Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > Всі товари виробника WEEN SEMICONDUCTORS (5774) > Сторінка 89 з 97

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 72 81 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 97  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BTA312B-600CT,118 BTA312B-600CT,118 WEEN SEMICONDUCTORS bta312b-600ct.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA312B-600CT,118 - Triac, 600 V, 12 A, TO-263 (D2PAK), 1 V, 100 A, 35 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-263 (D2PAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 35mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 100A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.64 грн
500+42.77 грн
1000+33.48 грн
5000+25.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-600B,118 BTA312B-600B,118 WEEN SEMICONDUCTORS bta312b-600b.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA312B-600B,118 - Triac, 600 V, 12 A, TO-263 (D2PAK), 1 V, 100 A, 60 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-263 (D2PAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 60mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 100A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204S-800E,118 BTA204S-800E,118 WEEN SEMICONDUCTORS 2724526.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA204S-800E,118 - Triac, 800 V, 4 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 25 A, 12 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 12mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+73.63 грн
19+48.85 грн
100+33.58 грн
500+25.01 грн
1000+20.93 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BT136S-600D,118 BT136S-600D,118 WEEN SEMICONDUCTORS 2623891.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136S-600D,118 - Triac, 600 V, 4 A, SOT-428, 1.5 V, 25 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-428
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+92.49 грн
16+57.20 грн
100+35.56 грн
500+25.35 грн
1000+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
WNC3060D45160WQ WNC3060D45160WQ WEEN SEMICONDUCTORS 3204975.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNC3060D45160WQ - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 30 A, Einfach
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: -
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+303.50 грн
10+202.93 грн
100+155.34 грн
500+141.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650BJ WNSC2D10650BJ WEEN SEMICONDUCTORS 3672592.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650BJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+102.36 грн
500+85.88 грн
1000+70.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTA440Z-1200ATQ BTA440Z-1200ATQ WEEN SEMICONDUCTORS 4553164.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA440Z-1200ATQ - Triac, 1.2 kV, 40 A, IITO-3P, 1.2 V, 440 A, 80 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: IITO-3P
rohsCompliant: TBA
Haltestrom, max.: 80mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 440A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.4V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: AT Series
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+227.17 грн
10+199.34 грн
100+165.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BTA410Y-800CT,127 BTA410Y-800CT,127 WEEN SEMICONDUCTORS 4553165.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA410Y-800CT,127 - Triac, 800 V, 10 A, TO-220, 1 V, 110 A, 35 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 35mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 110A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CT Series
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.83 грн
10+102.36 грн
100+82.88 грн
500+61.28 грн
1000+50.41 грн
5000+43.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D20650W6Q WNSC5D20650W6Q WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC5D20650W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 28 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+282.84 грн
10+184.07 грн
100+140.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D206506Q WNSC5D206506Q WEEN SEMICONDUCTORS 3928021.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC5D206506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 28 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+237.05 грн
10+158.93 грн
100+119.42 грн
500+97.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC006H12B2P6T WMSC006H12B2P6T WEEN SEMICONDUCTORS 4553146.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WMSC006H12B2P6T - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, WeEnPACK-B2
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: WeEnPACK-B2
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8677.47 грн
5+8011.21 грн
10+7211.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BT136S-600D,118 BT136S-600D,118 WEEN SEMICONDUCTORS 2623891.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136S-600D,118 - Triac, 600 V, 4 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 27 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 27A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 4A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BT136S
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+92.49 грн
16+57.20 грн
100+35.56 грн
500+25.35 грн
1000+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BT136S-600D,118 BT136S-600D,118 WEEN SEMICONDUCTORS 2623891.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136S-600D,118 - Triac, 600 V, 4 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 27 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 27A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 4A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BT136S
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.56 грн
500+25.35 грн
1000+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D501200W6Q WNSC2D501200W6Q WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D501200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 125 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 125nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1024.52 грн
5+733.60 грн
10+587.24 грн
50+508.61 грн
100+455.63 грн
250+441.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200W-B6Q WNSC2D201200W-B6Q WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200W-B6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 36 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+405.86 грн
10+246.93 грн
100+193.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650WQ WNSC2D10650WQ WEEN SEMICONDUCTORS WNSC2D10650W.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+201.13 грн
10+121.22 грн
100+96.08 грн
500+82.21 грн
1000+69.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WG30R135W1Q WG30R135W1Q WEEN SEMICONDUCTORS 4553155.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG30R135W1Q - IGBT, 60 A, 1.7 V, 428 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+323.25 грн
10+161.62 грн
100+134.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WG25R135W1Q WG25R135W1Q WEEN SEMICONDUCTORS 4553158.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG25R135W1Q - IGBT, 50 A, 1.85 V, 300 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+189.46 грн
10+170.60 грн
100+137.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WG30N65HAW1Q WG30N65HAW1Q WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG30N65HAW1Q - IGBT, 60 A, 1.55 V, 312 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+164.32 грн
10+143.67 грн
100+119.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WG40N120MFW1Q WG40N120MFW1Q WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N120MFW1Q - IGBT, 80 A, 1.68 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.68V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+430.10 грн
