Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (3988) > Сторінка 5 з 67

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
1N5830R GeneSiC Semiconductor 1n5829.pdf Description: DIODE SCHOTTKY REV 25V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 25 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5830R 1N5830R GeneSiC Semiconductor 1n5829.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 25V - 25A Schottky Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5831 1N5831 GeneSiC Semiconductor 1n5829.pdf 1N5829-1N5831-ssi.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 35V - 25A Schottky Rectifier
на замовлення 210 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1282.65 грн
10+1145.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5831 GeneSiC Semiconductor 1n5829.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 35V 25A DO4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5831 1N5831 GeneSiC Semiconductor 361460789146003761n5829_thru_1n5831r.pdf Rectifier Diode Schottky 35V 25A 2-Pin DO-4
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+4414.98 грн
25+4123.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5831R GeneSiC Semiconductor 1n5829.pdf Description: DIODE SCHOTTKY REV 35V 25A DO4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5831R 1N5831R GeneSiC Semiconductor 1n5829.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 35V - 25A Schottky Rectifier
на замовлення 92 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1341.65 грн
10+1213.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5832 GeneSiC Semiconductor 1n5832.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 40A DO5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5832R 1N5832R GeneSiC Semiconductor 1n5832.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 20V - 40A Schottky Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5832R GeneSiC Semiconductor 1n5832.pdf Description: DIODE SCHOTTKY REV 20V 40A DO5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5833 GeneSiC Semiconductor 1n5832.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 40A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 mA @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5833 1N5833 GeneSiC Semiconductor 1n5832.pdf 5868-1n5832-34-datasheet 1N5832-1N5834-ssi.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 30V - 40A Schottky Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5833R GeneSiC Semiconductor 1n5832.pdf Description: DIODE SCHOTTKY REV 30V 40A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 mA @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5833R 1N5833R GeneSiC Semiconductor 1n5832.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 30V - 40A Schottky Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5834 1N5834 GeneSiC Semiconductor 1n5832-34.pdf 1N5834.pdf 1n5832.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 40A Schottky Rectifier
на замовлення 124 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1640.94 грн
10+1352.83 грн
25+1095.75 грн
100+1022.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5834R 1N5834R GeneSiC Semiconductor 1N5834R.pdf 1n5832.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 40A Schottky Rectifier
на замовлення 71 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1723.03 грн
10+1616.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N6095 1N6095 GeneSiC Semiconductor 1n6095.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 30V - 25A Schottky Rectifier
на замовлення 24 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1377.57 грн
10+1152.22 грн
25+938.90 грн
100+850.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N6095 GeneSiC Semiconductor 1n6095.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N6095R 1N6095R GeneSiC Semiconductor 1n6095.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 30V - 25A Schottky Rectifier
на замовлення 38 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1741.84 грн
10+1245.78 грн
25+1055.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N6095R 1N6095R GeneSiC Semiconductor 1n6095.pdf Description: DIODE SCHOTTKY REV 30V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N6096 GeneSiC Semiconductor 1n6096.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N6096 1N6096 GeneSiC Semiconductor 1n6096.pdf 5870-1n6095-96-datasheet Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 25A Schottky Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N6096 1N6096 GeneSiC Semiconductor 386910112501433441n6095_thru_1n6096r.pdf Diode Schottky 40V 25A 2-Pin DO-4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N6096R GeneSiC Semiconductor 1n6096.pdf Description: DIODE SCHOTTKY REV 40V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N6096R 1N6096R GeneSiC Semiconductor 1n6096.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 25A Schottky Rectifier
на замовлення 246 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1357.05 грн
25+1336.82 грн
250+1055.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N6097R 1N6097R GeneSiC Semiconductor 1N6097R.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 30V - 50A Schottky Rectifier
на замовлення 69 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1853.00 грн
10+1756.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N6098 1N6098 GeneSiC Semiconductor 1n6097.pdf 1N6098.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 50A Schottky Rectifier
на замовлення 198 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1781.18 грн
10+1671.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N6098R 1N6098R GeneSiC Semiconductor 1N6098R.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 50A Schottky Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N8024-GA 1N8024-GA GeneSiC Semiconductor 1N8024-GA.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 750MA TO257
Packaging: Tube
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 66pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 750mA
Supplier Device Package: TO-257
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.74 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N8025 GeneSiC Semiconductor SiC Schottky Diodes 1200V, 1A, 225 Deg C SiC Schottky Rect.
