Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149736) > Сторінка 1271 з 2496

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1266 1267 1268 1269 1270 1271 1272 1273 1274 1275 1276 1494 1743 1992 2241 2490 2496  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD65C1982C915EA&compId=IKP10N60T.pdf?ci_sign=3662fc1223253be4b0852eb3ea1462e0c0c8adde Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+203.52 грн
13+85.74 грн
36+78.90 грн
500+77.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AAA8A5633DFAB1CC&compId=IKP15N60T-DTE.pdf?ci_sign=042facda16ad84d72f77461b1b1d79ca587b8db6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+168.94 грн
10+130.52 грн
12+97.24 грн
31+91.74 грн
500+90.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N65F5XKSA1 IKP15N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885C6BF0AC93A8A18&compId=IKP15N65F5.pdf?ci_sign=813dd2687d113f2ce86cd4f9b1d438357d641c10 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 52.5W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 38nC
Manufacturer series: H5
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 166ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N65H5XKSA1 IKP15N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BDA57DFD7A71BF&compId=IKP15N65H5-DTE.pdf?ci_sign=a152a4dcb39347c0c777a80d3988833d2f0dbb62 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 105W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 38nC
Manufacturer series: H5
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60H3XKSA1 IKP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ACF6E42879FE51BF&compId=IKP20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=81822baaae1c458e541be05689ce6b6972ffcdff Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 241ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D07DB193BFE74A&compId=IKP20N60T.pdf?ci_sign=7c0e65ea17092b5cb44f595a48490fa898091448 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+209.45 грн
8+149.57 грн
21+135.77 грн
100+131.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N65F5XKSA1 IKP20N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE433C2FF47820&compId=IKP20N65F5.pdf?ci_sign=ec4db0b62088189ec6e7ddc9bfbe473303a75170 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 21A; 63W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 21A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N65H5XKSA1 IKP20N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BDAAE5E773D1BF&compId=IKP20N65H5-DTE.pdf?ci_sign=9c146109ea4cb9ffb436b016c05098b7ecfc6718 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
Manufacturer series: H5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+201.54 грн
3+181.01 грн
8+144.03 грн
21+135.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP30N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKP30N65F5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d461464245d30146a51147116d12 IKP30N65F5XKSA1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP30N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKP30N65H5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d461464245d30146a51a2ca36d28 IKP30N65H5 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP40N65F5XKSA1 IKP40N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP40N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 255W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 255W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP40N65H5XKSA1 IKP40N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP40N65H5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 255W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 255W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Gate charge: 95nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ100N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKQ100N60T-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249cd10140149d2278ce24df2 IKQ100N60TXKSA1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC636C224DA33D7&compId=IKQ120N60T.pdf?ci_sign=b38a8c3161654d1e1da3919298b71c00ef65edd6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; PG-TO247-3-46
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: PG-TO247-3-46
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 703nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 480A
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TAXKSA1 IKQ120N60TAXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC61D783DC6F3D7&compId=IKQ120N60TA.pdf?ci_sign=1c156fe05a0361b5601e9e8ff2b0d1bd8ddd8421 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 772nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 480A
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CH3XKSA1 IKQ40N120CH3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A2AFF7BE8F13C749&compId=IKQ40N120CH3.pdf?ci_sign=c8ed0c89fcc600022b2a871e0b32fde7f3676f73 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 136W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 331ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CT2XKSA1 IKQ40N120CT2XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A2AFD6AC8EDA0749&compId=IKQ40N120CT2.pdf?ci_sign=8253bd2051f94bd3337d2fb92cd05a3b6edcd14b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 133W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 133W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 379ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ50N120CH3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKQ50N120CH3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bd817b0150536 IKQ50N120CH3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ50N120CT2XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKQ50N120CT2-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015c0be00a1b0a7a IKQ50N120CT2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ75N120CH3XKSA1 IKQ75N120CH3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A2B012CAA49F6749&compId=IKQ75N120CH3.pdf?ci_sign=e914df17ff7ca938dbbe26bac7072d720567b44d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 256W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 256W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.37µC
