Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > Всі товари виробника WEEN SEMICONDUCTORS (6043) > Сторінка 89 з 101

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 100 101  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
WNSC2D601200W6Q WNSC2D601200W6Q WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D601200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 60 A, 143 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 143nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30MW-650PT2Q BYC30MW-650PT2Q WEEN SEMICONDUCTORS 4553162.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYC30MW-650PT2Q - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 30 A, Einfach, 2.75 V, 38 ns, 297 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 297A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 2.75V
Sperrverzögerungszeit: 38ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BTA208S-800E,118 BTA208S-800E,118 WEEN SEMICONDUCTORS 2623927.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA208S-800E,118 - Triac, 800 V, 8 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 72 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 72A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
RMS-Durchlassstrom: 8A
SVHC: To Be Advised
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BTA208
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA208S-800E,118 BTA208S-800E,118 WEEN SEMICONDUCTORS 2623927.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA208S-800E,118 - Triac, 800 V, 8 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 72 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 72A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
RMS-Durchlassstrom: 8A
SVHC: To Be Advised
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BTA208
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA208S-800E,118 BTA208S-800E,118 WEEN SEMICONDUCTORS 2623927.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA208S-800E,118 - Triac, 800 V, 8 A, SOT-428, 1.5 V, 65 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: SOT-428
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 65A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: N
RMS-Durchlassstrom: 8A
SVHC: To Be Advised
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650DJ WNSC2D04650DJ WEEN SEMICONDUCTORS 3204981.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650DJ WNSC2D04650DJ WEEN SEMICONDUCTORS 3204981.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D16650CW6Q WNSC6D16650CW6Q WEEN SEMICONDUCTORS 3689934.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D16650CW6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ACT108W-600E,135 ACT108W-600E,135 WEEN SEMICONDUCTORS 2623886.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - ACT108W-600E,135 - Triac, Schalter, 600 V, 800 mA, SOT-223, 1 V, 8.8 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: SOT-223
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 8.8A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.3V
isCanonical: N
MSL: -
RMS-Durchlassstrom: 800mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 37000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR860J MUR860J WEEN SEMICONDUCTORS 3204969.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - MUR860J - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Einfach, 1.25 V, 93 ns, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 200A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 93ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D16650B6J WNSC6D16650B6J WEEN SEMICONDUCTORS 3689924.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D16650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D16650B6J WNSC6D16650B6J WEEN SEMICONDUCTORS 3689924.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D16650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC008H12B2P6T WMSC008H12B2P6T WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WMSC008H12B2P6T - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 157 A, 1.2 kV, 0.013 ohm, WeEnPACK-B2
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 272W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: WeEnPACK-B2
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BT137S-600D,118 BT137S-600D,118 WEEN SEMICONDUCTORS WEEN-S-A0001703628-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT137S-600D,118 - Triac, 600 V, 8 A, SOT-428, 1.5 V, 65 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: SOT-428
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 65A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: N
RMS-Durchlassstrom: 8A
SVHC: To Be Advised
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA16-600BQ BTA16-600BQ WeEn Semiconductors BTA16-600B.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 50/70mA; Ifsm: 160A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50/70mA
Technology: 4Q
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 439 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+90.45 грн
10+74.40 грн
50+63.88 грн
100+59.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA16-800BQ BTA16-800BQ WeEn Semiconductors BTA16-800B.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; TO220AB; Igt: 50/70mA; Ifsm: 160A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50/70mA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Technology: 4Q
на замовлення 555 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+89.54 грн
10+59.05 грн
100+45.90 грн
500+37.84 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA408X-1000C0TQ BTA408X-1000C0TQ WeEn Semiconductors bta408x-1000c0t.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 1kV; 8A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 90A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 1kV
Max. load current: 8A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 90A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 351 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+57.56 грн
12+37.33 грн
25+32.83 грн
100+29.78 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT152-800R,127 BT152-800R,127 WeEn Semiconductors BT152-800R.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 20A; 13A; Igt: 3mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 20A
Load current: 13A
Gate current: 3mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+143.45 грн
10+86.20 грн
50+66.01 грн
100+59.39 грн
250+52.26 грн
500+47.93 грн
1000+44.20 грн
1250+43.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT169D,112 BT169D,112 WeEn Semiconductors BT169D.pdf _ween_psg2020.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 400V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50mA; TO92; THT; bulk; 2us
Mounting: THT
Case: TO92
Kind of package: bulk
Max. load current: 0.8A
Type of thyristor: thyristor
Max. forward impulse current: 8A
Manufacturer standard package: 1000pcs.
