Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149449) > Сторінка 1270 з 2491

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1265 1266 1267 1268 1269 1270 1271 1272 1273 1274 1275 1494 1743 1992 2241 2490 2491  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60DTP.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 61A
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 419 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+227.85 грн
10+198.25 грн
30+168.28 грн
120+151.55 грн
240+141.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Manufacturer series: H3
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+400.59 грн
10+340.30 грн
30+296.20 грн
120+265.70 грн
240+247.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60T-dte.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+515.05 грн
10+437.38 грн
30+379.85 грн
120+341.47 грн
240+318.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+309.45 грн
10+198.25 грн
30+166.31 грн
60+165.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+396.35 грн
10+311.69 грн
20+262.75 грн
30+255.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65WR5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+368.80 грн
3+330.08 грн
10+315.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW60N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+405.89 грн
3+371.98 грн
5+342.46 грн
10+323.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N60H3FKSA1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+500.21 грн
5+390.37 грн
10+372.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+576.51 грн
5+447.60 грн
10+404.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1 IMW65R072M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMW65R072M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85c9c62a0482 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 18A; Idm: 69A; 96W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 96W
Case: TO247
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1280.20 грн
3+1111.85 грн
10+944.71 грн
30+851.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMZ120R030M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fdcc776696 IMZ120R030M1HXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2043.91 грн
2+1932.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1 IMZA65R048M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMZA65R048M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85d9ac090535 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+746.08 грн
5+580.45 грн
10+495.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA037N08N3GXKSA1 IPA037N08N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA3A9933A0411C&compId=IPA037N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=6b115aba7aa7ae88218f5a510759582c14070b7e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 75A; 41W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 41W
Drain current: 75A
Drain-source voltage: 80V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+299.91 грн
3+251.39 грн
10+217.48 грн
50+191.89 грн
250+173.20 грн
1000+168.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA040N06NXKSA1 IPA040N06NXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E9A76E68AEC11C&compId=IPA040N06N-DTE.pdf?ci_sign=1c3cfe6adaab2643d43a54e61f8a24ea06fa857c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 69A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA041N04NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA041N04N_G-DS-v02_00-en.pdf?fileId=5546d46145460399014560aaf8193f1c IPA041N04NGXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+207.71 грн
24+50.78 грн
64+48.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA057N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA057N06N3_Rev2+0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a3043284aacd8012882b3ac145428 IPA057N06N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+275.54 грн
12+101.36 грн
32+96.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA060N06NM5SXKSA1 IPA060N06NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA060N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cebbb676e20 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; Idm: 224A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 224A
Technology: OptiMOS™ 3
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 33W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+113.43 грн
10+96.44 грн
25+86.60 грн
100+82.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA075N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA075N15N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304325afd6e0012627a00c6821de IPA075N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+579.69 грн
4+363.12 грн
9+343.44 грн
50+342.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA083N10N5XKSA1 IPA083N10N5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA083N10N5-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+178.04 грн
3+132.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA083N10NM5SXKSA1 IPA083N10NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA083N10NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfe00a06e30 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 200A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+127.74 грн
10+108.25 грн
50+97.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA086N10N3GXKSA1 IPA086N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA086N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 37.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 37.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 336 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+178.04 грн
5+128.76 грн
10+107.26 грн
50+79.71 грн
100+71.84 грн
250+69.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R140CPXKSA1 IPA50R140CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA50R140CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 23A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+381.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R250CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA50R250CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42cd97047bc IPA50R250CPXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 162 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+222.55 грн
9+135.80 грн
24+127.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R280CEXKSA2 IPA50R280CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPA50R280CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 30.4W; TO220FP
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.28Ω
Drain current: 7.5A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 30.4W
Drain-source voltage: 500V
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+135.65 грн
10+71.23 грн
50+59.54 грн
100+55.80 грн
250+55.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R380CEXKSA2 IPA50R380CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDEE3A21EC971CC&compId=IPA50R380CE-DTE.pdf?ci_sign=ae539e39bc820f04d252019de81e3c5f64c466e6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; 29.2W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4A
