Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4226) > Сторінка 37 з 71
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MBR12020CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 120A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC) Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBR12020CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 20V 120A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBR12020CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 20V 120A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBR12030CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 30V 120A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
MBR12030CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 120A 2TOWERSpeed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 60 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Schottky |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBR12030CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 30V 120A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
MBR12030CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 120A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC) Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 60 A Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
MBR12035CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWERVoltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 120 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBR12035CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 35V 120A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBR12035CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Part Status: Active Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
|
MBR12035CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 35V 120A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
MBR12035 CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC) Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 120 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBR12040CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 40V 120A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
MBR12040CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 120A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC) Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
MBR12040CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 120A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC) Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBR12040CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 40V 120A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBR12045CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 45V 120A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBR12045CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 45V 120A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
MBR12060CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 120A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC) Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBR12060CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 60V 120A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBR12060CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 60V 120A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
MBR12060CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 120A 2TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 60 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBR12080CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 120A 2TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Part Status: Active Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
|
MBR12080CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A 80P56R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBR12080CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A 80P56R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBR12080CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 120A 2TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Part Status: Active Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
|
MBR200100CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A100P/70 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBR200100CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A100P/70 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBR200100CTS | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 100V 200A |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
MBR200100CTS | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 100V 200A 4-Pin SOT-227 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBR200150CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 150V 200A Forward |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBR200150CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 150V 200A Reverse |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBR200200CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 200V 200A Forward |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBR200200CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 200V 200A Reverse |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBR20020CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A 20P/14 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBR20020CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A 20P/14 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBR20030CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 30V 200A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBR20030CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 30V 200A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBR20035CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 35V 200A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBR20035CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 35V 200A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBR20040CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 40V 200A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBR20040CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 40V 200A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
MBR20045CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 45V 200A 3-Pin Twin Tower |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
MBR20045CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 45V 200A Schottky Recovery |
на замовлення 66 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
MBR20045CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 45V 200A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBR20060CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 60V 200A Schottky Recovery |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
MBR20060CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 60V 200A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBR20080CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A 80P56R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBR20080CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A 80P56R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
MBR2X030A045 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 60A SOT-227Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
MBR2X030A045 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 45V 60A Fwd Schottky |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 156 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
MBR2X030A060 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 30A SOT227Supplier Device Package: SOT-227 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Diode Configuration: 2 Independent Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 156 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBR2X030A060 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 60V 60A Fwd Schottky |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 52 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
MBR2X030A080 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 30A SOT227Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Supplier Device Package: SOT-227 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Diode Configuration: 2 Independent Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 156 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBR2X030A080 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 80V 60A Fwd Schottky |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 156 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBR2X030A100 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 100V 60A Fwd Schottky |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBR2X050A045 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 45V 100A Fwd Schottky |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 52 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBR2X050A045 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 50A SOT227 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBR2X050A060 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 60V 100A Fwd Schottky |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 52 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBR2X050A060 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 50A SOT227 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. |
| MBR12020CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR12020CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 20V 120A Schottky Recovery
Diode Modules 20V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR12020CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 20V 120A Schottky Recovery
Diode Modules 20V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR12030CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 30V 120A Schottky Recovery
Diode Modules 30V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR12030CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 120A 2TOWER
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 120A 2TOWER
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR12030CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 30V 120A Schottky Recovery
Diode Modules 30V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR12030CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 60 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 60 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR12035CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWER
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 120
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWER
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 120
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR12035CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 35V 120A Schottky Recovery
Diode Modules 35V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR12035CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR12035CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 35V 120A Schottky Recovery
Diode Modules 35V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR12035 CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 120
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 120
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR12040CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 40V 120A Schottky Recovery
Diode Modules 40V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR12040CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR12040CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR12040CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 40V 120A Schottky Recovery
Diode Modules 40V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR12045CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 45V 120A Schottky Recovery
Diode Modules 45V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR12045CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 45V 120A Schottky Recovery
Diode Modules 45V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR12060CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR12060CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 60V 120A Schottky Recovery
Diode Modules 60V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR12060CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 60V 120A Schottky Recovery
Diode Modules 60V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR12060CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 120A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 120A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR12080CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 120A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 120A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR12080CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A 80P56R
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A 80P56R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR12080CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A 80P56R
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A 80P56R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR12080CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 120A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 120A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR200100CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A100P/70
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A100P/70
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR200100CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A100P/70
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A100P/70
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR200100CTS |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 100V 200A
Discrete Semiconductor Modules 100V 200A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MBR200100CTS |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 100V 200A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 100V 200A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR200150CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 150V 200A Forward
Diode Modules 150V 200A Forward
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR200150CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 150V 200A Reverse
Diode Modules 150V 200A Reverse
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR200200CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 200V 200A Forward
Diode Modules 200V 200A Forward
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR200200CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 200V 200A Reverse
Diode Modules 200V 200A Reverse
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR20020CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A 20P/14
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A 20P/14
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR20020CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A 20P/14
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A 20P/14
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR20030CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 30V 200A Schottky Recovery
Diode Modules 30V 200A Schottky Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR20030CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 30V 200A Schottky Recovery
Diode Modules 30V 200A Schottky Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR20035CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 35V 200A Schottky Recovery
Diode Modules 35V 200A Schottky Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR20035CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 35V 200A Schottky Recovery
Diode Modules 35V 200A Schottky Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR20040CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 40V 200A Schottky Recovery
Diode Modules 40V 200A Schottky Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR20040CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 40V 200A Schottky Recovery
Diode Modules 40V 200A Schottky Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR20045CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 45V 200A 3-Pin Twin Tower
Diode Schottky 45V 200A 3-Pin Twin Tower
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 12705.71 грн |
| 3+ | 12300.97 грн |
| 5+ | 11525.67 грн |
| 10+ | 10402.34 грн |
| MBR20045CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 45V 200A Schottky Recovery
Diode Modules 45V 200A Schottky Recovery
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7114.38 грн |
| MBR20045CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 45V 200A Schottky Recovery
Diode Modules 45V 200A Schottky Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR20060CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 60V 200A Schottky Recovery
Diode Modules 60V 200A Schottky Recovery
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7114.38 грн |
| MBR20060CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 60V 200A Schottky Recovery
Diode Modules 60V 200A Schottky Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR20080CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A 80P56R
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A 80P56R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR20080CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A 80P56R
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A 80P56R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X030A045 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 60A SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 60A SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3078.61 грн |
| 10+ | 2549.67 грн |
| 25+ | 2401.08 грн |
| MBR2X030A045 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 45V 60A Fwd Schottky
Diode Modules 45V 60A Fwd Schottky
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X030A060 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 30A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 30A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X030A060 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 60V 60A Fwd Schottky
Diode Modules 60V 60A Fwd Schottky
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X030A080 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 30A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 30A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X030A080 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 80V 60A Fwd Schottky
Diode Modules 80V 60A Fwd Schottky
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X030A100 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 100V 60A Fwd Schottky
Diode Modules 100V 60A Fwd Schottky
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X050A045 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 45V 100A Fwd Schottky
Diode Modules 45V 100A Fwd Schottky
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X050A045 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 50A SOT227
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 50A SOT227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X050A060 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 60V 100A Fwd Schottky
Diode Modules 60V 100A Fwd Schottky
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X050A060 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 50A SOT227
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 50A SOT227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.











