Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148445) > Сторінка 1269 з 2475
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPB50R250CPATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 114W; PG-TO263-3 Case: PG-TO263-3 Mounting: SMD Drain current: 13A On-state resistance: 0.25Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 114W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 500V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
IPB50R299CPATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 104W; PG-TO263-3 Case: PG-TO263-3 Mounting: SMD Drain current: 12A On-state resistance: 0.299Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 104W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 500V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
IPB530N15N3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IPB600N25N3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
IPB60R060P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 164W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 67nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
IPB60R080P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IPB60R099C6 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPB60R099C6 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IPB60R099C6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IPB60R099C7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IPB60R099CPATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IPB60R099P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IPB60R120P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
IPB60R125C6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 219W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
IPB60R160C6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23.8A Power dissipation: 176W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
IPB60R165CPATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
IPB60R180C7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 68W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Power dissipation: 68W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 950 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IPB60R180P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 72W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
IPB60R190C6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A Power dissipation: 151W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
IPB60R199CPATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IPB60R250CPATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
IPB60R280C6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.8A Power dissipation: 104W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
IPB60R280P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Power dissipation: 53W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Gate charge: 18nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
IPB60R299CPATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
IPB60R360P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A Power dissipation: 41W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
IPB60R385CPATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IPB64N25S320ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 250V; 46A; Idm: 256A Mounting: SMD Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS® -T Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 256A Case: PG-TO263-3-2 Drain-source voltage: 250V Drain current: 46A On-state resistance: 20mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IPB65R045C7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IPB65R065C7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
IPB65R099C6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 38A Power dissipation: 278W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
IPB65R110CFDATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 31.2A Power dissipation: 277.8W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
IPB65R150CFDATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
IPB65R190C7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; 72W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13A Power dissipation: 72W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
IPB65R190CFDATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 17.5A Power dissipation: 151W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
IPB65R280E6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13.8A Power dissipation: 104W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
IPB65R310CFDATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
IPB65R380C6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10.6A Power dissipation: 83W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
IPB65R420CFDATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPB65R420CFDATMA1 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IPB65R660CFDATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
IPB80N04S2H4ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 300W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 80A Power dissipation: 300W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 103nC Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
IPB80N06S2L07ATMA3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 210W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A Power dissipation: 210W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 928 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
IPB80N06S405ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; Idm: 320A; 107W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 75A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 107W Case: PG-TO263-3-2 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 81nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IPB80N08S2L07ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IPB80P04P4L04ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IPB90R340C3ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IPC100N04S5-1R2 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPC100N04S51R2 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IPC100N04S5-1R7 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPC100N04S51R7 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IPC100N04S5-1R9 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPC100N04S51R9 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IPC100N04S5-2R8 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPC100N04S52R8 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IPC100N04S5L-1R1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPC100N04S5L1R1 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IPC100N04S5L-1R5 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPC100N04S5L1R5 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IPC100N04S5L-1R9 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPC100N04S5L1R9 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IPC100N04S5L-2R6 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPC100N04S5L2R6 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
IPC50N04S5-5R8 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 42W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Case: PG-TDSON-8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement On-state resistance: 5.8mΩ Power dissipation: 42W Gate charge: 18nC Technology: OptiMOS™ 5 Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
IPC50N04S5L-5R5 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 42W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Case: PG-TDSON-8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement On-state resistance: 5.5mΩ Power dissipation: 42W Gate charge: 23nC Technology: OptiMOS™ 5 Gate-source voltage: ±16V Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
IPC70N04S5-4R6 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPC70N04S54R6 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IPC70N04S5L-4R2 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPC70N04S5L4R2 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IPC90N04S5-3R6 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPC90N04S53R6 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IPC90N04S5L-3R3 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPC90N04S5L3R3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IPD025N06NATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 1769 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
![]() |
IPD031N03LGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 79A Power dissipation: 94W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1475 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
IPB50R250CPATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 114W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Drain current: 13A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 114W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Drain current: 13A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB50R299CPATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 104W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.299Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 104W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.299Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB530N15N3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB530N15N3GATMA1 SMD N channel transistors
