Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > Всі товари виробника WEEN SEMICONDUCTORS (6266) > Сторінка 86 з 105
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NXPSC16650B6J | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 16A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 16A Semiconductor structure: single diode Case: D2PAK Max. forward impulse current: 96A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
NXPSC206506Q | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Max. forward impulse current: 100A Kind of package: tube кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
NXPSC20650W-AQ | WeEn Semiconductors |
![]() ![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Max. forward impulse current: 50A Kind of package: tube Max. load current: 20A Max. forward voltage: 2.1V Application: automotive industry кількість в упаковці: 240 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
NXPSC20650W6Q | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Max. forward impulse current: 50A Kind of package: tube Max. load current: 20A кількість в упаковці: 240 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
OT407,116 | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
OT412,115 | WeEn Semiconductors |
Category: Triacs Description: Triac; 1A; SOT223; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. load current: 1A Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: sensitive gate Technology: 4Q кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 780 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
P1KSMBJ27AJ | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
P1KSMBJ27CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
P1KSMBJ68AJ | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
P1KSMBJ68CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
P4SOD33CAX | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 400W; 36.7÷40.6V; 7.5A; bidirectional; SOD123F; P4SOD Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Max. off-state voltage: 33V Breakdown voltage: 36.7...40.6V Max. forward impulse current: 7.5A Semiconductor structure: bidirectional Case: SOD123F Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: P4SOD кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
P4SOD36AX | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 400W; 40÷44.2V; 6.2A; unidirectional; SOD123F; P4SOD Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Max. off-state voltage: 36V Breakdown voltage: 40...44.2V Max. forward impulse current: 6.2A Semiconductor structure: unidirectional Case: SOD123F Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: P4SOD кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
P4SOD58AX | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 400W; 64.4÷71.2V; 4.3A; unidirectional; SOD123F; P4SOD Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Max. off-state voltage: 58V Breakdown voltage: 64.4...71.2V Max. forward impulse current: 4.3A Semiconductor structure: unidirectional Case: SOD123F Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: P4SOD кількість в упаковці: 5 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
P6SMAL36AX | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
P6SMAL75AX | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
P6SMBJ28CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 31.33÷34.16V; 13.3A; bidirectional; SMB Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 28V Breakdown voltage: 31.33...34.16V Max. forward impulse current: 13.3A Semiconductor structure: bidirectional Case: SMB Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
P6SMBJ64CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
PHD13003C,126 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 1.5A; 2.1W; TO92 Collector-emitter voltage: 700V Current gain: 8...25 Collector current: 1.5A Type of transistor: NPN Power dissipation: 2.1W Polarisation: bipolar Kind of package: Ammo Pack Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mounting: THT Case: TO92 кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
PHD13005,127 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 4A Power dissipation: 75W Case: TO220AB Current gain: 10...40 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
PHE13003A,412 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1A; 2.1W; TO92 Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 5...30 Collector current: 1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 2.1W Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Mounting: THT Case: TO92 кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
PHE13003C,126 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1.5A; 2.1W; TO92 Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 5...25 Collector current: 1.5A Type of transistor: NPN Power dissipation: 2.1W Polarisation: bipolar Kind of package: Ammo Pack Mounting: THT Case: TO92 кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
PHE13003C,412 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1.5A; 2.1W; TO92 Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 5...25 Collector current: 1.5A Type of transistor: NPN Power dissipation: 2.1W Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Mounting: THT Case: TO92 кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
PHE13005,127 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 4A Power dissipation: 75W Case: TO220AB Current gain: 10...40 Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 821 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PHE13007,127 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB Case: TO220AB Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 8...40 Collector current: 8A Type of transistor: NPN Power dissipation: 80W Polarisation: bipolar Kind of package: tube Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 881 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PHE13009,127 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 8...40 Collector current: 12A Type of transistor: NPN Power dissipation: 80W Polarisation: bipolar Kind of package: tube Mounting: THT Case: TO220AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 571 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PHE13009/DG,127 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 8...40 Collector current: 12A Type of transistor: NPN Power dissipation: 80W Polarisation: bipolar Kind of package: tube Heatsink thickness: max. 1.3mm Mounting: THT Case: TO220AB кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