Power dissipation: 29.2W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 476 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+119.75 грн
5+73.99 грн
10+65.54 грн
50+54.52 грн
100+52.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R950CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA50R950CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a3043382e8373013851892deb1048 IPA50R950CEXKSA2 THT N channel transistors
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+70.26 грн
28+42.71 грн
76+40.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125CPXKSA1 IPA60R125CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594B6BA600A71BF&compId=IPA60R125CP-DTE.pdf?ci_sign=56ee650e05b7d6255b4dfadc36d35067290454a6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+540.48 грн
3+448.62 грн
10+347.38 грн
100+301.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594C967A58C71BF&compId=IPA60R190P6-DTE.pdf?ci_sign=103642d66197600c23afd64a60a16e360317670a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 364 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+160.02 грн
10+118.54 грн
50+95.45 грн
100+85.61 грн
250+81.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R230P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX60R230P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043414fd3ef01415f8ab7321ec1 IPA60R230P6XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 266 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+164.26 грн
9+140.72 грн
23+133.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R280E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R280E6_2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304327b8975001281f9863f444e6 IPA60R280E6XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 396 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+162.14 грн
11+109.23 грн
30+103.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R280P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX60R280P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043416e106e01416e269e3e0021 IPA60R280P6XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+231.03 грн
11+114.15 грн
29+107.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R360P7SXKSA1 IPA60R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55dbb6160fc7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 22W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+118.69 грн
50+33.52 грн
500+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R380P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX60R380P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043416e106e01416e9316410203 IPA60R380P6XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+126.11 грн
23+51.17 грн
63+48.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R400CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c82d428e1f02 IPA60R400CEXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+160.02 грн
11+113.17 грн
29+107.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R600P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPA60R600P6_2_0_Approved.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433f2e70c5013f3862b5622681 IPA60R600P6XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.88 грн
26+46.25 грн
70+43.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R650CEXKSA1 IPA60R650CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R650CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 28W; TO220FP
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+82.78 грн
10+67.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190E6XKSA1 IPA65R190E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R190E6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 34W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.19Ω
Drain current: 20.2A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 34W
Drain-source voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+287.20 грн
10+199.27 грн
100+175.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA65R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015384177bc470f7 IPA65R1K0CEXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+59.66 грн
33+36.31 грн
89+34.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R380C6XKSA1 IPA65R380C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R380C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 31W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.38Ω
Drain current: 10.6A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+151.55 грн
10+141.02 грн
100+111.20 грн
500+96.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R400CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015384fc4e327493 IPA65R400CEXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.78 грн
23+51.17 грн
63+48.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R650CEXKSA1 IPA65R650CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R650CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 28W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+89.02 грн
10+52.83 грн
50+44.58 грн
100+42.32 грн
250+39.76 грн
500+38.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA70R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf777f5b0d77 IPA70R360P7SXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+98.56 грн
19+62.00 грн
52+59.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA70R600P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA70R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf80e8880d96 IPA70R600P7SXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.75 грн
40+29.52 грн
108+28.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA80R1K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c776020e1e3b IPA80R1K0CEXKSA2 THT N channel transistors
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+118.69 грн
13+94.47 грн
34+89.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA80R1K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c788709b1e43 IPA80R1K4CEXKSA2 THT N channel transistors
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+93.26 грн
21+57.08 грн
57+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R280P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA80R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d94225445249 IPA80R280P7XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+262.82 грн
8+159.42 грн
21+150.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R310CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA80R310CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c78875be1e45 IPA80R310CEXKSA2 THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+234.21 грн
9+141.71 грн
23+133.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b10283a015b23b4067a2b98 IPA80R360P7XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+258.58 грн
9+129.90 грн
25+123.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R450P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d9701ca552be IPA80R450P7XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+162.14 грн
12+99.39 грн
33+93.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R750P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipa80r750p7-datasheet-en.pdf IPA80R750P7 THT N channel transistors