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ75N120CS6XKSA1 IKQ75N120CS6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B09007A649B8BF&compId=IKQ75N120CS6XKSA1.pdf?ci_sign=da4429176011a05079a0b9331dca0f7487332609 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 440W; PG-TO247-3-46
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 440W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 530nC
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Case: PG-TO247-3-46
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+842.73 грн
3+541.12 грн
6+492.64 грн
1020+474.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ75N120CT2XKSA1 IKQ75N120CT2XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A2AFD9D0DB3C2749&compId=IKQ75N120CT2.pdf?ci_sign=0547d472e8cc63063fbb86787a5014befe4e4eea Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 237W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 237W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.37µC
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW08N120CS7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKW08N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97dbfdd05a9 IKW08N120CS7XKSA1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW08T120FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW08T120_Rev2_3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42893233e29 IKW08T120 THT IGBT transistors
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+231.18 грн
8+151.37 грн
20+143.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0997F3635D8BF&compId=IKW15N120BH6.pdf?ci_sign=7d5116a5ba65f8a2b5cf2e55505c6de35ec86261 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 60A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 100W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 92nC
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+358.63 грн
8+150.52 грн
21+136.69 грн
240+133.94 грн
510+132.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4ADAB9D8E51CC&compId=IKW15N120H3-DTE.pdf?ci_sign=5e67717d8537695a7facaef0bb16de80cf14fc4a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Pulsed collector current: 60A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 75nC
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 225 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+531.52 грн
4+307.71 грн
10+279.80 грн
60+269.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+530.53 грн
4+284.85 грн
11+259.62 грн
120+250.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE6F66D4F3B820&compId=IKW20N60H3.pdf?ci_sign=17f202bc94e3ffba54d73940142cc54f9595779a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+348.75 грн
3+302.95 грн
5+222.92 грн
14+211.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D06C564238274A&compId=IKW20N60T.pdf?ci_sign=446b88dff3d758d9a2f7512499a17ea6b9e28d8b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+388.27 грн
6+202.92 грн
16+184.39 грн
60+183.48 грн
120+177.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120CS7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKW25N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97da3d005a3 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 125W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 37A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 38ns
Turn-off time: 490ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4AFA32A35D1CC&compId=IKW25N120H3-DTE.pdf?ci_sign=a514e131da34fbe6b92466a983691a3367199936 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 164 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+629.33 грн
3+400.12 грн
8+364.20 грн
10+363.28 грн
60+351.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B445A567FCC469&compId=IKW25N120T2.pdf?ci_sign=f5d440dc422e32eecd5cb390c0ed98526ec247c5 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 168 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+665.88 грн
3+386.78 грн
8+352.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25T120FKSA1 IKW25T120FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW25T120.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 190W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 155nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 75A
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+478.17 грн
3+422.03 грн
4+318.33 грн
10+300.90 грн
120+296.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0D0E718220745&compId=IKW30N60H3.pdf?ci_sign=a1c79d86c62d9b0a8b38302b25c49b78756d1a41 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+317.13 грн
6+188.63 грн
17+171.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE83D6F52D7820&compId=IKW30N60T.pdf?ci_sign=f9d49fbbf5bca8e2a26c4d0279100b423dab6e45 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 167nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39A
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65EL5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKW30N65EL5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11cd5d3c3acb IKW30N65EL5 THT IGBT transistors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+541.40 грн
3+365.12 грн
9+344.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKW30N65ES5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef201501413b3525763 IKW30N65ES5XKSA1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKW30N65H5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0f6a876d6a3b IKW30N65H5 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N65WR5_DS.pdf IKW30N65WR5 THT IGBT transistors
