Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149461) > Сторінка 1269 з 2492

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1264 1265 1266 1267 1268 1269 1270 1271 1272 1273 1274 1494 1743 1992 2241 2490 2492  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Manufacturer series: H3
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+252.22 грн
10+198.25 грн
30+171.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+366.68 грн
10+274.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW60N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+551.08 грн
10+437.38 грн
30+393.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW75N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+398.47 грн
10+282.05 грн
30+258.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW75N65H5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 215ns
Turn-on time: 61ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+392.11 грн
5+270.81 грн
10+240.11 грн
30+227.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW15N120E1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Kind of package: tube
Turn-on time: 1940ns
Gate charge: 90nC
Turn-off time: 1450ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 62.2W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+204.54 грн
10+140.00 грн
30+121.04 грн
90+114.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW15N120R3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Kind of package: tube
Gate charge: 165nC
Turn-off time: 346ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 127W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+291.44 грн
10+207.45 грн
30+166.31 грн
120+153.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW20N120R5XKSA1 IHW20N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD9BE52A653EB120D3&compId=IHW20N120R5.pdf?ci_sign=9078d3fe050273e18820feb3c35340de2d9578db Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 440ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+308.39 грн
10+217.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW20N135R5XKSA1 IHW20N135R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW20N135R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+249.05 грн
10+187.01 грн
30+149.58 грн
60+137.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW20N140R5LXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ihw20n140r5l-datasheet-en.pdf IHW20N140R5LXKSA1 THT IGBT transistors
на замовлення 205 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+208.77 грн
10+126.94 грн
26+120.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW25N120E1XKSA1 IHW25N120E1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDC709B02919820&compId=IHW25N120E1.pdf?ci_sign=044805b42bcb3062c7f87ce990fa46fd76a11e9d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 92.4W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-off time: 2004ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+334.89 грн
10+213.58 грн
30+177.13 грн
60+167.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW25N140R5LXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IHW25N140R5L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d0189b539e0ca36a2 IHW25N140R5LXKSA1 THT IGBT transistors
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+191.82 грн
10+117.10 грн
28+110.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N120R5XKSA1 IHW30N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW30N120R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 363ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+294.62 грн
10+204.38 грн
30+177.13 грн
120+171.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N135R5XKSA1 IHW30N135R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW30N135R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 680ns
Technology: TRENCHSTOP™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+240.57 грн
10+204.38 грн
30+175.16 грн
120+159.42 грн
450+148.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW30N160R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 39A
Power dissipation: 131.5W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 411ns
Technology: TRENCHSTOP™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+424.97 грн
5+361.76 грн
10+309.98 грн
30+258.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCA5EF2915F820&compId=IHW40N120R5.pdf?ci_sign=ff87a8c36a7c399a49fec60936b41c23e7a4c9aa Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-off time: 440ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 168 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+227.89 грн
10+171.23 грн
20+158.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N135R5XKSA1 IHW40N135R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IHW40N135R5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b0fe63f5326a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 0.5µs
Technology: TRENCHSTOP™ RC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+370.92 грн
2+317.82 грн
10+235.19 грн
20+212.56 грн
30+207.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N65R5XKSA1 IHW40N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW40N65R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 152W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 152W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 273ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+198.18 грн
10+152.27 грн
30+118.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N65R6XKSA1 IHW40N65R6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IHW40N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46277fc7439017826e19dad7275 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 105W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 105W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+300.97 грн
10+192.12 грн
30+176.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW50N65R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+340.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKA10N65ET6XKSA2 IKA10N65ET6XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IKA10N65ET6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 9A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 42.5A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: T6
Gate charge: 27nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+135.65 грн
10+120.59 грн
50+111.20 грн
100+100.38 грн
250+93.49 грн
500+92.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1 IKB10N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB10N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Collector current: 18A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 659 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+168.50 грн
