Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (3988) > Сторінка 5 з 67
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1N5830R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY REV 25V 25A DO4Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky, Reverse Polarity Current - Average Rectified (Io): 25A Supplier Device Package: DO-4 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 25 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 25 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 20 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
1N5830R | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 25V - 25A Schottky Rectifier |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
1N5831 | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 35V - 25A Schottky Rectifier |
на замовлення 210 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
| 1N5831 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 25A DO4 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
1N5831 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 35V 25A 2-Pin DO-4 |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| 1N5831R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY REV 35V 25A DO4 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
1N5831R | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 35V - 25A Schottky Rectifier |
на замовлення 92 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
| 1N5832 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 40A DO5 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
1N5832R | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 20V - 40A Schottky Rectifier |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5832R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY REV 20V 40A DO5 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 1N5833 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 40A DO5Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 40A Supplier Device Package: DO-5 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 mA @ 10 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
1N5833 | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 30V - 40A Schottky Rectifier |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5833R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY REV 30V 40A DO5Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky, Reverse Polarity Current - Average Rectified (Io): 40A Supplier Device Package: DO-5 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 mA @ 10 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
1N5833R | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 30V - 40A Schottky Rectifier |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
1N5834 | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 40A Schottky Rectifier |
на замовлення 124 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
1N5834R | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 40A Schottky Rectifier |
на замовлення 71 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
1N6095 | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 30V - 25A Schottky Rectifier |
на замовлення 24 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
| 1N6095 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 25A DO4Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 25A Supplier Device Package: DO-4 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 25 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 20 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
1N6095R | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 30V - 25A Schottky Rectifier |
на замовлення 38 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
1N6095R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY REV 30V 25A DO4Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky, Reverse Polarity Current - Average Rectified (Io): 25A Supplier Device Package: DO-4 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 25 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 20 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N6096 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 25A DO4Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 25A Supplier Device Package: DO-4 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 25 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 20 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
1N6096 | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 25A Schottky Rectifier |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
1N6096 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 40V 25A 2-Pin DO-4 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N6096R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY REV 40V 25A DO4Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky, Reverse Polarity Current - Average Rectified (Io): 25A Supplier Device Package: DO-4 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 25 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 20 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
1N6096R | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 25A Schottky Rectifier |
на замовлення 246 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
1N6097R | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 30V - 50A Schottky Rectifier |
на замовлення 69 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
1N6098 | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 50A Schottky Rectifier |
на замовлення 198 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
1N6098R | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 50A Schottky Rectifier |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
1N8024-GA | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 750MA TO257Packaging: Tube Package / Case: TO-257-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 66pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 750mA Supplier Device Package: TO-257 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.74 V @ 750 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N8025 | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 1200V, 1A, 225 Deg C SiC Schottky Rect. |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
1N8026-GA | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 8A TO257Packaging: Tube Package / Case: TO-257-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 237pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-257 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N8027 | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 1200V, 5A, 225 D C SiC Schottky Rect. |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
1N8028-GA | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N8029 | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 1200V, 15A, 225 D C SiC Schottky Rect. |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
1N8030-GA | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 0.75A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
1N8030-GA | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 750MA TO257Packaging: Tube Package / Case: TO-257-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 750mA Supplier Device Package: TO-257 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.39 V @ 750 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
1N8031-GA | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
1N8032-GA | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
1N8032-GA | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
1N8033-GA | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276 |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
1N8034-GA | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 9.4A TO257Packaging: Tube Package / Case: TO-257-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1107pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 9.4A Supplier Device Package: TO-257 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
1N8035-GA | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276 |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N827ARL | GeneSiC Semiconductor | 1N827ARL^GENESIC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
2N7635-GA | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 650V 4A TO257 Packaging: Bulk Package / Case: TO-257-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 4A Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Supplier Device Package: TO-257 Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 35 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N7636-GA | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 650V 4A TO276 Packaging: Bulk Package / Case: TO-276AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 4A Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Supplier Device Package: TO-276 Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 35 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
2N7637-GA | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 650V 7A TO257 Packaging: Bulk Package / Case: TO-257-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) (165°C) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7A Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Supplier Device Package: TO-257 Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 35 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