10+285.54 грн
100+227.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WG40N120HFW1Q WG40N120HFW1Q WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N120HFW1Q - IGBT, 80 A, 2.2 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+332.23 грн
10+290.92 грн
100+240.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WG30R140W1Q WG30R140W1Q WEEN SEMICONDUCTORS 4553156.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG30R140W1Q - IGBT, 60 A, 1.8 V, 357 W, 1.4 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.4kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+328.64 грн
10+164.32 грн
100+136.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WG40N120UFW1Q WG40N120UFW1Q WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N120UFW1Q - IGBT, 80 A, 1.75 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+479.49 грн
10+318.76 грн
100+253.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC006H12B2S6T WMSC006H12B2S6T WEEN SEMICONDUCTORS 4553147.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WMSC006H12B2S6T - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, WeEnPACK-B2
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: WeEnPACK-B2
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8397.32 грн
5+7783.14 грн
10+7066.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650Q WNSC2D04650Q WEEN SEMICONDUCTORS 3672593.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+137.38 грн
11+87.82 грн
100+58.18 грн
500+42.02 грн
1000+34.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D021200D6J WNSC2D021200D6J WEEN SEMICONDUCTORS WNSC2D021200D.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D021200D6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 8 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+39.78 грн
26+34.84 грн
100+33.67 грн
500+30.18 грн
1000+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D021200D6J WNSC2D021200D6J WEEN SEMICONDUCTORS WNSC2D021200D.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D021200D6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 8 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.67 грн
500+30.18 грн
1000+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D301200W6Q WNSC2D301200W6Q WEEN SEMICONDUCTORS WNSC2D301200W.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D301200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 30 A, 68 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 68nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+374.43 грн
10+327.74 грн
100+271.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D601200W6Q WNSC2D601200W6Q WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D601200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 60 A, 143 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 143nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+659.07 грн
5+562.10 грн
10+465.12 грн
50+396.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30MW-650PT2Q BYC30MW-650PT2Q WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYC30MW-650PT2Q - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 30 A, Einfach, 2.75 V, 38 ns, 297 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 297A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.75V
Sperrverzögerungszeit: 38ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+189.46 грн
10+121.22 грн
100+83.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BTA208S-800E,118 BTA208S-800E,118 WEEN SEMICONDUCTORS 2623927.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA208S-800E,118 - Triac, 800 V, 8 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 72 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 72A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 8A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BTA208
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+123.01 грн
50+77.49 грн
100+51.45 грн
500+38.10 грн
1000+31.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BTA208S-800E,118 BTA208S-800E,118 WEEN SEMICONDUCTORS 2623927.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA208S-800E,118 - Triac, 800 V, 8 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 72 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 72A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 8A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BTA208
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.45 грн
500+38.10 грн
1000+31.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTA208S-800E,118 BTA208S-800E,118 WEEN SEMICONDUCTORS 2623927.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA208S-800E,118 - Triac, 800 V, 8 A, SOT-428, 1.5 V, 65 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-428
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 65A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 8A
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BT137S-600D,118 BT137S-600D,118 WEEN SEMICONDUCTORS WEEN-S-A0001703628-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT137S-600D,118 - Triac, 600 V, 8 A, SOT-428, 1.5 V, 65 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-428
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 65A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 8A
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650DJ WNSC2D04650DJ WEEN SEMICONDUCTORS 3204981.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.05 грн
500+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650DJ WNSC2D04650DJ WEEN SEMICONDUCTORS 3204981.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.40 грн
12+81.62 грн
100+54.05 грн
500+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BTA16-600BQ BTA16-600BQ WeEn Semiconductors BTA16-600B.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 50/70mA; Ifsm: 160A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50/70mA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Technology: 4Q
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+88.89 грн
10+73.12 грн
50+62.78 грн
100+58.20 грн
500+47.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BTA16-800BQ BTA16-800BQ WeEn Semiconductors BTA16-800B.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; TO220AB; Igt: 50/70mA; Ifsm: 160A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50/70mA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 4Q
Max. forward impulse current: 160A
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+88.00 грн
10+58.03 грн
100+45.11 грн
500+37.19 грн
1000+34.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BTA408X-1000C0TQ BTA408X-1000C0TQ WeEn Semiconductors bta408x-1000c0t.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 1kV; 8A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 90A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 1kV
Max. load current: 8A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 90A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT152-800R,127 BT152-800R,127 WeEn Semiconductors bt152-800r.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 20A; 13A; Igt: 3mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 20A
Load current: 13A
Gate current: 3mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+108.65 грн
10+69.70 грн
50+59.28 грн
100+54.70 грн
250+47.61 грн
500+42.69 грн
1000+40.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BT169D,112 BT169D,112 WeEn Semiconductors BT169D.pdf _ween_psg2020.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 400V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50mA; TO92; THT; bulk; 2us
Mounting: THT
Case: TO92
Kind of package: bulk
Gate current: 50mA
Load current: 0.5A
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 8A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Type of thyristor: thyristor
Quantity in set/package: 1000pcs.