10+126.72 грн
25+104.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1 IKB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB15N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 762 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+220.43 грн
5+179.86 грн
10+166.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N65EH5ATMA1 IKB20N65EH5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB20N65EH5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 40ns
Gate charge: 48nC
Turn-off time: 183ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 913 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+279.78 грн
10+190.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM10H60GAXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKCM10H60GA-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fcb43a49a78bb IKCM10H60GA Motor and PWM drivers
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+818.14 грн
2+652.44 грн
5+617.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM10L60GAXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKCM10L60GA-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fcb3a61b278a2 IKCM10L60GA Motor and PWM drivers
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
280+614.06 грн
Мінімальне замовлення: 280
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM15H60GAXKMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKCM15H60GA-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fcb68016c78ec IKCM15H60GA Motor and PWM drivers
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+881.73 грн
2+743.96 грн
5+703.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM30F60GAXKMA1 IKCM30F60GAXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BCD5B09CEE67DE28&compId=IKCM30F60GA.pdf?ci_sign=783f1af8ac5ce8035a854959701563b15dac9467 Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: PG-MDIP24
Output current: -20...20A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Voltage class: 600V
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Power dissipation: 30.3W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1175.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD04N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 317ns
Turn-on time: 22ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+121.87 грн
10+74.80 грн
100+47.53 грн
500+37.49 грн
1000+37.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1 IKD06N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD06N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 19ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 279ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 748 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+119.75 грн
10+73.27 грн
100+49.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD15N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+179.10 грн
5+136.94 грн
10+116.12 грн
50+98.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKFW50N60DH3E.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+395.29 грн
30+369.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP04N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 467 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+78.42 грн
10+62.34 грн
50+46.25 грн
100+41.33 грн
250+38.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKP06N60TXKSA1 IKP06N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP06N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 15ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 188ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 482 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+147.31 грн
10+106.28 грн
50+77.74 грн
100+73.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP10N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 62nC
Collector current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 555 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+158.97 грн
10+113.43 грн
50+84.63 грн
100+75.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP15N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+169.56 грн
10+99.13 грн
50+71.84 грн
100+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N65F5XKSA1 IKP15N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP15N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 52.5W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Manufacturer series: H5
Turn-off time: 166ns
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 24ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+117.63 грн
50+97.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N65H5XKSA1 IKP15N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP15N65H5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 105W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 105W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Manufacturer series: H5
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 315 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+180.88 грн
10+132.85 грн
20+116.12 грн
50+97.42 грн
100+87.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+261.76 грн
10+212.56 грн
50+140.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N65H5XKSA1 IKP20N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N65H5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 301 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+271.30 грн
10+223.80 грн
50+140.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ75N120CS6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKQ75N120CS6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01638802035216c6 IKQ75N120CS6XKSA1 THT IGBT transistors
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+813.90 грн
3+479.24 грн
7+452.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120BH6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Kind of package: tube
Gate charge: 92nC
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+212.56 грн
10+157.45 грн
20+143.67 грн
30+141.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+384.70 грн
2+318.84 грн
10+289.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Gate charge: 93nC
Turn-off time: 457ns
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 235W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+480.07 грн
10+375.04 грн
30+278.49 грн
120+268.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW20N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+286.14 грн
5+207.45 грн
10+179.10 грн
30+150.56 грн
