Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > Всі товари виробника WEEN SEMICONDUCTORS (5686) > Сторінка 89 з 95

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 72 81 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BTA204X-800C,127 BTA204X-800C,127 WeEn Semiconductors BTA204X-800C.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 4A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT151X-800R,127 BT151X-800R,127 WeEn Semiconductors BT151X-800R.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 12A; 7.5A; Igt: 2mA; TO220FP; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Load current: 7.5A
Gate current: 2mA
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Turn-on time: 2µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT136X-800E,127 BT136X-800E,127 WeEn Semiconductors BT136X-800E.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 4A; TO220FP; Igt: 10/25mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Case: TO220FP
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 371 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+37.78 грн
14+31.90 грн
50+26.64 грн
100+24.14 грн
250+21.13 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BTA208X-600E,127 BTA208X-600E,127 WeEn Semiconductors _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220FP; Igt: 10mA; Ifsm: 65A; 3Q,Hi-Com
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of thyristor: triac
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Gate current: 10mA
Max. load current: 8A
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 3Q; Hi-Com
на замовлення 636 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+92.64 грн
10+54.54 грн
50+41.51 грн
100+37.17 грн
500+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BTA208X-800B,127 BTA208X-800B,127 WeEn Semiconductors bta208x-800b.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 8A; TO220FP; Igt: 50mA; Ifsm: 65A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Case: TO220FP
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA208X-800E,127 BTA208X-800E,127 WeEn Semiconductors _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 8A; TO220FP; Igt: 10mA; Ifsm: 65A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Case: TO220FP
Gate current: 10mA
Technology: 3Q; Hi-Com
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. forward impulse current: 65A
на замовлення 395 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.17 грн
13+34.74 грн
25+31.49 грн
100+27.64 грн
250+25.56 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600.127 BT137-600.127 WeEn Semiconductors BT137-600.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT136-600 BT136-600 WeEn Semiconductors BT136-600.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 4Q
Max. forward impulse current: 25A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WG40N65DFJQ WeEn Semiconductors Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 26W; SOT1293,TO3PF
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 26W
Case: SOT1293; TO3PF
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 173nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT152B-1200TJ WeEn Semiconductors BT152B-1200T.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 31A; 20A; Igt: 35mA; D2PAK; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 31A
Load current: 20A
Gate current: 35mA
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 250A
Turn-on time: 2µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WG50N65HFW1Q WeEn Semiconductors Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 138nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT136X-600E/DG,127 WeEn Semiconductors BT136X-600E.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220FP; Igt: 10/25mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220FP
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MAC97A8/DG,412 WeEn Semiconductors PHGLS28890-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MAC97A8.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT139-600-0TQ WeEn Semiconductors BT139600.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 50/100mA; Ifsm: 155A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50/100mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 4Q
Max. forward impulse current: 155A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT139-600G0TQ WeEn Semiconductors BT139-600G0T.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 50/100mA; Ifsm: 155A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50/100mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 4Q
Max. forward impulse current: 155A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT138-600-0TQ WeEn Semiconductors BT138-600%20Product%20Rev.02.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 50/100mA; Ifsm: 95A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 50/100mA
Max. forward impulse current: 95A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT138-600/DG,127 WeEn Semiconductors BT138-600.pdf PHGLS28578-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 95A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 95A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204X-800C/L03Q WeEn Semiconductors bta204x-800c.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 4A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA416X-800CTQ WeEn Semiconductors BTA416X-800CT.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 160A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. forward impulse current: 160A
Technology: 3Q; Hi-Com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA410-800BT,127 WeEn Semiconductors BTA410-800BT.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 10A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 10A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA416X-800BTQ WeEn Semiconductors BTA416X-800BT.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; TO220FP; Igt: 50mA; Ifsm: 160A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Case: TO220FP