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+369.50 грн
5+244.02 грн
13+231.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0A66D3DFBB8BF&compId=IKW40N120CS6.pdf?ci_sign=31fae688f4eaa08099e8297f1be2823d2dbebf7b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+491.01 грн
4+314.38 грн
10+286.22 грн
510+282.56 грн
1020+275.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKW40N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97d952805a0 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 56A; 179W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 179W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 56A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4B1227AD871CC&compId=IKW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=f8b339f1e873d397d5d01461d09440706297c41f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD0E2F7E6320259&compId=IKW40N120T2.pdf?ci_sign=6bbbb8c74de3acef3716a77652baf5b260d1e5ac Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+709.35 грн
3+523.97 грн
6+477.04 грн
120+458.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N60H3FKSA1 IKW40N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF287E64D629820&compId=IKW40N60H3.pdf?ci_sign=7eaa1a7e97c5e16ffdf06cda79c87b11811d0c7c Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 218ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65ES5XKSA1 IKW40N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N65ES5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65F5FKSA1 IKW40N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+355.66 грн
5+244.84 грн
13+222.92 грн
60+222.01 грн
120+214.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65H5FKSA1 IKW40N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N65H5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+360.60 грн
6+216.26 грн
15+197.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65WR5XKSA1 IKW40N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N65WR5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 448ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+279.59 грн
3+242.93 грн
6+178.89 грн
17+169.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40T120FKSA1 IKW40T120FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8B8FDEA7B2C616143&compId=IKW40T120FKSA1.pdf?ci_sign=710142ea5a638ff69a833db040662bf28761863b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 203nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 92ns
Turn-off time: 700ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+497.93 грн
3+399.17 грн
8+364.20 грн
30+358.70 грн
120+349.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC5CCBF5761D3D7&compId=IKW50N60DTP.pdf?ci_sign=94fc3287d74be6840256ba5010a252d8c5963f49 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Technology: TRENCHSTOP™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+248.96 грн
7+164.81 грн
19+150.45 грн
2010+144.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0CEE5938C0745&compId=IKW50N60H3.pdf?ci_sign=d334792eef4676a4984a2ca8adefbaef89e3863e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+456.44 грн
4+341.06 грн
9+310.08 грн
120+305.49 грн
480+298.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B597008ABEE131BF&compId=IKW50N60T-dte.pdf?ci_sign=4bece27f1d2991d109d3770530589bb18075b091 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+610.56 грн
3+392.50 грн
8+357.78 грн
30+350.44 грн
120+344.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1 IKW50N65EH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF29AD2429DB820&compId=IKW50N65EH5.pdf?ci_sign=543bacaa290afb265262e30a541ac32eec8829b1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 138W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 207ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 IKW50N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2A0C69FC8B820&compId=IKW50N65ES5.pdf?ci_sign=37d8685f6023c7efb5ad42c81aa82f3ae004e6ee Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 161ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4C32ED04EF1CC&compId=IKW50N65F5-DTE.pdf?ci_sign=bba1665e443f317af0d8789097c07047bfdea290 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+532.51 грн
5+251.50 грн
13+229.35 грн
120+225.68 грн
240+220.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B905150E9D8FA8&compId=IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf?ci_sign=7f10bd8bc8b551f0edda00af4f15d07c1c38118b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+484.10 грн
5+272.46 грн
12+247.69 грн
60+238.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2C6F50809D820&compId=IKW50N65WR5.pdf?ci_sign=8c4c9b0d0d9ac5f3cfcced20f163a629fe87121b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+483.11 грн
3+419.18 грн
4+309.16 грн
10+291.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2CB8CEA107820&compId=IKW60N60H3.pdf?ci_sign=0a1ce94180d85bd783cd0fa622d1eaeca2db3871 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+709.35 грн
3+471.57 грн
7+429.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAE85A51BBA3C0C4&compId=IKW75N60H3FKSA1.pdf?ci_sign=26e674065a5fc9a3c806e501745195e426f3ee35 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+783.45 грн
3+516.35 грн
6+469.70 грн
30+452.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783C8468413D2A259&compId=IKW75N60T.pdf?ci_sign=315235c5e21e2cdac3828b7fd0114f31bfa659fe Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+793.33 грн
3+523.97 грн
6+477.04 грн
30+458.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKP10N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD65C1982C915EA&compId=IKP10N60T.pdf?ci_sign=3662fc1223253be4b0852eb3ea1462e0c0c8adde
