Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149614) > Сторінка 1270 з 2494

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1265 1266 1267 1268 1269 1270 1271 1272 1273 1274 1275 1494 1743 1992 2241 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD80R1K4P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD80R1K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d9fa098058e5 IPD80R1K4P7 SMD N channel transistors
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+81.51 грн
27+42.70 грн
74+40.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K0P7ATMA1 IPD80R2K0P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA500A0526CE143&compId=IPD80R2K0P7.pdf?ci_sign=c53a33955b5e634b291666a18a0dfbe567e6a0d1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 24W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 24W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9nC
Technology: CoolMOS™ P7
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.42 грн
10+61.37 грн
25+51.14 грн
50+45.42 грн
100+42.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R900P7ATMA1 IPD80R900P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA531EA7A68A143&compId=IPD80R900P7.pdf?ci_sign=af71fb00aaf71f68f1b9472ad9adb4d9ef96b672 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; PG-TO252-3; ESD
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.9Ω
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Case: PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+129.59 грн
10+81.93 грн
25+68.90 грн
100+55.90 грн
500+48.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90N04S4_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca629525e87&ack=t IPD90N04S404 SMD N channel transistors
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+118.09 грн
16+71.81 грн
44+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b1b778a55d4 IPD95R450P7 SMD N channel transistors
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+220.51 грн
8+148.47 грн
22+139.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R125G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPDD60R125G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a0161706cba27778f IPDD60R125G7XTMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+288.44 грн
5+284.33 грн
12+268.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI040N06N3GXKSA1 IPI040N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A6995DAD3FBCA11C&compId=IPI040N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=5d0fdb2ae18e41775c6c36dcfad7d25cc4ee6d30 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.65 грн
10+72.78 грн
50+65.99 грн
250+62.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPI076N12N3GAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_I076N12N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a77a83ab7cd4 IPI076N12N3GAKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+355.32 грн
10+120.33 грн
27+113.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPI086N10N3GXKSA1 IPI086N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI086N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+168.25 грн
10+87.67 грн
50+73.75 грн
100+68.90 грн
250+62.11 грн
500+59.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI180N10N3GXKSA1 IPI180N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI180N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+108.69 грн
5+90.70 грн
25+69.87 грн
250+61.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R190C6XKSA1 IPI60R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594260EF079B1BF&compId=IPI60R190C6-DTE.pdf?ci_sign=9f13d353281a0e64deef708e1dc2f0664d7e1f5f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+317.70 грн
3+263.02 грн
10+203.79 грн
100+188.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S407AKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-I80N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038dc68c00cf5 IPI80N06S407AKSA2 THT N channel transistors
на замовлення 398 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+163.03 грн
9+132.95 грн
24+126.15 грн
250+125.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R800C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPI90R800C3-DS-v01_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e0123a887f69e5be4 IPI90R800C3XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 366 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+65.84 грн
19+63.08 грн
50+59.46 грн
51+59.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K5C6SATMA1 IPL65R1K5C6SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R1K5C6S-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.5Ω
Drain current: 3A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 26.6W
Drain-source voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+100.77 грн
10+77.63 грн
100+69.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1 IPN50R800CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA5E1D6F7216143&compId=IPN50R800CE.pdf?ci_sign=accad286030e42619725ab62412467d686624c67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.4nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+56.43 грн
7+43.33 грн
25+38.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CEATMA1 IPN50R950CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA5E631A6348143&compId=IPN50R950CE.pdf?ci_sign=ac3de499a9fd2d8fc1a237d5338cae3102b6188d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.2A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.71 грн
25+28.52 грн
100+24.26 грн
500+21.74 грн
3000+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFE4360D764D3D1&compId=IPN80R1K4P7.pdf?ci_sign=78fb10d99a14536f832bfbd20390774725556ad0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-SOT223
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 7W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2827 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.65 грн
10+60.87 грн
100+38.82 грн
500+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFE5BB2BC3FF3D1&compId=IPN80R4K5P7.pdf?ci_sign=181b854c7a65f95ea9d97b62a47f753309e2776a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-SOT223
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4nC
On-state resistance: 4.5Ω
Drain current: 1A
Power dissipation: 6W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+60.61 грн
7+49.58 грн
10+42.60 грн
50+37.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPP015N04NGXKSA1 IPP015N04NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP015N04NG-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+431.61 грн
5+388.99 грн
10+345.47 грн
25+282.39 грн
