Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148445) > Сторінка 1268 з 2475

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1263 1264 1265 1266 1267 1268 1269 1270 1271 1272 1273 1482 1729 1976 2223 2470 2475  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB020N10N5LF IPB020N10N5LF INFINEON TECHNOLOGIES IPB020N10N5LF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 313W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB024N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB024N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014acf6424d01c0b IPB024N08N5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB025N08N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB025N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 426 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+444.66 грн
3+385.81 грн
4+284.16 грн
11+268.52 грн
1050+265.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB026N06N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB027N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB027N10N5-dte.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06N3GATMA1 IPB029N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB029N06N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO263-3
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 188W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB030N08N3GATMA1 IPB030N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB030N08N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 160A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB031N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac9cfdf5b1b81 IPB031N08N5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031NE7N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS16278-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IPB031NE7N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB033N10N5LF IPB033N10N5LF INFINEON TECHNOLOGIES IPB033N10N5LF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 108A; 179W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 108A
Power dissipation: 179W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06L3GATMA1 IPB034N06L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB034N06L3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N08N3GATMA1 IPB035N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB035N08N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB036N12N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304323b87bc20123c7030ed51f56 IPB036N12N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB037N06N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
On-state resistance: 3.7mΩ
Power dissipation: 188W
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_I_B041N12N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a75b86467ca4 IPB038N12N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB039N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ed1fd3915e0 IPB039N10N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB042N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB044N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f347501576ffd3e582757 IPB044N15N5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB048N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a01efd885463 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 118A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 118A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO 263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LF INFINEON TECHNOLOGIES IPB048N15N5LF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0000250420-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IPB049N08N5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049NE7N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB049NE7N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121a517a48e0bb9 IPB049NE7N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GATMA1 IPB054N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB054N06N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP057N08N3_Rev1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304317a748360117cf0cf5951d06 IPB054N08N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N03LGATMA1 IPB055N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB055N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 68W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB057N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372c2ed50b49b3 IPB057N06NATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GATMA1 IPB065N15N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB065N15N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB067N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES %28IPP%2CIPI%2CIPB%290x0N08N3_G.pdf IPB067N08N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP075N15N3+G_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a304319c6f18c0119cd76cc527ab6 IPB072N15N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB073N15N5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 81A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 81A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3G INFINEON TECHNOLOGIES IPB081N06L3G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP086N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358 IPB083N10N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N15N5LF IPB083N15N5LF INFINEON TECHNOLOGIES IPB083N15N5LF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 66A; 179W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 66A
Power dissipation: 179W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 IPB090N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB090N06N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 71W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S303ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPx100N04S3-03.pdf IPB100N04S303 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S205ATMA4 IPB100N06S205ATMA4 INFINEON TECHNOLOGIES IPB100N06S205.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 100A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S2L05ATMA2 IPB100N06S2L05ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPB100N06S2L05.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 100A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N10S305ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B_I100N10S3-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908bd4d8595c&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB107N20N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
On-state resistance: 10.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1 IPB107N20NAATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB107N20NA-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
On-state resistance: 10.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 820 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+619.95 грн
3+541.47 грн
6+492.91 грн
250+480.03 грн
1000+474.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_I111N15N3_IPB108N15N3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01254a5795541b4f IPB108N15N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110N20N3LF INFINEON TECHNOLOGIES IPB110N20N3LF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPB117N20NFD_2_0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043440adf7501440c8377500152 IPB117N20NFDATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S402ATMA2 IPB120N06S402ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPB120N06S402.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 120A; 188W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B_I120P04P4_04-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f784299de2e44 IPB120P04P404ATMA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3GATMA1 IPB123N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB123N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; 94W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 58A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB144N12N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_I_B147N12N3+G_Rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a79a30f57d01 IPB144N12N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB160N04S4LH110-DS-v01_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014670f0ac006489 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 160A; Idm: 640A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO263-7-3
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
Gate-source voltage: -16...20V
Pulsed drain current: 640A
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 IPB180N04S4H0ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB180N04S4H0.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 180A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 173nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB180N06S4-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203ccc9314178e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 180A; Idm: 720A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB180P04P4_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f78472a2a2e4e IPB180P04P403 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPB180P04P4L02.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -140A; Idm: -720A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -140A
Pulsed drain current: -720A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: -16...5V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N15N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD200N15N3_Rev2.02.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be IPB200N15N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_B_I_200N25N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496b87e9f1971 IPB200N25N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 IPB320N20N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB320N20N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 34A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB407N30NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB407N30N-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014d760faf575474 IPB407N30NATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R140CPATMA1 IPB50R140CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB50R140CP-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.1A; 25W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R199CPATMA1 IPB50R199CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB50R199CP-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; 139W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Drain current: 17A