Gate current: 50mA
Max. off-state voltage: 0.4kV
Turn-on time: 2µs
Load current: 0.5A
на замовлення 5246 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+28.32 грн
20+21.89 грн
22+20.02 грн
50+16.37 грн
100+14.93 грн
500+11.88 грн
1000+10.77 грн
5000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHE13009,127 PHE13009,127 WeEn Semiconductors PHE13009.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 400V
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 8...40
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Collector current: 12A
на замовлення 628 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+59.39 грн
10+49.72 грн
50+40.55 грн
100+35.80 грн
250+30.03 грн
500+27.57 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHE13009/DG,127 PHE13009/DG,127 WeEn Semiconductors PHE13009.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 400V
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Heatsink thickness: max. 1.3mm
Type of transistor: NPN
Current gain: 8...40
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Collector current: 12A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MAC97A6,116 MAC97A6,116 WeEn Semiconductors MAC97A6.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MAC97A6,412 MAC97A6,412 WeEn Semiconductors MAC97A6.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.24 грн
28+15.61 грн
32+13.40 грн
100+10.44 грн
500+7.97 грн
1000+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204-800B,127 BTA204-800B,127 WeEn Semiconductors BTA204-800B__127.pdf BTA204-800B.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 4A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Technology: 3Q; Hi-Com
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 25A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 534 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+26.50 грн
20+22.23 грн
22+20.02 грн
30+17.73 грн
100+17.39 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT151-500R,127 BT151-500R,127 WeEn Semiconductors BT151-500R.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12A; 7.5A; Igt: 2mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12A
Load current: 7.5A
Gate current: 2mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 3179 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+58.47 грн
12+36.23 грн
50+28.08 грн
100+25.54 грн
200+23.33 грн
500+21.04 грн
1000+19.94 грн
2000+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT151-500RT,127 BT151-500RT,127 WeEn Semiconductors BT151-500RT.pdf _ween_psg2020.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12.5A; 8A; Igt: 2mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12.5A
Load current: 8A
Gate current: 2mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 2589 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+51.17 грн
14+31.05 грн
25+24.94 грн
100+22.40 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA41-800BQ BTA41-800BQ WeEn Semiconductors BTA41-800B.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 40A; SOT1292,TO3P; Igt: 50/70mA; Ifsm: 400A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 40A
Case: SOT1292; TO3P
Gate current: 50/70mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 0.4kA
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 692 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+286.89 грн
3+246.88 грн
10+210.40 грн
30+173.07 грн
450+147.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600,127 BT137-600,127 WeEn Semiconductors BT137-600.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 776 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+78.58 грн
10+47.85 грн
25+40.72 грн
50+36.23 грн
100+32.41 грн
500+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600/L01,127 BT137-600/L01,127 WeEn Semiconductors BT137-600.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600D,127 BT137-600D,127 WeEn Semiconductors BT137-600D.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 5/10mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 5/10mA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+81.32 грн
10+52.52 грн
25+42.67 грн
50+36.65 грн
100+31.90 грн
250+27.40 грн
500+25.03 грн
1000+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600E,127 BT137-600E,127 WeEn Semiconductors BT137-600E.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
на замовлення 415 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+85.88 грн
10+47.34 грн
25+40.64 грн
50+36.40 грн
100+32.75 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600E/DG BT137-600E/DG WeEn Semiconductors BT137-600E%20Product%20Rev.02.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600E/L01,127 BT137-600E/L01,127 WeEn Semiconductors Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600G,127 BT137-600G,127 WeEn Semiconductors BT137-600G.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 50/100mA; Ifsm: 65A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 50/100mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 935 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+64.87 грн
10+44.12 грн
100+31.14 грн
500+24.69 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600G0TQ BT137-600G0TQ WeEn Semiconductors BT137-600G0T.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 500V; 8A; TO220AB; Igt: 50/100mA; Ifsm: 65A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 50/100mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA416Y-600C,127 BTA416Y-600C,127 WeEn Semiconductors BTA416Y-600C.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 160A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 160A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
на замовлення 794 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+86.80 грн
10+56.84 грн
50+49.97 грн
100+47.85 грн
500+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA41-600BQ BTA41-600BQ WeEn Semiconductors BTA41-600B.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 40A; SOT1292,TO3P; Igt: 50/70mA; Ifsm: 400A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 40A
Case: SOT1292; TO3P
Gate current: 50/70mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 0.4kA
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+312.47 грн
10+197.68 грн
30+165.44 грн
60+149.32 грн
90+140.83 грн
150+131.50 грн
450+129.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA410Y-600CT,127 BTA410Y-600CT,127 WeEn Semiconductors BTA410Y-600CT.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 10A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 10A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
на замовлення 188 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.37 грн
14+32.41 грн
