Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4204) > Сторінка 41 з 71

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MBR40060CT MBR40060CT GeneSiC Semiconductor 2497125744268350mbr40045ct_thru_mbr400100ctr.pdf Diode Schottky 60V 400A 3-Pin Twin Tower
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+12385.16 грн
3+11995.16 грн
5+11245.70 грн
10+10157.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MBR40060CTR MBR40060CTR GeneSiC Semiconductor mbr40060ctr.pdf Diode Modules 60V 400A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR40080CT MBR40080CT GeneSiC Semiconductor mbr40080ct.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 400A 80P56R
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7235.02 грн
10+6255.31 грн
25+5162.74 грн
40+5158.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MBR40080CTR MBR40080CTR GeneSiC Semiconductor mbr40080ctr.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 400A 80P56R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR500100CT MBR500100CT GeneSiC Semiconductor mbr500100ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 100V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR500100CT MBR500100CT GeneSiC Semiconductor mbr50045ct_thru_mbr500100ctr-911313.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A100P/70R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR500100CTR MBR500100CTR GeneSiC Semiconductor mbr50045ct_thru_mbr500100ctr-911313.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A100P/70R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR500100CTR MBR500100CTR GeneSiC Semiconductor mbr500100ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 100V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR500150CT MBR500150CT GeneSiC Semiconductor mbr500150ct_thru_mbr500200ctr-541883.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 150V 500A Forward
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR500150CT MBR500150CT GeneSiC Semiconductor mbr500150ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 150V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR500150CTR MBR500150CTR GeneSiC Semiconductor mbr500150ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 150V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR500150CTR MBR500150CTR GeneSiC Semiconductor mbr500150ct_thru_mbr500200ctr-541883.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 150V 500A Reverse
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR500200CT MBR500200CT GeneSiC Semiconductor mbr500150ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 200V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR500200CT MBR500200CT GeneSiC Semiconductor mbr500150ct_thru_mbr500200ctr-541883.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 200V 500A Forward
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR500200CTR MBR500200CTR GeneSiC Semiconductor mbr500150ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 200V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR500200CTR MBR500200CTR GeneSiC Semiconductor mbr500150ct_thru_mbr500200ctr-541883.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 200V 500A Reverse
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50020CT MBR50020CT GeneSiC Semiconductor mbr50020ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50020CT MBR50020CT GeneSiC Semiconductor mbr50020ct-1856964.pdf Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 20P/14R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50020CTR MBR50020CTR GeneSiC Semiconductor mbr50020ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50020CTR GeneSiC Semiconductor mbr50020ct_thru_mbr50040ctr-911292.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 20P/14R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50030CT MBR50030CT GeneSiC Semiconductor mbr50020ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50030CT MBR50030CT GeneSiC Semiconductor mbr50020ct_thru_mbr50040ctr-911292.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 30P/21R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50030CTR GeneSiC Semiconductor mbr50020ct_thru_mbr50040ctr-911292.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 30P/21R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50030CTR MBR50030CTR GeneSiC Semiconductor mbr50020ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50035CT MBR50035CT GeneSiC Semiconductor mbr50020ct_thru_mbr50040ctr-911292.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 35P/25R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50035CT MBR50035CT GeneSiC Semiconductor mbr50020ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50035CTR MBR50035CTR GeneSiC Semiconductor mbr50020ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50035CTR MBR50035CTR GeneSiC Semiconductor mbr50020ct_thru_mbr50040ctr-911292.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 35P/25R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50040CT MBR50040CT GeneSiC Semiconductor mbr50020ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50040CT MBR50040CT GeneSiC Semiconductor mbr50020ct_thru_mbr50040ctr-911292.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 40P/28R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50040CTR MBR50040CTR GeneSiC Semiconductor mbr50020ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50040CTR MBR50040CTR GeneSiC Semiconductor mbr50020ct_thru_mbr50040ctr-911292.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 40P/28R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50045CT MBR50045CT GeneSiC Semiconductor mbr50045ct_thru_mbr500100ctr-911313.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 45P/32R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50045CT MBR50045CT GeneSiC Semiconductor 36162342817812584mbr50045ct_thru_mbr500100ctr.pdf Diode Schottky 45V 500A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50045CT MBR50045CT GeneSiC Semiconductor mbr500100ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50045CTR MBR50045CTR GeneSiC Semiconductor mbr50045ct_thru_mbr500100ctr-911313.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 45P/32R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50045CTR MBR50045CTR GeneSiC Semiconductor mbr500100ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50060CT MBR50060CT GeneSiC Semiconductor mbr500100ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 600V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50060CT MBR50060CT GeneSiC Semiconductor mbr50060ct-1856859.pdf Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 60P42RV
