Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149455) > Сторінка 1271 з 2491

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1266 1267 1268 1269 1270 1271 1272 1273 1274 1275 1276 1494 1743 1992 2241 2490 2491  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAA59F3947C11C&compId=IPB025N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=8fa71a09cbfa56d2c67c569dea1eabef298c8f67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+221.49 грн
10+201.32 грн
100+185.01 грн
250+166.31 грн
500+157.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB025N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 2.5mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 300W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+454.64 грн
3+391.39 грн
10+310.97 грн
100+281.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB030N08N3GATMA1 IPB030N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB030N08N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 3mΩ
Drain current: 160A
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 992 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+318.99 грн
10+212.56 грн
100+147.61 грн
250+133.83 грн
500+123.99 грн
1000+118.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1 IPB107N20NAATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBCC450370611C&compId=IPB107N20NA-DTE.pdf?ci_sign=95e67b89e8669e5b30bbb7d2de564a5b3a2d6af1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 795 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+541.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPB117N20NFD_2_0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043440adf7501440c8377500152 IPB117N20NFDATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 932 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+582.87 грн
4+351.31 грн
10+332.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA36D388DCE6143&compId=IPB60R180C7.pdf?ci_sign=6efc51a6c3abf5b6fbce0ca5738317783afa99b6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 24nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 936 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+198.18 грн
10+133.87 грн
50+125.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1 IPB60R360P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE8968175445EF773D6&compId=IPB60R360P7.pdf?ci_sign=40ccf4ce5ead59d45d23717572646c4e08f7e2b7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 986 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+100.68 грн
1000+70.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L07ATMA3 IPB80N06S2L07ATMA3 INFINEON TECHNOLOGIES IPB80N06S2L07.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 210W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 210W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 671 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+221.49 грн
10+131.83 грн
25+124.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1 IPD025N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD025N06N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+208.77 грн
5+165.55 грн
50+139.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IP%28D%2CS%29031N03L_%20G.pdf IPD031N03LGATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+82.66 грн
24+50.09 грн
65+47.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD031N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a9f6a9d4d02 IPD031N06L3GATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 651 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+164.26 грн
9+132.85 грн
25+124.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BABC34B7B3E11C&compId=IPD034N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=3395175fdad7c29d5693c15a03df835870be8966 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 794 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+188.64 грн
5+144.09 грн
10+121.04 грн
50+90.53 грн
100+88.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD040N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2623 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+102.80 грн
10+62.54 грн
100+41.04 грн
500+33.06 грн
1000+30.60 грн
2500+29.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD050N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+104.92 грн
10+51.30 грн
100+38.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F322FAA4E5C11C&compId=IPD060N03LG-DTE.pdf?ci_sign=7dd05ce845a4f67fba2b0dcdc3fd5e00f47869b8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+40.27 грн
10+38.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipd075n03lg-datasheet-en.pdf IPD075N03LGATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.00 грн
47+25.09 грн
129+23.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD082N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+104.92 грн
10+78.69 грн
100+64.95 грн
250+61.01 грн
500+58.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD090N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Drain current: 30A
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.65 грн
10+36.41 грн
50+31.79 грн
100+31.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD122N10N3_G-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30432239cccd0122604a0b2e7f65 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+101.74 грн
5+82.37 грн
10+73.21 грн
20+67.70 грн
50+61.41 грн
100+57.47 грн
200+54.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD12CN10NG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 67A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+141.02 грн
10+108.25 грн
20+96.44 грн
50+82.66 грн
100+81.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD135N03LG_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304327b897500127b8b9540f0003 IPD135N03LGATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 782 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.22 грн
38+31.10 грн
104+29.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD350N06LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+103.86 грн
10+63.26 грн
100+40.05 грн
500+31.39 грн
1000+30.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPD50N06S4L12.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+105.98 грн
5+69.29 грн
25+59.73 грн
100+54.52 грн
500+51.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50P04P4L-11-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129db9d1df05c58 IPD50P04P4L11ATMA2 SMD P channel transistors
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+120.81 грн
10+99.13 грн
32+97.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA470B7CA4DE143&compId=IPD60R280P7.pdf?ci_sign=2eed03d5001be500c4f619418a3d594df8c87396 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1887 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+165.32 грн
10+101.17 грн
50+91.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1 IPD60R600P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d50d9fe4c403c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 30W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9nC
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 4A
Power dissipation: 30W
Pulsed drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Case: PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.94 грн
10+50.89 грн
25+42.32 грн
50+37.79 грн
100+33.56 грн
500+28.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 19A; 82W
Technology: CoolMOS™ CE
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20.5nC
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 19A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 82W
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO252-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+65.71 грн
6+57.23 грн
25+48.81 грн
100+48.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R1K4P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.5A; 22.7W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 22.7W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+44.51 грн