25+29.02 грн
100+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA410Y-600ET,127 BTA410Y-600ET,127 WeEn Semiconductors BTA410Y-600ET.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 10A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 10A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA410Y-800BT,127 BTA410Y-800BT,127 WeEn Semiconductors BTA410Y-800BT.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 10A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 10A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA410Y-800CT,127 BTA410Y-800CT,127 WeEn Semiconductors BTA410Y-800CT.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 10A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 10A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA412Y-600B,127 BTA412Y-600B,127 WeEn Semiconductors BTA412Y-600B-127.PDF BTA412Y-600B.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 140A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 799 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.91 грн
10+44.97 грн
25+39.71 грн
100+37.75 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA412Y-600C,127 BTA412Y-600C,127 WeEn Semiconductors BTA412Y-600C.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 140A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 970 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+60.30 грн
9+50.06 грн
10+44.29 грн
30+39.79 грн
100+37.08 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA412Y-600ETQ BTA412Y-600ETQ WeEn Semiconductors BTA412Y-600ET.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 140A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA412Y-800B,127 BTA412Y-800B,127 WeEn Semiconductors BTA412Y_ser.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 140A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 499 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+113.29 грн
10+68.72 грн
50+51.07 грн
100+45.73 грн
250+40.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA412Y-800C,127 BTA412Y-800C,127 WeEn Semiconductors 568_BTA412Y-800C127.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 140A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT139X-600,127 BT139X-600,127 WeEn Semiconductors BT139X-600.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220FP; Igt: 35/70mA; Ifsm: 155A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220FP
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 155A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 726 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+79.49 грн
10+58.29 грн
50+46.49 грн
100+42.17 грн
500+33.51 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Z0107MA,116 Z0107MA,116 WeEn Semiconductors Z0107MA.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2608 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.55 грн
27+15.78 грн
46+9.42 грн
100+8.48 грн
500+7.47 грн
2000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Z0107MA,412 Z0107MA,412 WeEn Semiconductors Z0107MA.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 7mA; Ifsm: 8.5A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 7mA
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Z0107MN,135 Z0107MN,135 WeEn Semiconductors Z0107MN.pdf description Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 5/7mA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+45.68 грн
14+31.22 грн
50+21.72 грн
100+18.50 грн
250+15.02 грн
500+12.98 грн
1000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Z0107MN0,135 Z0107MN0,135 WeEn Semiconductors Z0107MN0.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 5/7mA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 4Q
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3029 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+44.77 грн
14+31.39 грн
17+25.96 грн
100+13.40 грн
500+10.01 грн
1000+9.25 грн
2000+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Z0107NA,412 Z0107NA,412 WeEn Semiconductors Z0107NA.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; TO92; Igt: 7mA; Ifsm: 8.5A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 7mA
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Z0107NA0,412 Z0107NA0,412 WeEn Semiconductors Z0107NA0.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; TO92; Igt: 7mA; Ifsm: 13.8A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 7mA
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 13.8A
Technology: 4Q
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Z0107NA0QP Z0107NA0QP WeEn Semiconductors Z0107NA0.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; TO92; Igt: 7mA; Ifsm: 13.8A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 7mA
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 13.8A
Technology: 4Q
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Z0107NN,135 Z0107NN,135 WeEn Semiconductors Z0107NN%20Product%20Rev.02.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 7mA; Ifsm: 8.5A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 7mA
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Z0107NN0,135 Z0107NN0,135 WeEn Semiconductors Z0107NN0.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 5/7mA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 4Q
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.24 грн
17+25.28 грн
19+23.33 грн
100+15.44 грн
500+11.37 грн
1000+10.10 грн
2000+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-800,127 BT137-800,127 WeEn Semiconductors BT137-800.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 8A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 319 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.23 грн
10+52.18 грн
25+42.42 грн
50+36.40 грн
100+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-800E,127 BT137-800E,127 WeEn Semiconductors BT137-800E.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 8A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 253 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.23 грн
10+47.76 грн
25+40.47 грн
50+36.06 грн
100+32.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT137B-600E,118 BT137B-600E,118 WeEn Semiconductors BT137B-600E.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; D2PAK; Igt: 10/25mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: D2PAK
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT137B-600F,118 BT137B-600F,118 WeEn Semiconductors BT137B-600F.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; D2PAK; Igt: 25/70mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: D2PAK
Gate current: 25/70mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 541 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+51.17 грн
