Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4217) > Сторінка 6 з 71
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
1N8032-GA | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
1N8032-GA | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
1N8033-GA | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276 |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
1N8034-GA | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 9.4A TO257Packaging: Tube Package / Case: TO-257-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1107pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 9.4A Supplier Device Package: TO-257 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
1N8035-GA | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276 |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N827ARL | GeneSiC Semiconductor | 1N827ARL^GENESIC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
2N7635-GA | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 650V 4A TO257 Packaging: Bulk Package / Case: TO-257-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 4A Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Supplier Device Package: TO-257 Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 35 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N7636-GA | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 650V 4A TO276 Packaging: Bulk Package / Case: TO-276AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 4A Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Supplier Device Package: TO-276 Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 35 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
2N7637-GA | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 650V 7A TO257 Packaging: Bulk Package / Case: TO-257-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) (165°C) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7A Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Supplier Device Package: TO-257 Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 35 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
2N7638-GA | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 650V 8A TO276Packaging: Bulk Package / Case: TO-276AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) (158°C) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 8A Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Supplier Device Package: TO-276 Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 35 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N7639-GA | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 650V 15A TO-257 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N7640-GA | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 650V 16A TO276 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2W005M | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1000V 2A 50P/35R |
на замовлення 1953 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2W01M | GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A WOMPackaging: Bulk Package / Case: 4-Circular, WOM Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: WOM Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V Current - Average Rectified (Io): 2 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2W01M | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1000V 2A 100P/70R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2W02M | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 200P/140R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2W04M | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 400P/280R |
на замовлення 381 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2W06M | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 600P/420R |
на замовлення 1875 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2W08M | GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A WOMPackaging: Bulk Package / Case: 4-Circular, WOM Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: WOM Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Current - Average Rectified (Io): 2 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2W08M | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 800P/560R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2W08M | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 800P/560R Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2W10M | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1000V 2A 1KP/700R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2W10M | GeneSiC Semiconductor |
50-1000V 2A 1KP/700R Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BR101 | GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1P 100V 10A BR-10 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
BR1010 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V10A 1KP/700 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BR102 | GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1P 200V 10A BR-10Packaging: Bulk Package / Case: 4-Square, BR-10 Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: BR-10 Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V Current - Average Rectified (Io): 10 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BR104 | GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1P 400V 10A BR-10Packaging: Bulk Package / Case: 4-Square, BR-10 Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: BR-10 Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V Current - Average Rectified (Io): 10 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V |
на замовлення 127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BR106 | GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 10A BR-10Packaging: Bulk Package / Case: 4-Square, BR-10 Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: BR-10 Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 10 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
BR108 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 800V 10A 4-Pin Case BR-10 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BR108 | GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 10A BR-10Packaging: Bulk Package / Case: 4-Square, BR-10 Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: BR-10 Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Current - Average Rectified (Io): 10 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
BR305 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 3A 50P/35R |
на замовлення 6810 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BR305 | GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 3A BR-3Packaging: Bulk Package / Case: 4-Square, BR-3 Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: BR-3 Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V Current - Average Rectified (Io): 3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BR31 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE BRIDGE 100V 3A BR-3 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
BR310 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 3A 1KP/700 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BR32 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE BRIDGE 200V 3A BR-3 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
BR32 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 3A 200P/140R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BR34 | GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 3A BR-3Packaging: Bulk Package / Case: 4-Square, BR-3 Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: BR-3 Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V Current - Average Rectified (Io): 3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
BR34 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 3A 400P/280R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BR36 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 3A 600P/420R |
на замовлення 1422 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BR36 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE BRIDGE 600V 3A BR-3 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
BR38 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 3A 800P/560R |
на замовлення 2396 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BR38 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE BRIDGE 800V 3A BR-3 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
BR605 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 6A 50P/35R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BR61 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE BRIDGE 100V 6A BR-6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
BR61 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 100 V - 6 A BRIDGE RECTIFIERS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BR610 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 6A 1KP/700 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BR62 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 6A 200P/140R |
на замовлення 4469 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BR62 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 200V 6A 4-Pin Case BR-6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BR62 | GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A BR-6Packaging: Bulk Package / Case: 4-Square, BR-6 Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: BR-6 Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V Current - Average Rectified (Io): 6 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
