Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4204) > Сторінка 36 з 71

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
M3P100A-60 GeneSiC Semiconductor threephase.pdf Description: DIODE STD REC 600V 100A 3PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P100A-80 GeneSiC Semiconductor m3p100a80_thru_m3p100a160.pdf Description: DIODE STD REC 800V 100A 3PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P100A-80 M3P100A-80 GeneSiC Semiconductor m3p100a80_thru_m3p100a160-472634.pdf Rectifiers 800V 100A Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P75A-100 M3P75A-100 GeneSiC Semiconductor m3p75a80_thru_m3p75a160.pdf Description: DIODE STD REC 1000V 75A 3PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P75A-100 M3P75A-100 GeneSiC Semiconductor threephase-1133535.pdf Rectifiers 1000V 75A Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P75A-120 M3P75A-120 GeneSiC Semiconductor m3p75a80_thru_m3p75a160.pdf Description: DIODE STD REC 1200V 75A 3PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P75A-120 M3P75A-120 GeneSiC Semiconductor threephase-1133535.pdf Rectifiers 1200V 75A Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P75A-140 M3P75A-140 GeneSiC Semiconductor threephase-1133535.pdf Rectifiers 1400V 75A Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P75A-140 M3P75A-140 GeneSiC Semiconductor m3p75a80_thru_m3p75a160.pdf Description: DIODE STD REC 1400V 75A 3PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P75A-160 M3P75A-160 GeneSiC Semiconductor m3p75a80_thru_m3p75a160.pdf Description: DIODE STD REC 1600V 75A 3PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P75A-160 M3P75A-160 GeneSiC Semiconductor m3p75a80_thru_m3p75a160-472702.pdf Rectifiers 1600V 75A Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P75A-40 M3P75A-40 GeneSiC Semiconductor m3p75a-40_thru_m3p75a-60.pdf Description: DIODE MODULE STD 75A 400V 3PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P75A-40 M3P75A-40 GeneSiC Semiconductor m3p75a-40_thru_m3p75a-60-766237.pdf Rectifiers 400V 75A Si Standard Recovery Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P75A-60 M3P75A-60 GeneSiC Semiconductor threephase.pdf Description: DIODE STD REC 600V 75A 3PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P75A-60 M3P75A-60 GeneSiC Semiconductor threephase-1133535.pdf Rectifiers 600V 75A Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P75A-80 M3P75A-80 GeneSiC Semiconductor m3p75a80_thru_m3p75a160.pdf Description: DIODE STD REC 800V 75A 3PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P75A-80 M3P75A-80 GeneSiC Semiconductor m3p75a80_thru_m3p75a160-472702.pdf Rectifiers 800V 75A Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR120100CT MBR120100CT GeneSiC Semiconductor mbr120100ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 100V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR120100CT MBR120100CT GeneSiC Semiconductor mbr120100ct-3480271.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A100P/70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR120100CTR MBR120100CTR GeneSiC Semiconductor mbr120100ctr-3477496.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A100P/70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR120100CTR MBR120100CTR GeneSiC Semiconductor mbr120100ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 100V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR120150CT MBR120150CT GeneSiC Semiconductor mbr120150ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 150V 60A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR120150CT MBR120150CT GeneSiC Semiconductor mbr120150ct_thru_mbr120200ctr-541911.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 150V 120A Forward
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR120150CTR MBR120150CTR GeneSiC Semiconductor mbr120150ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 150V 60A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR120150CTR MBR120150CTR GeneSiC Semiconductor mbr120150ctr-1856746.pdf Diode Modules 150V 120A Reverse
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR120200CT MBR120200CT GeneSiC Semiconductor mbr120150ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 200V 60A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR120200CT MBR120200CT GeneSiC Semiconductor mbr120150ct_thru_mbr120200ctr-541911.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 200V 120A Forward
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR120200CTR MBR120200CTR GeneSiC Semiconductor mbr120150ct_thru_mbr120200ctr-541911.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 200V 120A Reverse
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR120200CTR MBR120200CTR GeneSiC Semiconductor mbr120150ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 200V 60A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12020CT MBR12020CT GeneSiC Semiconductor mbr12020ct-3479252.pdf Diode Modules 20V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12020CT MBR12020CT GeneSiC Semiconductor mbr12020ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12020CTR MBR12020CTR GeneSiC Semiconductor mbr12020ctr.pdf Diode Modules 20V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12030CT MBR12030CT GeneSiC Semiconductor mbr12030ct-3477499.pdf Diode Modules 30V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12030CT MBR12030CT GeneSiC Semiconductor mbr12020ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12030CTR MBR12030CTR GeneSiC Semiconductor mbr12030ctr-3480013.pdf Diode Modules 30V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12030CTR MBR12030CTR GeneSiC Semiconductor mbr12020ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12035CT MBR12035CT GeneSiC Semiconductor mbr12035ct-3477925.pdf Diode Modules 35V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12035CT MBR12035CT GeneSiC Semiconductor mbr12020ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 120
