Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > Всі товари виробника WEEN SEMICONDUCTORS (6492) > Сторінка 89 з 109
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
OT412,115 | WeEn Semiconductors |
Category: Triacs Description: Triac; 1A; SOT223; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. load current: 1A Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 777 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
P1KSMBJ27AJ | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
P1KSMBJ27CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
P1KSMBJ68AJ | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
P1KSMBJ68CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
P4SOD33CAX | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
P4SOD36AX | WeEn Semiconductors | P4SOD36AX Unidirectional TVS SMD diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
P4SOD58AX | WeEn Semiconductors | P4SOD58AX Unidirectional TVS SMD diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
P6SMAL36AX | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 40÷44.2V; 10.4A; unidirectional; SMA flat; P6SMAL Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 36V Breakdown voltage: 40...44.2V Max. forward impulse current: 10.4A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMA flat Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: P6SMAL кількість в упаковці: 5 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
P6SMAL75AX | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 83.3÷92.1V; 5A; unidirectional; SMA flat; P6SMAL Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 75V Breakdown voltage: 83.3...92.1V Max. forward impulse current: 5A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMA flat Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: P6SMAL кількість в упаковці: 5 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
P6SMBJ28CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 31.33÷34.16V; 13.3A; bidirectional; SMB Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 28V Breakdown voltage: 31.33...34.16V Max. forward impulse current: 13.3A Semiconductor structure: bidirectional Case: SMB Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
P6SMBJ64CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 71.6÷78V; 5.9A; bidirectional; SMB; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 64V Breakdown voltage: 71.6...78V Max. forward impulse current: 5.9A Semiconductor structure: bidirectional Case: SMB Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
PHD13003C,126 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 1.5A; 2.1W; TO92 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Type of transistor: NPN Mounting: THT Case: TO92 Collector current: 1.5A Power dissipation: 2.1W Current gain: 8...25 Collector-emitter voltage: 700V Kind of package: Ammo Pack Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
PHD13005,127 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 4A Power dissipation: 75W Case: TO220AB Current gain: 10...40 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
PHE13003A,412 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1A; 2.1W; TO92 Type of transistor: NPN Mounting: THT Case: TO92 Collector current: 1A Power dissipation: 2.1W Current gain: 5...30 Collector-emitter voltage: 400V Kind of package: bulk Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
PHE13003C,126 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1.5A; 2.1W; TO92 Type of transistor: NPN Mounting: THT Case: TO92 Collector current: 1.5A Power dissipation: 2.1W Current gain: 5...25 Collector-emitter voltage: 400V Kind of package: Ammo Pack Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
PHE13003C,412 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1.5A; 2.1W; TO92 Type of transistor: NPN Mounting: THT Case: TO92 Collector current: 1.5A Power dissipation: 2.1W Current gain: 5...25 Collector-emitter voltage: 400V Kind of package: bulk Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
PHE13005,127 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 4A Power dissipation: 75W Case: TO220AB Current gain: 10...40 Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1073 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PHE13007,127 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 8A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Current gain: 8...40 Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 873 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PHE13009,127 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB Kind of package: tube Type of transistor: NPN Mounting: THT Case: TO220AB Current gain: 8...40 Collector current: 12A Power dissipation: 80W Collector-emitter voltage: 400V Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 379 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PHE13009/DG,127 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm Kind of package: tube Type of transistor: NPN Mounting: THT Case: TO220AB Heatsink thickness: max. 1.3mm Current gain: 8...40 Collector current: 12A Power dissipation: 80W Collector-emitter voltage: 400V Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
SK8DJ | WeEn Semiconductors | SK8DJ SMD universal diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SM8S33CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 6.6kW; 36.7÷40.6V; 124A; bidirectional; DO218J; SM8S Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 6.6kW Max. off-state voltage: 33V Breakdown voltage: 36.7...40.6V Max. forward impulse current: 124A Semiconductor structure: bidirectional Case: DO218J Mounting: SMD Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SM8S кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SM8S43CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 6.6kW; 47.8÷52.8V; 95.1A; bidirectional; DO218J; SM8S Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 6.6kW Max. off-state voltage: 43V Breakdown voltage: 47.8...52.8V Max. forward impulse current: 95.1A Semiconductor structure: bidirectional Case: DO218J Mounting: SMD Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SM8S кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMAJ18AJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 400W; 20.19÷21.9V; 13.7A; unidirectional; SMA; SMAJ Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Max. off-state voltage: 18V Breakdown voltage: 20.19...21.9V Max. forward impulse current: 13.7A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMA Mounting: SMD Leakage current: 1µA Manufacturer series: SMAJ Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