на замовлення 1136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BR64 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 400V 6A 4-Pin Case BR-6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BR64 | GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A BR-6Packaging: Bulk Package / Case: 4-Square, BR-6 Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: BR-6 Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V Current - Average Rectified (Io): 6 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
BR64 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 6A 400P/280R |
на замовлення 5353 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BR66 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 6A 600P/420R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BR66 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE BRIDGE 600V 6A BR-6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
BR68 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 6A 800P/560R |
на замовлення 2004 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BR68 | GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A BR-6Packaging: Bulk Package / Case: 4-Square, BR-6 Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: BR-6 Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Current - Average Rectified (Io): 6 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
BR805 | GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 8A BR-8Packaging: Bulk Package / Case: 4-Square, BR-8 Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: BR-8 Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V Current - Average Rectified (Io): 8 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BR805 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 8A 50P/35R |
на замовлення 1942 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BR81 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 8A 100P/70 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BR81 | GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 8A BR-8Packaging: Bulk Package / Case: 4-Square, BR-8 Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: BR-8 Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V Current - Average Rectified (Io): 8 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V |
на замовлення 369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| 1N8032-GA |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N8032-GA |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated
Diode Schottky 650V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N8033-GA |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 1N8034-GA |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 9.4A TO257
Packaging: Tube
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1107pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9.4A
Supplier Device Package: TO-257
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 9.4A TO257
Packaging: Tube
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1107pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9.4A
Supplier Device Package: TO-257
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N8035-GA |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 1N827ARL |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1N827ARL^GENESIC
1N827ARL^GENESIC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N7635-GA |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 4A TO257
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Supplier Device Package: TO-257
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 35 V
Description: TRANS SJT 650V 4A TO257
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Supplier Device Package: TO-257
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N7636-GA |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 4A TO276
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-276AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-276
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 35 V
Description: TRANS SJT 650V 4A TO276
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-276AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-276
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N7637-GA |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 7A TO257
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) (165°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7A
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Supplier Device Package: TO-257
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 35 V
Description: TRANS SJT 650V 7A TO257
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) (165°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7A
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Supplier Device Package: TO-257
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N7638-GA |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 8A TO276
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-276AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) (158°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 8A
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Supplier Device Package: TO-276
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 35 V
Description: TRANS SJT 650V 8A TO276
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-276AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) (158°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 8A
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Supplier Device Package: TO-276
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N7639-GA |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 15A TO-257
Description: TRANS SJT 650V 15A TO-257
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N7640-GA |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 16A TO276
Description: TRANS SJT 650V 16A TO276
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2W005M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1000V 2A 50P/35R
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1000V 2A 50P/35R
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 2W01M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A WOM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A WOM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2W01M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1000V 2A 100P/70R
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1000V 2A 100P/70R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2W02M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 200P/140R
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 200P/140R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2W04M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 400P/280R
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 400P/280R
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 2W06M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 600P/420R
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 600P/420R
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 2W08M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A WOM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A WOM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2W08M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 800P/560R
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 800P/560R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2W08M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 800P/560R Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 800P/560R Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2W10M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1000V 2A 1KP/700R
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1000V 2A 1KP/700R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2W10M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
50-1000V 2A 1KP/700R Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт
50-1000V 2A 1KP/700R Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR101 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 100V 10A BR-10
Description: BRIDGE RECT 1P 100V 10A BR-10
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR1010 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V10A 1KP/700
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V10A 1KP/700
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR102 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 200V 10A BR-10
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, BR-10
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-10
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Description: BRIDGE RECT 1P 200V 10A BR-10
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, BR-10
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-10
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR104 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 400V 10A BR-10
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, BR-10
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-10
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Description: BRIDGE RECT 1P 400V 10A BR-10
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, BR-10
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-10
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 142.06 грн |
| 10+ | 103.05 грн |
| 25+ | 91.91 грн |
| 100+ | 72.56 грн |