120+128.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120CS7XKSA1 IKW25N120CS7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0B0F44D995C9360E3&compId=IKW25N120CS7.pdf?ci_sign=1e73c45d8ac65dc200dcd3a129bd51a00da2b0d9 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 37A; 125W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 37A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 38ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-off time: 490ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+132.85 грн
10+126.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW25N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+459.94 грн
2+423.07 грн
6+353.28 грн
10+320.81 грн
20+275.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW25N120T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+466.30 грн
10+393.44 грн
20+336.55 грн
30+313.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+261.76 грн
4+193.14 грн
10+161.39 грн
20+150.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65EL5XKSA1 IKW30N65EL5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N65EL5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 114W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 359ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 62A
Pulsed collector current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+328.53 грн
2+296.36 грн
10+225.35 грн
20+199.77 грн
30+185.99 грн
120+180.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ES5XKSA1 IKW30N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N65ES5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39.5A
Pulsed collector current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+350.78 грн
10+237.09 грн
20+221.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65H5XKSA1 IKW30N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES ikw30n65h5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 209ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
Pulsed collector current: 90A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65WR5XKSA1 IKW30N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N65WR5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 376ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+310.51 грн
10+269.79 грн
30+242.08 грн
120+241.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N120CS6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+494.91 грн
5+420.01 грн
10+360.17 грн
30+295.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 474 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+546.84 грн
10+474.17 грн
30+403.47 грн
120+363.12 грн
240+338.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N120T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+618.90 грн
2+556.95 грн
3+507.78 грн
5+466.45 грн
10+457.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N60H3FKSA1 IKW40N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 218ns
Collector current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+374.10 грн
2+310.66 грн
10+279.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65F5FKSA1 IKW40N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+321.11 грн
5+225.84 грн
10+196.81 грн
30+169.26 грн
60+156.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65H5FKSA1 IKW40N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N65H5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+379.40 грн
10+288.18 грн
20+240.11 грн
30+217.48 грн
60+202.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65WR5XKSA1 IKW40N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N65WR5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 448ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+259.64 грн
10+211.54 грн
20+183.04 грн
30+175.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3-DTE.pdf
IGW50N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Manufacturer series: H3
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.22 грн
10+198.25 грн
30+171.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60T-DTE.pdf
IGW50N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+366.68 грн
10+274.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3-DTE.pdf
IGW60N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+551.08 грн
10+437.38 грн
30+393.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T-DTE.pdf
IGW75N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+398.47 грн
10+282.05 грн
30+258.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5.pdf
IGW75N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 215ns
Turn-on time: 61ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+392.11 грн
5+270.81 грн
10+240.11 грн
30+227.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1.pdf
IHW15N120E1XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Kind of package: tube
Turn-on time: 1940ns
Gate charge: 90nC
Turn-off time: 1450ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 62.2W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.54 грн
10+140.00 грн
30+121.04 грн
90+114.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3.pdf
IHW15N120R3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Kind of package: tube
Gate charge: 165nC
Turn-off time: 346ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 127W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+291.44 грн
10+207.45 грн
30+166.31 грн
120+153.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW20N120R5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD9BE52A653EB120D3&compId=IHW20N120R5.pdf?ci_sign=9078d3fe050273e18820feb3c35340de2d9578db
IHW20N120R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 440ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+308.39 грн
10+217.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW20N135R5XKSA1 IHW20N135R5.pdf
IHW20N135R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+249.05 грн
10+187.01 грн
30+149.58 грн
60+137.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW20N140R5LXKSA1 infineon-ihw20n140r5l-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IHW20N140R5LXKSA1 THT IGBT transistors
на замовлення 205 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.77 грн
10+126.94 грн
26+120.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW25N120E1XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDC709B02919820&compId=IHW25N120E1.pdf?ci_sign=044805b42bcb3062c7f87ce990fa46fd76a11e9d
IHW25N120E1XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 92.4W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-off time: 2004ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+334.89 грн
10+213.58 грн
30+177.13 грн
60+167.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW25N140R5LXKSA1 Infineon-IHW25N140R5L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d0189b539e0ca36a2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IHW25N140R5LXKSA1 THT IGBT transistors
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.82 грн
10+117.10 грн
