Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4217) > Сторінка 36 з 71
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
KBU8A | GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 8A KBUPackaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, KBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: KBU Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V Current - Average Rectified (Io): 8 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
KBU8A | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 50V 8A Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
KBU8B | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 100V 8A Bridge Rectifier |
на замовлення 2385 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
KBU8B | GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 8A KBUPackaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, KBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: KBU Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V Current - Average Rectified (Io): 8 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V |
на замовлення 4501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
KBU8D | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 200V 8A Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
KBU8D | GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 8A KBUPackaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, KBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: KBU Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V Current - Average Rectified (Io): 8 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
KBU8G | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 400V 8A Bridge Rectifier |
на замовлення 1747 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
KBU8J | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 600V 8A Bridge Rectifier |
на замовлення 730 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
KBU8K | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 800V 8A Bridge Rectifier |
на замовлення 12976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
KBU8M | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 1000V 8A Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KBU8M | GeneSiC Semiconductor |
8A, 1000V, KBU Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| M3P100A-100 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE STD REC 1000V 100A 3PH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| M3P100A-120 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE STD REC 1200V 100A 3PH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| M3P100A-140 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE STD REC 1400V 100A 3PH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
|
M3P100A-160 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 1600V 100A Std. Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| M3P100A-160 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE STD REC 1600V 100A 3PH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| M3P100A-60 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE STD REC 600V 100A 3PH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
|
M3P100A-80 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 800V 100A Std. Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| M3P100A-80 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE STD REC 800V 100A 3PH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
|
M3P75A-100 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE STD REC 1000V 75A 3PH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
M3P75A-100 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 1000V 75A Std. Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
M3P75A-120 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 1200V 75A Std. Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
M3P75A-120 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE STD REC 1200V 75A 3PH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
M3P75A-140 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 1400V 75A Std. Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
M3P75A-140 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE STD REC 1400V 75A 3PH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
M3P75A-160 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 1600V 75A Std. Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
M3P75A-160 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE STD REC 1600V 75A 3PH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
M3P75A-40 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 400V 75A Si Standard Recovery Rectifier |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
M3P75A-40 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE STD 75A 400V 3PH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
M3P75A-60 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 600V 75A Std. Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
M3P75A-60 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE STD REC 600V 75A 3PH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
M3P75A-80 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE STD REC 800V 75A 3PH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
M3P75A-80 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 800V 75A Std. Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
MBR120100CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 120A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC) Supplier Device Package: Twin Tower Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
MBR120100CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A100P/70 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
MBR120100CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A100P/70 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
MBR120100CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 120A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC) Supplier Device Package: Twin Tower Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
MBR120150CT | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 150V 120A Forward |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
MBR120150CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 150V 60A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
MBR120150CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 150V 120A Reverse |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
MBR120150CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 150V 60A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
MBR120200CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 200V 60A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
MBR120200CT | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 200V 120A Forward |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
MBR120200CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 200V 60A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
MBR120200CTR | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 200V 120A Reverse |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
MBR12020CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 20V 120A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
MBR12020CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 120A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC) Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
MBR12020CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 20V 120A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
MBR12030CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 120A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC) Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
MBR12030CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 30V 120A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
MBR12030CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 120A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC) Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 60 A Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
MBR12030CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 30V 120A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
MBR12035CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC) Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 120 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
MBR12035CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 35V 120A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
MBR12035CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 35V 120A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
MBR12035 CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC) Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 120 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MBR12035CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC) Supplier Device Package: Twin Tower Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
MBR12040CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 120A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC) Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
MBR12040CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 40V 120A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
MBR12040CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 40V 120A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| KBU8A |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 8A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 8A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KBU8A |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 50V 8A Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 50V 8A Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KBU8B |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100V 8A Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 100V 8A Bridge Rectifier
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 126.28 грн |
