Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (5801) > Сторінка 36 з 97
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
GBPC1510W | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-Square, GBPC-W Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBPC-W Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 15 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
GBL08 | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBL Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBL Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Current - Average Rectified (Io): 4 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
на замовлення 491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
MSRT100100AD | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
MSRT100120AD | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
MSRT100140AD | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1400 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
MSRT100160AD | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
MSRT10080AD | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
MSRT100100D | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
MSRT100120D | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
MSRT100160D | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
MSRT10080D | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
MSRT100140D | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1400 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
MSRT10060D | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
KBP210G | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, KBP Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: KBP Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 2 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
GBPC3504W | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-Square, GBPC-W Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBPC-W Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V Current - Average Rectified (Io): 35 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V |
на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
1N2128AR | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard, Reverse Polarity Current - Average Rectified (Io): 60A Supplier Device Package: DO-5 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
GE06MPS06E-TR | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
GE06MPS06E-TR | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
KBP206G | GeneSiC Semiconductor |
![]() ![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, KBP Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: KBP Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 2 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
KBP208G | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, KBP Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: KBP Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Current - Average Rectified (Io): 2 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V |
на замовлення 471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
KBP202G | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, KBP Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: KBP Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V Current - Average Rectified (Io): 2 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
GD05MPS17J-TR | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-263-7 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
GD05MPS17J-TR | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-263-7 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
1N1199A | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: DO-4 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
GBU6K | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBU Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Current - Average Rectified (Io): 6 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
GBU6M | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBU Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 6 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
GBPC2501W | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-Square, GBPC-W Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBPC-W Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V Current - Average Rectified (Io): 25 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
1N3893 | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: DO-4 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
GBU4K | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBU Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Current - Average Rectified (Io): 4 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
GBU4M | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBU Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 4 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
KBU8G | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2516 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GBU8D | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5323 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GBPC2502W | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2058 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
KBPC2504T | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 212 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
KBPC3508W | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 57 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GBU15G | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 354 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
KBJ2510G | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
KBPC15005W | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 499 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
KBPC1502W | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 809 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
KBPC2501W | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 691 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
KBPC35005W | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
KBPC3501T | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 462 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
KBPC1501W | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
KBJ2504G | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
W02M | GeneSiC Semiconductor |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
GBU8J | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2412 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
KBU1004 | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
GBPC3508W | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 453 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GBPC3510W | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 347 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
KBPC5006T | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
KBPC3502W | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BR305 | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6794 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BR68 | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2004 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