13+34.19 грн
15+28.68 грн
30+25.79 грн
100+22.82 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D601200W6Q
WNSC2D601200W6Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D601200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 60 A, 143 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 143nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30MW-650PT2Q 4553162.pdf
BYC30MW-650PT2Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYC30MW-650PT2Q - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 30 A, Einfach, 2.75 V, 38 ns, 297 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 297A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 2.75V
Sperrverzögerungszeit: 38ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BTA208S-800E,118 2623927.pdf
BTA208S-800E,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA208S-800E,118 - Triac, 800 V, 8 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 72 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 72A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
RMS-Durchlassstrom: 8A
SVHC: To Be Advised
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BTA208
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA208S-800E,118 2623927.pdf
BTA208S-800E,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA208S-800E,118 - Triac, 800 V, 8 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 72 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 72A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
RMS-Durchlassstrom: 8A
SVHC: To Be Advised
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BTA208
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA208S-800E,118 2623927.pdf
BTA208S-800E,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA208S-800E,118 - Triac, 800 V, 8 A, SOT-428, 1.5 V, 65 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: SOT-428
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 65A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: N
RMS-Durchlassstrom: 8A
SVHC: To Be Advised
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650DJ 3204981.pdf
WNSC2D04650DJ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650DJ 3204981.pdf
WNSC2D04650DJ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D16650CW6Q 3689934.pdf
WNSC6D16650CW6Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D16650CW6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ACT108W-600E,135 2623886.pdf
ACT108W-600E,135
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - ACT108W-600E,135 - Triac, Schalter, 600 V, 800 mA, SOT-223, 1 V, 8.8 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: SOT-223
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 8.8A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.3V
isCanonical: N
MSL: -
RMS-Durchlassstrom: 800mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 37000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR860J 3204969.pdf
MUR860J
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - MUR860J - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Einfach, 1.25 V, 93 ns, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 200A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 93ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D16650B6J 3689924.pdf
WNSC6D16650B6J
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D16650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D16650B6J 3689924.pdf
WNSC6D16650B6J
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D16650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC008H12B2P6T
WMSC008H12B2P6T
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WMSC008H12B2P6T - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 157 A, 1.2 kV, 0.013 ohm, WeEnPACK-B2
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 272W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: WeEnPACK-B2
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BT137S-600D,118 WEEN-S-A0001703628-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BT137S-600D,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT137S-600D,118 - Triac, 600 V, 8 A, SOT-428, 1.5 V, 65 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: SOT-428
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 65A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: N
RMS-Durchlassstrom: 8A
SVHC: To Be Advised
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA16-600BQ BTA16-600B.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA16-600BQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 50/70mA; Ifsm: 160A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50/70mA
Technology: 4Q
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 439 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+90.45 грн
10+74.40 грн
50+63.88 грн
100+59.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA16-800BQ BTA16-800B.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA16-800BQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; TO220AB; Igt: 50/70mA; Ifsm: 160A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50/70mA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Technology: 4Q
на замовлення 555 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+89.54 грн
10+59.05 грн
100+45.90 грн
500+37.84 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA408X-1000C0TQ bta408x-1000c0t.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA408X-1000C0TQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 1kV; 8A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 90A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 1kV
Max. load current: 8A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 90A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 351 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+57.56 грн
12+37.33 грн
25+32.83 грн
100+29.78 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT152-800R,127 BT152-800R.pdf
BT152-800R,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 20A; 13A; Igt: 3mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 20A
Load current: 13A
Gate current: 3mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+143.45 грн
10+86.20 грн
50+66.01 грн
100+59.39 грн
250+52.26 грн
500+47.93 грн
1000+44.20 грн
1250+43.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT169D,112 BT169D.pdf _ween_psg2020.pdf
BT169D,112
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 400V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50mA; TO92; THT; bulk; 2us
Mounting: THT
Case: TO92
Kind of package: bulk
Max. load current: 0.8A
Type of thyristor: thyristor
Max. forward impulse current: 8A
Manufacturer standard package: 1000pcs.