SK8DJ | WeEn Semiconductors | SK8DJ SMD universal diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SM8S33CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 6.6kW; 36.7÷40.6V; 124A; bidirectional; DO218J; SM8S Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 6.6kW Max. off-state voltage: 33V Breakdown voltage: 36.7...40.6V Max. forward impulse current: 124A Semiconductor structure: bidirectional Case: DO218J Mounting: SMD Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SM8S кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SM8S43CAJ | WeEn Semiconductors | SM8S43CAJ Bidirectional TVS SMD diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMAJ18AJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 400W; 20.19÷21.9V; 13.7A; unidirectional; SMA; SMAJ Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Max. off-state voltage: 18V Breakdown voltage: 20.19...21.9V Max. forward impulse current: 13.7A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMAJ Leakage current: 1µA кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
SMAJ30CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 400W; 33.55÷36.54V; 8.3A; bidirectional; SMA; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Max. off-state voltage: 30V Breakdown voltage: 33.55...36.54V Max. forward impulse current: 8.3A Semiconductor structure: bidirectional Case: SMA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMAJ Leakage current: 1µA кількість в упаковці: 5 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
SMAJ5.0CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 400W; 6.45÷6.98V; 43.5A; bidirectional; SMA; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Max. off-state voltage: 5V Breakdown voltage: 6.45...6.98V Max. forward impulse current: 43.5A Semiconductor structure: bidirectional Case: SMA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMAJ Leakage current: 0.4mA кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
SMBJ20AJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 22.41÷24.28V; 18.6A; unidirectional; SMB; SMBJ Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 20V Breakdown voltage: 22.41...24.28V Max. forward impulse current: 18.6A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMB Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMBJ кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 660 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SMBJ26AJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 29.12÷31.67V; 14.3A; unidirectional; SMB; SMBJ Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 26V Breakdown voltage: 29.12...31.67V Max. forward impulse current: 14.3A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMB Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMBJ кількість в упаковці: 5 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMBJ33AJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 36.98÷40.3V; 11.3A; unidirectional; SMB; SMBJ Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 33V Breakdown voltage: 36.98...40.3V Max. forward impulse current: 11.3A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMB Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMBJ кількість в упаковці: 5 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMBJ40CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 44.7÷48.8V; 9.3A; bidirectional; SMB; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 40V Breakdown voltage: 44.7...48.8V Max. forward impulse current: 9.3A Semiconductor structure: bidirectional Case: SMB Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMBJ кількість в упаковці: 5 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMBJ60CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMBJ78AJ | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMCJ15CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMCJ36CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMCJ40CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 44.7÷48.8V; 23.3A; bidirectional; SMC; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Max. off-state voltage: 40V Breakdown voltage: 44.7...48.8V Max. forward impulse current: 23.3A Semiconductor structure: bidirectional Case: SMC Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMCJ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMCJ58AJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 65÷70.6V; 16.1A; unidirectional; SMC; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Max. off-state voltage: 58V Breakdown voltage: 65...70.6V Max. forward impulse current: 16.1A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMC Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMCJ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMDJ14AJ | WeEn Semiconductors | SMDJ14AJ Unidirectional TVS SMD diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMDJ28CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMDJ30AJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 3kW; 33.6÷36.59V; 62A; unidirectional; SMC; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 3kW Max. off-state voltage: 30V Breakdown voltage: 33.6...36.59V Max. forward impulse current: 62A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMC Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMDJ Leakage current: 1µA кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMDJ30CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMDJ33AJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 3kW; 36.98÷40.3V; 56.3A; unidirectional; SMC; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 3kW Max. off-state voltage: 33V Breakdown voltage: 36.98...40.3V Max. forward impulse current: 56.3A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMC Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMDJ Leakage current: 1µA кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMDJ33CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 3kW; 36.98÷40.3V; 56.3A; bidirectional; SMC; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 3kW Max. off-state voltage: 33V Breakdown voltage: 36.98...40.3V Max. forward impulse current: 56.3A Semiconductor structure: bidirectional Case: SMC Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMDJ Leakage current: 1µA кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMDJ40AJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 3kW; 44.8÷48.8V; 46.5A; unidirectional; SMC; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 3kW Max. off-state voltage: 40V Breakdown voltage: 44.8...48.8V Max. forward impulse current: 46.5A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMC Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMDJ кількість в упаковці: 6000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMDJ43CAJ | WeEn Semiconductors | SMDJ43CAJ Bidirectional TVS SMD diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMDJ48CAJ | WeEn Semiconductors | SMDJ48CAJ Bidirectional TVS SMD diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMDJ51CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 3kW; 57.1÷62.3V; 36.4A; bidirectional; SMC; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 3kW Max. off-state voltage: 51V Breakdown voltage: 57.1...62.3V Max. forward impulse current: 36.4A Semiconductor structure: bidirectional Case: SMC Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMDJ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMDJ58CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMDJ64CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 3kW; 71.6÷78V; 29.1A; bidirectional; SMC; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 3kW Max. off-state voltage: 64V Breakdown voltage: 71.6...78V Max. forward impulse current: 29.1A Semiconductor structure: bidirectional Case: SMC Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMDJ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMDJ70CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SOD20AX | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 200W; 22.41÷24.28V; 6.2A; unidirectional; SOD123F Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.2kW Max. off-state voltage: 20V Breakdown voltage: 22.41...24.28V Max. forward impulse current: 6.2A Semiconductor structure: unidirectional Case: SOD123F Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 18000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
TB100EP | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 1A; 2W; TO92 Collector-emitter voltage: 700V Current gain: 12...34 Collector current: 1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 2W Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Mounting: THT Case: TO92 кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
TB100ML | WeEn Semiconductors |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 1A; 2W; TO92 Collector-emitter voltage: 700V Current gain: 12...34 Collector current: 1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 2W Polarisation: bipolar Kind of package: Ammo Pack Mounting: THT Case: TO92 кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BT136-600E,127 | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85413000 Bauform - Triac: TO-220AB rohsCompliant: Y-EX Haltestrom, max.: 15mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 RMS-Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 1V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Thyristormontage: Durchsteckmontage Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BT136X-600E,127 | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85413000 Bauform - Triac: TO-220FP rohsCompliant: Y-EX Haltestrom, max.: 15mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 RMS-Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 1V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Thyristormontage: Durchsteckmontage Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 5956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
NXPSC16650B6J |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 16A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward impulse current: 96A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 16A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward impulse current: 96A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NXPSC206506Q |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NXPSC20650W-AQ |
![]() ![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 2.1V
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 240 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 2.1V
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 240 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NXPSC20650W6Q |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
кількість в упаковці: 240 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
кількість в упаковці: 240 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
OT407,116 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
OT407.116 Triacs
OT407.116 Triacs
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
OT412,115 |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 1A; SOT223; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Technology: 4Q
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 1A; SOT223; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Technology: 4Q
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 22.43 грн |
25+ | 17.81 грн |
76+ | 14.13 грн |
209+ | 13.39 грн |
250+ | 13.30 грн |
1000+ | 12.84 грн |
P1KSMBJ27AJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
P1KSMBJ27AJ Unidirectional TVS SMD diodes
P1KSMBJ27AJ Unidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
P1KSMBJ27CAJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
P1KSMBJ27CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
P1KSMBJ27CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
P1KSMBJ68AJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
P1KSMBJ68AJ Unidirectional TVS SMD diodes
P1KSMBJ68AJ Unidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
P1KSMBJ68CAJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
P1KSMBJ68CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
P1KSMBJ68CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
P4SOD33CAX |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 36.7÷40.6V; 7.5A; bidirectional; SOD123F; P4SOD
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 7.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD123F
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P4SOD
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 36.7÷40.6V; 7.5A; bidirectional; SOD123F; P4SOD
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 7.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD123F
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P4SOD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
P4SOD36AX |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 40÷44.2V; 6.2A; unidirectional; SOD123F; P4SOD
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40...44.2V
Max. forward impulse current: 6.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123F
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P4SOD
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 40÷44.2V; 6.2A; unidirectional; SOD123F; P4SOD
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40...44.2V
Max. forward impulse current: 6.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123F
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P4SOD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