KBPC3506W | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
KBPC2506T | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 202 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
KBPC2502W | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
KBL404G | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GBL005 | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3434 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
KBPC2506W | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1484 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
KBPC3502T | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 616 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
GBPC1510W |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 15A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 15A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GBL08 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 108.49 грн |
10+ | 72.42 грн |
25+ | 62.59 грн |
100+ | 47.00 грн |
250+ | 40.60 грн |
MSRT100100AD |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1000V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Description: DIODE MOD GP 1000V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MSRT100120AD |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1200V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Description: DIODE MOD GP 1200V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MSRT100140AD |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1400V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1400 V
Description: DIODE MOD GP 1400V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1400 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MSRT100160AD |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V
Description: DIODE MOD GP 1600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MSRT10080AD |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 800V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Description: DIODE MODULE GP 800V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MSRT100100D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1000V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Description: DIODE MOD GP 1000V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MSRT100120D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1200V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Description: DIODE MOD GP 1200V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MSRT100160D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V
Description: DIODE MOD GP 1600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MSRT10080D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 800V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Description: DIODE MODULE GP 800V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MSRT100140D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1400V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1400 V
Description: DIODE MOD GP 1400V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1400 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MSRT10060D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
KBP210G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A KBP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A KBP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GBPC3504W |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 400V 35A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Description: BRIDGE RECT 1P 400V 35A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 323.83 грн |
10+ | 250.03 грн |
25+ | 229.08 грн |
100+ | 188.39 грн |
250+ | 172.64 грн |
500+ | 161.62 грн |
1000+ | 148.76 грн |
1N2128AR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STANDARD REV 50V 60A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 60A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Description: DIODE STANDARD REV 50V 60A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 60A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GE06MPS06E-TR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GE06MPS06E-TR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 294.24 грн |
10+ | 181.80 грн |
25+ | 155.25 грн |
100+ | 117.54 грн |
250+ | 103.72 грн |
500+ | 95.21 грн |
1000+ | 86.64 грн |
KBP206G | ![]() |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
KBP208G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A KBP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A KBP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 87.94 грн |
10+ | 52.08 грн |
25+ | 42.90 грн |
100+ | 30.07 грн |
250+ | 24.82 грн |
KBP202G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A KBP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A KBP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GD05MPS17J-TR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GD05MPS17J-TR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
1N1199A |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 50V 12A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Description: DIODE STANDARD 50V 12A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GBU6K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GBU6M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GBPC2501W |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 50V 25A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Description: BRIDGE RECT 1P 50V 25A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
1N3893 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 600V 12A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE STANDARD 600V 12A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GBU4K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GBU4M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
KBU8G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 8A Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 400V 8A Bridge Rectifier
на замовлення 2516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 138.29 грн |
10+ | 101.36 грн |
25+ | 79.02 грн |
100+ | 66.03 грн |
250+ | 59.11 грн |
400+ | 54.25 грн |
1200+ | 49.69 грн |
GBU8D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200V 8A Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 200V 8A Bridge Rectifier
на замовлення 5323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 132.08 грн |
10+ | 91.75 грн |
25+ | 60.56 грн |
100+ | 54.93 грн |
250+ | 46.58 грн |
500+ | 43.92 грн |
1000+ | 39.51 грн |
GBPC2502W |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200 V - 25 A
Bridge Rectifiers 200 V - 25 A
на замовлення 2058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 319.12 грн |
10+ | 250.78 грн |
25+ | 199.07 грн |
100+ | 173.24 грн |
250+ | 158.04 грн |
500+ | 147.40 грн |
1000+ | 143.60 грн |
KBPC2504T |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400 V - 25 A
Bridge Rectifiers 400 V - 25 A
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 296.96 грн |
10+ | 231.55 грн |
25+ | 183.11 грн |
100+ | 158.04 грн |
250+ | 142.84 грн |
500+ | 134.49 грн |
1000+ | 130.69 грн |
KBPC3508W |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800 V - 35 A