50+240.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N08NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP019N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f7027bd71695 IPP019N08NF2SAKMA1 THT N channel transistors
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+220.51 грн
9+134.89 грн
24+127.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5AKSA1 IPP020N08N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAF8298E0D611C&compId=IPP020N08N5-DTE.pdf?ci_sign=9dc82295fd02601e52b8b2d21a394a10450c2c86 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 375W
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+471.32 грн
3+409.14 грн
10+345.47 грн
50+302.77 грн
250+295.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N06N3GXKSA1 IPP024N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC4C2806A011C&compId=IPP024N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=50db48bc36890d6860fe3ae63f8a687849e4e47e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+455.65 грн
3+377.90 грн
10+292.09 грн
50+253.28 грн
250+248.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP030N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+311.43 грн
10+240.85 грн
50+209.61 грн
100+198.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98A6C6030411C&compId=IPP032N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=34183e67dc90345bcb6807fa4748e12435f87288 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+202.74 грн
5+151.16 грн
10+125.18 грн
25+102.86 грн
50+90.25 грн
100+82.48 грн
250+75.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1 IPP034NE7N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E95E936085211C&compId=IPP034NE7N3G-DTE.pdf?ci_sign=8d0e6de0bd6b07ddb826b41cbddb3eb2f3531bd6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+315.61 грн
2+221.70 грн
3+201.85 грн
10+182.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BB146D4A8B411C&compId=IPP037N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=64c6c32f058f82ac6d07d999c4f316e79c242e05 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+215.28 грн
10+180.38 грн
25+151.38 грн
50+133.92 грн
100+119.36 грн
250+105.77 грн
500+98.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N04LGXKSA1 IPP039N04LGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E969F612F1E11C&compId=IPP039N04LG-DTE.pdf?ci_sign=1ab9746543755d577d3301e9081234380060d3de Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+106.60 грн
10+80.62 грн
18+64.05 грн
50+60.17 грн
500+58.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98C3F13C0811C&compId=IPP040N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=dc43bbb37c068b8d637e5688c12841b44cf9c94a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+172.43 грн
10+88.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N04NGXKSA1 IPP041N04NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E96C690B2E211C&compId=IPP041N04NG-DTE.pdf?ci_sign=a7d418e7844ec4329454d1b9295f50f67a9a029a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+122.27 грн
10+67.01 грн
25+57.45 грн
50+52.79 грн
100+48.33 грн
500+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP042N03LGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IP(B,P)042N03LG.pdf IPP042N03LGXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+104.51 грн
20+58.22 грн
55+54.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP045N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+154.67 грн
10+131.01 грн
50+112.57 грн
100+102.86 грн
500+97.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP048N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 120V
Power dissipation: 300W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 154 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+326.06 грн
10+276.12 грн
50+184.38 грн
100+164.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98E023A9B411C&compId=IPP052N06L3G-DTE.pdf?ci_sign=8a5b95f3a4bf719a2bed0f802edb055a4b86c61e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+176.61 грн
10+113.87 грн
15+78.60 грн
40+74.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052NE7N3GXKSA1 IPP052NE7N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E9620822B1011C&compId=IPP052NE7N3G-DTE.pdf?ci_sign=468892a790d343bbb195f2418fb4605339d9ca3c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+122.94 грн
10+103.83 грн
14+85.40 грн
37+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N03LGXKSA1 IPP055N03LGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC943DE51411C&compId=IPP055N03LG-DTE.pdf?ci_sign=4c046460a84c3cb82bd98e0e42db4e2dee8ace2f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO220-3-1
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3-1
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+98.24 грн
10+81.63 грн
24+47.94 грн
66+45.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP057N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_B057N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2b439f1d4d93 IPP057N06N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+132.72 грн
18+65.99 грн
48+62.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP072N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 448 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+194.38 грн
10+82.63 грн
50+73.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP075N15N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC81F7082D211C&compId=IPP075N15N3G-DTE.pdf?ci_sign=2206d84c866b44030e934a449c4dbb0ec14767f4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+287.39 грн
50+143.10 грн
100+127.12 грн
250+116.45 грн
500+110.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP076N15N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP076N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a04c9f955516 IPP076N15N5 THT N channel transistors
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+170.34 грн
9+138.77 грн
23+131.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP110N20N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+632.26 грн
10+521.00 грн
50+444.45 грн
100+421.16 грн
500+402.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3GXKSA1 IPP111N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC8BEA3643E11C&compId=IPP111N15N3G-DTE.pdf?ci_sign=61da3a9c2d92c5d511a8d5d8168ea3865f37b927 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 214W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 83A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 214W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 219 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+296.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP114N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; 136W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 75A