IPB530N15N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB600N25N3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB600N25N3GATMA1 SMD N channel transistors
IPB600N25N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB60R060P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB60R080P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB60R080P7 SMD N channel transistors
IPB60R080P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB60R099C6 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB60R099C6 SMD N channel transistors
IPB60R099C6 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB60R099C6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB60R099C6ATMA1 SMD N channel transistors
IPB60R099C6ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB60R099C7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB60R099C7 SMD N channel transistors
IPB60R099C7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB60R099CPATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB60R099CPATMA1 SMD N channel transistors
IPB60R099CPATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB60R099P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB60R099P7 SMD N channel transistors
IPB60R099P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB60R120P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB60R120P7 SMD N channel transistors
IPB60R120P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB60R125C6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB60R160C6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB60R165CPATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB60R165CPATMA1 SMD N channel transistors
IPB60R165CPATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB60R180C7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 215.89 грн |
9+ | 131.79 грн |
24+ | 119.55 грн |
500+ | 114.95 грн |
IPB60R180P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB60R190C6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB60R199CPATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB60R199CPATMA1 SMD N channel transistors
IPB60R199CPATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB60R250CPATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB60R250CPATMA1 SMD N channel transistors
IPB60R250CPATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB60R280C6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB60R280P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB60R299CPATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB60R299CPATMA1 SMD N channel transistors
IPB60R299CPATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB60R360P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB60R385CPATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB60R385CPATMA1 SMD N channel transistors
IPB60R385CPATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB64N25S320ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 250V; 46A; Idm: 256A
Mounting: SMD
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS® -T
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 256A
Case: PG-TO263-3-2
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 250V; 46A; Idm: 256A
Mounting: SMD
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS® -T
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 256A
Case: PG-TO263-3-2
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB65R045C7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB65R045C7ATMA1 SMD N channel transistors
IPB65R045C7ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB65R065C7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB65R065C7ATMA1 SMD N channel transistors
IPB65R065C7ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB65R099C6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB65R110CFDATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31.2A
Power dissipation: 277.8W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31.2A
Power dissipation: 277.8W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB65R150CFDATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB65R150CFDATMA1 SMD N channel transistors
IPB65R150CFDATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB65R190C7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; 72W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; 72W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB65R190CFDATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB65R280E6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB65R310CFDATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB65R310CFDATMA1 SMD N channel transistors
IPB65R310CFDATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB65R380C6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB65R420CFDATMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB65R420CFDATMA1 SMD N channel transistors
IPB65R420CFDATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB65R660CFDATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB65R660CFDATMA1 SMD N channel transistors
IPB65R660CFDATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB80N04S2H4ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB80N06S2L07ATMA3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 210W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 210W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 210W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 210W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 928 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 210.94 грн |
9+ | 133.70 грн |
24+ | 121.39 грн |
1000+ | 116.79 грн |
IPB80N06S405ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; Idm: 320A; 107W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO263-3-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; Idm: 320A; 107W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO263-3-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB80N08S2L07ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB80N08S2L07 SMD N channel transistors
IPB80N08S2L07 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB80P04P4L04ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB80P04P4L04 SMD P channel transistors
IPB80P04P4L04 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB90R340C3ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB90R340C3ATMA1 SMD N channel transistors
IPB90R340C3ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPC100N04S5-1R2 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPC100N04S51R2 SMD N channel transistors
IPC100N04S51R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPC100N04S5-1R7 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPC100N04S51R7 SMD N channel transistors
IPC100N04S51R7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPC100N04S5-1R9 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPC100N04S51R9 SMD N channel transistors
IPC100N04S51R9 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPC100N04S5-2R8 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPC100N04S52R8 SMD N channel transistors
IPC100N04S52R8 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPC100N04S5L-1R1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPC100N04S5L1R1 SMD N channel transistors
IPC100N04S5L1R1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPC100N04S5L-1R5 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPC100N04S5L1R5 SMD N channel transistors
IPC100N04S5L1R5 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPC100N04S5L-1R9 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPC100N04S5L1R9 SMD N channel transistors
IPC100N04S5L1R9 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPC100N04S5L-2R6 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPC100N04S5L2R6 SMD N channel transistors
IPC100N04S5L2R6 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPC50N04S5-5R8 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 42W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 5.8mΩ
Power dissipation: 42W
Gate charge: 18nC
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 42W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 5.8mΩ
Power dissipation: 42W
Gate charge: 18nC
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPC50N04S5L-5R5 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 42W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 42W
Gate charge: 23nC
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 42W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 42W
Gate charge: 23nC
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPC70N04S5-4R6 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPC70N04S54R6 SMD N channel transistors
IPC70N04S54R6 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPC70N04S5L-4R2 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPC70N04S5L4R2 SMD N channel transistors
IPC70N04S5L4R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPC90N04S5-3R6 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPC90N04S53R6 SMD N channel transistors
IPC90N04S53R6 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPC90N04S5L-3R3 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPC90N04S5L3R3 SMD N channel transistors
IPC90N04S5L3R3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD025N06NATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD025N06NATMA1 SMD N channel transistors
IPD025N06NATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 221.84 грн |
8+ | 148.98 грн |
20+ | 140.70 грн |
IPD031N03LGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 89.13 грн |
5+ | 78.31 грн |
19+ | 56.87 грн |
53+ | 53.77 грн |