на замовлення 470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+161.08 грн
16+76.76 грн
42+72.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R900P7XKSA1 IPA80R900P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8DD451B19C0143&compId=IPA80R900P7.pdf?ci_sign=4099e9ca1d487bf2abc3da68f46df64d1678847d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 27W; TO220FP; ESD
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 0.75Ω
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 27W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Case: TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+122.93 грн
10+92.99 грн
50+69.87 грн
100+63.96 грн
250+62.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R1K2P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipa95r1k2p7-datasheet-en.pdf IPA95R1K2P7 THT N channel transistors
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+179.10 грн
16+77.74 грн
42+73.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R450P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0164373e97df502b IPA95R450P7 THT N channel transistors
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+271.30 грн
8+165.32 грн
20+156.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipan70r360p7s-ds-en.pdf IPAN70R360P7S THT N channel transistors
на замовлення 346 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+152.61 грн
17+69.87 грн
46+66.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R450P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPAN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f499adf55405f IPAN70R450P7S THT N channel transistors
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+105.98 грн
18+65.93 грн
49+62.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R750P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipan70r750p7s-ds-en.pdf IPAN70R750P7S THT N channel transistors
на замовлення 168 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+51.50 грн
32+36.51 грн
88+34.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1 IPB014N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB014N06N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.4mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+322.17 грн
2+285.12 грн
10+220.43 грн
25+194.85 грн
50+178.12 грн
100+163.36 грн
200+150.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB015N08N5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.5mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 375W
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+289.32 грн
10+266.72 грн
100+230.27 грн
250+217.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB017N08N5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 994 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+295.68 грн
10+256.50 грн
100+228.30 грн
250+218.46 грн
500+196.81 грн
1000+185.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N06L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB019N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2600a49e467b IPB019N06L3GATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 917 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+226.79 грн
10+124.98 грн
26+118.09 грн
1000+117.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTP.pdf
IKW50N60DTPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 61A
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 419 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.85 грн
10+198.25 грн
30+168.28 грн
120+151.55 грн
240+141.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3.pdf
IKW50N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Manufacturer series: H3
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+400.59 грн
10+340.30 грн
30+296.20 грн
120+265.70 грн
240+247.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T-dte.pdf
IKW50N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+515.05 грн
10+437.38 грн
30+379.85 грн
120+341.47 грн
240+318.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5-DTE.pdf
IKW50N65F5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+309.45 грн
10+198.25 грн
30+166.31 грн
60+165.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf
IKW50N65H5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+396.35 грн
10+311.69 грн
20+262.75 грн
30+255.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5.pdf
IKW50N65WR5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+368.80 грн
3+330.08 грн
10+315.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3.pdf
IKW60N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+405.89 грн
3+371.98 грн
5+342.46 грн
10+323.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1.pdf
IKW75N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+500.21 грн
5+390.37 грн
10+372.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60T.pdf
IKW75N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+576.51 грн
5+447.60 грн
10+404.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1 Infineon-IMW65R072M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85c9c62a0482
IMW65R072M1HXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 18A; Idm: 69A; 96W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 96W
Case: TO247
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1280.20 грн
3+1111.85 грн
10+944.71 грн
30+851.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon-IMZ120R030M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fdcc776696
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IMZ120R030M1HXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2043.91 грн
2+1932.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon-IMZA65R048M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85d9ac090535
IMZA65R048M1HXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+746.08 грн
5+580.45 грн
10+495.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA037N08N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA3A9933A0411C&compId=IPA037N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=6b115aba7aa7ae88218f5a510759582c14070b7e
IPA037N08N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 75A; 41W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 41W
Drain current: 75A
Drain-source voltage: 80V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+299.91 грн
3+251.39 грн
10+217.48 грн
50+191.89 грн
250+173.20 грн
1000+168.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA040N06NXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E9A76E68AEC11C&compId=IPA040N06N-DTE.pdf?ci_sign=1c3cfe6adaab2643d43a54e61f8a24ea06fa857c
IPA040N06NXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 69A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA041N04NGXKSA1 Infineon-IPA041N04N_G-DS-v02_00-en.pdf?fileId=5546d46145460399014560aaf8193f1c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA041N04NGXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.71 грн
24+50.78 грн
64+48.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA057N06N3GXKSA1 IPA057N06N3_Rev2+0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a3043284aacd8012882b3ac145428