Drain-source voltage: 120V
Power dissipation: 136W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+205.88 грн
10+166.28 грн
50+101.89 грн
100+99.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N20NFDAKSA1 IPP120N20NFDAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC912B6685611C&compId=IPP120N20NFD-DTE.pdf?ci_sign=5d8d5dc96917148dec9e37cbde86228c5d8b765b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 84A
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+511.03 грн
10+375.89 грн
25+305.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP126N10N3GXKSA1 IPP126N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP126N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 58A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+313.52 грн
3+100.77 грн
10+82.48 грн
50+72.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP147N12N3GXKSA1 IPP147N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP147N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 107W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 56A
Drain-source voltage: 120V
Power dissipation: 107W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+138.99 грн
10+112.87 грн
50+93.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP17N25S3100AKSA1 IPP17N25S3100AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B17N25S3_100-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937c398a014b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 250V; 13.3A; Idm: 68A
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T
Case: PG-TO220-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 107W
Drain current: 13.3A
Drain-source voltage: 250V
Pulsed drain current: 68A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 482 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+177.66 грн
3+163.25 грн
10+149.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP320N20N3GXKSA1 IPP320N20N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC84EE95CCE11C&compId=IPP320N20N3G-DTE.pdf?ci_sign=6226e0663d65b677fe140d569ad33b01df4f9379 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Drain current: 34A
Power dissipation: 136W
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+224.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R190CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPx50R190CE+2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304339d29c450139d43facbe02fb IPP50R190CEXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 778 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+196.47 грн
16+74.72 грн
43+70.84 грн
2000+70.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R250CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES dgdl?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01238524b91c65ce IPP50R250CPXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 441 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+201.70 грн
8+163.03 грн
20+154.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R380CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPx50R380CE_2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432e398416012e5273936c15b0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.9A; 73W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.9A
Power dissipation: 73W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+97.19 грн
10+62.28 грн
50+49.49 грн
100+45.51 грн
500+44.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP600N25N3GXKSA1 IPP600N25N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP600N25N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 25A
Power dissipation: 136W
Drain-source voltage: 250V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+227.82 грн
10+194.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099C6XKSA1 IPP60R099C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5945C848E84F1BF&compId=IPP60R099C6-DTE.pdf?ci_sign=309580ea66cbc75322c87db6d192b428c777e9ea Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+454.60 грн
10+363.79 грн
50+300.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099CPXKSA1 IPP60R099CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B59457F5CAAA71BF&compId=IPP60R099CP-DTE.pdf?ci_sign=58cf3965cfc8109487e20bd8d33b892067a49653 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO220-3-1
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO220-3-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+471.32 грн
10+383.95 грн
25+340.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099P7 IPP60R099P7 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A1E1D8ADC57F2749&compId=IPP60R099P7.pdf?ci_sign=f712e67ed86a8f78e11410cb3eca32c304fb8895 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 117W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 117W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+391.90 грн
3+339.61 грн
10+309.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125CPXKSA1 IPP60R125CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594552FBE8F91BF&compId=IPP60R125CP-DTE.pdf?ci_sign=afab661542e2620673283235d20ec3775808743a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+607.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R160P6XKSA1 IPP60R160P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5949AA297D091BF&compId=IPP60R160P6-DTE.pdf?ci_sign=7f69625d6b7ccc50bdebc8e093fd2059a469e2c0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+197.52 грн
10+180.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R165CPXKSA1 IPP60R165CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R165CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO220-3
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.165Ω
Drain current: 21A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 192W
Drain-source voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+286.35 грн
10+254.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180C7XKSA1 IPP60R180C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594A594EE1111BF&compId=IPP60R180C7-DTE.pdf?ci_sign=44faf0fccfdedd2c114610049948296d029df2e1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 68W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 443 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+225.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190C6XKSA1 IPP60R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5944516ACCA91BF&compId=IPP60R190C6-DTE.pdf?ci_sign=656d49e416ee0ee069a2849faaa19764993ed0e3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+287.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B59496F43BA9B1BF&compId=IPP60R190P6-DTE.pdf?ci_sign=6ca2ab1861703fa95cc299fbb9cf787049410a12 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+163.03 грн