P4SOD58AX |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 64.4÷71.2V; 4.3A; unidirectional; SOD123F; P4SOD
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 58V
Breakdown voltage: 64.4...71.2V
Max. forward impulse current: 4.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123F
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P4SOD
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 64.4÷71.2V; 4.3A; unidirectional; SOD123F; P4SOD
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 58V
Breakdown voltage: 64.4...71.2V
Max. forward impulse current: 4.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123F
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P4SOD
кількість в упаковці: 5 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
P6SMAL36AX |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
P6SMAL36AX Unidirectional TVS SMD diodes
P6SMAL36AX Unidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
P6SMAL75AX |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
P6SMAL75AX Unidirectional TVS SMD diodes
P6SMAL75AX Unidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
P6SMBJ28CAJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 31.33÷34.16V; 13.3A; bidirectional; SMB
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.33...34.16V
Max. forward impulse current: 13.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 31.33÷34.16V; 13.3A; bidirectional; SMB
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.33...34.16V
Max. forward impulse current: 13.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
P6SMBJ64CAJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
P6SMBJ64CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
P6SMBJ64CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PHD13003C,126 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 1.5A; 2.1W; TO92
Collector-emitter voltage: 700V
Current gain: 8...25
Collector current: 1.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: bipolar
Kind of package: Ammo Pack
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO92
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 1.5A; 2.1W; TO92
Collector-emitter voltage: 700V
Current gain: 8...25
Collector current: 1.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: bipolar
Kind of package: Ammo Pack
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO92
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PHD13005,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 4A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Current gain: 10...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 4A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Current gain: 10...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PHE13003A,412 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1A; 2.1W; TO92
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 5...30
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
Case: TO92
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1A; 2.1W; TO92
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 5...30
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
Case: TO92
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PHE13003C,126 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1.5A; 2.1W; TO92
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 5...25
Collector current: 1.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: bipolar
Kind of package: Ammo Pack
Mounting: THT
Case: TO92
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1.5A; 2.1W; TO92
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 5...25
Collector current: 1.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: bipolar
Kind of package: Ammo Pack
Mounting: THT
Case: TO92
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PHE13003C,412 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1.5A; 2.1W; TO92
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 5...25
Collector current: 1.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
Case: TO92
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1.5A; 2.1W; TO92
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 5...25
Collector current: 1.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
Case: TO92
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PHE13005,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 4A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Current gain: 10...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 4A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Current gain: 10...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 821 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 56.31 грн |
8+ | 38.30 грн |
10+ | 32.84 грн |
50+ | 25.60 грн |
61+ | 17.61 грн |
167+ | 16.70 грн |
1000+ | 16.60 грн |
PHE13007,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Case: TO220AB
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 8...40
Collector current: 8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Case: TO220AB
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 8...40
Collector current: 8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 881 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 94.84 грн |
25+ | 61.45 грн |
36+ | 30.00 грн |
99+ | 28.35 грн |
500+ | 27.34 грн |
PHE13009,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 571 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 67.18 грн |
10+ | 59.35 грн |
33+ | 32.84 грн |
90+ | 31.01 грн |
1000+ | 29.82 грн |
PHE13009/DG,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Heatsink thickness: max. 1.3mm
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Heatsink thickness: max. 1.3mm
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SK8DJ |
Виробник: WeEn Semiconductors
SK8DJ SMD universal diodes
SK8DJ SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SM8S33CAJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6.6kW; 36.7÷40.6V; 124A; bidirectional; DO218J; SM8S
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 6.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 124A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO218J
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SM8S
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6.6kW; 36.7÷40.6V; 124A; bidirectional; DO218J; SM8S
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 6.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 124A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO218J
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SM8S
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SM8S43CAJ |
Виробник: WeEn Semiconductors
SM8S43CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