Gate current: 50mA
Max. off-state voltage: 0.4kV
Turn-on time: 2µs
Load current: 0.5A
на замовлення 5246 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+28.32 грн
20+21.89 грн
22+20.02 грн
50+16.37 грн
100+14.93 грн
500+11.88 грн
1000+10.77 грн
5000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHE13009,127 PHE13009.pdf
PHE13009,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 400V
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 8...40
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Collector current: 12A
на замовлення 628 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+59.39 грн
10+49.72 грн
50+40.55 грн
100+35.80 грн
250+30.03 грн
500+27.57 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHE13009/DG,127 PHE13009.pdf
PHE13009/DG,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 400V
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Heatsink thickness: max. 1.3mm
Type of transistor: NPN
Current gain: 8...40
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Collector current: 12A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MAC97A6,116 MAC97A6.pdf
MAC97A6,116
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MAC97A6,412 MAC97A6.pdf
MAC97A6,412
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.24 грн
28+15.61 грн
32+13.40 грн
100+10.44 грн
500+7.97 грн
1000+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204-800B,127 BTA204-800B__127.pdf BTA204-800B.pdf
BTA204-800B,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 4A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Technology: 3Q; Hi-Com
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 25A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 534 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+26.50 грн
20+22.23 грн
22+20.02 грн
30+17.73 грн
100+17.39 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT151-500R,127 BT151-500R.pdf
BT151-500R,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12A; 7.5A; Igt: 2mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12A
Load current: 7.5A
Gate current: 2mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 3179 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+58.47 грн
12+36.23 грн
50+28.08 грн
100+25.54 грн
200+23.33 грн
500+21.04 грн
1000+19.94 грн
2000+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT151-500RT,127 BT151-500RT.pdf _ween_psg2020.pdf
BT151-500RT,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12.5A; 8A; Igt: 2mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12.5A
Load current: 8A
Gate current: 2mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 2589 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+51.17 грн
14+31.05 грн
25+24.94 грн
100+22.40 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA41-800BQ BTA41-800B.pdf
BTA41-800BQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 40A; SOT1292,TO3P; Igt: 50/70mA; Ifsm: 400A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 40A
Case: SOT1292; TO3P
Gate current: 50/70mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 0.4kA
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 692 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+286.89 грн
3+246.88 грн
10+210.40 грн
30+173.07 грн
450+147.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600,127 BT137-600.pdf _ween_psg2020.pdf
BT137-600,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 776 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+78.58 грн
10+47.85 грн
25+40.72 грн
50+36.23 грн
100+32.41 грн
500+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600/L01,127 BT137-600.pdf
BT137-600/L01,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600D,127 BT137-600D.pdf _ween_psg2020.pdf
BT137-600D,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 5/10mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 5/10mA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+81.32 грн
10+52.52 грн
25+42.67 грн
50+36.65 грн
100+31.90 грн
250+27.40 грн
500+25.03 грн
1000+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600E,127 BT137-600E.pdf _ween_psg2020.pdf
BT137-600E,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
на замовлення 415 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+85.88 грн
10+47.34 грн
25+40.64 грн
50+36.40 грн
100+32.75 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600E/DG BT137-600E%20Product%20Rev.02.pdf
BT137-600E/DG
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600E/L01,127
BT137-600E/L01,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600G,127 BT137-600G.pdf
BT137-600G,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 50/100mA; Ifsm: 65A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 50/100mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 935 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+64.87 грн
10+44.12 грн
100+31.14 грн
500+24.69 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600G0TQ BT137-600G0T.pdf
BT137-600G0TQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 500V; 8A; TO220AB; Igt: 50/100mA; Ifsm: 65A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 50/100mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA416Y-600C,127 BTA416Y-600C.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA416Y-600C,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 160A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 160A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
на замовлення 794 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+86.80 грн
10+56.84 грн
50+49.97 грн
100+47.85 грн
500+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA41-600BQ BTA41-600B.pdf
BTA41-600BQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 40A; SOT1292,TO3P; Igt: 50/70mA; Ifsm: 400A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 40A
Case: SOT1292; TO3P
Gate current: 50/70mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 0.4kA
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+312.47 грн
10+197.68 грн
30+165.44 грн
60+149.32 грн
90+140.83 грн
150+131.50 грн
450+129.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA410Y-600CT,127 BTA410Y-600CT.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA410Y-600CT,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 10A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 10A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
на замовлення 188 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+38.37 грн
14+32.41 грн
25+29.02 грн