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12035 CTR MBR12035 CTR GeneSiC Semiconductor mbr12020ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 120
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12035CTR MBR12035CTR GeneSiC Semiconductor mbr12035ctr-3477929.pdf Diode Modules 35V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12035CTR GeneSiC Semiconductor mbr12035ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12040CT MBR12040CT GeneSiC Semiconductor mbr12040ct-3481306.pdf Diode Modules 40V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12040CT MBR12040CT GeneSiC Semiconductor mbr12020ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12040CTR MBR12040CTR GeneSiC Semiconductor mbr12040ctr-3477666.pdf Diode Modules 40V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12040CTR MBR12040CTR GeneSiC Semiconductor mbr12020ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12045CT MBR12045CT GeneSiC Semiconductor mbr12045ct.pdf Diode Modules 45V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12045CTR MBR12045CTR GeneSiC Semiconductor mbr12045ctr.pdf Diode Modules 45V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12060CT MBR12060CT GeneSiC Semiconductor mbr12060ct.pdf Diode Modules 60V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12060CT MBR12060CT GeneSiC Semiconductor mbr120100ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12060CTR MBR12060CTR GeneSiC Semiconductor mbr120100ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12060CTR MBR12060CTR GeneSiC Semiconductor mbr12060ctr.pdf Diode Modules 60V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12080CT MBR12080CT GeneSiC Semiconductor mbr12080ct-3479664.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A 80P56R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12080CT GeneSiC Semiconductor mbr120100ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12080CTR GeneSiC Semiconductor mbr120100ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12080CTR MBR12080CTR GeneSiC Semiconductor mbr12080ctr-3477932.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A 80P56R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR200100CT MBR200100CT GeneSiC Semiconductor mbr200100ct.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A100P/70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR200100CTR MBR200100CTR GeneSiC Semiconductor mbr200100ctr.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A100P/70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR200100CTS MBR200100CTS GeneSiC Semiconductor 52mbr200100cts.pdf Diode Schottky 100V 200A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR200100CTS MBR200100CTS GeneSiC Semiconductor mbr200100cts-1856734.pdf Discrete Semiconductor Modules 100V 200A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR200150CT MBR200150CT GeneSiC Semiconductor mbr200150ct.pdf Diode Modules 150V 200A Forward
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P100A-60 threephase.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 600V 100A 3PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P100A-80 m3p100a80_thru_m3p100a160.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 800V 100A 3PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P100A-80 m3p100a80_thru_m3p100a160-472634.pdf
M3P100A-80
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 800V 100A Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P75A-100 m3p75a80_thru_m3p75a160.pdf
M3P75A-100
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 1000V 75A 3PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P75A-100 threephase-1133535.pdf
M3P75A-100
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1000V 75A Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P75A-120 m3p75a80_thru_m3p75a160.pdf
M3P75A-120
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 1200V 75A 3PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P75A-120 threephase-1133535.pdf
M3P75A-120
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1200V 75A Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P75A-140 threephase-1133535.pdf
M3P75A-140
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1400V 75A Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P75A-140 m3p75a80_thru_m3p75a160.pdf
M3P75A-140
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 1400V 75A 3PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P75A-160 m3p75a80_thru_m3p75a160.pdf
M3P75A-160
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 1600V 75A 3PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P75A-160 m3p75a80_thru_m3p75a160-472702.pdf
M3P75A-160
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1600V 75A Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P75A-40 m3p75a-40_thru_m3p75a-60.pdf
M3P75A-40
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE STD 75A 400V 3PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P75A-40 m3p75a-40_thru_m3p75a-60-766237.pdf
M3P75A-40
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 400V 75A Si Standard Recovery Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P75A-60 threephase.pdf
M3P75A-60
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 600V 75A 3PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P75A-60 threephase-1133535.pdf
M3P75A-60
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 600V 75A Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P75A-80 m3p75a80_thru_m3p75a160.pdf
M3P75A-80
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 800V 75A 3PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P75A-80 m3p75a80_thru_m3p75a160-472702.pdf
M3P75A-80
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 800V 75A Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR120100CT mbr120100ct.pdf