Turn-on time: 2µs
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+26.94 грн
24+17.68 грн
50+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PHE13009,127 PHE13009,127 WeEn Semiconductors phe13009.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+58.36 грн
10+48.86 грн
50+39.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PHE13009/DG,127 PHE13009/DG,127 WeEn Semiconductors phe13009.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Heatsink thickness: max. 1.3mm
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MAC97A6,116 MAC97A6,116 WeEn Semiconductors mac97a6.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MAC97A6,412 MAC97A6,412 WeEn Semiconductors mac97a6.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
на замовлення 1729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+24.24 грн
25+17.26 грн
31+13.59 грн
100+9.00 грн
500+6.34 грн
1000+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204-800B,127 BTA204-800B,127 WeEn Semiconductors bta204-800b.pdf BTA204-800B__127.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 4A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+29.18 грн
17+24.68 грн
19+22.10 грн
30+19.59 грн
100+17.59 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BT151-500R,127 BT151-500R,127 WeEn Semiconductors BT151-500R.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12A; 7.5A; Igt: 2mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12A
Load current: 7.5A
Gate current: 2mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 2197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+64.65 грн
15+28.85 грн
25+23.51 грн
50+20.68 грн
100+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BT151-500RT,127 BT151-500RT,127 WeEn Semiconductors BT151-500RT.pdf _ween_psg2020.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12.5A; 8A; Igt: 2mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12.5A
Load current: 8A
Gate current: 2mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+56.57 грн
13+34.35 грн
25+27.51 грн
100+24.76 грн
500+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BTA41-800BQ BTA41-800BQ WeEn Semiconductors BTA41-800B.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 40A; SOT1292,TO3P; Igt: 50/70mA; Ifsm: 400A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 40A
Case: SOT1292; TO3P
Gate current: 50/70mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. forward impulse current: 0.4kA
Technology: 4Q
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+281.95 грн
3+242.63 грн
10+206.78 грн
30+170.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600,127 BT137-600,127 WeEn Semiconductors BT137-600.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+74.53 грн
11+38.52 грн
25+34.44 грн
50+31.60 грн
100+28.93 грн
500+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600/L01,127 WeEn Semiconductors bt137-600.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600D,127 BT137-600D,127 WeEn Semiconductors BT137-600D.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 5/10mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 5/10mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+74.53 грн
10+45.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600E,127 BT137-600E,127 WeEn Semiconductors BT137-600E.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+74.53 грн
10+45.69 грн
25+37.60 грн
50+32.60 грн
100+28.52 грн
500+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600E/DG WeEn Semiconductors bt137-600e.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600E/L01,127 WeEn Semiconductors bt137-600e.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600G,127 BT137-600G,127 WeEn Semiconductors bt137-600g.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 50/100mA; Ifsm: 65A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 50/100mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+63.75 грн
10+43.36 грн
100+30.60 грн
500+24.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600G0TQ WeEn Semiconductors bt137-600g0t.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 500V; 8A; TO220AB; Igt: 50/100mA; Ifsm: 65A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 50/100mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA416Y-600C,127 BTA416Y-600C,127 WeEn Semiconductors BTA416Y-600C.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 160A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 160A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+85.30 грн
10+55.86 грн
50+49.11 грн
100+47.03 грн
500+41.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BTA41-600BQ BTA41-600BQ WeEn Semiconductors BTA41-600B.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 40A; SOT1292,TO3P; Igt: 50/70mA; Ifsm: 400A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 40A
Case: SOT1292; TO3P
Gate current: 50/70mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 4Q
Max. forward impulse current: 0.4kA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.17 грн
10+209.28 грн
30+176.76 грн
90+146.75 грн
450+130.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTA410Y-600BT,127 BTA410Y-600BT,127 WeEn Semiconductors bta410y-600bt.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 10A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 10A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-600CT,118 bta312b-600ct.pdf
BTA312B-600CT,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA312B-600CT,118 - Triac, 600 V, 12 A, TO-263 (D2PAK), 1 V, 100 A, 35 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-263 (D2PAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 35mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 100A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.64 грн
500+42.77 грн
1000+33.48 грн
5000+25.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-600B,118 bta312b-600b.pdf
BTA312B-600B,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA312B-600B,118 - Triac, 600 V, 12 A, TO-263 (D2PAK), 1 V, 100 A, 60 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-263 (D2PAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 60mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 100A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+59.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204S-800E,118 2724526.pdf
BTA204S-800E,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA204S-800E,118 - Triac, 800 V, 4 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 25 A, 12 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 12mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+73.63 грн
19+48.85 грн
100+33.58 грн
500+25.01 грн
1000+20.93 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BT136S-600D,118 2623891.pdf