IKP10N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.52 грн
13+85.74 грн
36+78.90 грн
500+77.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AAA8A5633DFAB1CC&compId=IKP15N60T-DTE.pdf?ci_sign=042facda16ad84d72f77461b1b1d79ca587b8db6
IKP15N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.94 грн
10+130.52 грн
12+97.24 грн
31+91.74 грн
500+90.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N65F5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885C6BF0AC93A8A18&compId=IKP15N65F5.pdf?ci_sign=813dd2687d113f2ce86cd4f9b1d438357d641c10
IKP15N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 52.5W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 38nC
Manufacturer series: H5
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 166ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N65H5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BDA57DFD7A71BF&compId=IKP15N65H5-DTE.pdf?ci_sign=a152a4dcb39347c0c777a80d3988833d2f0dbb62
IKP15N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 105W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 38nC
Manufacturer series: H5
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60H3XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ACF6E42879FE51BF&compId=IKP20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=81822baaae1c458e541be05689ce6b6972ffcdff
IKP20N60H3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 241ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D07DB193BFE74A&compId=IKP20N60T.pdf?ci_sign=7c0e65ea17092b5cb44f595a48490fa898091448
IKP20N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.45 грн
8+149.57 грн
21+135.77 грн
100+131.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N65F5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE433C2FF47820&compId=IKP20N65F5.pdf?ci_sign=ec4db0b62088189ec6e7ddc9bfbe473303a75170
IKP20N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 21A; 63W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 21A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N65H5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BDAAE5E773D1BF&compId=IKP20N65H5-DTE.pdf?ci_sign=9c146109ea4cb9ffb436b016c05098b7ecfc6718
IKP20N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
Manufacturer series: H5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+201.54 грн
3+181.01 грн
8+144.03 грн
21+135.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP30N65F5XKSA1 Infineon-IKP30N65F5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d461464245d30146a51147116d12
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IKP30N65F5XKSA1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP30N65H5XKSA1 Infineon-IKP30N65H5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d461464245d30146a51a2ca36d28
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IKP30N65H5 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP40N65F5XKSA1 IKP40N65F5-DTE.pdf
IKP40N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 255W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 255W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP40N65H5XKSA1 IKP40N65H5-DTE.pdf
IKP40N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 255W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 255W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Gate charge: 95nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ100N60TXKSA1 Infineon-IKQ100N60T-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249cd10140149d2278ce24df2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IKQ100N60TXKSA1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC636C224DA33D7&compId=IKQ120N60T.pdf?ci_sign=b38a8c3161654d1e1da3919298b71c00ef65edd6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; PG-TO247-3-46
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: PG-TO247-3-46
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 703nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 480A
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TAXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC61D783DC6F3D7&compId=IKQ120N60TA.pdf?ci_sign=1c156fe05a0361b5601e9e8ff2b0d1bd8ddd8421
IKQ120N60TAXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 772nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 480A
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CH3XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A2AFF7BE8F13C749&compId=IKQ40N120CH3.pdf?ci_sign=c8ed0c89fcc600022b2a871e0b32fde7f3676f73
IKQ40N120CH3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 136W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 331ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CT2XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A2AFD6AC8EDA0749&compId=IKQ40N120CT2.pdf?ci_sign=8253bd2051f94bd3337d2fb92cd05a3b6edcd14b
IKQ40N120CT2XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 133W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 133W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 379ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ50N120CH3XKSA1 Infineon-IKQ50N120CH3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bd817b0150536
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IKQ50N120CH3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ50N120CT2XKSA1 Infineon-IKQ50N120CT2-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015c0be00a1b0a7a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IKQ50N120CT2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ75N120CH3XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A2B012CAA49F6749&compId=IKQ75N120CH3.pdf?ci_sign=e914df17ff7ca938dbbe26bac7072d720567b44d