2N7638-GA | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 650V 8A TO276Packaging: Bulk Package / Case: TO-276AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) (158°C) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 8A Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Supplier Device Package: TO-276 Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 35 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N7639-GA | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 650V 15A TO-257 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N7640-GA | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 650V 16A TO276 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2W005M | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1000V 2A 50P/35R |
на замовлення 1953 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2W01M | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1000V 2A 100P/70R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2W01M | GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A WOMPackaging: Bulk Package / Case: 4-Circular, WOM Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: WOM Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V Current - Average Rectified (Io): 2 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2W02M | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 200P/140R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2W04M | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 400P/280R |
на замовлення 381 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2W06M | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 600P/420R |
на замовлення 1875 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2W08M | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 800P/560R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2W08M | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 800P/560R Діодні мости малопотужні |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2W10M | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1000V 2A 1KP/700R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2W10M | GeneSiC Semiconductor |
50-1000V 2A 1KP/700R Діодні мости малопотужні |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
BR1005 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A 50P/35 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| 1N5830R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY REV 25V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 25 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 20 V
Description: DIODE SCHOTTKY REV 25V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 25 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 1N5830R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 25V - 25A Schottky Rectifier
Schottky Diodes & Rectifiers 25V - 25A Schottky Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 1N5831 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 35V - 25A Schottky Rectifier
Schottky Diodes & Rectifiers 35V - 25A Schottky Rectifier
на замовлення 210 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1282.65 грн |
| 10+ | 1145.48 грн |
| 1N5831 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 25A DO4
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 25A DO4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 1N5831 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 35V 25A 2-Pin DO-4
Rectifier Diode Schottky 35V 25A 2-Pin DO-4
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 4414.98 грн |
| 25+ | 4123.89 грн |
| 1N5831R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY REV 35V 25A DO4
Description: DIODE SCHOTTKY REV 35V 25A DO4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 1N5831R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 35V - 25A Schottky Rectifier
Schottky Diodes & Rectifiers 35V - 25A Schottky Rectifier
на замовлення 92 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1341.65 грн |
| 10+ | 1213.75 грн |
| 1N5832 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 40A DO5
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 40A DO5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 1N5832R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 20V - 40A Schottky Rectifier
Schottky Diodes & Rectifiers 20V - 40A Schottky Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 1N5832R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY REV 20V 40A DO5
Description: DIODE SCHOTTKY REV 20V 40A DO5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 1N5833 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 40A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 mA @ 10 V
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 40A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 mA @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 1N5833 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 30V - 40A Schottky Rectifier
Schottky Diodes & Rectifiers 30V - 40A Schottky Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 1N5833R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY REV 30V 40A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 mA @ 10 V
Description: DIODE SCHOTTKY REV 30V 40A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 mA @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 1N5833R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 30V - 40A Schottky Rectifier
Schottky Diodes & Rectifiers 30V - 40A Schottky Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 1N5834 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 40A Schottky Rectifier
Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 40A Schottky Rectifier
на замовлення 124 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1640.94 грн |
| 10+ | 1352.83 грн |
| 25+ | 1095.75 грн |
| 100+ | 1022.46 грн |
| 1N5834R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 40A Schottky Rectifier
Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 40A Schottky Rectifier
на замовлення 71 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1723.03 грн |
| 10+ | 1616.65 грн |
| 1N6095 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 30V - 25A Schottky Rectifier
Schottky Diodes & Rectifiers 30V - 25A Schottky Rectifier
на замовлення 24 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1377.57 грн |
| 10+ | 1152.22 грн |
| 25+ | 938.90 грн |
| 100+ | 850.21 грн |
| 1N6095 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 20 V
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 1N6095R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 30V - 25A Schottky Rectifier
Schottky Diodes & Rectifiers 30V - 25A Schottky Rectifier
на замовлення 38 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1741.84 грн |
| 10+ | 1245.78 грн |
| 25+ | 1055.44 грн |
| 1N6095R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY REV 30V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 20 V
Description: DIODE SCHOTTKY REV 30V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N6096 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 20 V
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 1N6096 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 25A Schottky Rectifier
Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 25A Schottky Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 1N6096 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 40V 25A 2-Pin DO-4
Diode Schottky 40V 25A 2-Pin DO-4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 1N6096R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY REV 40V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 20 V
Description: DIODE SCHOTTKY REV 40V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 1N6096R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 25A Schottky Rectifier
Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 25A Schottky Rectifier
на замовлення 246 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1357.05 грн |
| 25+ | 1336.82 грн |
| 250+ | 1055.44 грн |
| 1N6097R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 30V - 50A Schottky Rectifier
Schottky Diodes & Rectifiers 30V - 50A Schottky Rectifier
на замовлення 69 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1853.00 грн |
| 10+ | 1756.57 грн |
| 1N6098 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 50A Schottky Rectifier
Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 50A Schottky Rectifier
на замовлення 198 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1781.18 грн |
| 10+ | 1671.44 грн |
| 1N6098R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 50A Schottky Rectifier
Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 50A Schottky Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 1N8024-GA |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 750MA TO257
Packaging: Tube
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 66pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 750mA
Supplier Device Package: TO-257
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.74 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1200V 750MA TO257
Packaging: Tube
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 66pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 750mA
Supplier Device Package: TO-257
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.74 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 1N8025 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V, 1A, 225 Deg C SiC Schottky Rect.