SM8S43CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMAJ18AJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 20.19÷21.9V; 13.7A; unidirectional; SMA; SMAJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 18V
Breakdown voltage: 20.19...21.9V
Max. forward impulse current: 13.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMAJ
Leakage current: 1µA
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 20.19÷21.9V; 13.7A; unidirectional; SMA; SMAJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 18V
Breakdown voltage: 20.19...21.9V
Max. forward impulse current: 13.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMAJ
Leakage current: 1µA
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMAJ30CAJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 33.55÷36.54V; 8.3A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.55...36.54V
Max. forward impulse current: 8.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMAJ
Leakage current: 1µA
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 33.55÷36.54V; 8.3A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.55...36.54V
Max. forward impulse current: 8.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMAJ
Leakage current: 1µA
кількість в упаковці: 5 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMAJ5.0CAJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 6.45÷6.98V; 43.5A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.45...6.98V
Max. forward impulse current: 43.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMAJ
Leakage current: 0.4mA
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 6.45÷6.98V; 43.5A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.45...6.98V
Max. forward impulse current: 43.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMAJ
Leakage current: 0.4mA
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMBJ20AJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 22.41÷24.28V; 18.6A; unidirectional; SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 20V
Breakdown voltage: 22.41...24.28V
Max. forward impulse current: 18.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 22.41÷24.28V; 18.6A; unidirectional; SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 20V
Breakdown voltage: 22.41...24.28V
Max. forward impulse current: 18.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 660 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 13.04 грн |
40+ | 7.72 грн |
100+ | 6.51 грн |
175+ | 6.24 грн |
475+ | 5.87 грн |
3000+ | 5.60 грн |
SMBJ26AJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 29.12÷31.67V; 14.3A; unidirectional; SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 29.12...31.67V
Max. forward impulse current: 14.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 29.12÷31.67V; 14.3A; unidirectional; SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 29.12...31.67V
Max. forward impulse current: 14.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
кількість в упаковці: 5 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMBJ33AJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36.98÷40.3V; 11.3A; unidirectional; SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.98...40.3V
Max. forward impulse current: 11.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36.98÷40.3V; 11.3A; unidirectional; SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.98...40.3V
Max. forward impulse current: 11.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
кількість в упаковці: 5 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMBJ40CAJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 44.7÷48.8V; 9.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 44.7...48.8V
Max. forward impulse current: 9.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 44.7÷48.8V; 9.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 44.7...48.8V
Max. forward impulse current: 9.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
кількість в упаковці: 5 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMBJ60CAJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
SMBJ60CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
SMBJ60CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMBJ78AJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
SMBJ78AJ Unidirectional TVS SMD diodes
SMBJ78AJ Unidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMCJ15CAJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
SMCJ15CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
SMCJ15CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMCJ36CAJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
SMCJ36CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
SMCJ36CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMCJ40CAJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 44.7÷48.8V; 23.3A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 44.7...48.8V
Max. forward impulse current: 23.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMCJ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 44.7÷48.8V; 23.3A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 44.7...48.8V
Max. forward impulse current: 23.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMCJ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMCJ58AJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 65÷70.6V; 16.1A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 58V
Breakdown voltage: 65...70.6V
Max. forward impulse current: 16.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMCJ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 65÷70.6V; 16.1A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 58V
Breakdown voltage: 65...70.6V
Max. forward impulse current: 16.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMCJ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMDJ14AJ |
Виробник: WeEn Semiconductors
SMDJ14AJ Unidirectional TVS SMD diodes
SMDJ14AJ Unidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMDJ28CAJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
SMDJ28CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
SMDJ28CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMDJ30AJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 33.6÷36.59V; 62A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.6...36.59V
Max. forward impulse current: 62A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMDJ
Leakage current: 1µA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 33.6÷36.59V; 62A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.6...36.59V
Max. forward impulse current: 62A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMDJ
