Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149614) > Сторінка 1269 з 2494

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1264 1265 1266 1267 1268 1269 1270 1271 1272 1273 1274 1494 1743 1992 2241 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPA075N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA075N15N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304325afd6e0012627a00c6821de IPA075N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+571.65 грн
4+356.14 грн
9+336.73 грн
50+335.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA083N10N5XKSA1 IPA083N10N5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA083N10N5-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+175.57 грн
3+131.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA083N10NM5SXKSA1 IPA083N10NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA083N10NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfe00a06e30 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 200A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+125.97 грн
10+106.75 грн
50+96.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA086N10N3GXKSA1 IPA086N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA086N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 37.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 37.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 336 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+175.57 грн
5+126.97 грн
10+105.77 грн
50+78.60 грн
100+70.84 грн
250+68.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R140CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA50R140CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42cdc7347c0 IPA50R140CPXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+379.36 грн
9+362.93 грн
10+362.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R250CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA50R250CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42cd97047bc IPA50R250CPXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 194 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+219.46 грн
9+133.92 грн
24+126.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R280CEXKSA2 IPA50R280CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPA50R280CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 30.4W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 30.4W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+133.77 грн
10+70.24 грн
50+58.71 грн
100+55.02 грн
250+54.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R380CEXKSA2 IPA50R380CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDEE3A21EC971CC&compId=IPA50R380CE-DTE.pdf?ci_sign=ae539e39bc820f04d252019de81e3c5f64c466e6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; 29.2W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4A
Power dissipation: 29.2W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 476 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+118.09 грн
5+72.96 грн
10+64.63 грн
50+53.76 грн
100+52.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R950CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA50R950CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a3043382e8373013851892deb1048 IPA50R950CEXKSA2 THT N channel transistors
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.29 грн
28+41.82 грн
76+39.59 грн
500+39.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125C6XKSA1 IPA60R125C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594B83B2F8B51BF&compId=IPA60R125C6-DTE.pdf?ci_sign=595dee37e8707623102b3824db3424cc58000d4f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+421.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125CPXKSA1 IPA60R125CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594B6BA600A71BF&compId=IPA60R125CP-DTE.pdf?ci_sign=56ee650e05b7d6255b4dfadc36d35067290454a6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+532.98 грн
3+442.40 грн
10+342.56 грн
100+296.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180P7SXKSA1 IPA60R180P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABD8113AB477520C7&compId=IPA60R180P7S.pdf?ci_sign=d8222d4a5b6ce829d39dbad5c90c25d3abcbc850 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Gate charge: 25nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+152.58 грн
10+117.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594C967A58C71BF&compId=IPA60R190P6-DTE.pdf?ci_sign=103642d66197600c23afd64a60a16e360317670a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 364 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+157.80 грн
10+116.90 грн
50+94.13 грн
100+84.43 грн
250+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R230P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX60R230P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043414fd3ef01415f8ab7321ec1 IPA60R230P6XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 268 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+161.98 грн
9+137.80 грн
23+131.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R280E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R280E6_2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304327b8975001281f9863f444e6 IPA60R280E6XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 474 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+159.89 грн
11+107.72 грн
30+101.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R280P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX60R280P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043416e106e01416e269e3e0021 IPA60R280P6XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+227.82 грн
11+112.57 грн
29+105.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R360P7SXKSA1 IPA60R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55dbb6160fc7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 22W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+117.05 грн
50+33.05 грн
500+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R400CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c82d428e1f02 IPA60R400CEXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+126.45 грн
11+111.60 грн
29+104.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R650CEXKSA1 IPA60R650CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R650CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 28W; TO220FP
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+81.63 грн