28+110.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N120R5XKSA1 IHW30N120R5.pdf
IHW30N120R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 363ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+294.62 грн
10+204.38 грн
30+177.13 грн
120+171.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N135R5XKSA1 IHW30N135R5.pdf
IHW30N135R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 680ns
Technology: TRENCHSTOP™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.57 грн
10+204.38 грн
30+175.16 грн
120+159.42 грн
450+148.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5.pdf
IHW30N160R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 39A
Power dissipation: 131.5W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 411ns
Technology: TRENCHSTOP™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+424.97 грн
5+361.76 грн
10+309.98 грн
30+258.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCA5EF2915F820&compId=IHW40N120R5.pdf?ci_sign=ff87a8c36a7c399a49fec60936b41c23e7a4c9aa
IHW40N120R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-off time: 440ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 168 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.89 грн
10+171.23 грн
20+158.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N135R5XKSA1 Infineon-IHW40N135R5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b0fe63f5326a
IHW40N135R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 0.5µs
Technology: TRENCHSTOP™ RC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+370.92 грн
2+317.82 грн
10+235.19 грн
20+212.56 грн
30+207.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N65R5XKSA1 IHW40N65R5.pdf
IHW40N65R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 152W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 152W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 273ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.18 грн
10+152.27 грн
30+118.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N65R6XKSA1 Infineon-IHW40N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46277fc7439017826e19dad7275
IHW40N65R6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 105W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 105W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+300.97 грн
10+192.12 грн
30+176.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5.pdf
IHW50N65R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+340.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKA10N65ET6XKSA2 IKA10N65ET6.pdf
IKA10N65ET6XKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 9A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 42.5A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: T6
Gate charge: 27nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.65 грн
10+120.59 грн
50+111.20 грн
100+100.38 грн
250+93.49 грн
500+92.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1 IKB10N60T.pdf
IKB10N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Collector current: 18A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 659 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.50 грн
10+126.72 грн
25+104.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1 IKB15N60T.pdf
IKB15N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 762 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.43 грн
5+179.86 грн
10+166.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N65EH5ATMA1 IKB20N65EH5.pdf
IKB20N65EH5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 40ns
Gate charge: 48nC
Turn-off time: 183ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 913 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+279.78 грн
10+190.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM10H60GAXKMA1 Infineon-IKCM10H60GA-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fcb43a49a78bb
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IKCM10H60GA Motor and PWM drivers
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+818.14 грн
2+652.44 грн
5+617.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM10L60GAXKMA1 Infineon-IKCM10L60GA-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fcb3a61b278a2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IKCM10L60GA Motor and PWM drivers
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
280+614.06 грн
Мінімальне замовлення: 280
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM15H60GAXKMA2 Infineon-IKCM15H60GA-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fcb68016c78ec
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IKCM15H60GA Motor and PWM drivers
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+881.73 грн
2+743.96 грн
5+703.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM30F60GAXKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BCD5B09CEE67DE28&compId=IKCM30F60GA.pdf?ci_sign=783f1af8ac5ce8035a854959701563b15dac9467
IKCM30F60GAXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: PG-MDIP24
Output current: -20...20A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Voltage class: 600V
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Power dissipation: 30.3W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1175.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 IKD04N60R.pdf
IKD04N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 317ns
Turn-on time: 22ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.87 грн
10+74.80 грн
100+47.53 грн
500+37.49 грн
1000+37.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1 IKD06N60R.pdf
IKD06N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 19ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 279ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 748 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.75 грн
10+73.27 грн
100+49.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 IKD15N60R.pdf
IKD15N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.10 грн
5+136.94 грн
10+116.12 грн
50+98.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3E.pdf
IKFW50N60DH3EXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+395.29 грн
30+369.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60T.pdf
IKP04N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 467 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.42 грн
10+62.34 грн
50+46.25 грн
100+41.33 грн
250+38.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKP06N60TXKSA1 IKP06N60T.pdf
IKP06N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 15ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 188ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 482 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.31 грн
10+106.28 грн
50+77.74 грн
100+73.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60T.pdf