Leakage current: 1µA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMDJ30CAJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
SMDJ30CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
SMDJ30CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMDJ33AJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 36.98÷40.3V; 56.3A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.98...40.3V
Max. forward impulse current: 56.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMDJ
Leakage current: 1µA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 36.98÷40.3V; 56.3A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.98...40.3V
Max. forward impulse current: 56.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMDJ
Leakage current: 1µA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMDJ33CAJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 36.98÷40.3V; 56.3A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.98...40.3V
Max. forward impulse current: 56.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMDJ
Leakage current: 1µA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 36.98÷40.3V; 56.3A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.98...40.3V
Max. forward impulse current: 56.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMDJ
Leakage current: 1µA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMDJ40AJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 44.8÷48.8V; 46.5A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 44.8...48.8V
Max. forward impulse current: 46.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMDJ
кількість в упаковці: 6000 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 44.8÷48.8V; 46.5A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 44.8...48.8V
Max. forward impulse current: 46.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMDJ
кількість в упаковці: 6000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMDJ43CAJ |
Виробник: WeEn Semiconductors
SMDJ43CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
SMDJ43CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMDJ48CAJ |
Виробник: WeEn Semiconductors
SMDJ48CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
SMDJ48CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMDJ51CAJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 57.1÷62.3V; 36.4A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 51V
Breakdown voltage: 57.1...62.3V
Max. forward impulse current: 36.4A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMDJ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 57.1÷62.3V; 36.4A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 51V
Breakdown voltage: 57.1...62.3V
Max. forward impulse current: 36.4A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMDJ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMDJ58CAJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
SMDJ58CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
SMDJ58CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMDJ64CAJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 71.6÷78V; 29.1A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 64V
Breakdown voltage: 71.6...78V
Max. forward impulse current: 29.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMDJ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 71.6÷78V; 29.1A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 64V
Breakdown voltage: 71.6...78V
Max. forward impulse current: 29.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMDJ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMDJ70CAJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
SMDJ70CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
SMDJ70CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SOD20AX |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 200W; 22.41÷24.28V; 6.2A; unidirectional; SOD123F
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.2kW
Max. off-state voltage: 20V
Breakdown voltage: 22.41...24.28V
Max. forward impulse current: 6.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123F
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 18000 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 200W; 22.41÷24.28V; 6.2A; unidirectional; SOD123F
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.2kW
Max. off-state voltage: 20V
Breakdown voltage: 22.41...24.28V
Max. forward impulse current: 6.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123F
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 18000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TB100EP |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 1A; 2W; TO92
Collector-emitter voltage: 700V
Current gain: 12...34
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
Case: TO92
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 1A; 2W; TO92
Collector-emitter voltage: 700V
Current gain: 12...34
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
Case: TO92
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TB100ML |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 1A; 2W; TO92
Collector-emitter voltage: 700V
Current gain: 12...34
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: Ammo Pack
Mounting: THT
Case: TO92
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 1A; 2W; TO92
Collector-emitter voltage: 700V
Current gain: 12...34
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: Ammo Pack
Mounting: THT
Case: TO92
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BT136-600E,127 |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136-600E,127 - Triac, 600 V, 4 A, TO-220AB, 1 V, 25 A, 15 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220AB
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 15mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136-600E,127 - Triac, 600 V, 4 A, TO-220AB, 1 V, 25 A, 15 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220AB
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 15mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 66.52 грн |
16+ | 53.93 грн |
100+ | 27.99 грн |
500+ | 20.11 грн |
1000+ | 16.80 грн |
BT136X-600E,127 |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136X-600E,127 - Triac, 600 V, 4 A, TO-220FP, 1 V, 25 A, 15 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220FP
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 15mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136X-600E,127 - Triac, 600 V, 4 A, TO-220FP, 1 V, 25 A, 15 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220FP
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 15mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 62.90 грн |
18+ | 45.94 грн |
100+ | 31.29 грн |
500+ | 24.31 грн |
1000+ | 19.05 грн |
5000+ | 16.02 грн |