SMAJ30CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 400W; 33.55÷36.54V; 8.3A; bidirectional; SMA; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Max. off-state voltage: 30V Breakdown voltage: 33.55...36.54V Max. forward impulse current: 8.3A Semiconductor structure: bidirectional Case: SMA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMAJ Leakage current: 1µA кількість в упаковці: 5 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
SMAJ5.0CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 400W; 6.45÷6.98V; 43.5A; bidirectional; SMA; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Max. off-state voltage: 5V Breakdown voltage: 6.45...6.98V Max. forward impulse current: 43.5A Semiconductor structure: bidirectional Case: SMA Mounting: SMD Leakage current: 0.4mA Manufacturer series: SMAJ Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
SMBJ20AJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 22.41÷24.28V; 18.6A; unidirectional; SMB; SMBJ Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 20V Breakdown voltage: 22.41...24.28V Max. forward impulse current: 18.6A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMB Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMBJ кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 510 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SMBJ26AJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 29.12÷31.67V; 14.3A; unidirectional; SMB; SMBJ Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 26V Breakdown voltage: 29.12...31.67V Max. forward impulse current: 14.3A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMB Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMBJ кількість в упаковці: 5 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMBJ33AJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 36.98÷40.3V; 11.3A; unidirectional; SMB; SMBJ Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 33V Breakdown voltage: 36.98...40.3V Max. forward impulse current: 11.3A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMB Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMBJ кількість в упаковці: 5 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMBJ40CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMBJ60CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 400W; 67.2÷73.2V; 6.2A; bidirectional; SMA; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Max. off-state voltage: 60V Breakdown voltage: 67.2...73.2V Max. forward impulse current: 6.2A Semiconductor structure: bidirectional Case: SMA Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMBJ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMBJ78AJ | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMCJ15CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMCJ36CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 40.3÷43.9V; 25.9A; bidirectional; SMC; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Max. off-state voltage: 36V Breakdown voltage: 40.3...43.9V Max. forward impulse current: 25.9A Semiconductor structure: bidirectional Case: SMC Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMCJ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMCJ40CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 44.7÷48.8V; 23.3A; bidirectional; SMC; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Max. off-state voltage: 40V Breakdown voltage: 44.7...48.8V Max. forward impulse current: 23.3A Semiconductor structure: bidirectional Case: SMC Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMCJ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMCJ58AJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 65÷70.6V; 16.1A; unidirectional; SMC; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Max. off-state voltage: 58V Breakdown voltage: 65...70.6V Max. forward impulse current: 16.1A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMC Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMCJ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMDJ14AJ | WeEn Semiconductors | SMDJ14AJ Unidirectional TVS SMD diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMDJ28CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMDJ30AJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 3kW; 33.6÷36.59V; 62A; unidirectional; SMC; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 3kW Max. off-state voltage: 30V Breakdown voltage: 33.6...36.59V Max. forward impulse current: 62A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMC Mounting: SMD Leakage current: 1µA Manufacturer series: SMDJ Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMDJ30CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMDJ33AJ | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMDJ33CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMDJ40AJ | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMDJ43CAJ | WeEn Semiconductors | SMDJ43CAJ Bidirectional TVS SMD diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMDJ48CAJ | WeEn Semiconductors | SMDJ48CAJ Bidirectional TVS SMD diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMDJ51CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMDJ58CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMDJ64CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMDJ70CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 3kW; 78.4÷85.4V; 26.5A; bidirectional; SMC; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 3kW Max. off-state voltage: 70V Breakdown voltage: 78.4...85.4V Max. forward impulse current: 26.5A Semiconductor structure: bidirectional Case: SMC Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMDJ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SOD20AX | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
TB100EP | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
TB100ML | WeEn Semiconductors | TB100ML NPN THT transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BT136-600E,127 | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85413000 Bauform - Triac: TO-220AB rohsCompliant: Y-EX Haltestrom, max.: 15mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 RMS-Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 1V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Thyristormontage: Durchsteckmontage Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BT136X-600E,127 | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85413000 Bauform - Triac: TO-220FP rohsCompliant: Y-EX Haltestrom, max.: 15mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 RMS-Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 1V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Thyristormontage: Durchsteckmontage Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 5902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BT169D-L,116 | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES Haltestrom, max.: 1mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 8A MSL: - usEccn: EAR99 Durchlassstrom, durchschnittlich: 500mA RMS-Durchlassstrom: 800mA euEccn: NLR Zündspannung, max.: 800mV Periodische