Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149250) > Сторінка 1269 з 2488
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFU220NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; IPAK On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Case: IPAK Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5A Gate charge: 15nC Power dissipation: 43W Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 148 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRFU3910PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() |
на замовлення 314 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRFU4510PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 63A Case: IPAK Mounting: THT Kind of channel: enhancement Power dissipation: 143W Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 588 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFU5305PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK Mounting: THT Case: IPAK Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -28A Power dissipation: 89W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1079 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFU9024NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -11A Power dissipation: 38W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.175Ω Mounting: THT Gate charge: 12.7nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 997 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFZ24NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 17A Power dissipation: 45W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 13.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFZ34NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 26A Power dissipation: 56W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 22.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 805 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFZ44NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 49A Power dissipation: 83W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1021 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFZ46NLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 53A Power dissipation: 120W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 103 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFZ46NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 46A Power dissipation: 88W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 242 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL1404ZSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Pulsed drain current: 790A Power dissipation: 230W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1522 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL3705NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 65.3nC On-state resistance: 10mΩ Gate-source voltage: ±16V Drain-source voltage: 55V Drain current: 89A Case: TO220AB Power dissipation: 130W Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRL40SC228 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 557A; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 557A Case: D2PAK-7 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 642 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL530NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4007 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A Gate charge: 49.3nC On-state resistance: 44mΩ Power dissipation: 140W Gate-source voltage: ±16V Kind of package: tube Case: TO220AB Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 640 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A Power dissipation: 3.8W Kind of package: reel Case: D2PAK Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 326 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL6342TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.9A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 9.9A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 On-state resistance: 14.6mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3658 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRL6372TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 3959 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRLB3036PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 270A Power dissipation: 380W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 91nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 119 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLB3813PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 260A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.95mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 621 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLB4030PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 370W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 4.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 372 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLB4132PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 620A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 577 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLB8314PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 120A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 664A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 923 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLB8743PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 150A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLB8748PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; 75W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 92A Power dissipation: 75W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 991 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLHS2242TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.2A; 2.1W; PQFN3.3X3.3 Mounting: SMD Case: PQFN3.3X3.3 Kind of package: reel Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -7.2A Power dissipation: 2.1W Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3890 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLHS6376TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1.5W; PQFN2X2 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.6A Power dissipation: 1.5W Case: PQFN2X2 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1518 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLL014NTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 2A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2118 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLL024NTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 4.4A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10.4nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2846 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRLL024ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 2039 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRLL2705TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 3.8A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1746 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML0030TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.3A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4677 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML0040TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.6A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 