10+144.11 грн
50+135.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7ATMA1 Infineon-IPD80R1K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d9fa098058e5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R1K4P7 SMD N channel transistors
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.51 грн
27+42.70 грн
74+40.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K0P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA500A0526CE143&compId=IPD80R2K0P7.pdf?ci_sign=c53a33955b5e634b291666a18a0dfbe567e6a0d1
IPD80R2K0P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 24W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 24W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9nC
Technology: CoolMOS™ P7
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.42 грн
10+61.37 грн
25+51.14 грн
50+45.42 грн
100+42.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R900P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA531EA7A68A143&compId=IPD80R900P7.pdf?ci_sign=af71fb00aaf71f68f1b9472ad9adb4d9ef96b672
IPD80R900P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; PG-TO252-3; ESD
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.9Ω
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Case: PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.59 грн
10+81.93 грн
25+68.90 грн
100+55.90 грн
500+48.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1 Infineon-IPD90N04S4_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca629525e87&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD90N04S404 SMD N channel transistors
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.09 грн
16+71.81 грн
44+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 Infineon-IPD95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b1b778a55d4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD95R450P7 SMD N channel transistors
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.51 грн
8+148.47 грн
22+139.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R125G7XTMA1 Infineon-IPDD60R125G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a0161706cba27778f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPDD60R125G7XTMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.44 грн
5+284.33 грн
12+268.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI040N06N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A6995DAD3FBCA11C&compId=IPI040N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=5d0fdb2ae18e41775c6c36dcfad7d25cc4ee6d30
IPI040N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.65 грн
10+72.78 грн
50+65.99 грн
250+62.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPI076N12N3GAKSA1 IPP_I076N12N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a77a83ab7cd4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI076N12N3GAKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+355.32 грн
10+120.33 грн
27+113.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPI086N10N3GXKSA1 IPI086N10N3G-DTE.pdf
IPI086N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.25 грн
10+87.67 грн
50+73.75 грн
100+68.90 грн
250+62.11 грн
500+59.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI180N10N3GXKSA1 IPI180N10N3G-DTE.pdf
IPI180N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.69 грн
5+90.70 грн
25+69.87 грн
250+61.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R190C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594260EF079B1BF&compId=IPI60R190C6-DTE.pdf?ci_sign=9f13d353281a0e64deef708e1dc2f0664d7e1f5f
IPI60R190C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+317.70 грн
3+263.02 грн
10+203.79 грн
100+188.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S407AKSA2 Infineon-I80N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038dc68c00cf5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI80N06S407AKSA2 THT N channel transistors
на замовлення 398 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.03 грн
9+132.95 грн
24+126.15 грн
250+125.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R800C3XKSA1 Infineon-IPI90R800C3-DS-v01_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e0123a887f69e5be4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI90R800C3XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 366 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.84 грн
19+63.08 грн
50+59.46 грн
51+59.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K5C6SATMA1 IPL65R1K5C6S-DTE.pdf
IPL65R1K5C6SATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.5Ω
Drain current: 3A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 26.6W
Drain-source voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+100.77 грн
10+77.63 грн
100+69.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA5E1D6F7216143&compId=IPN50R800CE.pdf?ci_sign=accad286030e42619725ab62412467d686624c67
IPN50R800CEATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.4nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.43 грн
7+43.33 грн
25+38.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CEATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA5E631A6348143&compId=IPN50R950CE.pdf?ci_sign=ac3de499a9fd2d8fc1a237d5338cae3102b6188d
IPN50R950CEATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.2A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.71 грн
25+28.52 грн
100+24.26 грн
500+21.74 грн
3000+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFE4360D764D3D1&compId=IPN80R1K4P7.pdf?ci_sign=78fb10d99a14536f832bfbd20390774725556ad0
IPN80R1K4P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-SOT223
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 7W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2827 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.65 грн
10+60.87 грн
100+38.82 грн
500+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFE5BB2BC3FF3D1&compId=IPN80R4K5P7.pdf?ci_sign=181b854c7a65f95ea9d97b62a47f753309e2776a
IPN80R4K5P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-SOT223
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4nC
On-state resistance: 4.5Ω
Drain current: 1A
Power dissipation: 6W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.61 грн
7+49.58 грн
10+42.60 грн
50+37.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPP015N04NGXKSA1 IPP015N04NG-DTE.pdf
IPP015N04NGXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+431.61 грн
5+388.99 грн
10+345.47 грн
25+282.39 грн