| BR106 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 10A BR-10
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, BR-10
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-10
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 10A BR-10
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, BR-10
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-10
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR108 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 800V 10A 4-Pin Case BR-10
Rectifier Bridge Diode Single 800V 10A 4-Pin Case BR-10
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR108 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 10A BR-10
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, BR-10
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-10
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 10A BR-10
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, BR-10
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-10
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR305 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 3A 50P/35R
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 3A 50P/35R
на замовлення 6810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 110.09 грн |
| 10+ | 76.20 грн |
| 25+ | 57.52 грн |
| 100+ | 46.49 грн |
| 600+ | 36.36 грн |
| 1000+ | 32.68 грн |
| 2600+ | 29.49 грн |
| BR305 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 3A BR-3
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, BR-3
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-3
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 3A BR-3
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, BR-3
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-3
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR31 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE BRIDGE 100V 3A BR-3
Description: DIODE BRIDGE 100V 3A BR-3
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR310 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 3A 1KP/700
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 3A 1KP/700
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR32 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE BRIDGE 200V 3A BR-3
Description: DIODE BRIDGE 200V 3A BR-3
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR32 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 3A 200P/140R
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 3A 200P/140R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR34 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 3A BR-3
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, BR-3
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-3
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 3A BR-3
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, BR-3
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-3
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR34 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 3A 400P/280R
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 3A 400P/280R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR36 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 3A 600P/420R
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 3A 600P/420R
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 114.14 грн |
| 10+ | 78.99 грн |
| 25+ | 60.23 грн |
| 100+ | 48.64 грн |
| 200+ | 42.32 грн |
| 600+ | 38.02 грн |
| 1000+ | 34.21 грн |
| BR36 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE BRIDGE 600V 3A BR-3
Description: DIODE BRIDGE 600V 3A BR-3
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR38 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 3A 800P/560R
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 3A 800P/560R
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 114.14 грн |
| 10+ | 78.99 грн |
| 25+ | 60.23 грн |
| 100+ | 48.64 грн |
| 200+ | 42.32 грн |
| 600+ | 38.02 грн |
| 1000+ | 34.21 грн |
| BR38 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE BRIDGE 800V 3A BR-3
Description: DIODE BRIDGE 800V 3A BR-3
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR605 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 6A 50P/35R
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 6A 50P/35R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR61 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE BRIDGE 100V 6A BR-6
Description: DIODE BRIDGE 100V 6A BR-6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR61 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100 V - 6 A BRIDGE RECTIFIERS
Bridge Rectifiers 100 V - 6 A BRIDGE RECTIFIERS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR610 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 6A 1KP/700
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 6A 1KP/700
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR62 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 6A 200P/140R
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 6A 200P/140R
на замовлення 4469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 131.94 грн |
| 10+ | 94.95 грн |
| 25+ | 72.16 грн |
| 100+ | 60.29 грн |
| 200+ | 48.36 грн |
| 600+ | 48.29 грн |
| 1000+ | 40.24 грн |
| BR62 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 200V 6A 4-Pin Case BR-6
Rectifier Bridge Diode Single 200V 6A 4-Pin Case BR-6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR62 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A BR-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, BR-6
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-6
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A BR-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, BR-6
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-6
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 121.77 грн |
| 10+ | 85.39 грн |
| 25+ | 75.32 грн |
| 100+ | 58.39 грн |
| 250+ | 51.49 грн |
| 500+ | 46.83 грн |
| 1000+ | 41.90 грн |
| BR64 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 400V 6A 4-Pin Case BR-6
Rectifier Bridge Diode Single 400V 6A 4-Pin Case BR-6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR64 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A BR-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, BR-6
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-6
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A BR-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, BR-6
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-6
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR64 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 6A 400P/280R
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 6A 400P/280R
на замовлення 5353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 131.94 грн |
| 10+ | 94.95 грн |
| 25+ | 72.16 грн |
| 100+ | 60.29 грн |
| 200+ | 53.15 грн |
| 600+ | 48.36 грн |
| 1000+ | 42.12 грн |
| BR66 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 6A 600P/420R
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 6A 600P/420R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR66 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE BRIDGE 600V 6A BR-6
Description: DIODE BRIDGE 600V 6A BR-6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR68 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 6A 800P/560R
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 6A 800P/560R
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 131.94 грн |
| 10+ | 94.95 грн |
| 25+ | 72.16 грн |
| 100+ | 60.29 грн |
| 200+ | 53.15 грн |
| 600+ | 48.36 грн |
| 1000+ | 42.12 грн |
| BR68 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A BR-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, BR-6
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-6
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A BR-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, BR-6
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-6
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR805 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 8A BR-8
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, BR-8
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-8
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 8A BR-8
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, BR-8
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-8
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR805 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 8A 50P/35R
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 8A 50P/35R
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 147.32 грн |
| 10+ | 107.72 грн |
| 25+ | 83.95 грн |
| 100+ | 70.08 грн |
| 200+ | 62.31 грн |
| 600+ | 57.10 грн |
| 1000+ | 52.18 грн |
| BR81 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 8A 100P/70
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 8A 100P/70
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR81 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 8A BR-8
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, BR-8
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-8
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 8A BR-8
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, BR-8
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-8
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 135.04 грн |
| 10+ | 97.26 грн |
| 25+ | 86.47 грн |
| 100+ | 67.95 грн |
| 250+ | 60.39 грн |




