40
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Collector current: 12A
на замовлення 656 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+58.17 грн
10+48.69 грн
50+39.72 грн
100+35.07 грн
250+29.42 грн
500+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 100  [ Наступна Сторінка >> ]