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50060CTR MBR50060CTR GeneSiC Semiconductor mbr50045ct_thru_mbr500100ctr-911313.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 60P42RV
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50060CTR MBR50060CTR GeneSiC Semiconductor mbr500100ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 600V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50080CT MBR50080CT GeneSiC Semiconductor mbr500100ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50080CT MBR50080CT GeneSiC Semiconductor mbr50080ct-1857065.pdf Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 80P56RV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50080CTR MBR50080CTR GeneSiC Semiconductor mbr50080ctr-1856785.pdf Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 80P56RV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50080CTR MBR50080CTR GeneSiC Semiconductor mbr500100ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR600100CT MBR600100CT GeneSiC Semiconductor 36162469669457432mbr60045ct_thru_mbr600100ctr.pdf Diode Schottky 100V 600A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR600100CT MBR600100CT GeneSiC Semiconductor mbr600100ct.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 600A100P/70
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9277.07 грн
10+8119.17 грн
25+6753.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MBR600100CTR MBR600100CTR GeneSiC Semiconductor mbr600100ctr-3481478.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 600A100P/70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR600150CT MBR600150CT GeneSiC Semiconductor mbr600150ct-3478296.pdf Diode Modules 150V 600A Forward
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR600150CTR MBR600150CTR GeneSiC Semiconductor mbr600150ctr-3480969.pdf Diode Modules 150V 600A Reverse
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR600200CT MBR600200CT GeneSiC Semiconductor mbr600150ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 200V 300A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR600200CT MBR600200CT GeneSiC Semiconductor mbr600200ct.pdf Diode Modules 150V 600A Forward
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR600200CTR MBR600200CTR GeneSiC Semiconductor mbr600200ctr.pdf Diode Modules 150V 600A Reverse
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR600200CTR MBR600200CTR GeneSiC Semiconductor mbr600150ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 200V 300A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR60020CT MBR60020CT GeneSiC Semiconductor mbr60020ct.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 600A 20P/14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR60020CT MBR60020CT GeneSiC Semiconductor mbr60020ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR60020CTL MBR60020CTL GeneSiC Semiconductor MBR60020CTL.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR60020CTL GeneSiC Semiconductor mbr60020ct(r)l-541935.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 20V 600A Forward
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR60020CTR MBR60020CTR GeneSiC Semiconductor mbr60020ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR60020CTR MBR60020CTR GeneSiC Semiconductor mbr60020ctr.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 600A 20P/14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR40060CT 2497125744268350mbr40045ct_thru_mbr400100ctr.pdf
MBR40060CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 60V 400A 3-Pin Twin Tower
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+12385.16 грн
3+11995.16 грн
5+11245.70 грн
10+10157.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MBR40060CTR mbr40060ctr.pdf
MBR40060CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 60V 400A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR40080CT mbr40080ct.pdf
MBR40080CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 400A 80P56R
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7235.02 грн
10+6255.31 грн
25+5162.74 грн
40+5158.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MBR40080CTR mbr40080ctr.pdf
MBR40080CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 400A 80P56R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR500100CT mbr500100ctr.pdf
MBR500100CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR500100CT mbr50045ct_thru_mbr500100ctr-911313.pdf
MBR500100CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A100P/70R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR500100CTR mbr50045ct_thru_mbr500100ctr-911313.pdf
MBR500100CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A100P/70R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR500100CTR mbr500100ctr.pdf
MBR500100CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR500150CT mbr500150ct_thru_mbr500200ctr-541883.pdf
MBR500150CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 150V 500A Forward
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR500150CT mbr500150ctr.pdf
MBR500150CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 150V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR500150CTR mbr500150ctr.pdf
MBR500150CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 150V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR500150CTR mbr500150ct_thru_mbr500200ctr-541883.pdf
MBR500150CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 150V 500A Reverse
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR500200CT mbr500150ctr.pdf
MBR500200CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 200V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR500200CT mbr500150ct_thru_mbr500200ctr-541883.pdf
MBR500200CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 200V 500A Forward
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR500200CTR mbr500150ctr.pdf
MBR500200CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 200V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR500200CTR mbr500150ct_thru_mbr500200ctr-541883.pdf
