Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4226) > Сторінка 6 з 71

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 14 21 28 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
1N8026-GA 1N8026-GA GeneSiC Semiconductor 1N8026-GA.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 8A TO257
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C
Supplier Device Package: TO-257
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 237pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-257-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N8027 GeneSiC Semiconductor SiC Schottky Diodes 1200V, 5A, 225 D C SiC Schottky Rect.
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N8028-GA 1N8028-GA GeneSiC Semiconductor 1N8028-GA.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N8029 GeneSiC Semiconductor SiC Schottky Diodes 1200V, 15A, 225 D C SiC Schottky Rect.
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N8030-GA 1N8030-GA GeneSiC Semiconductor 9733158768511141n8030-ga.pdf Diode Schottky 650V 0.75A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N8030-GA 1N8030-GA GeneSiC Semiconductor 1N8030-GA.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 750MA TO257
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.39 V @ 750 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C
Supplier Device Package: TO-257
Current - Average Rectified (Io): 750mA
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-257-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N8031-GA 1N8031-GA GeneSiC Semiconductor 1N8031-GA.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N8032-GA 1N8032-GA GeneSiC Semiconductor 9732867828337061n8032-ga.pdf Diode Schottky 650V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N8032-GA 1N8032-GA GeneSiC Semiconductor 1N8032-GA.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N8033-GA 1N8033-GA GeneSiC Semiconductor 1N8033-GA.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1N8034-GA 1N8034-GA GeneSiC Semiconductor 1N8034-GA.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 9.4A TO257
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C
Supplier Device Package: TO-257
Current - Average Rectified (Io): 9.4A
Capacitance @ Vr, F: 1107pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-257-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N8035-GA 1N8035-GA GeneSiC Semiconductor 1N8035-GA.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1N827ARL GeneSiC Semiconductor 1N827ARL^GENESIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7635-GA 2N7635-GA GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 650V 4A TO257
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 35 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Supplier Device Package: TO-257
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 4A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-257-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7636-GA GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 650V 4A TO276
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 35 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Supplier Device Package: TO-276
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 4A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-276AA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7637-GA 2N7637-GA GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 650V 7A TO257
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 35 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Supplier Device Package: TO-257
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) (165°C)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-257-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7638-GA 2N7638-GA GeneSiC Semiconductor 2N7638-GA.pdf Description: TRANS SJT 650V 8A TO276
Supplier Device Package: TO-276
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 8A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) (158°C)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-276AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 35 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7639-GA GeneSiC Semiconductor 2N7639-GA.pdf Description: TRANS SJT 650V 15A TO-257
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7640-GA GeneSiC Semiconductor 2N7640-GA.pdf Description: TRANS SJT 650V 16A TO276
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2W005M GeneSiC Semiconductor 2w005m_thru_2w04m-1133595.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1000V 2A 50P/35R
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2W01M GeneSiC Semiconductor 2W005M-2W10M.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A WOM
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: WOM
Technology: Standard
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Circular, WOM
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2W01M GeneSiC Semiconductor 2W005M-2W10M.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1000V 2A 100P/70R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2W02M GeneSiC Semiconductor 2w005m_thru_2w04m-1133595.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 200P/140R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2W04M GeneSiC Semiconductor 2W005M-2W10M.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A WOM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2W04M GeneSiC Semiconductor 2w005m_thru_2w04m-1133595.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 400P/280R
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2W06M GeneSiC Semiconductor 2w06m_thru_2w10m-1133748.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 600P/420R
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2W08M GeneSiC Semiconductor 2W005M-2W10M.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 800P/560R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2W08M GeneSiC Semiconductor 2W005M-2W10M.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A WOM
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: WOM
Technology: Standard
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Circular, WOM
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2W08M GeneSiC Semiconductor 2W005M-2W10M.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 800P/560R Діодні мости малопотужні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2W10M GeneSiC Semiconductor 2W005M-2W10M.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1000V 2A 1KP/700R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2W10M GeneSiC Semiconductor 2W005M-2W10M.pdf 50-1000V 2A 1KP/700R Діодні мости малопотужні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR101 GeneSiC Semiconductor br1005.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 100V 10A BR-10
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR1010 BR1010 GeneSiC Semiconductor br1010.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V10A 1KP/700
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR102 GeneSiC Semiconductor br1005.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 200V 10A BR-10