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N8026-GA 1N8026-GA GeneSiC Semiconductor 1N8026-GA.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 8A TO257
Packaging: Tube
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 237pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-257
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N8027 GeneSiC Semiconductor SiC Schottky Diodes 1200V, 5A, 225 D C SiC Schottky Rect.
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N8028-GA 1N8028-GA GeneSiC Semiconductor 1N8028-GA.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N8029 GeneSiC Semiconductor SiC Schottky Diodes 1200V, 15A, 225 D C SiC Schottky Rect.
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N8030-GA 1N8030-GA GeneSiC Semiconductor 9733158768511141n8030-ga.pdf Diode Schottky 650V 0.75A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N8030-GA 1N8030-GA GeneSiC Semiconductor 1N8030-GA.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 750MA TO257
Packaging: Tube
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 750mA
Supplier Device Package: TO-257
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.39 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N8031-GA 1N8031-GA GeneSiC Semiconductor 1N8031-GA.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N8032-GA 1N8032-GA GeneSiC Semiconductor 1N8032-GA.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N8032-GA 1N8032-GA GeneSiC Semiconductor 9732867828337061n8032-ga.pdf Diode Schottky 650V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N8033-GA 1N8033-GA GeneSiC Semiconductor 1N8033-GA.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1N8034-GA 1N8034-GA GeneSiC Semiconductor 1N8034-GA.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 9.4A TO257
Packaging: Tube
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1107pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9.4A
Supplier Device Package: TO-257
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N8035-GA 1N8035-GA GeneSiC Semiconductor 1N8035-GA.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1N827ARL GeneSiC Semiconductor 1N827ARL^GENESIC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7635-GA 2N7635-GA GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 650V 4A TO257
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Supplier Device Package: TO-257
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7636-GA GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 650V 4A TO276
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-276AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-276
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7637-GA 2N7637-GA GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 650V 7A TO257
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) (165°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7A
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Supplier Device Package: TO-257
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7638-GA 2N7638-GA GeneSiC Semiconductor 2N7638-GA.pdf Description: TRANS SJT 650V 8A TO276
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-276AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) (158°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 8A
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Supplier Device Package: TO-276
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7639-GA GeneSiC Semiconductor 2N7639-GA.pdf Description: TRANS SJT 650V 15A TO-257
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7640-GA GeneSiC Semiconductor 2N7640-GA.pdf Description: TRANS SJT 650V 16A TO276
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2W005M GeneSiC Semiconductor 2w005m_thru_2w04m-1133595.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1000V 2A 50P/35R
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2W01M GeneSiC Semiconductor 2W005M-2W10M.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1000V 2A 100P/70R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2W01M GeneSiC Semiconductor 2W005M-2W10M.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A WOM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2W02M GeneSiC Semiconductor 2w005m_thru_2w04m-1133595.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 200P/140R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2W04M GeneSiC Semiconductor 2w005m_thru_2w04m-1133595.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 400P/280R
на замовлення 381 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2W06M GeneSiC Semiconductor 2w06m_thru_2w10m-1133748.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 600P/420R
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2W08M GeneSiC Semiconductor 2W005M-2W10M.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 800P/560R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2W08M GeneSiC Semiconductor 2W005M-2W10M.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 800P/560R Діодні мости малопотужні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2W10M GeneSiC Semiconductor 2W005M-2W10M.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1000V 2A 1KP/700R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2W10M GeneSiC Semiconductor 2W005M-2W10M.pdf 50-1000V 2A 1KP/700R Діодні мости малопотужні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR1005 BR1005 GeneSiC Semiconductor br1005.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A 50P/35
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+154.77 грн
10+114.63 грн
25+88.69 грн
100+76.96 грн
200+67.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5830R 1n5829.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY REV 25V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 25 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5830R 1n5829.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 25V - 25A Schottky Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5831 1n5829.pdf 1N5829-1N5831-ssi.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 35V - 25A Schottky Rectifier
на замовлення 210 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1282.65 грн
10+1145.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5831 1n5829.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 25A DO4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5831 361460789146003761n5829_thru_1n5831r.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 35V 25A 2-Pin DO-4
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+4414.98 грн
25+4123.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5831R 1n5829.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY REV 35V 25A DO4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5831R 1n5829.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 35V - 25A Schottky Rectifier
на замовлення 92 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1341.65 грн
10+1213.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5832 1n5832.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 40A DO5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5832R 1n5832.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 20V - 40A Schottky Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5832R 1n5832.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY REV 20V 40A DO5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5833 1n5832.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 40A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 mA @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5833 1n5832.pdf 5868-1n5832-34-datasheet 1N5832-1N5834-ssi.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 30V - 40A Schottky Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5833R 1n5832.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY REV 30V 40A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 mA @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5833R 1n5832.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 30V - 40A Schottky Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5834 1n5832-34.pdf 1N5834.pdf 1n5832.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 40A Schottky Rectifier