IKP10N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 62nC
Collector current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 555 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+158.97 грн
10+113.43 грн
50+84.63 грн
100+75.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T-DTE.pdf
IKP15N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.56 грн
10+99.13 грн
50+71.84 грн
100+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N65F5XKSA1 IKP15N65F5.pdf
IKP15N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 52.5W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Manufacturer series: H5
Turn-off time: 166ns
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 24ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.63 грн
50+97.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N65H5XKSA1 IKP15N65H5-DTE.pdf
IKP15N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 105W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 105W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Manufacturer series: H5
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 315 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.88 грн
10+132.85 грн
20+116.12 грн
50+97.42 грн
100+87.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T.pdf
IKP20N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.76 грн
10+212.56 грн
50+140.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N65H5XKSA1 IKP20N65H5-DTE.pdf
IKP20N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 301 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.30 грн
10+223.80 грн
50+140.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ75N120CS6XKSA1 Infineon-IKQ75N120CS6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01638802035216c6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IKQ75N120CS6XKSA1 THT IGBT transistors
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+813.90 грн
3+479.24 грн
7+452.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6.pdf
IKW15N120BH6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Kind of package: tube
Gate charge: 92nC
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.56 грн
10+157.45 грн
20+143.67 грн
30+141.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3-DTE.pdf
IKW15N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+384.70 грн
2+318.84 грн
10+289.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd
IKW15N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Gate charge: 93nC
Turn-off time: 457ns
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 235W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+480.07 грн
10+375.04 грн
30+278.49 грн
120+268.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60T.pdf
IKW20N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+286.14 грн
5+207.45 грн
10+179.10 грн
30+150.56 грн
120+128.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120CS7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0B0F44D995C9360E3&compId=IKW25N120CS7.pdf?ci_sign=1e73c45d8ac65dc200dcd3a129bd51a00da2b0d9
IKW25N120CS7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 37A; 125W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 37A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 38ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-off time: 490ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.85 грн
10+126.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3-DTE.pdf
IKW25N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+459.94 грн
2+423.07 грн
6+353.28 грн
10+320.81 грн
20+275.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2.pdf
IKW25N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+466.30 грн
10+393.44 грн
20+336.55 грн
30+313.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3.pdf
IKW30N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.76 грн
4+193.14 грн
10+161.39 грн
20+150.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65EL5XKSA1 IKW30N65EL5.pdf
IKW30N65EL5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 114W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 359ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 62A
Pulsed collector current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+328.53 грн
2+296.36 грн
10+225.35 грн
20+199.77 грн
30+185.99 грн
120+180.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ES5XKSA1 IKW30N65ES5.pdf
IKW30N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39.5A
Pulsed collector current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+350.78 грн
10+237.09 грн
20+221.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65H5XKSA1 ikw30n65h5.pdf
IKW30N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 209ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
Pulsed collector current: 90A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65WR5XKSA1 IKW30N65WR5.pdf
IKW30N65WR5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 376ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+310.51 грн
10+269.79 грн
30+242.08 грн
120+241.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6.pdf
IKW40N120CS6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+494.91 грн
5+420.01 грн
10+360.17 грн
30+295.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3-DTE.pdf
IKW40N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 474 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+546.84 грн
10+474.17 грн
30+403.47 грн
120+363.12 грн
240+338.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2.pdf
IKW40N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+618.90 грн
2+556.95 грн
3+507.78 грн
5+466.45 грн
10+457.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N60H3FKSA1 IKW40N60H3.pdf
IKW40N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 218ns
Collector current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+374.10 грн
2+310.66 грн
10+279.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65F5FKSA1 IKW40N65F5-DTE.pdf
IKW40N65F5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+321.11 грн
5+225.84 грн
10+196.81 грн
30+169.26 грн
60+156.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65H5FKSA1 IKW40N65H5-DTE.pdf
IKW40N65H5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+379.40 грн
10+288.18 грн
20+240.11 грн
30+217.48 грн
60+202.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65WR5XKSA1 IKW40N65WR5.pdf
IKW40N65WR5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 448ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+259.64 грн
10+211.54 грн
20+183.04 грн
30+175.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1264 1265 1266 1267 1268 1269 1270 1271 1272 1273 1274 1494 1743 1992 2241 2490 2492  [ Наступна Сторінка >> ]