MBR500200CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 200V 500A Reverse
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50020CT mbr50020ctr.pdf
MBR50020CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50020CT mbr50020ct-1856964.pdf
MBR50020CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 20P/14R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50020CTR mbr50020ctr.pdf
MBR50020CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50020CTR mbr50020ct_thru_mbr50040ctr-911292.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 20P/14R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50030CT mbr50020ctr.pdf
MBR50030CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50030CT mbr50020ct_thru_mbr50040ctr-911292.pdf
MBR50030CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 30P/21R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50030CTR mbr50020ct_thru_mbr50040ctr-911292.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 30P/21R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50030CTR mbr50020ctr.pdf
MBR50030CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50035CT mbr50020ct_thru_mbr50040ctr-911292.pdf
MBR50035CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 35P/25R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50035CT mbr50020ctr.pdf
MBR50035CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50035CTR mbr50020ctr.pdf
MBR50035CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50035CTR mbr50020ct_thru_mbr50040ctr-911292.pdf
MBR50035CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 35P/25R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50040CT mbr50020ctr.pdf
MBR50040CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50040CT mbr50020ct_thru_mbr50040ctr-911292.pdf
MBR50040CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 40P/28R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50040CTR mbr50020ctr.pdf
MBR50040CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50040CTR mbr50020ct_thru_mbr50040ctr-911292.pdf
MBR50040CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 40P/28R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50045CT mbr50045ct_thru_mbr500100ctr-911313.pdf
MBR50045CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 45P/32R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50045CT 36162342817812584mbr50045ct_thru_mbr500100ctr.pdf
MBR50045CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 45V 500A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50045CT mbr500100ctr.pdf
MBR50045CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50045CTR mbr50045ct_thru_mbr500100ctr-911313.pdf
MBR50045CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 45P/32R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50045CTR mbr500100ctr.pdf
MBR50045CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50060CT mbr500100ctr.pdf
MBR50060CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 600V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50060CT mbr50060ct-1856859.pdf
MBR50060CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 60P42RV
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50060CTR mbr50045ct_thru_mbr500100ctr-911313.pdf
MBR50060CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 60P42RV
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50060CTR mbr500100ctr.pdf
MBR50060CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 600V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50080CT mbr500100ctr.pdf
MBR50080CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50080CT mbr50080ct-1857065.pdf
MBR50080CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 80P56RV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50080CTR mbr50080ctr-1856785.pdf
MBR50080CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 80P56RV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR50080CTR mbr500100ctr.pdf
MBR50080CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR600100CT 36162469669457432mbr60045ct_thru_mbr600100ctr.pdf
MBR600100CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 100V 600A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR600100CT mbr600100ct.pdf
MBR600100CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 600A100P/70
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9277.07 грн
10+8119.17 грн
25+6753.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MBR600100CTR mbr600100ctr-3481478.pdf
MBR600100CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 600A100P/70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR600150CT mbr600150ct-3478296.pdf
MBR600150CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 150V 600A Forward
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR600150CTR mbr600150ctr-3480969.pdf
MBR600150CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 150V 600A Reverse
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR600200CT mbr600150ct.pdf
MBR600200CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 200V 300A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR600200CT mbr600200ct.pdf
MBR600200CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 150V 600A Forward
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR600200CTR mbr600200ctr.pdf
MBR600200CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 150V 600A Reverse
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR600200CTR mbr600150ct.pdf
MBR600200CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 200V 300A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR60020CT mbr60020ct.pdf
MBR60020CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 600A 20P/14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR60020CT mbr60020ctr.pdf
MBR60020CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR60020CTL MBR60020CTL.pdf
MBR60020CTL
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR60020CTL mbr60020ct(r)l-541935.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 20V 600A Forward
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR60020CTR mbr60020ctr.pdf
MBR60020CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR60020CTR mbr60020ctr.pdf
MBR60020CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 600A 20P/14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]