на замовлення 124 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1640.94 грн
10+1352.83 грн
25+1095.75 грн
100+1022.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5834R 1N5834R.pdf 1n5832.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 40A Schottky Rectifier
на замовлення 71 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1723.03 грн
10+1616.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N6095 1n6095.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 30V - 25A Schottky Rectifier
на замовлення 24 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1377.57 грн
10+1152.22 грн
25+938.90 грн
100+850.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N6095 1n6095.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N6095R 1n6095.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 30V - 25A Schottky Rectifier
на замовлення 38 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1741.84 грн
10+1245.78 грн
25+1055.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N6095R 1n6095.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY REV 30V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N6096 1n6096.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N6096 1n6096.pdf 5870-1n6095-96-datasheet
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 25A Schottky Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N6096 386910112501433441n6095_thru_1n6096r.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 40V 25A 2-Pin DO-4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N6096R 1n6096.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY REV 40V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N6096R 1n6096.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 25A Schottky Rectifier
на замовлення 246 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1357.05 грн
25+1336.82 грн
250+1055.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N6097R 1N6097R.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 30V - 50A Schottky Rectifier
на замовлення 69 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1853.00 грн
10+1756.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N6098 1n6097.pdf 1N6098.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 50A Schottky Rectifier
на замовлення 198 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1781.18 грн
10+1671.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N6098R 1N6098R.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 50A Schottky Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N8024-GA 1N8024-GA.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 750MA TO257
Packaging: Tube
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 66pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 750mA
Supplier Device Package: TO-257
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.74 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N8025
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V, 1A, 225 Deg C SiC Schottky Rect.
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N8026-GA 1N8026-GA.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 8A TO257
Packaging: Tube
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 237pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-257
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N8027
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V, 5A, 225 D C SiC Schottky Rect.
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N8028-GA 1N8028-GA.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N8029
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V, 15A, 225 D C SiC Schottky Rect.
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N8030-GA 9733158768511141n8030-ga.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 0.75A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N8030-GA 1N8030-GA.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 750MA TO257
Packaging: Tube
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 750mA
Supplier Device Package: TO-257
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.39 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N8031-GA 1N8031-GA.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N8032-GA 1N8032-GA.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N8032-GA 9732867828337061n8032-ga.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N8033-GA 1N8033-GA.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1N8034-GA 1N8034-GA.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 9.4A TO257
Packaging: Tube
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1107pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9.4A
Supplier Device Package: TO-257
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N8035-GA 1N8035-GA.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1N827ARL
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1N827ARL^GENESIC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7635-GA
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 4A TO257
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Supplier Device Package: TO-257
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7636-GA
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 4A TO276
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-276AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-276
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7637-GA
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 7A TO257
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) (165°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7A
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Supplier Device Package: TO-257
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7638-GA 2N7638-GA.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 8A TO276
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-276AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) (158°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 8A
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Supplier Device Package: TO-276
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7639-GA 2N7639-GA.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 15A TO-257
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7640-GA 2N7640-GA.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 16A TO276
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2W005M 2w005m_thru_2w04m-1133595.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1000V 2A 50P/35R
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2W01M 2W005M-2W10M.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1000V 2A 100P/70R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2W01M 2W005M-2W10M.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A WOM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2W02M 2w005m_thru_2w04m-1133595.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 200P/140R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2W04M 2w005m_thru_2w04m-1133595.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 400P/280R
на замовлення 381 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2W06M 2w06m_thru_2w10m-1133748.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 600P/420R
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2W08M 2W005M-2W10M.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 800P/560R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2W08M 2W005M-2W10M.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 800P/560R Діодні мости малопотужні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2W10M 2W005M-2W10M.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1000V 2A 1KP/700R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2W10M 2W005M-2W10M.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
50-1000V 2A 1KP/700R Діодні мости малопотужні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR1005 br1005.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A 50P/35
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+154.77 грн
10+114.63 грн
25+88.69 грн
100+76.96 грн
200+67.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.