3.6A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25964 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML0060TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.7A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5977 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML0100TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.6A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11865 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML2030TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.7A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7930 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML2060TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.2A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML2244TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.3A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Kind of package: reel кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5995 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML2246TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.6A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.6A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Kind of package: reel кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1356 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML2502TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.2A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 431 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML2803TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.2A Power dissipation: 0.4W Case: SOT23 On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6524 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML5103TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -0.61A Power dissipation: 0.54W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 167 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML5203TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20071 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML6244TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.3A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.3A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.9nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1186 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML6344TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.8nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7409 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML6346TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.7A Power dissipation: 0.8W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 2.9nC On-state resistance: 80mΩ Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 17A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9102 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML6401TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -4.3A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1931 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML6402TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.2A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 21952 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML9301TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.6A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8355 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML9303TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.3A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5891 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLP3034PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 327A; 341W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 327A Power dissipation: 341W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® Gate charge: 108nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLR024NTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 17A Power dissipation: 38W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3286 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLR120NTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 11A Power dissipation: 39W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3895 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLR2705TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 28A Power dissipation: 68W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1524 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLR2905TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 30A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2752 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLR2905ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 43A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1079 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLR3110ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 63A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 174 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLR3410TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 15A Power dissipation: 52W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1711 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLR3636TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 99A Power dissipation: 143W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1492 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLR3705ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 89A Power dissipation: 130W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1072 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
IRFU220NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; IPAK
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Case: IPAK
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Gate charge: 15nC
Power dissipation: 43W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; IPAK
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Case: IPAK
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Gate charge: 15nC
Power dissipation: 43W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 93.90 грн |
10+ | 71.16 грн |
31+ | 36.58 грн |
75+ | 33.27 грн |
IRFU3910PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFU3910PBF THT N channel transistors
IRFU3910PBF THT N channel transistors
на замовлення 314 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 50.42 грн |
28+ | 40.38 грн |
77+ | 38.20 грн |
IRFU4510PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 143W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 143W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 588 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 182.70 грн |
5+ | 118.11 грн |
10+ | 104.26 грн |
16+ | 72.03 грн |
43+ | 67.29 грн |
IRFU5305PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK
Mounting: THT
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK
Mounting: THT
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1079 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 66.35 грн |
10+ | 56.10 грн |
25+ | 48.62 грн |
27+ | 41.70 грн |
74+ | 39.43 грн |
150+ | 37.91 грн |
IRFU9024NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 997 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 54.10 грн |