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Supplier Device Package: BR-10
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, BR-10
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR104 GeneSiC Semiconductor br1005.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 400V 10A BR-10
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Supplier Device Package: BR-10
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, BR-10
Packaging: Bulk
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.97 грн
10+103.71 грн
25+92.50 грн
100+73.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR106 GeneSiC Semiconductor br1010.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 600V 10A BR-10
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Supplier Device Package: BR-10
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, BR-10
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR108 GeneSiC Semiconductor br1010.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 800V 10A BR-10
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: BR-10
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, BR-10
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR108 BR108 GeneSiC Semiconductor br108.pdf Rectifier Bridge Diode Single 800V 10A 4-Pin Case BR-10
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR305 BR305 GeneSiC Semiconductor br305.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 3A 50P/35R
на замовлення 6810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.79 грн
10+76.69 грн
25+57.89 грн
100+46.78 грн
600+36.59 грн
1000+32.89 грн
2600+29.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR305 GeneSiC Semiconductor br305.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 3A BR-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1.5 A
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Supplier Device Package: BR-3
Technology: Standard
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, BR-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR31 GeneSiC Semiconductor br305_thru_br34.pdf Description: DIODE BRIDGE 100V 3A BR-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR310 BR310 GeneSiC Semiconductor br310.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 3A 1KP/700
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR32 BR32 GeneSiC Semiconductor br32.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 3A 200P/140R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR32 GeneSiC Semiconductor br305_thru_br34.pdf Description: DIODE BRIDGE 200V 3A BR-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR34 BR34 GeneSiC Semiconductor br34-2450580.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 3A 400P/280R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR34 GeneSiC Semiconductor br305.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 3A BR-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1.5 A
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Supplier Device Package: BR-3
Technology: Standard
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, BR-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR36 GeneSiC Semiconductor br36_thru_br310.pdf Description: DIODE BRIDGE 600V 3A BR-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR36 BR36 GeneSiC Semiconductor br36-3477635.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 3A 600P/420R
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.87 грн
10+79.50 грн
25+60.61 грн
100+48.95 грн
200+42.59 грн
600+38.27 грн
1000+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR38 BR38 GeneSiC Semiconductor br38-3477872.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 3A 800P/560R
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.87 грн
10+79.50 грн
25+60.61 грн
100+48.95 грн
200+42.59 грн
600+38.27 грн
1000+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR38 GeneSiC Semiconductor br36_thru_br310.pdf Description: DIODE BRIDGE 800V 3A BR-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR605 BR605 GeneSiC Semiconductor br605-3477283.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 6A 50P/35R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR61 GeneSiC Semiconductor br605_thru_br64.pdf Description: DIODE BRIDGE 100V 6A BR-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR61 BR61 GeneSiC Semiconductor br61-3481046.pdf Bridge Rectifiers 100 V - 6 A BRIDGE RECTIFIERS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR610 BR610 GeneSiC Semiconductor br610.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 6A 1KP/700
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR62 BR62 GeneSiC Semiconductor br62.pdf Rectifier Bridge Diode Single 200V 6A 4-Pin Case BR-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR62 BR62 GeneSiC Semiconductor br62.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A BR-6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: BR-6
Technology: Standard
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, BR-6
Packaging: Bulk
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.55 грн
10+85.93 грн
25+75.80 грн
100+58.77 грн
250+51.82 грн
500+47.13 грн
1000+42.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR62 BR62 GeneSiC Semiconductor br62-3477638.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 6A 200P/140R
на замовлення 4469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.79 грн
10+95.56 грн
25+72.62 грн
100+60.68 грн
200+48.67 грн
600+48.60 грн
1000+40.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR64 BR64 GeneSiC Semiconductor br64-3477271.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 6A 400P/280R
на замовлення 5353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.79 грн
10+95.56 грн
25+72.62 грн
100+60.68 грн
200+53.49 грн
600+48.67 грн
1000+42.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR64 BR64 GeneSiC Semiconductor br62.pdf Rectifier Bridge Diode Single 400V 6A 4-Pin Case BR-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR64 GeneSiC Semiconductor br62.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A BR-6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Supplier Device Package: BR-6
Technology: Standard
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, BR-6
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N8026-GA 1N8026-GA.pdf
1N8026-GA
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 8A TO257
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C
Supplier Device Package: TO-257
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 237pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-257-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N8027
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V, 5A, 225 D C SiC Schottky Rect.
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N8028-GA 1N8028-GA.pdf
1N8028-GA
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N8029
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V, 15A, 225 D C SiC Schottky Rect.