BT136S-600D,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136S-600D,118 - Triac, 600 V, 4 A, SOT-428, 1.5 V, 25 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-428
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+92.49 грн
16+57.20 грн
100+35.56 грн
500+25.35 грн
1000+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
WNC3060D45160WQ 3204975.pdf
WNC3060D45160WQ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNC3060D45160WQ - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 30 A, Einfach
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: -
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+303.50 грн
10+202.93 грн
100+155.34 грн
500+141.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650BJ 3672592.pdf
WNSC2D10650BJ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650BJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+102.36 грн
500+85.88 грн
1000+70.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTA440Z-1200ATQ 4553164.pdf
BTA440Z-1200ATQ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA440Z-1200ATQ - Triac, 1.2 kV, 40 A, IITO-3P, 1.2 V, 440 A, 80 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: IITO-3P
rohsCompliant: TBA
Haltestrom, max.: 80mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 440A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.4V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: AT Series
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+227.17 грн
10+199.34 грн
100+165.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BTA410Y-800CT,127 4553165.pdf
BTA410Y-800CT,127
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA410Y-800CT,127 - Triac, 800 V, 10 A, TO-220, 1 V, 110 A, 35 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 35mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 110A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CT Series
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+159.83 грн
10+102.36 грн
100+82.88 грн
500+61.28 грн
1000+50.41 грн
5000+43.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D20650W6Q
WNSC5D20650W6Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC5D20650W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 28 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+282.84 грн
10+184.07 грн
100+140.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D206506Q 3928021.pdf
WNSC5D206506Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC5D206506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 28 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+237.05 грн
10+158.93 грн
100+119.42 грн
500+97.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC006H12B2P6T 4553146.pdf
WMSC006H12B2P6T
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WMSC006H12B2P6T - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, WeEnPACK-B2
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: WeEnPACK-B2
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8677.47 грн
5+8011.21 грн
10+7211.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BT136S-600D,118 2623891.pdf
BT136S-600D,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136S-600D,118 - Triac, 600 V, 4 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 27 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 27A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 4A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BT136S
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+92.49 грн
16+57.20 грн
100+35.56 грн
500+25.35 грн
1000+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BT136S-600D,118 2623891.pdf
BT136S-600D,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136S-600D,118 - Triac, 600 V, 4 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 27 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 27A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 4A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BT136S
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.56 грн
500+25.35 грн
1000+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D501200W6Q
WNSC2D501200W6Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D501200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 125 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 125nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1024.52 грн
5+733.60 грн
10+587.24 грн
50+508.61 грн
100+455.63 грн
250+441.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200W-B6Q
WNSC2D201200W-B6Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200W-B6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 36 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+405.86 грн
10+246.93 грн
100+193.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650WQ WNSC2D10650W.pdf
WNSC2D10650WQ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+201.13 грн
10+121.22 грн
100+96.08 грн
500+82.21 грн
1000+69.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WG30R135W1Q 4553155.pdf
WG30R135W1Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG30R135W1Q - IGBT, 60 A, 1.7 V, 428 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+323.25 грн
10+161.62 грн
100+134.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WG25R135W1Q 4553158.pdf
WG25R135W1Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG25R135W1Q - IGBT, 50 A, 1.85 V, 300 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+189.46 грн
10+170.60 грн
100+137.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WG30N65HAW1Q
WG30N65HAW1Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG30N65HAW1Q - IGBT, 60 A, 1.55 V, 312 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+164.32 грн
10+143.67 грн
100+119.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WG40N120MFW1Q
WG40N120MFW1Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N120MFW1Q - IGBT, 80 A, 1.68 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.68V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+430.10 грн
10+285.54 грн
100+227.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WG40N120HFW1Q
WG40N120HFW1Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N120HFW1Q - IGBT, 80 A, 2.2 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+332.23 грн
10+290.92 грн
100+240.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WG30R140W1Q 4553156.pdf
WG30R140W1Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG30R140W1Q - IGBT, 60 A, 1.8 V, 357 W, 1.4 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.4kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+328.64 грн
10+164.32 грн
100+136.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WG40N120UFW1Q
WG40N120UFW1Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N120UFW1Q - IGBT, 80 A, 1.75 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+479.49 грн
10+318.76 грн