10+66.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190E6XKSA1 IPA65R190E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R190E6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 34W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.19Ω
Drain current: 20.2A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 34W
Drain-source voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+283.21 грн
10+196.51 грн
100+172.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R225C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA65R225C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304343bec32d0143bf743f7c0c63 IPA65R225C7XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+156.76 грн
9+141.68 грн
23+134.89 грн
50+134.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R380C6XKSA1 IPA65R380C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R380C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 31W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.38Ω
Drain current: 10.6A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+149.44 грн
10+139.07 грн
100+109.66 грн
500+95.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R650CEXKSA1 IPA65R650CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R650CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 28W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+87.78 грн
10+52.10 грн
50+43.96 грн
100+41.73 грн
250+39.20 грн
500+37.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA70R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf777f5b0d77 IPA70R360P7SXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+97.19 грн
19+61.14 грн
52+58.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA80R1K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c776020e1e3b IPA80R1K0CEXKSA2 THT N channel transistors
на замовлення 154 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+117.05 грн
13+93.16 грн
34+88.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b10283a015b23b4067a2b98 IPA80R360P7XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+249.77 грн
9+127.12 грн
25+120.33 грн
100+119.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R750P7XKSA1 IPA80R750P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8DD1AA640E0143&compId=IPA80R750P7.pdf?ci_sign=4f7ec53a557f057124394852a266cc03e1af40b5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 26W; TO220FP; ESD
Mounting: THT
Case: TO220FP
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.9Ω
Drain current: 3.9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 26W
Drain-source voltage: 800V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+140.04 грн
10+86.67 грн
50+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R900P7XKSA1 IPA80R900P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8DD451B19C0143&compId=IPA80R900P7.pdf?ci_sign=4099e9ca1d487bf2abc3da68f46df64d1678847d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 27W; TO220FP; ESD
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 0.75Ω
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 27W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Case: TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+121.23 грн
10+91.70 грн
50+68.90 грн
100+63.08 грн
250+62.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R1K2P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipa95r1k2p7-datasheet-en.pdf IPA95R1K2P7 THT N channel transistors
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+176.61 грн
16+76.66 грн
42+71.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R450P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0164373e97df502b IPA95R450P7 THT N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+267.54 грн
8+163.03 грн
20+154.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipan70r360p7s-ds-en.pdf IPAN70R360P7S THT N channel transistors
на замовлення 346 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+150.49 грн
17+68.90 грн
46+65.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R450P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPAN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f499adf55405f IPAN70R450P7S THT N channel transistors
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+83.60 грн
18+65.02 грн
49+61.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R750P7SXKSA1 IPAN70R750P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFC73D185F653D1&compId=IPAN70R750P7S.pdf?ci_sign=8dce55abf8132a1c9306f3e6d758a5133e9ded1c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; 20.8W; TO220FP; ESD
Mounting: THT
Case: TO220FP
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.3nC
On-state resistance: 0.75Ω
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±16V
Power dissipation: 20.8W
Drain-source voltage: 700V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+44.94 грн
8+38.29 грн
10+34.55 грн
50+32.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1 IPB014N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB014N06N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.4mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+317.70 грн
2+281.16 грн
10+217.37 грн
25+192.14 грн
50+175.64 грн
100+161.09 грн
200+148.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N06L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB019N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2600a49e467b IPB019N06L3GATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 925 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+219.46 грн
10+121.30 грн
26+114.51 грн
1000+113.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB025N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 2.5mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 300W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+448.33 грн
3+385.96 грн
10+306.65 грн
100+277.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB030N08N3GATMA1 IPB030N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB030N08N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 3mΩ
Drain current: 160A
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 992 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+314.56 грн
10+209.61 грн
100+145.56 грн
250+131.98 грн
500+122.27 грн
1000+116.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1 IPB107N20NAATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBCC450370611C&compId=IPB107N20NA-DTE.pdf?ci_sign=95e67b89e8669e5b30bbb7d2de564a5b3a2d6af1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 795 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+534.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPB117N20NFD_2_0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043440adf7501440c8377500152 IPB117N20NFDATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 984 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+574.78 грн