On-state resistance: 0.199Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LF IPB020N10N5LF.pdf
IPB020N10N5LF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 313W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB024N08N5ATMA1 Infineon-IPB024N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014acf6424d01c0b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB024N08N5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3G-DTE.pdf
IPB025N08N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3G-DTE.pdf
IPB025N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 426 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+444.66 грн
3+385.81 грн
4+284.16 грн
11+268.52 грн
1050+265.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 IPB026N06N-DTE.pdf
IPB026N06NATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3G-DTE.pdf
IPB027N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5-dte.pdf
IPB027N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06N3GATMA1 IPB029N06N3G-DTE.pdf
IPB029N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO263-3
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 188W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB030N08N3GATMA1 IPB030N08N3G-DTE.pdf
IPB030N08N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 160A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031N08N5ATMA1 Infineon-IPB031N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac9cfdf5b1b81
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB031N08N5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031NE7N3GATMA1 INFNS16278-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB031NE7N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB033N10N5LF IPB033N10N5LF.pdf
IPB033N10N5LF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 108A; 179W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 108A
Power dissipation: 179W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06L3GATMA1 IPB034N06L3G-DTE.pdf
IPB034N06L3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N08N3GATMA1 IPB035N08N3G-DTE.pdf
IPB035N08N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1 IPB036N12N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304323b87bc20123c7030ed51f56
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB036N12N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3G-DTE.pdf
IPB037N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
On-state resistance: 3.7mΩ
Power dissipation: 188W
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 IPP_I_B041N12N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a75b86467ca4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB038N12N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ed1fd3915e0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB039N10N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3G-DTE.pdf
IPB042N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 Infineon-IPB044N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f347501576ffd3e582757
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB044N15N5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 Infineon-IPB048N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a01efd885463
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 118A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 118A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO 263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB048N15N5LF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049N08N5ATMA1 INFN-S-A0000250420-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB049N08N5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049NE7N3GATMA1 IPB049NE7N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121a517a48e0bb9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB049NE7N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GATMA1 IPB054N06N3G-DTE.pdf
IPB054N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N08N3GATMA1 IPP057N08N3_Rev1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304317a748360117cf0cf5951d06
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB054N08N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N03LGATMA1 IPB055N03LG-DTE.pdf
IPB055N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 68W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1 IPB057N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372c2ed50b49b3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB057N06NATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GATMA1 IPB065N15N3G-DTE.pdf
IPB065N15N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB067N08N3GATMA1 %28IPP%2CIPI%2CIPB%290x0N08N3_G.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB067N08N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPP075N15N3+G_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a304319c6f18c0119cd76cc527ab6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB072N15N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5.pdf
IPB073N15N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 81A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 81A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB081N06L3G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N10N3GATMA1 IPP086N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB083N10N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N15N5LF IPB083N15N5LF.pdf
IPB083N15N5LF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 66A; 179W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 66A
Power dissipation: 179W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 IPB090N06N3G-DTE.pdf
IPB090N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 71W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S303ATMA1 IPx100N04S3-03.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB100N04S303 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S205ATMA4 IPB100N06S205.pdf
IPB100N06S205ATMA4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 100A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S2L05ATMA2 IPB100N06S2L05.pdf
IPB100N06S2L05ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 100A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N10S305ATMA1 Infineon-IPP_B_I100N10S3-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908bd4d8595c&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1 IPB107N20N3G-DTE.pdf
IPB107N20N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
On-state resistance: 10.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1 IPB107N20NA-DTE.pdf
IPB107N20NAATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
On-state resistance: 10.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 820 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+619.95 грн
3+541.47 грн
6+492.91 грн
250+480.03 грн
1000+474.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1 Infineon-IPP_I111N15N3_IPB108N15N3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01254a5795541b4f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB108N15N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110N20N3LF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB110N20N3LF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1 DS_IPB117N20NFD_2_0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043440adf7501440c8377500152
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB117N20NFDATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S402ATMA2 IPB120N06S402.pdf
IPB120N06S402ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 120A; 188W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA1 Infineon-IPP_B_I120P04P4_04-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f784299de2e44
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB120P04P404ATMA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3GATMA1 IPB123N10N3G-DTE.pdf
IPB123N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; 94W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 58A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB144N12N3GATMA1 IPP_I_B147N12N3+G_Rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a79a30f57d01
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB144N12N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1 Infineon-IPB160N04S4LH110-DS-v01_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014670f0ac006489
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 160A; Idm: 640A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO263-7-3
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
Gate-source voltage: -16...20V
Pulsed drain current: 640A
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 IPB180N04S4H0.pdf
IPB180N04S4H0ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 180A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 173nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 Infineon-IPB180N06S4-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203ccc9314178e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 180A; Idm: 720A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA1 Infineon-IPB180P04P4_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f78472a2a2e4e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB180P04P403 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -140A; Idm: -720A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -140A
Pulsed drain current: -720A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: -16...5V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N15N3GATMA1 IPD200N15N3_Rev2.02.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB200N15N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 IPP_B_I_200N25N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496b87e9f1971
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB200N25N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 IPB320N20N3G-DTE.pdf
IPB320N20N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 34A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB407N30NATMA1 Infineon-IPB407N30N-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014d760faf575474
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB407N30NATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R140CPATMA1 IPB50R140CP-DTE.pdf
IPB50R140CPATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.1A; 25W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R199CPATMA1 IPB50R199CP-DTE.pdf
IPB50R199CPATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; 139W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Drain current: 17A
On-state resistance: 0.199Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1263 1264 1265 1266 1267 1268 1269 1270 1271 1272 1273 1482 1729 1976 2223 2470 2475  [ Наступна Сторінка >> ]