50+240.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N08NF2SAKMA1 Infineon-IPP019N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f7027bd71695
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP019N08NF2SAKMA1 THT N channel transistors
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.51 грн
9+134.89 грн
24+127.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5AKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAF8298E0D611C&compId=IPP020N08N5-DTE.pdf?ci_sign=9dc82295fd02601e52b8b2d21a394a10450c2c86
IPP020N08N5AKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 375W
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+471.32 грн
3+409.14 грн
10+345.47 грн
50+302.77 грн
250+295.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N06N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC4C2806A011C&compId=IPP024N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=50db48bc36890d6860fe3ae63f8a687849e4e47e
IPP024N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+455.65 грн
3+377.90 грн
10+292.09 грн
50+253.28 грн
250+248.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3G-DTE.pdf
IPP030N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+311.43 грн
10+240.85 грн
50+209.61 грн
100+198.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP032N06N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98A6C6030411C&compId=IPP032N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=34183e67dc90345bcb6807fa4748e12435f87288
IPP032N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.74 грн
5+151.16 грн
10+125.18 грн
25+102.86 грн
50+90.25 грн
100+82.48 грн
250+75.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E95E936085211C&compId=IPP034NE7N3G-DTE.pdf?ci_sign=8d0e6de0bd6b07ddb826b41cbddb3eb2f3531bd6
IPP034NE7N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+315.61 грн
2+221.70 грн
3+201.85 грн
10+182.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BB146D4A8B411C&compId=IPP037N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=64c6c32f058f82ac6d07d999c4f316e79c242e05
IPP037N08N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.28 грн
10+180.38 грн
25+151.38 грн
50+133.92 грн
100+119.36 грн
250+105.77 грн
500+98.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N04LGXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E969F612F1E11C&compId=IPP039N04LG-DTE.pdf?ci_sign=1ab9746543755d577d3301e9081234380060d3de
IPP039N04LGXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.60 грн
10+80.62 грн
18+64.05 грн
50+60.17 грн
500+58.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98C3F13C0811C&compId=IPP040N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=dc43bbb37c068b8d637e5688c12841b44cf9c94a
IPP040N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.43 грн
10+88.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N04NGXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E96C690B2E211C&compId=IPP041N04NG-DTE.pdf?ci_sign=a7d418e7844ec4329454d1b9295f50f67a9a029a
IPP041N04NGXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.27 грн
10+67.01 грн
25+57.45 грн
50+52.79 грн
100+48.33 грн
500+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP042N03LGXKSA1 IP(B,P)042N03LG.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP042N03LGXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+104.51 грн
20+58.22 грн
55+54.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3G-DTE.pdf
IPP045N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.67 грн
10+131.01 грн
50+112.57 грн
100+102.86 грн
500+97.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3G-DTE.pdf
IPP048N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 120V
Power dissipation: 300W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 154 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+326.06 грн
10+276.12 грн
50+184.38 грн
100+164.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N06L3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98E023A9B411C&compId=IPP052N06L3G-DTE.pdf?ci_sign=8a5b95f3a4bf719a2bed0f802edb055a4b86c61e
IPP052N06L3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.61 грн
10+113.87 грн
15+78.60 грн
40+74.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052NE7N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E9620822B1011C&compId=IPP052NE7N3G-DTE.pdf?ci_sign=468892a790d343bbb195f2418fb4605339d9ca3c
IPP052NE7N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.94 грн
10+103.83 грн
14+85.40 грн
37+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N03LGXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC943DE51411C&compId=IPP055N03LG-DTE.pdf?ci_sign=4c046460a84c3cb82bd98e0e42db4e2dee8ace2f
IPP055N03LGXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO220-3-1
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3-1
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.24 грн
10+81.63 грн
24+47.94 грн
66+45.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP057N06N3GXKSA1 IPP_B057N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2b439f1d4d93
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP057N06N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.72 грн
18+65.99 грн
48+62.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3G-DTE.pdf
IPP072N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 448 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.38 грн
10+82.63 грн
50+73.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP075N15N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC81F7082D211C&compId=IPP075N15N3G-DTE.pdf?ci_sign=2206d84c866b44030e934a449c4dbb0ec14767f4
IPP075N15N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+287.39 грн
50+143.10 грн
100+127.12 грн
250+116.45 грн
500+110.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP076N15N5AKSA1 Infineon-IPP076N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a04c9f955516
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP076N15N5 THT N channel transistors
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.34 грн
9+138.77 грн
23+131.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3G-DTE.pdf
IPP110N20N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+632.26 грн
10+521.00 грн
50+444.45 грн
100+421.16 грн
500+402.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC8BEA3643E11C&compId=IPP111N15N3G-DTE.pdf?ci_sign=61da3a9c2d92c5d511a8d5d8168ea3865f37b927
IPP111N15N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 214W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 83A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 214W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 219 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+296.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3G-DTE.pdf