Spitzen-Sperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 50µA productTraceability: No Thyristormontage: Durchsteckmontage Bauform - Thyristor: TO-92 Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BT169B,126 | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES Haltestrom, max.: 5mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 8A usEccn: EAR99 Durchlassstrom, durchschnittlich: 500mA RMS-Durchlassstrom: 800mA euEccn: NLR Zündspannung, max.: 800mV Periodische Spitzen-Sperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 200µA productTraceability: No Thyristormontage: Durchsteckmontage Bauform - Thyristor: TO-92 Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 9177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BT169D,112 | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES Haltestrom, max.: 5mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 8A MSL: - usEccn: EAR99 Durchlassstrom, durchschnittlich: 500mA euEccn: NLR RMS-Durchlassstrom: 800mA Zündspannung, max.: 500mV Periodische Spitzen-Sperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 200µA productTraceability: No Thyristormontage: Durchsteckmontage Bauform - Thyristor: TO-92 Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BT169G,126 | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES Haltestrom, max.: 5mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 9A MSL: - usEccn: EAR99 Durchlassstrom, durchschnittlich: 500mA euEccn: NLR RMS-Durchlassstrom: 800mA Zündspannung, max.: 800mV Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BT169 Zündstrom, max.: 200µA productTraceability: No Thyristormontage: Durchsteckmontage Bauform - Thyristor: TO-92 Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BTA420-800BT,127 | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85413000 Bauform - Triac: TO-220AB rohsCompliant: Y-EX Haltestrom, max.: 40mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 200A Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 RMS-Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 1V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Thyristormontage: Durchsteckmontage Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
OT412,115 |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 1A; SOT223; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 1A; SOT223; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 777 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 19.74 грн |
25+ | 15.58 грн |
80+ | 14.06 грн |
100+ | 13.20 грн |
250+ | 12.73 грн |
P1KSMBJ27AJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
P1KSMBJ27AJ Unidirectional TVS SMD diodes
P1KSMBJ27AJ Unidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
P1KSMBJ27CAJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
P1KSMBJ27CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
P1KSMBJ27CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
P1KSMBJ68AJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
P1KSMBJ68AJ Unidirectional TVS SMD diodes
P1KSMBJ68AJ Unidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
P1KSMBJ68CAJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
P1KSMBJ68CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
P1KSMBJ68CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
P4SOD33CAX |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
P4SOD33CAX Bidirectional TVS SMD diodes
P4SOD33CAX Bidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
P4SOD36AX |
Виробник: WeEn Semiconductors
P4SOD36AX Unidirectional TVS SMD diodes
P4SOD36AX Unidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
P4SOD58AX |
Виробник: WeEn Semiconductors
P4SOD58AX Unidirectional TVS SMD diodes
P4SOD58AX Unidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
P6SMAL36AX |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 40÷44.2V; 10.4A; unidirectional; SMA flat; P6SMAL
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40...44.2V
Max. forward impulse current: 10.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA flat
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMAL
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 40÷44.2V; 10.4A; unidirectional; SMA flat; P6SMAL
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40...44.2V
Max. forward impulse current: 10.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA flat
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMAL
кількість в упаковці: 5 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
P6SMAL75AX |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 83.3÷92.1V; 5A; unidirectional; SMA flat; P6SMAL
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 75V
Breakdown voltage: 83.3...92.1V
Max. forward impulse current: 5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA flat
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMAL
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 83.3÷92.1V; 5A; unidirectional; SMA flat; P6SMAL
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 75V
Breakdown voltage: 83.3...92.1V
Max. forward impulse current: 5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA flat
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMAL
кількість в упаковці: 5 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
P6SMBJ28CAJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 31.33÷34.16V; 13.3A; bidirectional; SMB
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.33...34.16V
Max. forward impulse current: 13.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 31.33÷34.16V; 13.3A; bidirectional; SMB
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.33...34.16V
Max. forward impulse current: 13.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
P6SMBJ64CAJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 71.6÷78V; 5.9A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 64V
Breakdown voltage: 71.6...78V
Max. forward impulse current: 5.9A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 71.6÷78V; 5.9A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 64V
Breakdown voltage: 71.6...78V
Max. forward impulse current: 5.9A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PHD13003C,126 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 1.5A; 2.1W; TO92
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO92
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 2.1W
Current gain: 8...25
Collector-emitter voltage: 700V
Kind of package: Ammo Pack
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 1.5A; 2.1W; TO92
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO92
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 2.1W
Current gain: 8...25
Collector-emitter voltage: 700V
Kind of package: Ammo Pack