100+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA410Y-600ET,127 BTA410Y-600ET.pdf
BTA410Y-600ET,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 10A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 10A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA410Y-800BT,127 BTA410Y-800BT.pdf
BTA410Y-800BT,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 10A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 10A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA410Y-800CT,127 BTA410Y-800CT.pdf
BTA410Y-800CT,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 10A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 10A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA412Y-600B,127 BTA412Y-600B-127.PDF BTA412Y-600B.pdf
BTA412Y-600B,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 140A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 799 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+53.91 грн
10+44.97 грн
25+39.71 грн
100+37.75 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA412Y-600C,127 BTA412Y-600C.pdf
BTA412Y-600C,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 140A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 970 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+60.30 грн
9+50.06 грн
10+44.29 грн
30+39.79 грн
100+37.08 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA412Y-600ETQ BTA412Y-600ET.pdf
BTA412Y-600ETQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 140A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA412Y-800B,127 BTA412Y_ser.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA412Y-800B,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 140A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 499 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+113.29 грн
10+68.72 грн
50+51.07 грн
100+45.73 грн
250+40.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA412Y-800C,127 568_BTA412Y-800C127.pdf
BTA412Y-800C,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 140A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT139X-600,127 BT139X-600.pdf _ween_psg2020.pdf
BT139X-600,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220FP; Igt: 35/70mA; Ifsm: 155A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220FP
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 155A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 726 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+79.49 грн
10+58.29 грн
50+46.49 грн
100+42.17 грн
500+33.51 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Z0107MA,116 Z0107MA.pdf
Z0107MA,116
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2608 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+36.55 грн
27+15.78 грн
46+9.42 грн
100+8.48 грн
500+7.47 грн
2000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Z0107MA,412 Z0107MA.pdf
Z0107MA,412
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 7mA; Ifsm: 8.5A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 7mA
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Z0107MN,135 description Z0107MN.pdf
Z0107MN,135
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 5/7mA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+45.68 грн
14+31.22 грн
50+21.72 грн
100+18.50 грн
250+15.02 грн
500+12.98 грн
1000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Z0107MN0,135 Z0107MN0.pdf _ween_psg2020.pdf
Z0107MN0,135
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 5/7mA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 4Q
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3029 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+44.77 грн
14+31.39 грн
17+25.96 грн
100+13.40 грн
500+10.01 грн
1000+9.25 грн
2000+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Z0107NA,412 Z0107NA.pdf
Z0107NA,412
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; TO92; Igt: 7mA; Ifsm: 8.5A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 7mA
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Z0107NA0,412 Z0107NA0.pdf
Z0107NA0,412
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; TO92; Igt: 7mA; Ifsm: 13.8A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 7mA
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 13.8A
Technology: 4Q
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Z0107NA0QP Z0107NA0.pdf
Z0107NA0QP
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; TO92; Igt: 7mA; Ifsm: 13.8A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 7mA
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 13.8A
Technology: 4Q
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Z0107NN,135 Z0107NN%20Product%20Rev.02.pdf
Z0107NN,135
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 7mA; Ifsm: 8.5A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 7mA
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Z0107NN0,135 Z0107NN0.pdf _ween_psg2020.pdf
Z0107NN0,135
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 5/7mA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 4Q
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.24 грн
17+25.28 грн
19+23.33 грн
100+15.44 грн
500+11.37 грн
1000+10.10 грн
2000+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-800,127 BT137-800.pdf _ween_psg2020.pdf
BT137-800,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 8A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 319 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+82.23 грн
10+52.18 грн
25+42.42 грн
50+36.40 грн
100+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-800E,127 BT137-800E.pdf _ween_psg2020.pdf
BT137-800E,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 8A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 253 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+82.23 грн
10+47.76 грн
25+40.47 грн
50+36.06 грн
100+32.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT137B-600E,118 BT137B-600E.pdf _ween_psg2020.pdf
BT137B-600E,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; D2PAK; Igt: 10/25mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: D2PAK
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT137B-600F,118 BT137B-600F.pdf
BT137B-600F,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; D2PAK; Igt: 25/70mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: D2PAK
Gate current: 25/70mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 541 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+51.17 грн
13+34.19 грн
15+28.68 грн
30+25.79 грн
100+22.82 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 100 101  [ Наступна Сторінка >> ]