Gate current: 50mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. forward impulse current: 160A
Technology: 3Q; Hi-Com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA408X-1000C0T,127 WeEn Semiconductors BTA408X-1000C0T.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 1kV; 8A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 1kV
Max. load current: 8A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT134W-800EF BT134W-800EF WeEn Semiconductors BT134W-800E.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 2A; SOT223; Igt: 10mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate
Mounting: SMD
Case: SOT223
Technology: 4Q
Gate current: 10mA
Type of thyristor: triac
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 2A
Max. forward impulse current: 25A
Max. off-state voltage: 0.8kV
на замовлення 3614 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.97 грн
16+27.23 грн
100+16.29 грн
250+14.62 грн
500+13.03 грн
1000+11.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ5.0CAJ WeEn Semiconductors SMAJ Series.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 6.45÷6.98V; 43.5A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.45...6.98V
Max. forward impulse current: 43.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 0.4mA
Manufacturer series: SMAJ
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT138Y-800E,127 BT138Y-800E,127 WeEn Semiconductors BT138Y-800E.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 95A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 95A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 829 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+57.56 грн
11+39.59 грн
50+35.24 грн
250+31.65 грн
500+29.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BT136-600D/DG,127 WeEn Semiconductors BT136-600D.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220AB; Igt: 5/10mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 5/10mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT136-600/DG,127 WeEn Semiconductors BT136-600%20Product%20Rev.02.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT151-650LTFQ WeEn Semiconductors BT151-650LTF.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 650V; Ifmax: 12A; 7.5A; Igt: 5mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 12A
Load current: 7.5A
Gate current: 5mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Turn-on time: 2µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT151S-650SJ WeEn Semiconductors BT151S-650S.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 650V; Ifmax: 12A; 7.5A; Igt: 200uA; DPAK; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 12A
Load current: 7.5A
Gate current: 0.2mA
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 90A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT169D/DG,126 WeEn Semiconductors BT169_Series.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 400V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 200uA; TO92; THT; Ammo Pack
Mounting: THT
Case: TO92
Kind of package: Ammo Pack
Gate current: 0.2mA
Load current: 0.5A
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 9A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Type of thyristor: thyristor
Quantity in set/package: 2000pcs.
Turn-on time: 2µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT169G-L,412 WeEn Semiconductors BT169_Series.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50mA; TO92; THT; Ifsm: 8A; 2us
Mounting: THT
Case: TO92
Gate current: 50mA
Load current: 0.5A
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 8A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of thyristor: thyristor
Turn-on time: 2µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT169G-MQP WeEn Semiconductors BT169G-M.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50mA; TO92; THT; Ifsm: 8A; 2us
Mounting: THT
Case: TO92
Gate current: 50mA
Load current: 0.5A
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 8A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of thyristor: thyristor
Turn-on time: 2µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT169G/DG,126 WeEn Semiconductors BT169_Series.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50mA; TO92; THT; Ifsm: 8A; 2us
Mounting: THT
Case: TO92
Gate current: 50mA
Load current: 0.5A
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 8A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of thyristor: thyristor
Turn-on time: 2µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT169H-LML WeEn Semiconductors BT169H.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 100uA; TO92; THT; Ifsm: 9A
Mounting: THT
Case: TO92
Gate current: 100µA
Load current: 0.5A
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 9A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Type of thyristor: thyristor
Turn-on time: 2µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT169H/01U WeEn Semiconductors BT169H.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 100uA; TO92; THT; Ifsm: 9A
Mounting: THT
Case: TO92
Gate current: 100µA
Load current: 0.5A
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 9A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Type of thyristor: thyristor
Turn-on time: 2µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-800G0TQ BT137-800G0TQ WeEn Semiconductors BT137-800G0T.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 8A; TO220AB; Igt: 50/100mA; Ifsm: 65A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 50/100mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+56.66 грн
13+34.08 грн
50+29.82 грн
250+25.72 грн
500+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BYV42E-200,127 BYV42E-200,127 WeEn Semiconductors BYV42E_SERIES.pdf _ween_psg2020.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 15Ax2; tube; Ifsm: 150A; SOT78,TO220AB
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 150A