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA057N06N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.54 грн
12+101.36 грн
32+96.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA060N06NM5SXKSA1 Infineon-IPA060N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cebbb676e20
IPA060N06NM5SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; Idm: 224A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 224A
Technology: OptiMOS™ 3
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 33W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.43 грн
10+96.44 грн
25+86.60 грн
100+82.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA075N15N3GXKSA1 IPA075N15N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304325afd6e0012627a00c6821de
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA075N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+579.69 грн
4+363.12 грн
9+343.44 грн
50+342.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA083N10N5XKSA1 IPA083N10N5-DTE.pdf
IPA083N10N5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.04 грн
3+132.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA083N10NM5SXKSA1 Infineon-IPA083N10NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfe00a06e30
IPA083N10NM5SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 200A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.74 грн
10+108.25 грн
50+97.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA086N10N3GXKSA1 IPA086N10N3G-DTE.pdf
IPA086N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 37.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 37.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 336 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.04 грн
5+128.76 грн
10+107.26 грн
50+79.71 грн
100+71.84 грн
250+69.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R140CPXKSA1 IPA50R140CP-DTE.pdf
IPA50R140CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 23A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+381.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R250CPXKSA1 IPA50R250CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42cd97047bc
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA50R250CPXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 162 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.55 грн
9+135.80 грн
24+127.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R280CEXKSA2 IPA50R280CE-DTE.pdf
IPA50R280CEXKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 30.4W; TO220FP
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.28Ω
Drain current: 7.5A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 30.4W
Drain-source voltage: 500V
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.65 грн
10+71.23 грн
50+59.54 грн
100+55.80 грн
250+55.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R380CEXKSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDEE3A21EC971CC&compId=IPA50R380CE-DTE.pdf?ci_sign=ae539e39bc820f04d252019de81e3c5f64c466e6
IPA50R380CEXKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; 29.2W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4A
Power dissipation: 29.2W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 476 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.75 грн
5+73.99 грн
10+65.54 грн
50+54.52 грн
100+52.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R950CEXKSA2 Infineon-IPA50R950CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a3043382e8373013851892deb1048
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA50R950CEXKSA2 THT N channel transistors
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.26 грн
28+42.71 грн
76+40.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125CPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594B6BA600A71BF&compId=IPA60R125CP-DTE.pdf?ci_sign=56ee650e05b7d6255b4dfadc36d35067290454a6
IPA60R125CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+540.48 грн
3+448.62 грн
10+347.38 грн
100+301.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190P6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594C967A58C71BF&compId=IPA60R190P6-DTE.pdf?ci_sign=103642d66197600c23afd64a60a16e360317670a
IPA60R190P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 364 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+160.02 грн
10+118.54 грн
50+95.45 грн
100+85.61 грн
250+81.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R230P6XKSA1 Infineon-IPX60R230P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043414fd3ef01415f8ab7321ec1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R230P6XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 266 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.26 грн
9+140.72 грн
23+133.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R280E6XKSA1 IPA60R280E6_2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304327b8975001281f9863f444e6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R280E6XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 396 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.14 грн
11+109.23 грн
30+103.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R280P6XKSA1 Infineon-IPX60R280P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043416e106e01416e269e3e0021
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R280P6XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.03 грн
11+114.15 грн
29+107.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R360P7SXKSA1 Infineon-IPA60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55dbb6160fc7
IPA60R360P7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 22W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.69 грн
50+33.52 грн
500+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R380P6XKSA1 Infineon-IPX60R380P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043416e106e01416e9316410203
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R380P6XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.11 грн
23+51.17 грн
63+48.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R400CEXKSA1 Infineon-IPA60R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c82d428e1f02
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R400CEXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+160.02 грн
11+113.17 грн
29+107.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R600P6XKSA1 DS_IPA60R600P6_2_0_Approved.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433f2e70c5013f3862b5622681
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R600P6XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.88 грн
26+46.25 грн
70+43.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R650CEXKSA1 IPA60R650CE-DTE.pdf
IPA60R650CEXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 28W; TO220FP
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.78 грн
10+67.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190E6XKSA1 IPA65R190E6-DTE.pdf
IPA65R190E6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 34W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.19Ω
Drain current: 20.2A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 34W
Drain-source voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+287.20 грн
10+199.27 грн