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N8030-GA 9733158768511141n8030-ga.pdf
1N8030-GA
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 0.75A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N8030-GA 1N8030-GA.pdf
1N8030-GA
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 750MA TO257
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.39 V @ 750 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C
Supplier Device Package: TO-257
Current - Average Rectified (Io): 750mA
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-257-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N8031-GA 1N8031-GA.pdf
1N8031-GA
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N8032-GA 9732867828337061n8032-ga.pdf
1N8032-GA
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N8032-GA 1N8032-GA.pdf
1N8032-GA
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N8033-GA 1N8033-GA.pdf
1N8033-GA
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1N8034-GA 1N8034-GA.pdf
1N8034-GA
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 9.4A TO257
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C
Supplier Device Package: TO-257
Current - Average Rectified (Io): 9.4A
Capacitance @ Vr, F: 1107pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-257-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N8035-GA 1N8035-GA.pdf
1N8035-GA
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1N827ARL
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1N827ARL^GENESIC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7635-GA
2N7635-GA
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 4A TO257
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 35 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Supplier Device Package: TO-257
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 4A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-257-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7636-GA
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 4A TO276
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 35 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Supplier Device Package: TO-276
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 4A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-276AA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7637-GA
2N7637-GA
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 7A TO257
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 35 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Supplier Device Package: TO-257
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) (165°C)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-257-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7638-GA 2N7638-GA.pdf
2N7638-GA
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 8A TO276
Supplier Device Package: TO-276
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 8A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) (158°C)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-276AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 35 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7639-GA 2N7639-GA.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 15A TO-257
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7640-GA 2N7640-GA.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 16A TO276
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2W005M 2w005m_thru_2w04m-1133595.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1000V 2A 50P/35R
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2W01M 2W005M-2W10M.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A WOM
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: WOM
Technology: Standard
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Circular, WOM
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2W01M 2W005M-2W10M.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1000V 2A 100P/70R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2W02M 2w005m_thru_2w04m-1133595.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 200P/140R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2W04M 2W005M-2W10M.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A WOM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2W04M 2w005m_thru_2w04m-1133595.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 400P/280R
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2W06M 2w06m_thru_2w10m-1133748.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 600P/420R
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2W08M 2W005M-2W10M.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 800P/560R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2W08M 2W005M-2W10M.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A WOM
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: WOM
Technology: Standard
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Circular, WOM
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2W08M 2W005M-2W10M.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 800P/560R Діодні мости малопотужні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2W10M 2W005M-2W10M.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1000V 2A 1KP/700R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2W10M 2W005M-2W10M.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
50-1000V 2A 1KP/700R Діодні мости малопотужні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR101 br1005.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 100V 10A BR-10
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR1010 br1010.pdf
BR1010
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V10A 1KP/700
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR102 br1005.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 200V 10A BR-10
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Supplier Device Package: BR-10
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, BR-10
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR104 br1005.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 400V 10A BR-10
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Supplier Device Package: BR-10
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, BR-10
Packaging: Bulk
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+142.97 грн
10+103.71 грн
25+92.50 грн
100+73.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR106 br1010.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 10A BR-10
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Supplier Device Package: BR-10
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, BR-10
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR108 br1010.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 10A BR-10
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: BR-10
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, BR-10
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR108 br108.pdf
BR108
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 800V 10A 4-Pin Case BR-10
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR305 br305.pdf
BR305
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 3A 50P/35R
на замовлення 6810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+110.79 грн
10+76.69 грн
25+57.89 грн
100+46.78 грн
600+36.59 грн
1000+32.89 грн
2600+29.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR305 br305.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 3A BR-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1.5 A
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Supplier Device Package: BR-3
Technology: Standard
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, BR-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR31 br305_thru_br34.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE BRIDGE 100V 3A BR-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR310 br310.pdf
BR310
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 3A 1KP/700
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR32 br32.pdf
BR32
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 3A 200P/140R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR32 br305_thru_br34.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE BRIDGE 200V 3A BR-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR34 br34-2450580.pdf
BR34
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 3A 400P/280R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR34 br305.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 3A BR-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1.5 A
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Supplier Device Package: BR-3
Technology: Standard
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, BR-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR36 br36_thru_br310.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE BRIDGE 600V 3A BR-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR36 br36-3477635.pdf
BR36
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 3A 600P/420R
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+114.87 грн
10+79.50 грн
25+60.61 грн
100+48.95 грн
200+42.59 грн
600+38.27 грн
1000+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR38 br38-3477872.pdf
BR38
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 3A 800P/560R
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+114.87 грн
10+79.50 грн
25+60.61 грн
100+48.95 грн
200+42.59 грн
600+38.27 грн
1000+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR38 br36_thru_br310.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE BRIDGE 800V 3A BR-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR605 br605-3477283.pdf
BR605
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 6A 50P/35R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR61 br605_thru_br64.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE BRIDGE 100V 6A BR-6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR61 br61-3481046.pdf
BR61
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100 V - 6 A BRIDGE RECTIFIERS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR610 br610.pdf
BR610
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 6A 1KP/700
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR62 br62.pdf
BR62
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 200V 6A 4-Pin Case BR-6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR62 br62.pdf
BR62
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A BR-6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: BR-6
Technology: Standard
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, BR-6
Packaging: Bulk
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+122.55 грн
10+85.93 грн
25+75.80 грн
100+58.77 грн
250+51.82 грн
500+47.13 грн
1000+42.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR62 br62-3477638.pdf
BR62
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 6A 200P/140R
на замовлення 4469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+132.79 грн
10+95.56 грн
25+72.62 грн
100+60.68 грн
200+48.67 грн
600+48.60 грн
1000+40.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR64 br64-3477271.pdf
BR64
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 6A 400P/280R
на замовлення 5353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+132.79 грн
10+95.56 грн
25+72.62 грн
100+60.68 грн
200+53.49 грн
600+48.67 грн
1000+42.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR64 br62.pdf
BR64
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 400V 6A 4-Pin Case BR-6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR64 br62.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A BR-6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Supplier Device Package: BR-6
Technology: Standard
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, BR-6
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 14 21 28 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]