| 10+ | 92.56 грн |
| 25+ | 72.16 грн |
| 100+ | 60.29 грн |
| 250+ | 53.98 грн |
| 400+ | 49.54 грн |
| 1200+ | 45.38 грн |
| KBU8B |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 8A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 8A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 4501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 120.99 грн |
| 10+ | 87.04 грн |
| 25+ | 77.51 грн |
| 100+ | 61.08 грн |
| 250+ | 54.41 грн |
| 500+ | 49.90 грн |
| 1000+ | 44.94 грн |
| 2500+ | 40.04 грн |
| KBU8D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200V 8A Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 200V 8A Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KBU8D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 8A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 8A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KBU8G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 8A Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 400V 8A Bridge Rectifier
на замовлення 1747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.85 грн |
| KBU8J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 600V 8A Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 600V 8A Bridge Rectifier
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 127.09 грн |
| 10+ | 93.36 грн |
| 25+ | 66.82 грн |
| 100+ | 59.11 грн |
| 250+ | 53.98 грн |
| 400+ | 45.38 грн |
| 1200+ | 40.31 грн |
| KBU8K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800V 8A Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 800V 8A Bridge Rectifier
на замовлення 12976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 140.04 грн |
| 10+ | 95.75 грн |
| 25+ | 70.08 грн |
| 250+ | 53.98 грн |
| 400+ | 44.13 грн |
| 1200+ | 39.76 грн |
| 2800+ | 39.69 грн |
| KBU8M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 1000V 8A Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 1000V 8A Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KBU8M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
8A, 1000V, KBU Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт
8A, 1000V, KBU Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| M3P100A-100 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 1000V 100A 3PH
Description: DIODE STD REC 1000V 100A 3PH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| M3P100A-120 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 1200V 100A 3PH
Description: DIODE STD REC 1200V 100A 3PH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| M3P100A-140 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 1400V 100A 3PH
Description: DIODE STD REC 1400V 100A 3PH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| M3P100A-160 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1600V 100A Std. Recovery
Rectifiers 1600V 100A Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| M3P100A-160 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 1600V 100A 3PH
Description: DIODE STD REC 1600V 100A 3PH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| M3P100A-60 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 600V 100A 3PH
Description: DIODE STD REC 600V 100A 3PH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| M3P100A-80 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 800V 100A Std. Recovery
Rectifiers 800V 100A Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| M3P100A-80 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 800V 100A 3PH
Description: DIODE STD REC 800V 100A 3PH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| M3P75A-100 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 1000V 75A 3PH
Description: DIODE STD REC 1000V 75A 3PH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| M3P75A-100 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1000V 75A Std. Recovery
Rectifiers 1000V 75A Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| M3P75A-120 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1200V 75A Std. Recovery
Rectifiers 1200V 75A Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| M3P75A-120 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 1200V 75A 3PH
Description: DIODE STD REC 1200V 75A 3PH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| M3P75A-140 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1400V 75A Std. Recovery
Rectifiers 1400V 75A Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| M3P75A-140 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 1400V 75A 3PH
Description: DIODE STD REC 1400V 75A 3PH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| M3P75A-160 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1600V 75A Std. Recovery
Rectifiers 1600V 75A Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| M3P75A-160 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 1600V 75A 3PH
Description: DIODE STD REC 1600V 75A 3PH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| M3P75A-40 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 400V 75A Si Standard Recovery Rectifier
Rectifiers 400V 75A Si Standard Recovery Rectifier
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| M3P75A-40 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE STD 75A 400V 3PH
Description: DIODE MODULE STD 75A 400V 3PH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| M3P75A-60 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 600V 75A Std. Recovery
Rectifiers 600V 75A Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| M3P75A-60 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 600V 75A 3PH
Description: DIODE STD REC 600V 75A 3PH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| M3P75A-80 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 800V 75A 3PH
Description: DIODE STD REC 800V 75A 3PH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| M3P75A-80 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 800V 75A Std. Recovery
Rectifiers 800V 75A Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR120100CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR120100CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A100P/70
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A100P/70
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR120100CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A100P/70
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A100P/70
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR120100CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR120150CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 150V 120A Forward
Schottky Diodes & Rectifiers 150V 120A Forward
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| MBR120150CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 150V 60A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 150V 60A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR120150CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 150V 120A Reverse
Diode Modules 150V 120A Reverse
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR120150CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 150V 60A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 150V 60A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR120200CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 200V 60A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 200V 60A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR120200CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 200V 120A Forward
Schottky Diodes & Rectifiers 200V 120A Forward
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| MBR120200CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 200V 60A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 200V 60A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR120200CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 200V 120A Reverse
Schottky Diodes & Rectifiers 200V 120A Reverse
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR12020CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 20V 120A Schottky Recovery
Diode Modules 20V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR12020CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR12020CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 20V 120A Schottky Recovery
Diode Modules 20V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR12030CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR12030CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 30V 120A Schottky Recovery
Diode Modules 30V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR12030CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 60 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 60 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR12030CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 30V 120A Schottky Recovery
Diode Modules 30V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR12035CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 120
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 120
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR12035CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 35V 120A Schottky Recovery
Diode Modules 35V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR12035CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 35V 120A Schottky Recovery
Diode Modules 35V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR12035 CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 120
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 120
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR12035CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR12040CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR12040CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 40V 120A Schottky Recovery
Diode Modules 40V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR12040CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 40V 120A Schottky Recovery
Diode Modules 40V 120A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.






