Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148449) > Сторінка 1271 з 2475
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPD60R600C6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPD60R600P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPD60R600P7SAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 2368 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IPD60R600PFD7SAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPD60R650CEAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 2195 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IPD640N06LGBTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 72A; 47W Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TO252-3 Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A On-state resistance: 64mΩ Power dissipation: 47W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 72A Mounting: SMD кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IPD65R190C7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.2A; 28W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.2A Power dissipation: 28W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IPD65R1K4CFDBTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPD65R225C7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPD65R250C6XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPD65R250E6XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IPD65R380C6BTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10.6A Power dissipation: 83W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IPD65R380E6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10.6A Power dissipation: 83W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IPD65R380E6BTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10.6A Power dissipation: 83W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IPD65R400CEAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPD65R420CFDATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPD65R420CFDBTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPD65R600C6BTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPD65R600E6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPD65R600E6BTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPD65R660CFDATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPD65R660CFDBTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPD65R950CFDATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPD65R950CFDBTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPD70N10S312ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPD70N10S3L12ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 48A; Idm: 280A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 48A Power dissipation: 125W Case: PG-TO252-3-11 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS® -T Pulsed drain current: 280A кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPD70R1K4CEAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPD70R1K4P7SAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPD70R2K0CEAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IPD70R360P7SAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 7.5A Power dissipation: 59.5W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1698 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IPD70R600P7SAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; 43.1W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 5A Power dissipation: 43.1W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IPD70R900P7SAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 30.5W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 3.5A Power dissipation: 30.5W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IPD78CN10NGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPD80P03P4L07ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolar; -30V; -65A; 88W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -65A Power dissipation: 88W Case: PG-TO252-3-11 Gate-source voltage: -5...16V On-state resistance: 6.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS® -P2 Pulsed drain current: -320A кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPD80R1K0CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPD80R1K2P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPD80R1K4CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPD80R1K4P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IPD80R280P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPD80R2K0P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 1487 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IPD80R2K4P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPD80R360P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPD80R3K3P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPD80R450P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPD80R4K5P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPD80R750P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPD80R900P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPD90N03S4L02ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPD90N04S304ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPD90N04S404ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 2395 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IPD90N04S405ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 61A; Idm: 344A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar On-state resistance: 5.2mΩ Kind of package: reel Drain current: 61A Gate charge: 18nC Drain-source voltage: 40V Technology: OptiMOS™ T2 Kind of channel: enhancement Case: PG-TO252-3-313 Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 344A Power dissipation: 65W Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IPD90N06S407ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; Idm: 360A; 79W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 63A Pulsed drain current: 360A Power dissipation: 79W Case: PG-TO252-3-11 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 56nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPD90P03P4L04ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IPD90R1K2C3ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.2A; 83W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 3.2A Power dissipation: 83W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IPD90R1K2C3BTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.2A; 83W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 3.2A Power dissipation: 83W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IPD95R1K2P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPD95R2K0P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IPD95R450P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; DPAK; ESD Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Drain current: 8.6A On-state resistance: 0.45Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 104W Polarisation: unipolar Version: ESD Gate charge: 35nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 950V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1540 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IPD95R750P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 5.5A Power dissipation: 73W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IPDD60R050G7XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 47A; Idm: 135A Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ G7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Pulsed drain current: 135A Power dissipation: 278W Case: PG-HDSOP-10-1 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 68nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IPD60R600C6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD60R600C6ATMA1 SMD N channel transistors
IPD60R600C6ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD60R600P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD60R600P7ATMA1 SMD N channel transistors
IPD60R600P7ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD60R600P7SAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD60R600P7SAUMA1 SMD N channel transistors
IPD60R600P7SAUMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 2368 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 104.38 грн |
37+ | 29.24 грн |
102+ | 27.59 грн |
IPD60R600PFD7SAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD60R600PFD7S SMD N channel transistors
IPD60R600PFD7S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD60R650CEAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD60R650CEAUMA1 SMD N channel transistors
IPD60R650CEAUMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 77.25 грн |
22+ | 51.50 грн |
58+ | 48.74 грн |
IPD640N06LGBTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 72A; 47W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO252-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 64mΩ
Power dissipation: 47W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 72A; 47W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO252-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 64mΩ
Power dissipation: 47W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD65R190C7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.2A; 28W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 28W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.2A; 28W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 28W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD65R1K4CFDBTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD65R1K4CFDBTMA1 SMD N channel transistors
IPD65R1K4CFDBTMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD65R225C7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD65R225C7ATMA1 SMD N channel transistors
IPD65R225C7ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD65R250C6XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD65R250C6XTMA1 SMD N channel transistors
IPD65R250C6XTMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD65R250E6XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD65R250E6XTMA1 SMD N channel transistors
IPD65R250E6XTMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD65R380C6BTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD65R380E6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD65R380E6BTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD65R400CEAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD65R400CEAUMA1 SMD N channel transistors