Case: SOT78; TO220AB
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 30A
Reverse recovery time: 28ns
Heatsink thickness: max. 1.3mm
на замовлення 719 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+80.05 грн
8+58.46 грн
10+49.28 грн
50+47.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D20650W6Q WeEn Semiconductors WNSC5D20650W6Q.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
Max. load current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA445Z-800BTQ WeEn Semiconductors bta445z-800ct.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 45A; SOT1292,TO3P; Igt: 50mA; Ifsm: 495A; 3Q,Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature
Case: SOT1292; TO3P
Mounting: THT
Type of thyristor: triac
Kind of package: tube
Gate current: 50mA
Max. load current: 45A
Max. forward impulse current: 495A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Technology: 3Q; Hi-Com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D20650X6Q WNSC5D20650X6Q WeEn Semiconductors WNSC5D20650X6Q.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
на замовлення 839 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+169.09 грн
5+140.31 грн
25+124.44 грн
100+111.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BTA208S-800E,118 BTA208S-800E,118 WeEn Semiconductors bta208-800e.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 8A; DPAK; Igt: 10mA; Ifsm: 65A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Case: DPAK
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+76.45 грн
10+53.45 грн
25+45.02 грн
50+39.50 грн
100+34.99 грн
250+30.48 грн
500+27.64 грн
1000+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC126506Q NXPSC126506Q WeEn Semiconductors en Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 72A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC12650B6J NXPSC12650B6J WeEn Semiconductors NXPSC12650B6J.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 12A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 72A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA416B-800BTJ WeEn Semiconductors Category: Unclassified
Description: BTA416B-800BTJ
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1600+35.89 грн
Мінімальне замовлення: 1600
В кошику  од. на суму  грн.
BYV29-500.127 BYV29-500.127 WeEn Semiconductors BYV29-500.pdf _ween_psg2020.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 500V; 9A; tube; Ifsm: 110A; SOD59,TO220AC
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 500V
Load current: 9A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 110A
Case: SOD59; TO220AC
Max. forward voltage: 0.9V
Heatsink thickness: max. 1.3mm
Reverse recovery time: 60ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYV29-500,127 BYV29-500,127 WeEn Semiconductors BYV29-500.pdf _ween_psg2020.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 500V; 9A; tube; Ifsm: 110A; SOD59,TO220AC
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 500V
Load current: 9A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 110A
Case: SOD59; TO220AC
Max. forward voltage: 0.9V
Heatsink thickness: max. 1.3mm
Reverse recovery time: 60ns
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+58.46 грн
11+41.42 грн
12+35.16 грн
25+29.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BYV79E-200,127 BYV79E-200,127 WeEn Semiconductors BYV79E-200.pdf _ween_psg2020.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 14A; tube; Ifsm: 160A; SOD59,TO220AC
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 14A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Case: SOD59; TO220AC
Max. forward voltage: 0.83V
Heatsink thickness: max. 1.3mm
Reverse recovery time: 30ns
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+73.75 грн
8+52.45 грн
10+43.18 грн
25+33.57 грн
50+31.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BYC15-600,127 BYC15-600,127 WeEn Semiconductors BYC15-600.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 15A; tube; Ifsm: 200A; SOD59,TO220AC
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 15A
Case: SOD59; TO220AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Reverse recovery time: 19ns
Max. forward voltage: 1.4V
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+50.37 грн
11+39.42 грн
25+34.99 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BYC15-600PQ BYC15-600PQ WeEn Semiconductors BYC15-600P.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 15A; tube; Ifsm: 180A; SOD59,TO220AC
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 30A
Load current: 15A
Case: SOD59; TO220AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 180A
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Reverse recovery time: 18ns
Max. forward voltage: 2V
на замовлення 771 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+63.86 грн
50+32.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BTA216-800B,127 BTA216-800B,127 WeEn Semiconductors BTA216-800B.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ18AJ WeEn Semiconductors SMAJ Series.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 20.19÷21.9V; 13.7A; unidirectional; SMA; SMAJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 18V
Breakdown voltage: 20.19...21.9V
Max. forward impulse current: 13.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMAJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ACT108W-600E,135 ACT108W-600E,135 WeEn Semiconductors ACT108W-600E.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Thyristors - others
Description: Thyristor: AC switch; 600V; Ifmax: 0.8A; Igt: 10mA; SOT223; SMD
Type of thyristor: AC switch
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 0.8A
Gate current: 10mA
Case: SOT223
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: internally triggered
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2107 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+26.98 грн
27+15.70 грн
50+13.11 грн