SiC Schottky Diodes 1200V, 1A, 225 Deg C SiC Schottky Rect.
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 1N8026-GA |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 8A TO257
Packaging: Tube
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 237pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-257
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 8A TO257
Packaging: Tube
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 237pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-257
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 1N8027 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V, 5A, 225 D C SiC Schottky Rect.
SiC Schottky Diodes 1200V, 5A, 225 D C SiC Schottky Rect.
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 1N8028-GA |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257
Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N8029 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V, 15A, 225 D C SiC Schottky Rect.
SiC Schottky Diodes 1200V, 15A, 225 D C SiC Schottky Rect.
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 1N8030-GA |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 0.75A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated
Diode Schottky 650V 0.75A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 1N8030-GA |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 750MA TO257
Packaging: Tube
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 750mA
Supplier Device Package: TO-257
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.39 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 750MA TO257
Packaging: Tube
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 750mA
Supplier Device Package: TO-257
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.39 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N8031-GA |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 1N8032-GA |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N8032-GA |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated
Diode Schottky 650V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 1N8033-GA |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 1N8034-GA |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 9.4A TO257
Packaging: Tube
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1107pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9.4A
Supplier Device Package: TO-257
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 9.4A TO257
Packaging: Tube
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1107pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9.4A
Supplier Device Package: TO-257
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 1N8035-GA |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 1N827ARL |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1N827ARL^GENESIC
1N827ARL^GENESIC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2N7635-GA |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 4A TO257
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Supplier Device Package: TO-257
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 35 V
Description: TRANS SJT 650V 4A TO257
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Supplier Device Package: TO-257
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N7636-GA |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 4A TO276
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-276AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-276
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 35 V
Description: TRANS SJT 650V 4A TO276
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-276AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-276
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N7637-GA |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 7A TO257
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) (165°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7A
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Supplier Device Package: TO-257
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 35 V
Description: TRANS SJT 650V 7A TO257
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) (165°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7A
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Supplier Device Package: TO-257
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N7638-GA |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 8A TO276
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-276AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) (158°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 8A
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Supplier Device Package: TO-276
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 35 V
Description: TRANS SJT 650V 8A TO276
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-276AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) (158°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 8A
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Supplier Device Package: TO-276
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N7639-GA |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 15A TO-257
Description: TRANS SJT 650V 15A TO-257
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2N7640-GA |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 16A TO276
Description: TRANS SJT 650V 16A TO276
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2W005M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1000V 2A 50P/35R
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1000V 2A 50P/35R
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| 2W01M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1000V 2A 100P/70R
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1000V 2A 100P/70R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2W01M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A WOM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A WOM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2W02M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 200P/140R
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 200P/140R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2W04M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 400P/280R
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 400P/280R
на замовлення 381 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| 2W06M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 600P/420R
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 600P/420R
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| 2W08M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 800P/560R
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 800P/560R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2W08M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 800P/560R Діодні мости малопотужні
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 800P/560R Діодні мости малопотужні
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2W10M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1000V 2A 1KP/700R
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1000V 2A 1KP/700R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2W10M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
50-1000V 2A 1KP/700R Діодні мости малопотужні
50-1000V 2A 1KP/700R Діодні мости малопотужні
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR1005 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A 50P/35
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A 50P/35
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 154.77 грн |
| 10+ | 114.63 грн |
| 25+ | 88.69 грн |
| 100+ | 76.96 грн |
| 200+ | 67.87 грн |