100+253.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC006H12B2S6T 4553147.pdf
WMSC006H12B2S6T
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WMSC006H12B2S6T - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, WeEnPACK-B2
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: WeEnPACK-B2
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8397.32 грн
5+7783.14 грн
10+7066.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650Q 3672593.pdf
WNSC2D04650Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+137.38 грн
11+87.82 грн
100+58.18 грн
500+42.02 грн
1000+34.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D021200D6J WNSC2D021200D.pdf
WNSC2D021200D6J
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D021200D6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 8 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+39.78 грн
26+34.84 грн
100+33.67 грн
500+30.18 грн
1000+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D021200D6J WNSC2D021200D.pdf
WNSC2D021200D6J
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D021200D6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 8 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.67 грн
500+30.18 грн
1000+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D301200W6Q WNSC2D301200W.pdf
WNSC2D301200W6Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D301200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 30 A, 68 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 68nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+374.43 грн
10+327.74 грн
100+271.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D601200W6Q
WNSC2D601200W6Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D601200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 60 A, 143 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 143nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+659.07 грн
5+562.10 грн
10+465.12 грн
50+396.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30MW-650PT2Q
BYC30MW-650PT2Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYC30MW-650PT2Q - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 30 A, Einfach, 2.75 V, 38 ns, 297 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 297A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.75V
Sperrverzögerungszeit: 38ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+189.46 грн
10+121.22 грн
100+83.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BTA208S-800E,118 2623927.pdf
BTA208S-800E,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA208S-800E,118 - Triac, 800 V, 8 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 72 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 72A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 8A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BTA208
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+123.01 грн
50+77.49 грн
100+51.45 грн
500+38.10 грн
1000+31.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BTA208S-800E,118 2623927.pdf
BTA208S-800E,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA208S-800E,118 - Triac, 800 V, 8 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 72 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 72A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 8A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BTA208
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.45 грн
500+38.10 грн
1000+31.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTA208S-800E,118 2623927.pdf
BTA208S-800E,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA208S-800E,118 - Triac, 800 V, 8 A, SOT-428, 1.5 V, 65 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-428
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 65A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 8A
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BT137S-600D,118 WEEN-S-A0001703628-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BT137S-600D,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT137S-600D,118 - Triac, 600 V, 8 A, SOT-428, 1.5 V, 65 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-428
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 65A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 8A
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650DJ 3204981.pdf
WNSC2D04650DJ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.05 грн
500+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650DJ 3204981.pdf
WNSC2D04650DJ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.40 грн
12+81.62 грн
100+54.05 грн
500+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BTA16-600BQ BTA16-600B.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA16-600BQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 50/70mA; Ifsm: 160A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50/70mA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Technology: 4Q
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+88.89 грн
10+73.12 грн
50+62.78 грн
100+58.20 грн
500+47.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BTA16-800BQ BTA16-800B.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA16-800BQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; TO220AB; Igt: 50/70mA; Ifsm: 160A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50/70mA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 4Q
Max. forward impulse current: 160A
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+88.00 грн
10+58.03 грн
100+45.11 грн
500+37.19 грн
1000+34.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BTA408X-1000C0TQ bta408x-1000c0t.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA408X-1000C0TQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 1kV; 8A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 90A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 1kV
Max. load current: 8A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 90A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT152-800R,127 bt152-800r.pdf
BT152-800R,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 20A; 13A; Igt: 3mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 20A
Load current: 13A
Gate current: 3mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+108.65 грн
10+69.70 грн
50+59.28 грн
100+54.70 грн
250+47.61 грн
500+42.69 грн
1000+40.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BT169D,112 BT169D.pdf _ween_psg2020.pdf
BT169D,112
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 400V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50mA; TO92; THT; bulk; 2us
Mounting: THT
Case: TO92
Kind of package: bulk
Gate current: 50mA
Load current: 0.5A
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 8A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Type of thyristor: thyristor
Quantity in set/package: 1000pcs.