100+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
ACT108W-600D,135 ACT108W-600D,135 WeEn Semiconductors act108w-600d.pdf ACT108W-600D.pdf Category: Thyristors - others
Description: Thyristor: AC switch; 600V; Ifmax: 0.8A; Igt: 5mA; SOT223; SMD
Type of thyristor: AC switch
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 0.8A
Gate current: 5mA
Case: SOT223
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: internally triggered
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3805 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+40.47 грн
18+23.38 грн
28+15.12 грн
100+14.28 грн
500+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MURS160BJ WeEn Semiconductors MURS160B.pdf _ween_psg2020.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 75ns; SMB; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 35A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SMB
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 35A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYC15X-600PQ BYC15X-600PQ WeEn Semiconductors BYC15X-600P.pdf _ween_psg2020.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 15A; tube; Ifsm: 200A; Ufmax: 1.4V; 39ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Case: SOD113; TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.4V
Reverse recovery time: 39ns
на замовлення 974 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+58.46 грн
10+44.77 грн
25+39.09 грн
100+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BYC15X-600,127 BYC15X-600,127 WeEn Semiconductors BYC15X-600.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 15A; tube; Ifsm: 200A; Ufmax: 1.4V; 19ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Case: SOD113; TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.4V
Reverse recovery time: 19ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYC15-1200PQ BYC15-1200PQ WeEn Semiconductors BYC15-1200P.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 15A; tube; Ifsm: 180A; SOD59,TO220AC
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 180A
Case: SOD59; TO220AC
Max. forward voltage: 2V
Reverse recovery time: 61ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYC15M-650PQ WeEn Semiconductors BYC15M-650PQ.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 15A; tube; Ifsm: 180A; SOD59,TO220AC
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 180A
Case: SOD59; TO220AC
Max. forward voltage: 2.3V
Reverse recovery time: 14ns
Max. load current: 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYV32EB-200,118 BYV32EB-200,118 WeEn Semiconductors BYV32EB-200.pdf _ween_psg2020.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 10Ax2; 25ns; D2PAK,SOT404; Ifsm: 137A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 137A
Case: D2PAK; SOT404
Max. forward voltage: 0.72V
Max. load current: 20A
Reverse recovery time: 25ns
на замовлення 327 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+131.32 грн
10+75.58 грн
50+59.97 грн
60+58.46 грн
100+54.54 грн
250+48.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BYV10MX-600PQ BYV10MX-600PQ WeEn Semiconductors BYV10MX-600P.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 10A; tube; Ifsm: 100A; 35ns
Type of diode: rectifying
Case: SOD113; TO220FP-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 35ns
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204X-800C,127 BTA204X-800C.pdf
BTA204X-800C,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 4A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT151X-800R,127 BT151X-800R.pdf
BT151X-800R,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 12A; 7.5A; Igt: 2mA; TO220FP; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Load current: 7.5A
Gate current: 2mA
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Turn-on time: 2µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT136X-800E,127 BT136X-800E.pdf _ween_psg2020.pdf
BT136X-800E,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 4A; TO220FP; Igt: 10/25mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Case: TO220FP
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 371 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+37.78 грн
14+31.90 грн
50+26.64 грн
100+24.14 грн
250+21.13 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BTA208X-600E,127 _ween_psg2020.pdf
BTA208X-600E,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220FP; Igt: 10mA; Ifsm: 65A; 3Q,Hi-Com
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of thyristor: triac
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Gate current: 10mA
Max. load current: 8A
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 3Q; Hi-Com
на замовлення 636 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+92.64 грн
10+54.54 грн
50+41.51 грн
100+37.17 грн
500+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BTA208X-800B,127 bta208x-800b.pdf
BTA208X-800B,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 8A; TO220FP; Igt: 50mA; Ifsm: 65A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Case: TO220FP
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA208X-800E,127 _ween_psg2020.pdf
BTA208X-800E,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 8A; TO220FP; Igt: 10mA; Ifsm: 65A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Case: TO220FP
Gate current: 10mA
Technology: 3Q; Hi-Com
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. forward impulse current: 65A
на замовлення 395 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+43.17 грн
13+34.74 грн
25+31.49 грн
100+27.64 грн
250+25.56 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600.127 BT137-600.pdf _ween_psg2020.pdf
BT137-600.127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT136-600 BT136-600.pdf _ween_psg2020.pdf
BT136-600
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 4Q
Max. forward impulse current: 25A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WG40N65DFJQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 26W; SOT1293,TO3PF