10+ | 43.31 грн |
25+ | 38.67 грн |
46+ | 24.26 грн |
127+ | 22.94 грн |
5025+ | 22.37 грн |
IRFZ24NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 46.95 грн |
10+ | 32.38 грн |
25+ | 29.29 грн |
50+ | 27.87 грн |
51+ | 21.99 грн |
139+ | 20.85 грн |
5000+ | 20.00 грн |
IRFZ34NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 805 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 36.75 грн |
47+ | 24.90 грн |
129+ | 22.65 грн |
IRFZ44NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 110.24 грн |
10+ | 64.47 грн |
25+ | 53.93 грн |
45+ | 24.93 грн |
124+ | 23.51 грн |
IRFZ46NLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 99.41 грн |
10+ | 79.61 грн |
17+ | 69.19 грн |
45+ | 65.40 грн |
IRFZ46NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 242 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 78.59 грн |
10+ | 59.74 грн |
25+ | 50.33 грн |
35+ | 32.51 грн |
95+ | 30.80 грн |
1000+ | 29.67 грн |
IRL1404ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1522 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 120.44 грн |
10+ | 88.58 грн |
15+ | 76.77 грн |
40+ | 72.03 грн |
250+ | 70.14 грн |
IRL3705NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65.3nC
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Case: TO220AB
Power dissipation: 130W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65.3nC
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Case: TO220AB
Power dissipation: 130W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRL40SC228 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 557A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 557A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 557A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 557A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 642 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 357.24 грн |
5+ | 277.56 грн |
6+ | 188.61 грн |
17+ | 178.18 грн |
100+ | 171.55 грн |
IRL530NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4007 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 132.69 грн |
10+ | 88.29 грн |
30+ | 38.39 грн |
80+ | 36.30 грн |
2400+ | 34.88 грн |
IRL540NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Gate charge: 49.3nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 140W
Gate-source voltage: ±16V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Gate charge: 49.3nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 140W
Gate-source voltage: ±16V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 640 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 117.38 грн |
10+ | 77.26 грн |
25+ | 66.06 грн |
29+ | 38.86 грн |
79+ | 36.68 грн |
5000+ | 35.64 грн |
IRL540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Kind of package: reel
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Kind of package: reel
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 326 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 141.88 грн |
10+ | 125.00 грн |
18+ | 62.55 грн |
50+ | 58.76 грн |
1600+ | 56.87 грн |
IRL6342TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.9A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.9A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
On-state resistance: 14.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.9A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.9A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
On-state resistance: 14.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3658 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 46.95 грн |
10+ | 33.76 грн |
40+ | 27.01 грн |
61+ | 18.39 грн |
167+ | 17.34 грн |
4000+ | 16.78 грн |
IRL6372TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL6372TRPBF Multi channel transistors
IRL6372TRPBF Multi channel transistors
на замовлення 3959 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 58.38 грн |
38+ | 29.95 грн |
100+ | 29.33 грн |
103+ | 28.34 грн |
IRLB3036PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 239.17 грн |
14+ | 218.94 грн |
IRLB3813PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 621 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 102.36 грн |
10+ | 88.14 грн |
IRLB4030PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 372 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 267.71 грн |
9+ | 129.85 грн |
24+ | 122.26 грн |
200+ | 119.42 грн |
500+ | 117.53 грн |
IRLB4132PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 620A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 620A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 577 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 121.46 грн |
10+ | 70.18 грн |
36+ | 31.37 грн |
98+ | 29.67 грн |
IRLB8314PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 664A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 664A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 923 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 114.32 грн |
10+ | 57.18 грн |
31+ | 36.49 грн |
85+ | 34.50 грн |
2000+ | 33.17 грн |
IRLB8743PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 23.69 грн |
50+ | 14.69 грн |
209+ | 13.93 грн |
250+ | 13.84 грн |
IRLB8748PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 92A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 92A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 991 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 109.21 грн |
5+ | 82.87 грн |
10+ | 69.66 грн |
25+ | 57.91 грн |
34+ | 33.84 грн |
91+ | 32.04 грн |
1000+ | 31.28 грн |
IRLHS2242TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.2A; 2.1W; PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Case: PQFN3.3X3.3
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 2.1W
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.2A; 2.1W; PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Case: PQFN3.3X3.3
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 2.1W
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 36.75 грн |
11+ | 28.94 грн |
12+ | 24.36 грн |
50+ | 17.34 грн |
78+ | 14.31 грн |
214+ | 13.55 грн |
IRLHS6376TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1.5W; PQFN2X2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.5W
Case: PQFN2X2
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1.5W; PQFN2X2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.5W
Case: PQFN2X2
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 40.83 грн |
12+ | 26.77 грн |
50+ | 20.95 грн |
61+ | 18.39 грн |
167+ | 17.34 грн |
500+ | 16.87 грн |
1000+ | 16.68 грн |
IRLL014NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 45.93 грн |
11+ | 27.56 грн |
94+ | 11.85 грн |
259+ | 11.18 грн |
12500+ | 10.80 грн |
IRLL024NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.4nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.4nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 50.01 грн |
8+ | 40.55 грн |
10+ | 35.54 грн |
25+ | 31.18 грн |
50+ | 28.15 грн |
71+ | 15.73 грн |
195+ | 14.88 грн |
IRLL024ZTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLL024ZTRPBF SMD N channel transistors
IRLL024ZTRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 2039 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 41.44 грн |