4+346.44 грн
10+328.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA36D388DCE6143&compId=IPB60R180C7.pdf?ci_sign=6efc51a6c3abf5b6fbce0ca5738317783afa99b6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 24nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 936 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+195.43 грн
10+132.01 грн
50+124.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1 IPB60R360P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE8968175445EF773D6&compId=IPB60R360P7.pdf?ci_sign=40ccf4ce5ead59d45d23717572646c4e08f7e2b7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 986 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+99.28 грн
1000+69.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L07ATMA3 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS09574-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IPB80N06S2L07 SMD N channel transistors
на замовлення 671 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+247.68 грн
9+135.86 грн
24+128.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1 IPD025N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD025N06N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1603 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+187.07 грн
5+148.14 грн
50+137.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F316ADF575611C&compId=IPD031N03LG-DTE.pdf?ci_sign=44aace7bc3066b2eb9d2220bfd76a10eefb1118b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2886 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+62.88 грн
25+53.76 грн
100+47.84 грн
500+44.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD031N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a9f6a9d4d02 IPD031N06L3GATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 815 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+161.98 грн
9+130.04 грн
25+122.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BABC34B7B3E11C&compId=IPD034N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=3395175fdad7c29d5693c15a03df835870be8966 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 794 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+186.02 грн
5+142.09 грн
10+119.36 грн
50+89.28 грн
100+87.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F31B6D92D6611C&compId=IPD040N03LG-DTE.pdf?ci_sign=c43f580ccbbda67e3eef56e4bc1c1ff14680a8f1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2643 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+101.37 грн
10+61.67 грн
100+40.47 грн
500+32.61 грн
1000+30.18 грн
2500+29.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD050N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+103.46 грн
10+50.59 грн
100+38.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F322FAA4E5C11C&compId=IPD060N03LG-DTE.pdf?ci_sign=7dd05ce845a4f67fba2b0dcdc3fd5e00f47869b8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.71 грн
10+37.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1 IPD075N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F32ECE512BE11C&compId=IPD075N03LG-DTE.pdf?ci_sign=0043c8fce757839b3a1d71add383451290e8ae9e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 47W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Power dissipation: 47W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.35 грн
12+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD082N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+103.46 грн
10+77.60 грн
100+64.05 грн
250+60.17 грн
500+57.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F33308FC6DE11C&compId=IPD090N03LG-DTE.pdf?ci_sign=9a4be819311a50a24b55811cccea1abba829cef9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2156 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.10 грн
10+35.91 грн
50+31.34 грн
100+30.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD12CN10NG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 67A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+139.07 грн
10+106.75 грн
20+95.10 грн
50+81.51 грн
100+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F339715B71211C&compId=IPD135N03LG-DTE.pdf?ci_sign=68054a3fac3564e33e44811ddec17420b0dc86f2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 31W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 31W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 782 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.53 грн
10+30.64 грн
11+27.95 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPD50N06S4L12.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+95.10 грн
5+62.08 грн
25+53.57 грн
100+50.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA470B7CA4DE143&compId=IPD60R280P7.pdf?ci_sign=2eed03d5001be500c4f619418a3d594df8c87396 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1887 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+163.03 грн
10+99.77 грн
50+90.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1 IPD60R600P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d50d9fe4c403c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 30W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9nC
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 4A
Power dissipation: 30W
Pulsed drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Case: PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.97 грн
10+50.19 грн
25+41.73 грн
50+37.26 грн
100+33.09 грн
500+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 19A; 82W
Technology: CoolMOS™ CE
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20.5nC
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 19A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 82W
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO252-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.79 грн
6+56.43 грн
25+48.13 грн
100+47.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R1K4P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.5A; 22.7W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 22.7W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+43.89 грн
10+33.36 грн
50+26.69 грн
100+25.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R360P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.11 грн
6+57.64 грн
25+48.71 грн
100+43.57 грн