IKQ75N120CH3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 256W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 256W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.37µC
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ75N120CS6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B09007A649B8BF&compId=IKQ75N120CS6XKSA1.pdf?ci_sign=da4429176011a05079a0b9331dca0f7487332609
IKQ75N120CS6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 440W; PG-TO247-3-46
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 440W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 530nC
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Case: PG-TO247-3-46
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+842.73 грн
3+541.12 грн
6+492.64 грн
1020+474.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ75N120CT2XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A2AFD9D0DB3C2749&compId=IKQ75N120CT2.pdf?ci_sign=0547d472e8cc63063fbb86787a5014befe4e4eea
IKQ75N120CT2XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 237W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 237W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.37µC
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW08N120CS7XKSA1 Infineon-IKW08N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97dbfdd05a9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IKW08N120CS7XKSA1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW08T120FKSA1 IKW08T120_Rev2_3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42893233e29
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IKW08T120 THT IGBT transistors
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.18 грн
8+151.37 грн
20+143.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0997F3635D8BF&compId=IKW15N120BH6.pdf?ci_sign=7d5116a5ba65f8a2b5cf2e55505c6de35ec86261
IKW15N120BH6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 60A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 100W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 92nC
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+358.63 грн
8+150.52 грн
21+136.69 грн
240+133.94 грн
510+132.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4ADAB9D8E51CC&compId=IKW15N120H3-DTE.pdf?ci_sign=5e67717d8537695a7facaef0bb16de80cf14fc4a
IKW15N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Pulsed collector current: 60A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 75nC
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 225 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+531.52 грн
4+307.71 грн
10+279.80 грн
60+269.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd
IKW15N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+530.53 грн
4+284.85 грн
11+259.62 грн
120+250.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE6F66D4F3B820&compId=IKW20N60H3.pdf?ci_sign=17f202bc94e3ffba54d73940142cc54f9595779a
IKW20N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+348.75 грн
3+302.95 грн
5+222.92 грн
14+211.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D06C564238274A&compId=IKW20N60T.pdf?ci_sign=446b88dff3d758d9a2f7512499a17ea6b9e28d8b
IKW20N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+388.27 грн
6+202.92 грн
16+184.39 грн
60+183.48 грн
120+177.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120CS7XKSA1 Infineon-IKW25N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97da3d005a3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 125W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 37A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 38ns
Turn-off time: 490ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4AFA32A35D1CC&compId=IKW25N120H3-DTE.pdf?ci_sign=a514e131da34fbe6b92466a983691a3367199936
IKW25N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 164 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+629.33 грн
3+400.12 грн
8+364.20 грн
10+363.28 грн
60+351.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120T2FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B445A567FCC469&compId=IKW25N120T2.pdf?ci_sign=f5d440dc422e32eecd5cb390c0ed98526ec247c5
IKW25N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 168 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+665.88 грн
3+386.78 грн
8+352.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25T120FKSA1 IKW25T120.pdf
IKW25T120FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 190W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 155nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 75A
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+478.17 грн
3+422.03 грн
4+318.33 грн
10+300.90 грн
120+296.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0D0E718220745&compId=IKW30N60H3.pdf?ci_sign=a1c79d86c62d9b0a8b38302b25c49b78756d1a41
IKW30N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+317.13 грн
6+188.63 грн
17+171.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE83D6F52D7820&compId=IKW30N60T.pdf?ci_sign=f9d49fbbf5bca8e2a26c4d0279100b423dab6e45
IKW30N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 167nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39A
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65EL5XKSA1 Infineon-IKW30N65EL5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11cd5d3c3acb
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IKW30N65EL5 THT IGBT transistors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+541.40 грн
3+365.12 грн
9+344.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ES5XKSA1 Infineon-IKW30N65ES5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef201501413b3525763