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 26W
Case: SOT1293; TO3PF
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 173nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT152B-1200TJ BT152B-1200T.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 31A; 20A; Igt: 35mA; D2PAK; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 31A
Load current: 20A
Gate current: 35mA
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 250A
Turn-on time: 2µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WG50N65HFW1Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 138nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT136X-600E/DG,127 BT136X-600E.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220FP; Igt: 10/25mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220FP
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MAC97A8/DG,412 PHGLS28890-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MAC97A8.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT139-600-0TQ BT139600.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 50/100mA; Ifsm: 155A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50/100mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 4Q
Max. forward impulse current: 155A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT139-600G0TQ BT139-600G0T.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 50/100mA; Ifsm: 155A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50/100mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 4Q
Max. forward impulse current: 155A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT138-600-0TQ BT138-600%20Product%20Rev.02.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 50/100mA; Ifsm: 95A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 50/100mA
Max. forward impulse current: 95A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT138-600/DG,127 BT138-600.pdf PHGLS28578-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 95A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 95A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204X-800C/L03Q bta204x-800c.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 4A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA416X-800CTQ BTA416X-800CT.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 160A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. forward impulse current: 160A
Technology: 3Q; Hi-Com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA410-800BT,127 BTA410-800BT.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 10A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 10A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA416X-800BTQ BTA416X-800BT.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; TO220FP; Igt: 50mA; Ifsm: 160A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Case: TO220FP
Gate current: 50mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. forward impulse current: 160A
Technology: 3Q; Hi-Com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA408X-1000C0T,127 BTA408X-1000C0T.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 1kV; 8A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 1kV
Max. load current: 8A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT134W-800EF BT134W-800E.pdf
BT134W-800EF
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 2A; SOT223; Igt: 10mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate
Mounting: SMD
Case: SOT223
Technology: 4Q
Gate current: 10mA
Type of thyristor: triac
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 2A
Max. forward impulse current: 25A
Max. off-state voltage: 0.8kV
на замовлення 3614 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+53.97 грн
16+27.23 грн
100+16.29 грн
250+14.62 грн
500+13.03 грн
1000+11.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ5.0CAJ SMAJ Series.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 6.45÷6.98V; 43.5A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.45...6.98V
Max. forward impulse current: 43.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 0.4mA
Manufacturer series: SMAJ
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT138Y-800E,127 BT138Y-800E.pdf
BT138Y-800E,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 95A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 95A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 829 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+57.56 грн
11+39.59 грн
50+35.24 грн
250+31.65 грн
500+29.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BT136-600D/DG,127 BT136-600D.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220AB; Igt: 5/10mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 5/10mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT136-600/DG,127 BT136-600%20Product%20Rev.02.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT151-650LTFQ BT151-650LTF.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 650V; Ifmax: 12A; 7.5A; Igt: 5mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 12A
Load current: 7.5A
Gate current: 5mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Turn-on time: 2µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT151S-650SJ BT151S-650S.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 650V; Ifmax: 12A; 7.5A; Igt: 200uA; DPAK; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 12A
Load current: 7.5A
Gate current: 0.2mA
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 90A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT169D/DG,126 BT169_Series.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 400V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 200uA; TO92; THT; Ammo Pack
Mounting: THT
Case: TO92
Kind of package: Ammo Pack
Gate current: 0.2mA
Load current: 0.5A
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 9A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Type of thyristor: thyristor
Quantity in set/package: 2000pcs.