500+41.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPA075N15N3GXKSA1 IPA075N15N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304325afd6e0012627a00c6821de
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA075N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+571.65 грн
4+356.14 грн
9+336.73 грн
50+335.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA083N10N5XKSA1 IPA083N10N5-DTE.pdf
IPA083N10N5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.57 грн
3+131.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA083N10NM5SXKSA1 Infineon-IPA083N10NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfe00a06e30
IPA083N10NM5SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 200A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.97 грн
10+106.75 грн
50+96.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA086N10N3GXKSA1 IPA086N10N3G-DTE.pdf
IPA086N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 37.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 37.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 336 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.57 грн
5+126.97 грн
10+105.77 грн
50+78.60 грн
100+70.84 грн
250+68.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R140CPXKSA1 IPA50R140CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42cdc7347c0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA50R140CPXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+379.36 грн
9+362.93 грн
10+362.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R250CPXKSA1 IPA50R250CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42cd97047bc
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA50R250CPXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 194 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.46 грн
9+133.92 грн
24+126.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R280CEXKSA2 IPA50R280CE-DTE.pdf
IPA50R280CEXKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 30.4W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 30.4W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.77 грн
10+70.24 грн
50+58.71 грн
100+55.02 грн
250+54.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R380CEXKSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDEE3A21EC971CC&compId=IPA50R380CE-DTE.pdf?ci_sign=ae539e39bc820f04d252019de81e3c5f64c466e6
IPA50R380CEXKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; 29.2W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4A
Power dissipation: 29.2W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 476 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.09 грн
5+72.96 грн
10+64.63 грн
50+53.76 грн
100+52.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R950CEXKSA2 Infineon-IPA50R950CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a3043382e8373013851892deb1048
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA50R950CEXKSA2 THT N channel transistors
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.29 грн
28+41.82 грн
76+39.59 грн
500+39.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594B83B2F8B51BF&compId=IPA60R125C6-DTE.pdf?ci_sign=595dee37e8707623102b3824db3424cc58000d4f
IPA60R125C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+421.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125CPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594B6BA600A71BF&compId=IPA60R125CP-DTE.pdf?ci_sign=56ee650e05b7d6255b4dfadc36d35067290454a6
IPA60R125CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+532.98 грн
3+442.40 грн
10+342.56 грн
100+296.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180P7SXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABD8113AB477520C7&compId=IPA60R180P7S.pdf?ci_sign=d8222d4a5b6ce829d39dbad5c90c25d3abcbc850
IPA60R180P7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Gate charge: 25nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.58 грн
10+117.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190P6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594C967A58C71BF&compId=IPA60R190P6-DTE.pdf?ci_sign=103642d66197600c23afd64a60a16e360317670a
IPA60R190P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 364 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+157.80 грн
10+116.90 грн
50+94.13 грн
100+84.43 грн
250+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R230P6XKSA1 Infineon-IPX60R230P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043414fd3ef01415f8ab7321ec1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R230P6XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 268 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+161.98 грн
9+137.80 грн
23+131.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R280E6XKSA1 IPA60R280E6_2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304327b8975001281f9863f444e6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R280E6XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 474 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.89 грн
11+107.72 грн
30+101.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R280P6XKSA1 Infineon-IPX60R280P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043416e106e01416e269e3e0021
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R280P6XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.82 грн
11+112.57 грн
29+105.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R360P7SXKSA1 Infineon-IPA60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55dbb6160fc7
IPA60R360P7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 22W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.05 грн
50+33.05 грн
500+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R400CEXKSA1 Infineon-IPA60R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c82d428e1f02
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R400CEXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.45 грн
11+111.60 грн
29+104.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R650CEXKSA1 IPA60R650CE-DTE.pdf
IPA60R650CEXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 28W; TO220FP
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.63 грн
10+66.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190E6XKSA1 IPA65R190E6-DTE.pdf
IPA65R190E6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 34W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.19Ω
Drain current: 20.2A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 34W
Drain-source voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+283.21 грн
10+196.51 грн