Bridge Rectifiers 800 V - 35 A
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 313.80 грн |
10+ | 245.53 грн |
25+ | 194.51 грн |
100+ | 169.44 грн |
250+ | 155.00 грн |
500+ | 144.36 грн |
1000+ | 140.57 грн |
GBU15G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 15A Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 400V 15A Bridge Rectifier
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 137.40 грн |
10+ | 96.12 грн |
25+ | 72.94 грн |
100+ | 59.57 грн |
250+ | 51.97 грн |
500+ | 46.96 грн |
1000+ | 42.32 грн |
KBJ2510G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 1000V 25A Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 1000V 25A Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
KBPC15005W |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 50 V - 15 A
Bridge Rectifiers 50 V - 15 A
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 285.44 грн |
10+ | 221.07 грн |
25+ | 174.76 грн |
100+ | 151.20 грн |
250+ | 137.53 грн |
500+ | 127.65 грн |
1000+ | 123.85 грн |
KBPC1502W |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200 V - 15 A
Bridge Rectifiers 200 V - 15 A
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 285.44 грн |
10+ | 221.07 грн |
25+ | 174.76 грн |
100+ | 151.20 грн |
250+ | 137.53 грн |
500+ | 127.65 грн |
1000+ | 123.85 грн |
KBPC2501W |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100 V - 25 A
Bridge Rectifiers 100 V - 25 A
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 296.96 грн |
10+ | 231.55 грн |
25+ | 183.11 грн |
100+ | 158.80 грн |
250+ | 144.36 грн |
500+ | 134.49 грн |
1000+ | 130.69 грн |
KBPC35005W |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 50 V - 35 A
Bridge Rectifiers 50 V - 35 A
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 313.80 грн |
10+ | 245.53 грн |
25+ | 194.51 грн |
100+ | 169.44 грн |
250+ | 155.00 грн |
500+ | 144.36 грн |
1000+ | 140.57 грн |
KBPC3501T |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100 V - 35 A
Bridge Rectifiers 100 V - 35 A
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 313.80 грн |
10+ | 245.53 грн |
25+ | 194.51 грн |
100+ | 169.44 грн |
250+ | 155.00 грн |
500+ | 144.36 грн |
1000+ | 140.57 грн |
KBPC1501W |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100 V - 15 A
Bridge Rectifiers 100 V - 15 A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
KBJ2504G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 25A Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 400V 25A Bridge Rectifier
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 197.68 грн |
10+ | 149.42 грн |
25+ | 117.01 грн |
100+ | 99.54 грн |
W02M |
![]() ![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200V 1.5A Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 200V 1.5A Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GBU8J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 600V 8A Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 600V 8A Bridge Rectifier
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 132.08 грн |
10+ | 91.75 грн |
25+ | 60.56 грн |
100+ | 54.93 грн |
250+ | 46.58 грн |
500+ | 43.92 грн |
1000+ | 39.51 грн |
KBU1004 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 10A Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 400V 10A Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GBPC3508W |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800 V - 35 A
Bridge Rectifiers 800 V - 35 A
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 351.03 грн |
10+ | 277.86 грн |
25+ | 221.87 грн |
100+ | 193.75 грн |
250+ | 177.80 грн |
500+ | 166.40 грн |
1000+ | 161.84 грн |
GBPC3510W |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 1000V 35A Si Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 1000V 35A Si Bridge Rectifier
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 351.03 грн |
10+ | 277.86 грн |
25+ | 221.87 грн |
100+ | 193.75 грн |
250+ | 177.80 грн |
500+ | 166.40 грн |
1000+ | 161.84 грн |
KBPC5006T |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 600 V - 50 A
Bridge Rectifiers 600 V - 50 A
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 324.44 грн |
10+ | 255.14 грн |
25+ | 202.87 грн |
100+ | 176.28 грн |
250+ | 164.12 грн |
500+ | 151.20 грн |
1000+ | 147.40 грн |
KBPC3502W |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200 V - 35 A
Bridge Rectifiers 200 V - 35 A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BR305 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 3A 50P/35R
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 3A 50P/35R
на замовлення 6794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 119.67 грн |
10+ | 82.66 грн |
25+ | 62.99 грн |
100+ | 50.91 грн |
200+ | 44.30 грн |
600+ | 39.81 грн |
1000+ | 35.79 грн |
BR68 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 6A 800P/560R
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 6A 800P/560R
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 144.49 грн |
10+ | 103.98 грн |
25+ | 79.02 грн |
100+ | 66.03 грн |
200+ | 58.20 грн |
600+ | 52.96 грн |
1000+ | 46.12 грн |
KBPC3506W |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 600 V - 35 A
Bridge Rectifiers 600 V - 35 A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 313.80 грн |
10+ | 245.53 грн |
25+ | 194.51 грн |
100+ | 169.44 грн |
250+ | 155.00 грн |
500+ | 144.36 грн |
1000+ | 140.57 грн |
KBPC2506T |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 600 V - 25 A
Bridge Rectifiers 600 V - 25 A
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 296.96 грн |
10+ | 231.55 грн |
25+ | 183.11 грн |
100+ | 158.80 грн |
250+ | 144.36 грн |
500+ | 134.49 грн |
1000+ | 130.69 грн |
KBPC2502W |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200 V - 25 A
Bridge Rectifiers 200 V - 25 A
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 296.96 грн |
10+ | 231.55 грн |
25+ | 183.11 грн |
100+ | 158.80 грн |
250+ | 144.36 грн |
500+ | 134.49 грн |
1000+ | 130.69 грн |
KBL404G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 4A Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 400V 4A Bridge Rectifier
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 117.01 грн |
10+ | 79.69 грн |
25+ | 60.48 грн |
100+ | 48.78 грн |
250+ | 42.25 грн |
500+ | 37.91 грн |
1000+ | 33.96 грн |
GBL005 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 50V 4A Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 50V 4A Bridge Rectifier
на замовлення 3434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 396.24 грн |
10+ | 326.80 грн |
25+ | 265.93 грн |
100+ | 238.58 грн |
250+ | 222.62 грн |
500+ | 210.47 грн |
1000+ | 183.87 грн |
KBPC2506W |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 600 V - 25 A
Bridge Rectifiers 600 V - 25 A
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 296.96 грн |
10+ | 231.55 грн |
25+ | 183.11 грн |
100+ | 158.80 грн |
250+ | 144.36 грн |
500+ | 134.49 грн |
1000+ | 130.69 грн |
KBPC3502T |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200 V - 35 A
Bridge Rectifiers 200 V - 35 A
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 313.80 грн |
10+ | 245.53 грн |
25+ | 194.51 грн |
100+ | 169.44 грн |
250+ | 155.00 грн |
500+ | 144.36 грн |
1000+ | 140.57 грн |