IPD65R400CEAUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD65R420CFDATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD65R420CFDATMA1 SMD N channel transistors
IPD65R420CFDATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD65R420CFDBTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD65R420CFDBTMA1 SMD N channel transistors
IPD65R420CFDBTMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD65R600C6BTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD65R600C6BTMA1 SMD N channel transistors
IPD65R600C6BTMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD65R600E6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD65R600E6ATMA1 SMD N channel transistors
IPD65R600E6ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD65R600E6BTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD65R600E6BTMA1 SMD N channel transistors
IPD65R600E6BTMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD65R660CFDATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD65R660CFDATMA1 SMD N channel transistors
IPD65R660CFDATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD65R660CFDBTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD65R660CFDBTMA1 SMD N channel transistors
IPD65R660CFDBTMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD65R950CFDATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD65R950CFDATMA1 SMD N channel transistors
IPD65R950CFDATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD65R950CFDBTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD65R950CFDBTMA1 SMD N channel transistors
IPD65R950CFDBTMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD70N10S312ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD70N10S312ATMA1 SMD N channel transistors
IPD70N10S312ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD70N10S3L12ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 48A; Idm: 280A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 48A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T
Pulsed drain current: 280A
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 48A; Idm: 280A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 48A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T
Pulsed drain current: 280A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD70R1K4CEAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD70R1K4CE SMD N channel transistors
IPD70R1K4CE SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD70R1K4P7S SMD N channel transistors
IPD70R1K4P7S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD70R2K0CEAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD70R2K0CE SMD N channel transistors
IPD70R2K0CE SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD70R360P7SAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 59.02 грн |
25+ | 49.84 грн |
26+ | 43.04 грн |
70+ | 40.65 грн |
IPD70R600P7SAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; 43.1W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43.1W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; 43.1W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43.1W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD70R900P7SAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 30.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 30.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 30.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 30.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD78CN10NGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD78CN10NGATMA1 SMD N channel transistors
IPD78CN10NGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD80P03P4L07ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolar; -30V; -65A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -65A
Power dissipation: 88W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: -5...16V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -P2
Pulsed drain current: -320A
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolar; -30V; -65A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -65A
Power dissipation: 88W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: -5...16V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -P2
Pulsed drain current: -320A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD80R1K0CEATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R1K0CEATMA1 SMD N channel transistors
IPD80R1K0CEATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD80R1K2P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R1K2P7 SMD N channel transistors
IPD80R1K2P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD80R1K4CEATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R1K4CEATMA1 SMD N channel transistors
IPD80R1K4CEATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD80R1K4P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R1K4P7 SMD N channel transistors
IPD80R1K4P7 SMD N channel transistors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 77.25 грн |
27+ | 40.46 грн |
74+ | 38.62 грн |
IPD80R280P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R280P7 SMD N channel transistors
IPD80R280P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD80R2K0P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R2K0P7 SMD N channel transistors
IPD80R2K0P7 SMD N channel transistors
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 75.36 грн |
25+ | 44.42 грн |
67+ | 42.03 грн |
500+ | 42.02 грн |
IPD80R2K4P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R2K4P7 SMD N channel transistors
IPD80R2K4P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD80R360P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R360P7 SMD N channel transistors
IPD80R360P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD80R3K3P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R3K3P7 SMD N channel transistors
IPD80R3K3P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD80R450P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R450P7 SMD N channel transistors
IPD80R450P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD80R4K5P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R4K5P7 SMD N channel transistors
IPD80R4K5P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD80R750P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R750P7 SMD N channel transistors
IPD80R750P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD80R900P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R900P7 SMD N channel transistors
IPD80R900P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD90N03S4L02ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD90N03S4L02 SMD N channel transistors
IPD90N03S4L02 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD90N04S304ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD90N04S304 SMD N channel transistors
IPD90N04S304 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD90N04S404ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD90N04S404 SMD N channel transistors
IPD90N04S404 SMD N channel transistors
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 111.91 грн |
16+ | 68.05 грн |
44+ | 64.37 грн |
IPD90N04S405ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 61A; Idm: 344A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.2mΩ
Kind of package: reel
Drain current: 61A
Gate charge: 18nC
Drain-source voltage: 40V
Technology: OptiMOS™ T2
Kind of channel: enhancement
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 344A
Power dissipation: 65W
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 61A; Idm: 344A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.2mΩ
Kind of package: reel
Drain current: 61A
Gate charge: 18nC
Drain-source voltage: 40V
Technology: OptiMOS™ T2
Kind of channel: enhancement
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 344A
Power dissipation: 65W
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD90N06S407ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; Idm: 360A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; Idm: 360A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD90P03P4L04ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD90P03P4L04ATMA1 SMD P channel transistors
IPD90P03P4L04ATMA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD90R1K2C3ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.2A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.2A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD90R1K2C3BTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.2A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.2A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD95R1K2P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD95R1K2P7 SMD N channel transistors
IPD95R1K2P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD95R2K0P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD95R2K0P7 SMD N channel transistors
IPD95R2K0P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPD95R450P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; DPAK; ESD
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain current: 8.6A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 35nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 950V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; DPAK; ESD
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain current: 8.6A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 35nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 950V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 212.92 грн |
5+ | 183.35 грн |
8+ | 143.46 грн |
22+ | 135.18 грн |
500+ | 131.50 грн |
IPD95R750P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 73W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 73W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPDD60R050G7XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 47A; Idm: 135A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 135A
Power dissipation: 278W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 47A; Idm: 135A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 135A
Power dissipation: 278W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.