100+172.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R225C7XKSA1 Infineon-IPA65R225C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304343bec32d0143bf743f7c0c63
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R225C7XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+156.76 грн
9+141.68 грн
23+134.89 грн
50+134.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R380C6XKSA1 IPA65R380C6-DTE.pdf
IPA65R380C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 31W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.38Ω
Drain current: 10.6A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.44 грн
10+139.07 грн
100+109.66 грн
500+95.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R650CEXKSA1 IPA65R650CE-DTE.pdf
IPA65R650CEXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 28W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.78 грн
10+52.10 грн
50+43.96 грн
100+41.73 грн
250+39.20 грн
500+37.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA70R360P7SXKSA1 Infineon-IPA70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf777f5b0d77
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA70R360P7SXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.19 грн
19+61.14 грн
52+58.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 Infineon-IPA80R1K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c776020e1e3b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA80R1K0CEXKSA2 THT N channel transistors
на замовлення 154 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.05 грн
13+93.16 грн
34+88.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R360P7XKSA1 Infineon-IPA80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b10283a015b23b4067a2b98
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA80R360P7XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+249.77 грн
9+127.12 грн
25+120.33 грн
100+119.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R750P7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8DD1AA640E0143&compId=IPA80R750P7.pdf?ci_sign=4f7ec53a557f057124394852a266cc03e1af40b5
IPA80R750P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 26W; TO220FP; ESD
Mounting: THT
Case: TO220FP
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.9Ω
Drain current: 3.9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 26W
Drain-source voltage: 800V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.04 грн
10+86.67 грн
50+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R900P7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8DD451B19C0143&compId=IPA80R900P7.pdf?ci_sign=4099e9ca1d487bf2abc3da68f46df64d1678847d
IPA80R900P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 27W; TO220FP; ESD
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 0.75Ω
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 27W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Case: TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.23 грн
10+91.70 грн
50+68.90 грн
100+63.08 грн
250+62.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R1K2P7XKSA1 infineon-ipa95r1k2p7-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA95R1K2P7 THT N channel transistors
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.61 грн
16+76.66 грн
42+71.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R450P7XKSA1 Infineon-IPA95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0164373e97df502b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA95R450P7 THT N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+267.54 грн
8+163.03 грн
20+154.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R360P7SXKSA1 infineon-ipan70r360p7s-ds-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPAN70R360P7S THT N channel transistors
на замовлення 346 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.49 грн
17+68.90 грн
46+65.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R450P7SXKSA1 Infineon-IPAN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f499adf55405f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPAN70R450P7S THT N channel transistors
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.60 грн
18+65.02 грн
49+61.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R750P7SXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFC73D185F653D1&compId=IPAN70R750P7S.pdf?ci_sign=8dce55abf8132a1c9306f3e6d758a5133e9ded1c
IPAN70R750P7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; 20.8W; TO220FP; ESD
Mounting: THT
Case: TO220FP
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.3nC
On-state resistance: 0.75Ω
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±16V
Power dissipation: 20.8W
Drain-source voltage: 700V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+44.94 грн
8+38.29 грн
10+34.55 грн
50+32.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1 IPB014N06N-DTE.pdf
IPB014N06NATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.4mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+317.70 грн
2+281.16 грн
10+217.37 грн
25+192.14 грн
50+175.64 грн
100+161.09 грн
200+148.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N06L3GATMA1 IPB019N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2600a49e467b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB019N06L3GATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 925 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.46 грн
10+121.30 грн
26+114.51 грн
1000+113.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3G-DTE.pdf
IPB025N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 2.5mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 300W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+448.33 грн
3+385.96 грн
10+306.65 грн
100+277.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB030N08N3GATMA1 IPB030N08N3G-DTE.pdf
IPB030N08N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 3mΩ
Drain current: 160A
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 992 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+314.56 грн
10+209.61 грн
100+145.56 грн
250+131.98 грн
500+122.27 грн
1000+116.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBCC450370611C&compId=IPB107N20NA-DTE.pdf?ci_sign=95e67b89e8669e5b30bbb7d2de564a5b3a2d6af1
IPB107N20NAATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 795 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+534.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1 DS_IPB117N20NFD_2_0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043440adf7501440c8377500152