100+175.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1 Infineon-IPA65R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015384177bc470f7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R1K0CEXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.66 грн
33+36.31 грн
89+34.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R380C6XKSA1 IPA65R380C6-DTE.pdf
IPA65R380C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 31W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.38Ω
Drain current: 10.6A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.55 грн
10+141.02 грн
100+111.20 грн
500+96.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R400CEXKSA1 Infineon-IPA65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015384fc4e327493
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R400CEXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.78 грн
23+51.17 грн
63+48.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R650CEXKSA1 IPA65R650CE-DTE.pdf
IPA65R650CEXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 28W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.02 грн
10+52.83 грн
50+44.58 грн
100+42.32 грн
250+39.76 грн
500+38.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA70R360P7SXKSA1 Infineon-IPA70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf777f5b0d77
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA70R360P7SXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.56 грн
19+62.00 грн
52+59.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA70R600P7SXKSA1 Infineon-IPA70R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf80e8880d96
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA70R600P7SXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.75 грн
40+29.52 грн
108+28.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 Infineon-IPA80R1K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c776020e1e3b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA80R1K0CEXKSA2 THT N channel transistors
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.69 грн
13+94.47 грн
34+89.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4CEXKSA2 Infineon-IPA80R1K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c788709b1e43
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA80R1K4CEXKSA2 THT N channel transistors
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.26 грн
21+57.08 грн
57+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R280P7XKSA1 Infineon-IPA80R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d94225445249
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA80R280P7XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.82 грн
8+159.42 грн
21+150.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R310CEXKSA2 Infineon-IPA80R310CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c78875be1e45
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA80R310CEXKSA2 THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.21 грн
9+141.71 грн
23+133.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R360P7XKSA1 Infineon-IPA80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b10283a015b23b4067a2b98
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA80R360P7XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.58 грн
9+129.90 грн
25+123.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R450P7XKSA1 Infineon-IPA80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d9701ca552be
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA80R450P7XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.14 грн
12+99.39 грн
33+93.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R750P7XKSA1 infineon-ipa80r750p7-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA80R750P7 THT N channel transistors
на замовлення 470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+161.08 грн
16+76.76 грн
42+72.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R900P7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8DD451B19C0143&compId=IPA80R900P7.pdf?ci_sign=4099e9ca1d487bf2abc3da68f46df64d1678847d
IPA80R900P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 27W; TO220FP; ESD
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 0.75Ω
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 27W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Case: TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.93 грн
10+92.99 грн
50+69.87 грн
100+63.96 грн
250+62.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R1K2P7XKSA1 infineon-ipa95r1k2p7-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA95R1K2P7 THT N channel transistors
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.10 грн
16+77.74 грн
42+73.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R450P7XKSA1 Infineon-IPA95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0164373e97df502b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA95R450P7 THT N channel transistors
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.30 грн
8+165.32 грн
20+156.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R360P7SXKSA1 infineon-ipan70r360p7s-ds-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPAN70R360P7S THT N channel transistors
на замовлення 346 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.61 грн
17+69.87 грн
46+66.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R450P7SXKSA1 Infineon-IPAN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f499adf55405f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPAN70R450P7S THT N channel transistors
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.98 грн
18+65.93 грн
49+62.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R750P7SXKSA1 infineon-ipan70r750p7s-ds-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPAN70R750P7S THT N channel transistors
на замовлення 168 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.50 грн
32+36.51 грн
88+34.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1 IPB014N06N-DTE.pdf
IPB014N06NATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.4mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+322.17 грн
2+285.12 грн
10+220.43 грн
25+194.85 грн
50+178.12 грн
100+163.36 грн
200+150.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5-DTE.pdf
IPB015N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.5mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 375W
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+289.32 грн
10+266.72 грн
100+230.27 грн
250+217.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5-DTE.pdf
IPB017N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 994 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+295.68 грн
10+256.50 грн
100+228.30 грн
250+218.46 грн
500+196.81 грн
1000+185.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N06L3GATMA1 IPB019N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2600a49e467b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB019N06L3GATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 917 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.79 грн
10+124.98 грн
26+118.09 грн
1000+117.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1265 1266 1267 1268 1269 1270 1271 1272 1273 1274 1275 1494 1743 1992 2241 2490 2491  [ Наступна Сторінка >> ]