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IKW30N65ES5XKSA1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65H5XKSA1 Infineon-IKW30N65H5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0f6a876d6a3b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IKW30N65H5 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65WR5XKSA1 IKW30N65WR5_DS.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IKW30N65WR5 THT IGBT transistors
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+369.50 грн
5+244.02 грн
13+231.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0A66D3DFBB8BF&compId=IKW40N120CS6.pdf?ci_sign=31fae688f4eaa08099e8297f1be2823d2dbebf7b
IKW40N120CS6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+491.01 грн
4+314.38 грн
10+286.22 грн
510+282.56 грн
1020+275.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS7XKSA1 Infineon-IKW40N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97d952805a0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 56A; 179W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 179W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 56A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4B1227AD871CC&compId=IKW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=f8b339f1e873d397d5d01461d09440706297c41f
IKW40N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD0E2F7E6320259&compId=IKW40N120T2.pdf?ci_sign=6bbbb8c74de3acef3716a77652baf5b260d1e5ac
IKW40N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+709.35 грн
3+523.97 грн
6+477.04 грн
120+458.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF287E64D629820&compId=IKW40N60H3.pdf?ci_sign=7eaa1a7e97c5e16ffdf06cda79c87b11811d0c7c
IKW40N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 218ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65ES5XKSA1 IKW40N65ES5.pdf
IKW40N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65F5FKSA1 IKW40N65F5-DTE.pdf
IKW40N65F5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+355.66 грн
5+244.84 грн
13+222.92 грн
60+222.01 грн
120+214.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65H5FKSA1 IKW40N65H5-DTE.pdf
IKW40N65H5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+360.60 грн
6+216.26 грн
15+197.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65WR5XKSA1 IKW40N65WR5.pdf
IKW40N65WR5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 448ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+279.59 грн
3+242.93 грн
6+178.89 грн
17+169.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40T120FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8B8FDEA7B2C616143&compId=IKW40T120FKSA1.pdf?ci_sign=710142ea5a638ff69a833db040662bf28761863b
IKW40T120FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 203nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 92ns
Turn-off time: 700ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+497.93 грн
3+399.17 грн
8+364.20 грн
30+358.70 грн
120+349.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC5CCBF5761D3D7&compId=IKW50N60DTP.pdf?ci_sign=94fc3287d74be6840256ba5010a252d8c5963f49
IKW50N60DTPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Technology: TRENCHSTOP™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.96 грн
7+164.81 грн
19+150.45 грн
2010+144.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0CEE5938C0745&compId=IKW50N60H3.pdf?ci_sign=d334792eef4676a4984a2ca8adefbaef89e3863e
IKW50N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+456.44 грн
4+341.06 грн
9+310.08 грн
120+305.49 грн
480+298.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B597008ABEE131BF&compId=IKW50N60T-dte.pdf?ci_sign=4bece27f1d2991d109d3770530589bb18075b091
IKW50N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+610.56 грн
3+392.50 грн
8+357.78 грн
30+350.44 грн
120+344.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF29AD2429DB820&compId=IKW50N65EH5.pdf?ci_sign=543bacaa290afb265262e30a541ac32eec8829b1
IKW50N65EH5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 138W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 207ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2A0C69FC8B820&compId=IKW50N65ES5.pdf?ci_sign=37d8685f6023c7efb5ad42c81aa82f3ae004e6ee
IKW50N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 161ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4C32ED04EF1CC&compId=IKW50N65F5-DTE.pdf?ci_sign=bba1665e443f317af0d8789097c07047bfdea290
IKW50N65F5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+532.51 грн
5+251.50 грн
13+229.35 грн
120+225.68 грн
240+220.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B905150E9D8FA8&compId=IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf?ci_sign=7f10bd8bc8b551f0edda00af4f15d07c1c38118b
IKW50N65H5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+484.10 грн
5+272.46 грн
12+247.69 грн
60+238.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2C6F50809D820&compId=IKW50N65WR5.pdf?ci_sign=8c4c9b0d0d9ac5f3cfcced20f163a629fe87121b
IKW50N65WR5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+483.11 грн
3+419.18 грн
4+309.16 грн
10+291.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW60N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2CB8CEA107820&compId=IKW60N60H3.pdf?ci_sign=0a1ce94180d85bd783cd0fa622d1eaeca2db3871
IKW60N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+709.35 грн
3+471.57 грн
7+429.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAE85A51BBA3C0C4&compId=IKW75N60H3FKSA1.pdf?ci_sign=26e674065a5fc9a3c806e501745195e426f3ee35
IKW75N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+783.45 грн
3+516.35 грн
6+469.70 грн
30+452.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783C8468413D2A259&compId=IKW75N60T.pdf?ci_sign=315235c5e21e2cdac3828b7fd0114f31bfa659fe
IKW75N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+793.33 грн
3+523.97 грн
6+477.04 грн
30+458.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1266 1267 1268 1269 1270 1271 1272 1273 1274 1275 1276 1494 1743 1992 2241 2490 2496  [ Наступна Сторінка >> ]