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PHD13005,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 4A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Current gain: 10...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 4A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Current gain: 10...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PHE13003A,412 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1A; 2.1W; TO92
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO92
Collector current: 1A
Power dissipation: 2.1W
Current gain: 5...30
Collector-emitter voltage: 400V
Kind of package: bulk
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1A; 2.1W; TO92
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO92
Collector current: 1A
Power dissipation: 2.1W
Current gain: 5...30
Collector-emitter voltage: 400V
Kind of package: bulk
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PHE13003C,126 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1.5A; 2.1W; TO92
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO92
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 2.1W
Current gain: 5...25
Collector-emitter voltage: 400V
Kind of package: Ammo Pack
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1.5A; 2.1W; TO92
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO92
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 2.1W
Current gain: 5...25
Collector-emitter voltage: 400V
Kind of package: Ammo Pack
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PHE13003C,412 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1.5A; 2.1W; TO92
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO92
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 2.1W
Current gain: 5...25
Collector-emitter voltage: 400V
Kind of package: bulk
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1.5A; 2.1W; TO92
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO92
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 2.1W
Current gain: 5...25
Collector-emitter voltage: 400V
Kind of package: bulk
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PHE13005,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 4A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Current gain: 10...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 4A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Current gain: 10...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 50.12 грн |
8+ | 41.62 грн |
10+ | 36.66 грн |
50+ | 29.25 грн |
62+ | 18.24 грн |
168+ | 17.29 грн |
5000+ | 16.62 грн |
PHE13007,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 873 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 98.19 грн |
25+ | 63.62 грн |
36+ | 31.25 грн |
99+ | 29.54 грн |
500+ | 28.40 грн |
PHE13009,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 379 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 73.64 грн |
10+ | 64.60 грн |
33+ | 34.10 грн |
90+ | 32.29 грн |
1000+ | 31.15 грн |
PHE13009/DG,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Heatsink thickness: max. 1.3mm
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Heatsink thickness: max. 1.3mm
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SK8DJ |
Виробник: WeEn Semiconductors
SK8DJ SMD universal diodes
SK8DJ SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SM8S33CAJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6.6kW; 36.7÷40.6V; 124A; bidirectional; DO218J; SM8S
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 6.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 124A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO218J
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SM8S
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6.6kW; 36.7÷40.6V; 124A; bidirectional; DO218J; SM8S
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 6.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 124A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO218J
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SM8S
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SM8S43CAJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6.6kW; 47.8÷52.8V; 95.1A; bidirectional; DO218J; SM8S
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 6.6kW
Max. off-state voltage: 43V
Breakdown voltage: 47.8...52.8V
Max. forward impulse current: 95.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO218J
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SM8S
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6.6kW; 47.8÷52.8V; 95.1A; bidirectional; DO218J; SM8S
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 6.6kW
Max. off-state voltage: 43V
Breakdown voltage: 47.8...52.8V
Max. forward impulse current: 95.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO218J
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SM8S
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMAJ18AJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 20.19÷21.9V; 13.7A; unidirectional; SMA; SMAJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 18V
Breakdown voltage: 20.19...21.9V
Max. forward impulse current: 13.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: SMAJ
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 20.19÷21.9V; 13.7A; unidirectional; SMA; SMAJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 18V
Breakdown voltage: 20.19...21.9V
Max. forward impulse current: 13.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: SMAJ
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMAJ30CAJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 33.55÷36.54V; 8.3A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.55...36.54V
Max. forward impulse current: 8.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMAJ
Leakage current: 1µA
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 33.55÷36.54V; 8.3A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.55...36.54V
Max. forward impulse current: 8.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMAJ
Leakage current: 1µA
кількість в упаковці: 5 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMAJ5.0CAJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 6.45÷6.98V; 43.5A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.45...6.98V
Max. forward impulse current: 43.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 0.4mA
Manufacturer series: SMAJ
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 6.45÷6.98V; 43.5A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.45...6.98V
Max. forward impulse current: 43.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 0.4mA
Manufacturer series: SMAJ
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMBJ20AJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 22.41÷24.28V; 18.6A; unidirectional; SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 20V
Breakdown voltage: 22.41...24.28V
Max. forward impulse current: 18.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 22.41÷24.28V; 18.6A; unidirectional; SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 20V