Turn-on time: 2µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT169G-L,412 BT169_Series.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50mA; TO92; THT; Ifsm: 8A; 2us
Mounting: THT
Case: TO92
Gate current: 50mA
Load current: 0.5A
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 8A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of thyristor: thyristor
Turn-on time: 2µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT169G-MQP BT169G-M.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50mA; TO92; THT; Ifsm: 8A; 2us
Mounting: THT
Case: TO92
Gate current: 50mA
Load current: 0.5A
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 8A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of thyristor: thyristor
Turn-on time: 2µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT169G/DG,126 BT169_Series.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50mA; TO92; THT; Ifsm: 8A; 2us
Mounting: THT
Case: TO92
Gate current: 50mA
Load current: 0.5A
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 8A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of thyristor: thyristor
Turn-on time: 2µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT169H-LML BT169H.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 100uA; TO92; THT; Ifsm: 9A
Mounting: THT
Case: TO92
Gate current: 100µA
Load current: 0.5A
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 9A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Type of thyristor: thyristor
Turn-on time: 2µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT169H/01U BT169H.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 100uA; TO92; THT; Ifsm: 9A
Mounting: THT
Case: TO92
Gate current: 100µA
Load current: 0.5A
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 9A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Type of thyristor: thyristor
Turn-on time: 2µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-800G0TQ BT137-800G0T.pdf
BT137-800G0TQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 8A; TO220AB; Igt: 50/100mA; Ifsm: 65A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 50/100mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+56.66 грн
13+34.08 грн
50+29.82 грн
250+25.72 грн
500+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BYV42E-200,127 BYV42E_SERIES.pdf _ween_psg2020.pdf
BYV42E-200,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 15Ax2; tube; Ifsm: 150A; SOT78,TO220AB
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 150A
Case: SOT78; TO220AB
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 30A
Reverse recovery time: 28ns
Heatsink thickness: max. 1.3mm
на замовлення 719 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+80.05 грн
8+58.46 грн
10+49.28 грн
50+47.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D20650W6Q WNSC5D20650W6Q.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
Max. load current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA445Z-800BTQ bta445z-800ct.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 45A; SOT1292,TO3P; Igt: 50mA; Ifsm: 495A; 3Q,Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature
Case: SOT1292; TO3P
Mounting: THT
Type of thyristor: triac
Kind of package: tube
Gate current: 50mA
Max. load current: 45A
Max. forward impulse current: 495A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Technology: 3Q; Hi-Com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D20650X6Q WNSC5D20650X6Q.pdf
WNSC5D20650X6Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
на замовлення 839 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+169.09 грн
5+140.31 грн
25+124.44 грн
100+111.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BTA208S-800E,118 bta208-800e.pdf
BTA208S-800E,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 8A; DPAK; Igt: 10mA; Ifsm: 65A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Case: DPAK
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+76.45 грн
10+53.45 грн
25+45.02 грн
50+39.50 грн
100+34.99 грн
250+30.48 грн
500+27.64 грн
1000+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC126506Q en
NXPSC126506Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 72A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC12650B6J NXPSC12650B6J.pdf
NXPSC12650B6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 12A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 72A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA416B-800BTJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Unclassified
Description: BTA416B-800BTJ
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1600+35.89 грн
Мінімальне замовлення: 1600
В кошику  од. на суму  грн.