IPP114N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; 136W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 75A
Drain-source voltage: 120V
Power dissipation: 136W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.88 грн
10+166.28 грн
50+101.89 грн
100+99.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N20NFDAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC912B6685611C&compId=IPP120N20NFD-DTE.pdf?ci_sign=5d8d5dc96917148dec9e37cbde86228c5d8b765b
IPP120N20NFDAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 84A
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+511.03 грн
10+375.89 грн
25+305.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP126N10N3GXKSA1 IPP126N10N3G-DTE.pdf
IPP126N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 58A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+313.52 грн
3+100.77 грн
10+82.48 грн
50+72.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP147N12N3GXKSA1 IPP147N12N3G-DTE.pdf
IPP147N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 107W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 56A
Drain-source voltage: 120V
Power dissipation: 107W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.99 грн
10+112.87 грн
50+93.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP17N25S3100AKSA1 Infineon-IPP_B17N25S3_100-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937c398a014b
IPP17N25S3100AKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 250V; 13.3A; Idm: 68A
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T
Case: PG-TO220-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 107W
Drain current: 13.3A
Drain-source voltage: 250V
Pulsed drain current: 68A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 482 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.66 грн
3+163.25 грн
10+149.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP320N20N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC84EE95CCE11C&compId=IPP320N20N3G-DTE.pdf?ci_sign=6226e0663d65b677fe140d569ad33b01df4f9379
IPP320N20N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Drain current: 34A
Power dissipation: 136W
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R190CEXKSA1 IPx50R190CE+2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304339d29c450139d43facbe02fb
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP50R190CEXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 778 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.47 грн
16+74.72 грн
43+70.84 грн
2000+70.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R250CPXKSA1 dgdl?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01238524b91c65ce
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP50R250CPXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 441 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+201.70 грн
8+163.03 грн
20+154.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R380CEXKSA1 IPx50R380CE_2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432e398416012e5273936c15b0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.9A; 73W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.9A
Power dissipation: 73W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.19 грн
10+62.28 грн
50+49.49 грн
100+45.51 грн
500+44.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP600N25N3GXKSA1 IPP600N25N3G-DTE.pdf
IPP600N25N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 25A
Power dissipation: 136W
Drain-source voltage: 250V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.82 грн
10+194.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5945C848E84F1BF&compId=IPP60R099C6-DTE.pdf?ci_sign=309580ea66cbc75322c87db6d192b428c777e9ea
IPP60R099C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+454.60 грн
10+363.79 грн
50+300.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099CPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B59457F5CAAA71BF&compId=IPP60R099CP-DTE.pdf?ci_sign=58cf3965cfc8109487e20bd8d33b892067a49653
IPP60R099CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO220-3-1
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO220-3-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+471.32 грн
10+383.95 грн
25+340.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099P7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A1E1D8ADC57F2749&compId=IPP60R099P7.pdf?ci_sign=f712e67ed86a8f78e11410cb3eca32c304fb8895
IPP60R099P7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 117W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 117W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+391.90 грн
3+339.61 грн
10+309.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125CPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594552FBE8F91BF&compId=IPP60R125CP-DTE.pdf?ci_sign=afab661542e2620673283235d20ec3775808743a
IPP60R125CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+607.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R160P6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5949AA297D091BF&compId=IPP60R160P6-DTE.pdf?ci_sign=7f69625d6b7ccc50bdebc8e093fd2059a469e2c0
IPP60R160P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.52 грн
10+180.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R165CPXKSA1 IPP60R165CP-DTE.pdf
IPP60R165CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO220-3
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.165Ω
Drain current: 21A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 192W
Drain-source voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+286.35 грн
10+254.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180C7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594A594EE1111BF&compId=IPP60R180C7-DTE.pdf?ci_sign=44faf0fccfdedd2c114610049948296d029df2e1
IPP60R180C7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 68W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 443 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5944516ACCA91BF&compId=IPP60R190C6-DTE.pdf?ci_sign=656d49e416ee0ee069a2849faaa19764993ed0e3
IPP60R190C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+287.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190P6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B59496F43BA9B1BF&compId=IPP60R190P6-DTE.pdf?ci_sign=6ca2ab1861703fa95cc299fbb9cf787049410a12
IPP60R190P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.03 грн
10+144.11 грн
50+135.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1265 1266 1267 1268 1269 1270 1271 1272 1273 1274 1275 1494 1743 1992 2241 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]