Breakdown voltage: 22.41...24.28V
Max. forward impulse current: 18.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 510 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 13.50 грн |
40+ | 7.99 грн |
100+ | 6.74 грн |
175+ | 6.55 грн |
475+ | 6.17 грн |
3000+ | 5.98 грн |
SMBJ26AJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 29.12÷31.67V; 14.3A; unidirectional; SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 29.12...31.67V
Max. forward impulse current: 14.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 29.12÷31.67V; 14.3A; unidirectional; SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 29.12...31.67V
Max. forward impulse current: 14.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
кількість в упаковці: 5 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMBJ33AJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36.98÷40.3V; 11.3A; unidirectional; SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.98...40.3V
Max. forward impulse current: 11.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36.98÷40.3V; 11.3A; unidirectional; SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.98...40.3V
Max. forward impulse current: 11.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
кількість в упаковці: 5 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMBJ40CAJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
SMBJ40CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
SMBJ40CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMBJ60CAJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 67.2÷73.2V; 6.2A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 60V
Breakdown voltage: 67.2...73.2V
Max. forward impulse current: 6.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 67.2÷73.2V; 6.2A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 60V
Breakdown voltage: 67.2...73.2V
Max. forward impulse current: 6.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMBJ78AJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
SMBJ78AJ Unidirectional TVS SMD diodes
SMBJ78AJ Unidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMCJ15CAJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
SMCJ15CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
SMCJ15CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMCJ36CAJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 40.3÷43.9V; 25.9A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40.3...43.9V
Max. forward impulse current: 25.9A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMCJ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 40.3÷43.9V; 25.9A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40.3...43.9V
Max. forward impulse current: 25.9A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMCJ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMCJ40CAJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 44.7÷48.8V; 23.3A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 44.7...48.8V
Max. forward impulse current: 23.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMCJ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 44.7÷48.8V; 23.3A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 44.7...48.8V
Max. forward impulse current: 23.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMCJ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMCJ58AJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 65÷70.6V; 16.1A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 58V
Breakdown voltage: 65...70.6V
Max. forward impulse current: 16.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMCJ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 65÷70.6V; 16.1A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 58V
Breakdown voltage: 65...70.6V
Max. forward impulse current: 16.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMCJ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMDJ14AJ |
Виробник: WeEn Semiconductors
SMDJ14AJ Unidirectional TVS SMD diodes
SMDJ14AJ Unidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMDJ28CAJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
SMDJ28CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
SMDJ28CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMDJ30AJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 33.6÷36.59V; 62A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.6...36.59V
Max. forward impulse current: 62A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: SMDJ
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 33.6÷36.59V; 62A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.6...36.59V
Max. forward impulse current: 62A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: SMDJ
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMDJ30CAJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
SMDJ30CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
SMDJ30CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMDJ33AJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
SMDJ33AJ Unidirectional TVS SMD diodes
SMDJ33AJ Unidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMDJ33CAJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
SMDJ33CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
SMDJ33CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMDJ40AJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
SMDJ40AJ Unidirectional TVS SMD diodes
SMDJ40AJ Unidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMDJ43CAJ |
Виробник: WeEn Semiconductors
SMDJ43CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
SMDJ43CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMDJ48CAJ |
Виробник: WeEn Semiconductors
SMDJ48CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
SMDJ48CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMDJ51CAJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
SMDJ51CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
SMDJ51CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMDJ58CAJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
SMDJ58CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
SMDJ58CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMDJ64CAJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
SMDJ64CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
SMDJ64CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMDJ70CAJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 78.4÷85.4V; 26.5A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 70V
Breakdown voltage: 78.4...85.4V
Max. forward impulse current: 26.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMDJ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 78.4÷85.4V; 26.5A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 70V
Breakdown voltage: 78.4...85.4V