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB117N20NFDATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 984 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+574.78 грн
4+346.44 грн
10+328.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA36D388DCE6143&compId=IPB60R180C7.pdf?ci_sign=6efc51a6c3abf5b6fbce0ca5738317783afa99b6
IPB60R180C7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 24nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 936 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+195.43 грн
10+132.01 грн
50+124.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE8968175445EF773D6&compId=IPB60R360P7.pdf?ci_sign=40ccf4ce5ead59d45d23717572646c4e08f7e2b7
IPB60R360P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 986 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.28 грн
1000+69.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L07ATMA3 INFNS09574-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB80N06S2L07 SMD N channel transistors
на замовлення 671 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.68 грн
9+135.86 грн
24+128.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1 IPD025N06N-DTE.pdf
IPD025N06NATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1603 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.07 грн
5+148.14 грн
50+137.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F316ADF575611C&compId=IPD031N03LG-DTE.pdf?ci_sign=44aace7bc3066b2eb9d2220bfd76a10eefb1118b
IPD031N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2886 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+62.88 грн
25+53.76 грн
100+47.84 грн
500+44.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a9f6a9d4d02
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD031N06L3GATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 815 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+161.98 грн
9+130.04 грн
25+122.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BABC34B7B3E11C&compId=IPD034N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=3395175fdad7c29d5693c15a03df835870be8966
IPD034N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 794 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.02 грн
5+142.09 грн
10+119.36 грн
50+89.28 грн
100+87.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F31B6D92D6611C&compId=IPD040N03LG-DTE.pdf?ci_sign=c43f580ccbbda67e3eef56e4bc1c1ff14680a8f1
IPD040N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2643 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.37 грн
10+61.67 грн
100+40.47 грн
500+32.61 грн
1000+30.18 грн
2500+29.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LG-DTE.pdf
IPD050N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.46 грн
10+50.59 грн
100+38.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F322FAA4E5C11C&compId=IPD060N03LG-DTE.pdf?ci_sign=7dd05ce845a4f67fba2b0dcdc3fd5e00f47869b8
IPD060N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.71 грн
10+37.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F32ECE512BE11C&compId=IPD075N03LG-DTE.pdf?ci_sign=0043c8fce757839b3a1d71add383451290e8ae9e
IPD075N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 47W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Power dissipation: 47W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.35 грн
12+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3G-DTE.pdf
IPD082N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.46 грн
10+77.60 грн
100+64.05 грн
250+60.17 грн
500+57.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F33308FC6DE11C&compId=IPD090N03LG-DTE.pdf?ci_sign=9a4be819311a50a24b55811cccea1abba829cef9
IPD090N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2156 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.10 грн
10+35.91 грн
50+31.34 грн
100+30.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NG-DTE.pdf
IPD12CN10NGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 67A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.07 грн
10+106.75 грн
20+95.10 грн
50+81.51 грн
100+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F339715B71211C&compId=IPD135N03LG-DTE.pdf?ci_sign=68054a3fac3564e33e44811ddec17420b0dc86f2
IPD135N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 31W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 31W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 782 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.53 грн
10+30.64 грн
11+27.95 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12.pdf
IPD50N06S4L12ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.10 грн
5+62.08 грн
25+53.57 грн
100+50.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA470B7CA4DE143&compId=IPD60R280P7.pdf?ci_sign=2eed03d5001be500c4f619418a3d594df8c87396
IPD60R280P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1887 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.03 грн
10+99.77 грн
50+90.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1 Infineon-IPD60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d50d9fe4c403c
IPD60R600P7SAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 30W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9nC
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 4A
Power dissipation: 30W
Pulsed drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Case: PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.97 грн
10+50.19 грн
25+41.73 грн
50+37.26 грн
100+33.09 грн
500+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55
IPD60R650CEAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 19A; 82W
Technology: CoolMOS™ CE
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20.5nC
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 19A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 82W
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO252-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.79 грн
6+56.43 грн
25+48.13 грн
100+47.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7S.pdf
IPD70R1K4P7SAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.5A; 22.7W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 22.7W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.89 грн
10+33.36 грн
50+26.69 грн
100+25.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7S.pdf
IPD70R360P7SAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.11 грн
6+57.64 грн
25+48.71 грн
100+43.57 грн
500+41.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1264 1265 1266 1267 1268 1269 1270 1271 1272 1273 1274 1494 1743 1992 2241 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]