MBR120100CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR120100CT mbr120100ct-3480271.pdf
MBR120100CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A100P/70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR120100CTR mbr120100ctr-3477496.pdf
MBR120100CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A100P/70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR120100CTR mbr120100ct.pdf
MBR120100CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR120150CT mbr120150ct.pdf
MBR120150CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 150V 60A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR120150CT mbr120150ct_thru_mbr120200ctr-541911.pdf
MBR120150CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 150V 120A Forward
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR120150CTR mbr120150ct.pdf
MBR120150CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 150V 60A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR120150CTR mbr120150ctr-1856746.pdf
MBR120150CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 150V 120A Reverse
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR120200CT mbr120150ct.pdf
MBR120200CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 200V 60A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR120200CT mbr120150ct_thru_mbr120200ctr-541911.pdf
MBR120200CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 200V 120A Forward
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR120200CTR mbr120150ct_thru_mbr120200ctr-541911.pdf
MBR120200CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 200V 120A Reverse
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR120200CTR mbr120150ct.pdf
MBR120200CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 200V 60A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12020CT mbr12020ct-3479252.pdf
MBR12020CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 20V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12020CT mbr12020ct.pdf
MBR12020CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12020CTR mbr12020ctr.pdf
MBR12020CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 20V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12030CT mbr12030ct-3477499.pdf
MBR12030CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 30V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12030CT mbr12020ct.pdf
MBR12030CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12030CTR mbr12030ctr-3480013.pdf
MBR12030CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 30V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12030CTR mbr12020ct.pdf
MBR12030CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12035CT mbr12035ct-3477925.pdf
MBR12035CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 35V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12035CT mbr12020ct.pdf
MBR12035CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 120
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12035 CTR mbr12020ct.pdf
MBR12035 CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 120
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12035CTR mbr12035ctr-3477929.pdf
MBR12035CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 35V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12035CTR mbr12035ctr.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12040CT mbr12040ct-3481306.pdf
MBR12040CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 40V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12040CT mbr12020ct.pdf
MBR12040CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12040CTR mbr12040ctr-3477666.pdf
MBR12040CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 40V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12040CTR mbr12020ct.pdf
MBR12040CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12045CT mbr12045ct.pdf
MBR12045CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 45V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12045CTR mbr12045ctr.pdf
MBR12045CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 45V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12060CT mbr12060ct.pdf
MBR12060CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 60V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12060CT mbr120100ct.pdf
MBR12060CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12060CTR mbr120100ct.pdf
MBR12060CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12060CTR mbr12060ctr.pdf
MBR12060CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 60V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12080CT mbr12080ct-3479664.pdf
MBR12080CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A 80P56R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12080CT mbr120100ct.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12080CTR mbr120100ct.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12080CTR mbr12080ctr-3477932.pdf
MBR12080CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A 80P56R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR200100CT mbr200100ct.pdf
MBR200100CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A100P/70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR200100CTR mbr200100ctr.pdf
MBR200100CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A100P/70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR200100CTS 52mbr200100cts.pdf
MBR200100CTS
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 100V 200A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR200100CTS mbr200100cts-1856734.pdf
MBR200100CTS
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 100V 200A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR200150CT mbr200150ct.pdf
MBR200150CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 150V 200A Forward
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]