Max. forward impulse current: 26.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMDJ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SOD20AX |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
SOD20AX Unidirectional TVS SMD diodes
SOD20AX Unidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TB100EP |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
TB100EP NPN THT transistors
TB100EP NPN THT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TB100ML |
Виробник: WeEn Semiconductors
TB100ML NPN THT transistors
TB100ML NPN THT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BT136-600E,127 |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136-600E,127 - Triac, 600 V, 4 A, TO-220AB, 1 V, 25 A, 15 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220AB
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 15mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136-600E,127 - Triac, 600 V, 4 A, TO-220AB, 1 V, 25 A, 15 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220AB
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 15mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 86.94 грн |
22+ | 40.23 грн |
100+ | 35.46 грн |
BT136X-600E,127 |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136X-600E,127 - Triac, 600 V, 4 A, TO-220FP, 1 V, 25 A, 15 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220FP
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 15mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136X-600E,127 - Triac, 600 V, 4 A, TO-220FP, 1 V, 25 A, 15 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220FP
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 15mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 87.79 грн |
22+ | 40.32 грн |
100+ | 35.54 грн |
500+ | 25.56 грн |
1000+ | 21.33 грн |
5000+ | 19.58 грн |
BT169D-L,116 |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT169D-L,116 - Thyristor, 400 V, 50 µA, 500 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 1mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 500mA
RMS-Durchlassstrom: 800mA
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 800mV
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 50µA
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Bauform - Thyristor: TO-92
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT169D-L,116 - Thyristor, 400 V, 50 µA, 500 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 1mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 500mA
RMS-Durchlassstrom: 800mA
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 800mV
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 50µA
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Bauform - Thyristor: TO-92
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 34.95 грн |
40+ | 21.56 грн |
100+ | 13.64 грн |
500+ | 9.42 грн |
BT169B,126 |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT169B,126 - Thyristor, 200 V, 200 µA, 500 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 5mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 8A
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 500mA
RMS-Durchlassstrom: 800mA
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 800mV
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 200µA
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Bauform - Thyristor: TO-92
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT169B,126 - Thyristor, 200 V, 200 µA, 500 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 5mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 8A
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 500mA
RMS-Durchlassstrom: 800mA
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 800mV
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 200µA
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Bauform - Thyristor: TO-92
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
29+ | 29.58 грн |
47+ | 18.24 грн |
100+ | 11.51 грн |
500+ | 7.35 грн |
1000+ | 5.37 грн |
5000+ | 5.14 грн |
BT169D,112 |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT169D,112 - Thyristor, 400 V, 200 µA, 500 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 5mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 500mA
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 800mA
Zündspannung, max.: 500mV
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 200µA
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Bauform - Thyristor: TO-92
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT169D,112 - Thyristor, 400 V, 200 µA, 500 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 5mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 500mA
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 800mA
Zündspannung, max.: 500mV
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 200µA
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Bauform - Thyristor: TO-92
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
27+ | 32.73 грн |
43+ | 20.20 грн |
100+ | 19.26 грн |
500+ | 16.46 грн |
1000+ | 13.95 грн |
5000+ | 12.64 грн |
BT169G,126 |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT169G,126 - Thyristor, 600 V, 200 µA, 500 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 5mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 9A
MSL: -
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 500mA
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 800mA
Zündspannung, max.: 800mV
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BT169
Zündstrom, max.: 200µA
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Bauform - Thyristor: TO-92
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT169G,126 - Thyristor, 600 V, 200 µA, 500 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 5mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 9A
MSL: -
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 500mA
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 800mA
Zündspannung, max.: 800mV
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BT169
Zündstrom, max.: 200µA
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Bauform - Thyristor: TO-92
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
BTA420-800BT,127 |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA420-800BT,127 - Triac, 800 V, 20 A, TO-220AB, 1 V, 200 A, 40 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220AB
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 40mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 200A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA420-800BT,127 - Triac, 800 V, 20 A, TO-220AB, 1 V, 200 A, 40 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220AB
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 40mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 200A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 159.39 грн |
12+ | 76.63 грн |
100+ | 68.53 грн |
500+ | 50.50 грн |
1000+ | 42.59 грн |