BYV29-500.127 BYV29-500.pdf _ween_psg2020.pdf
BYV29-500.127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 500V; 9A; tube; Ifsm: 110A; SOD59,TO220AC
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 500V
Load current: 9A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 110A
Case: SOD59; TO220AC
Max. forward voltage: 0.9V
Heatsink thickness: max. 1.3mm
Reverse recovery time: 60ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYV29-500,127 BYV29-500.pdf _ween_psg2020.pdf
BYV29-500,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 500V; 9A; tube; Ifsm: 110A; SOD59,TO220AC
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 500V
Load current: 9A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 110A
Case: SOD59; TO220AC
Max. forward voltage: 0.9V
Heatsink thickness: max. 1.3mm
Reverse recovery time: 60ns
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+58.46 грн
11+41.42 грн
12+35.16 грн
25+29.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BYV79E-200,127 BYV79E-200.pdf _ween_psg2020.pdf
BYV79E-200,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 14A; tube; Ifsm: 160A; SOD59,TO220AC
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 14A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Case: SOD59; TO220AC
Max. forward voltage: 0.83V
Heatsink thickness: max. 1.3mm
Reverse recovery time: 30ns
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+73.75 грн
8+52.45 грн
10+43.18 грн
25+33.57 грн
50+31.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BYC15-600,127 BYC15-600.pdf
BYC15-600,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 15A; tube; Ifsm: 200A; SOD59,TO220AC
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 15A
Case: SOD59; TO220AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Reverse recovery time: 19ns
Max. forward voltage: 1.4V
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+50.37 грн
11+39.42 грн
25+34.99 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BYC15-600PQ BYC15-600P.pdf
BYC15-600PQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 15A; tube; Ifsm: 180A; SOD59,TO220AC
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 30A
Load current: 15A
Case: SOD59; TO220AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 180A
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Reverse recovery time: 18ns
Max. forward voltage: 2V
на замовлення 771 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+63.86 грн
50+32.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BTA216-800B,127 BTA216-800B.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA216-800B,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ18AJ SMAJ Series.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 20.19÷21.9V; 13.7A; unidirectional; SMA; SMAJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 18V
Breakdown voltage: 20.19...21.9V
Max. forward impulse current: 13.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMAJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ACT108W-600E,135 ACT108W-600E.pdf _ween_psg2020.pdf
ACT108W-600E,135
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Thyristors - others
Description: Thyristor: AC switch; 600V; Ifmax: 0.8A; Igt: 10mA; SOT223; SMD
Type of thyristor: AC switch
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 0.8A
Gate current: 10mA
Case: SOT223
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: internally triggered
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2107 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+26.98 грн
27+15.70 грн
50+13.11 грн
100+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
ACT108W-600D,135 act108w-600d.pdf ACT108W-600D.pdf
ACT108W-600D,135
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Thyristors - others
Description: Thyristor: AC switch; 600V; Ifmax: 0.8A; Igt: 5mA; SOT223; SMD
Type of thyristor: AC switch
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 0.8A
Gate current: 5mA
Case: SOT223
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: internally triggered
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3805 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+40.47 грн
18+23.38 грн
28+15.12 грн
100+14.28 грн
500+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MURS160BJ MURS160B.pdf _ween_psg2020.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 75ns; SMB; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 35A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SMB
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 35A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYC15X-600PQ BYC15X-600P.pdf _ween_psg2020.pdf
BYC15X-600PQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 15A; tube; Ifsm: 200A; Ufmax: 1.4V; 39ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Case: SOD113; TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.4V
Reverse recovery time: 39ns
на замовлення 974 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+58.46 грн
10+44.77 грн
25+39.09 грн
100+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BYC15X-600,127 BYC15X-600.pdf
BYC15X-600,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 15A; tube; Ifsm: 200A; Ufmax: 1.4V; 19ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Case: SOD113; TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.4V
Reverse recovery time: 19ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYC15-1200PQ BYC15-1200P.pdf
BYC15-1200PQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 15A; tube; Ifsm: 180A; SOD59,TO220AC
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 180A
Case: SOD59; TO220AC
Max. forward voltage: 2V
Reverse recovery time: 61ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYC15M-650PQ BYC15M-650PQ.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 15A; tube; Ifsm: 180A; SOD59,TO220AC
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 180A
Case: SOD59; TO220AC
Max. forward voltage: 2.3V
Reverse recovery time: 14ns
Max. load current: 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYV32EB-200,118 BYV32EB-200.pdf _ween_psg2020.pdf
BYV32EB-200,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 10Ax2; 25ns; D2PAK,SOT404; Ifsm: 137A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 137A
Case: D2PAK; SOT404
Max. forward voltage: 0.72V
Max. load current: 20A
Reverse recovery time: 25ns
на замовлення 327 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+131.32 грн
10+75.58 грн
50+59.97 грн
60+58.46 грн
100+54.54 грн
250+48.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BYV10MX-600PQ BYV10MX-600P.pdf
BYV10MX-600PQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 10A; tube; Ifsm: 100A; 35ns
Type of diode: rectifying
Case: SOD113; TO220FP-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 35ns
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 72 81 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95  [ Наступна Сторінка >> ]