32+ | 35.73 грн |
87+ | 33.74 грн |
IRLL2705TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 81.66 грн |
10+ | 53.54 грн |
38+ | 29.95 грн |
103+ | 28.34 грн |
500+ | 27.39 грн |
1000+ | 27.30 грн |
IRLML0030TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4677 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 30.62 грн |
14+ | 22.24 грн |
17+ | 17.34 грн |
21+ | 13.93 грн |
100+ | 9.29 грн |
162+ | 6.92 грн |
444+ | 6.54 грн |
IRLML0040TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25964 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 36.75 грн |
13+ | 24.11 грн |
50+ | 16.11 грн |
100+ | 13.74 грн |
204+ | 5.50 грн |
558+ | 5.21 грн |
IRLML0060TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5977 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 40.83 грн |
11+ | 27.17 грн |
14+ | 21.70 грн |
50+ | 15.07 грн |
100+ | 13.27 грн |
140+ | 7.96 грн |
385+ | 7.49 грн |
IRLML0100TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11865 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 36.75 грн |
13+ | 24.21 грн |
50+ | 17.44 грн |
100+ | 15.35 грн |
138+ | 8.15 грн |
380+ | 7.68 грн |
6000+ | 7.58 грн |
IRLML2030TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 27.56 грн |
15+ | 20.67 грн |
17+ | 17.06 грн |
21+ | 14.12 грн |
100+ | 9.25 грн |
214+ | 5.21 грн |
587+ | 4.93 грн |
IRLML2060TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 31.64 грн |
14+ | 21.55 грн |
50+ | 14.22 грн |
100+ | 12.04 грн |
171+ | 6.54 грн |
470+ | 6.16 грн |
3000+ | 5.97 грн |
IRLML2244TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 21.43 грн |
19+ | 16.34 грн |
20+ | 14.22 грн |
100+ | 10.52 грн |
195+ | 5.69 грн |
535+ | 5.40 грн |
IRLML2246TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
17+ | 18.37 грн |
21+ | 14.37 грн |
24+ | 12.23 грн |
100+ | 8.34 грн |
194+ | 5.78 грн |
533+ | 5.40 грн |
IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 431 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 33.68 грн |
13+ | 23.62 грн |
50+ | 15.54 грн |
100+ | 13.27 грн |
159+ | 7.01 грн |
435+ | 6.63 грн |
IRLML2803TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6524 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 21.43 грн |
18+ | 16.73 грн |
21+ | 14.12 грн |
100+ | 9.29 грн |
196+ | 5.70 грн |
538+ | 5.38 грн |
6000+ | 5.28 грн |
IRLML5103TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.61A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.61A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 27.56 грн |
16+ | 18.70 грн |
50+ | 13.74 грн |
100+ | 12.23 грн |
172+ | 6.54 грн |
472+ | 6.16 грн |
9000+ | 6.07 грн |
IRLML5203TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20071 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.58 грн |
15+ | 20.67 грн |
50+ | 14.50 грн |
100+ | 12.70 грн |
191+ | 5.88 грн |
527+ | 5.50 грн |
IRLML6244TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.9nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.9nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 33.68 грн |
14+ | 21.26 грн |
20+ | 16.87 грн |
50+ | 12.98 грн |
100+ | 10.80 грн |
206+ | 5.40 грн |
566+ | 5.12 грн |
IRLML6344TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7409 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 27.56 грн |
15+ | 20.08 грн |
50+ | 15.07 грн |
100+ | 13.65 грн |
156+ | 7.20 грн |
428+ | 6.82 грн |
IRLML6346TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.9nC
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 17A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.9nC
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 17A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 30.62 грн |
15+ | 19.88 грн |
50+ | 12.70 грн |
100+ | 10.71 грн |
156+ | 7.20 грн |
427+ | 6.82 грн |
3000+ | 6.54 грн |
IRLML6401TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 29.60 грн |
15+ | 19.98 грн |
50+ | 13.36 грн |
100+ | 11.44 грн |
207+ | 5.42 грн |
567+ | 5.13 грн |
21000+ | 5.06 грн |
IRLML6402TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21952 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 31.64 грн |
15+ | 21.06 грн |
50+ | 13.84 грн |
100+ | 11.85 грн |
186+ | 6.07 грн |
508+ | 5.69 грн |
9000+ | 5.50 грн |
IRLML9301TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8355 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.58 грн |
15+ | 19.78 грн |
50+ | 13.46 грн |
100+ | 11.56 грн |
188+ | 5.97 грн |
514+ | 5.59 грн |
IRLML9303TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5891 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 27.56 грн |
17+ | 17.91 грн |
50+ | 11.56 грн |
100+ | 9.76 грн |
178+ | 6.26 грн |
491+ | 5.88 грн |
3000+ | 5.78 грн |
IRLP3034PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 327A; 341W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 327A
Power dissipation: 341W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 108nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 327A; 341W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 327A
Power dissipation: 341W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 108nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 426.65 грн |
6+ | 209.64 грн |
16+ | 191.45 грн |
100+ | 183.87 грн |
IRLR024NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3286 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 52.06 грн |
10+ | 35.53 грн |
50+ | 27.68 грн |
69+ | 16.30 грн |
189+ | 15.35 грн |
10000+ | 15.16 грн |
IRLR120NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3895 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 58.18 грн |
10+ | 49.21 грн |
50+ | 39.43 грн |
57+ | 19.71 грн |
156+ | 18.67 грн |
IRLR2705TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 72.47 грн |
10+ | 54.33 грн |
50+ | 39.71 грн |
59+ | 18.96 грн |
162+ | 17.91 грн |
10000+ | 17.25 грн |
IRLR2905TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2752 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 140.86 грн |
10+ | 93.21 грн |
20+ | 77.53 грн |
35+ | 31.85 грн |
97+ | 30.14 грн |
IRLR2905ZTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1079 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 86.76 грн |
10+ | 64.27 грн |
20+ | 55.64 грн |
35+ | 31.85 грн |
97+ | 30.14 грн |
4000+ | 29.00 грн |
IRLR3110ZTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 174 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 144.94 грн |
10+ | 106.30 грн |
16+ | 72.03 грн |
43+ | 68.24 грн |
125+ | 67.29 грн |
500+ | 65.40 грн |
IRLR3410TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1711 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 46.95 грн |
10+ | 39.37 грн |
25+ | 35.26 грн |
50+ | 33.27 грн |
52+ | 21.42 грн |
143+ | 20.28 грн |
IRLR3636TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Power dissipation: 143W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Power dissipation: 143W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 124.53 грн |
10+ | 106.10 грн |
23+ | 50.04 грн |
62+ | 47.29 грн |
IRLR3705ZTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1072 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 165.35 грн |
10+ | 111.22 грн |
14+ | 82.46 грн |
38+ | 77.72 грн |
100+ | 74.88 грн |