Turn-on time: 2µs
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+26.94 грн
24+17.68 грн
50+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PHE13009,127 phe13009.pdf
PHE13009,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+58.36 грн
10+48.86 грн
50+39.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PHE13009/DG,127 phe13009.pdf
PHE13009/DG,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Heatsink thickness: max. 1.3mm
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MAC97A6,116 mac97a6.pdf
MAC97A6,116
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MAC97A6,412 mac97a6.pdf
MAC97A6,412
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
на замовлення 1729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+24.24 грн
25+17.26 грн
31+13.59 грн
100+9.00 грн
500+6.34 грн
1000+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204-800B,127 bta204-800b.pdf BTA204-800B__127.pdf
BTA204-800B,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 4A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+29.18 грн
17+24.68 грн
19+22.10 грн
30+19.59 грн
100+17.59 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BT151-500R,127 BT151-500R.pdf
BT151-500R,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12A; 7.5A; Igt: 2mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12A
Load current: 7.5A
Gate current: 2mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 2197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+64.65 грн
15+28.85 грн
25+23.51 грн
50+20.68 грн
100+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BT151-500RT,127 BT151-500RT.pdf _ween_psg2020.pdf
BT151-500RT,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12.5A; 8A; Igt: 2mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12.5A
Load current: 8A
Gate current: 2mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+56.57 грн
13+34.35 грн
25+27.51 грн
100+24.76 грн
500+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BTA41-800BQ BTA41-800B.pdf
BTA41-800BQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 40A; SOT1292,TO3P; Igt: 50/70mA; Ifsm: 400A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 40A
Case: SOT1292; TO3P
Gate current: 50/70mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. forward impulse current: 0.4kA
Technology: 4Q
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+281.95 грн
3+242.63 грн
10+206.78 грн
30+170.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600,127 BT137-600.pdf _ween_psg2020.pdf
BT137-600,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+74.53 грн
11+38.52 грн
25+34.44 грн
50+31.60 грн
100+28.93 грн
500+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600/L01,127 bt137-600.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600D,127 BT137-600D.pdf _ween_psg2020.pdf
BT137-600D,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 5/10mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 5/10mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+74.53 грн
10+45.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600E,127 BT137-600E.pdf _ween_psg2020.pdf
BT137-600E,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+74.53 грн
10+45.69 грн
25+37.60 грн
50+32.60 грн
100+28.52 грн
500+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600E/DG bt137-600e.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600E/L01,127 bt137-600e.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600G,127 bt137-600g.pdf
BT137-600G,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 50/100mA; Ifsm: 65A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 50/100mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+63.75 грн
10+43.36 грн
100+30.60 грн
500+24.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600G0TQ bt137-600g0t.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 500V; 8A; TO220AB; Igt: 50/100mA; Ifsm: 65A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 50/100mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA416Y-600C,127 BTA416Y-600C.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA416Y-600C,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 160A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 160A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+85.30 грн
10+55.86 грн
50+49.11 грн
100+47.03 грн
500+41.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BTA41-600BQ BTA41-600B.pdf
BTA41-600BQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 40A; SOT1292,TO3P; Igt: 50/70mA; Ifsm: 400A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 40A
Case: SOT1292; TO3P
Gate current: 50/70mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 4Q
Max. forward impulse current: 0.4kA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.17 грн
10+209.28 грн
30+176.76 грн
90+146.75 грн
450+130.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTA410Y-600BT,127 bta410y-600bt.pdf
BTA410Y-600BT,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 10A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 10A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 72 81 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 97  [ Наступна Сторінка >> ]