10+33.83 грн
50+27.06 грн
100+25.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R360P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+73.12 грн
6+58.45 грн
25+49.40 грн
100+44.18 грн
500+41.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX80R1K0CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402ebac5992590 IPD80R1K0CEATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.63 грн
40+29.52 грн
109+27.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD80R1K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d9fa098058e5 IPD80R1K4P7 SMD N channel transistors
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+82.66 грн
27+43.30 грн
75+40.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K0P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD80R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b423eae833e5a IPD80R2K0P7 SMD N channel transistors
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+91.14 грн
25+48.22 грн
67+45.66 грн
500+45.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R900P7ATMA1 IPD80R900P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA531EA7A68A143&compId=IPD80R900P7.pdf?ci_sign=af71fb00aaf71f68f1b9472ad9adb4d9ef96b672 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; PG-TO252-3; ESD
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.9Ω
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Case: PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+131.41 грн
10+83.08 грн
25+69.87 грн
100+56.68 грн
500+49.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD90N04S404.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 81A; Idm: 360A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 71W
Drain current: 81A
Pulsed drain current: 360A
Technology: OptiMOS™ T2
Gate charge: 20nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+104.92 грн
5+84.82 грн
10+71.84 грн
25+66.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b1b778a55d4 IPD95R450P7 SMD N channel transistors
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+232.09 грн
8+151.55 грн
22+142.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R125G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPDD60R125G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a0161706cba27778f IPDD60R125G7XTMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+292.50 грн
5+290.30 грн
12+274.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI040N06N3GXKSA1 IPI040N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A6995DAD3FBCA11C&compId=IPI040N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=5d0fdb2ae18e41775c6c36dcfad7d25cc4ee6d30 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+85.84 грн
10+73.81 грн
50+66.92 грн
250+62.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPI076N12N3GAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_I076N12N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a77a83ab7cd4 IPI076N12N3GAKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+360.32 грн
10+122.02 грн
27+115.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPI086N10N3GXKSA1 IPI086N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI086N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+170.62 грн
10+88.91 грн
50+74.79 грн
100+69.87 грн
250+62.98 грн
500+60.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI180N10N3GXKSA1 IPI180N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI180N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 476 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+110.22 грн
5+91.97 грн
25+70.85 грн
250+62.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R190C6XKSA1 IPI60R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594260EF079B1BF&compId=IPI60R190C6-DTE.pdf?ci_sign=9f13d353281a0e64deef708e1dc2f0664d7e1f5f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+322.17 грн
3+266.72 грн
10+206.65 грн
100+190.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S407AKSA2 IPI80N06S407AKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPI80N06S407AKSA2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 58A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 398 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+165.32 грн
3+144.09 грн
10+123.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R800C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPI90R800C3-DS-v01_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e0123a887f69e5be4 IPI90R800C3XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+82.66 грн
19+63.96 грн
51+60.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K5C6SATMA1 IPL65R1K5C6SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R1K5C6S-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.5Ω
Drain current: 3A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 26.6W
Drain-source voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+102.19 грн
10+78.73 грн
100+70.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN50R800CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae426895b03 IPN50R800CE SMD N channel transistors
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+71.22 грн
27+43.30 грн
75+40.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN50R950CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae41e225b00 IPN50R950CE SMD N channel transistors
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+37.83 грн
50+23.52 грн
137+22.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipn80r1k4p7-ds-en.pdf IPN80R1K4P7 SMD N channel transistors
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+97.71 грн
34+35.13 грн
92+33.26 грн
3000+33.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipn80r4k5p7-ds-en.pdf IPN80R4K5P7 SMD N channel transistors
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.63 грн
30+40.15 грн
80+37.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP014N06NF2SAKMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP014N06NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60965a3c7a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
50+191.82 грн
200+166.57 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IPP015N04NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP015N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640183175b60d92ae3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 895 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
50+93.26 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IPP015N04NGXKSA1 IPP015N04NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP015N04NG-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+437.68 грн
5+394.46 грн
10+350.33 грн
25+286.36 грн
50+244.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP016N06NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP016N06NF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60a1443c7d IPP016N06NF2SAKMA1 THT N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+137.77 грн
14+83.65 грн
39+78.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N08NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP019N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f7027bd71695 IPP019N08NF2SAKMA1 THT N channel transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+223.61 грн
9+136.79 грн
24+128.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N03LF2SAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP020N03LF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101902fe2ba53256d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
100+73.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5AKSA1 IPP020N08N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAF8298E0D611C&compId=IPP020N08N5-DTE.pdf?ci_sign=9dc82295fd02601e52b8b2d21a394a10450c2c86 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 375W
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+477.96 грн
3+414.90 грн
10+350.33 грн
50+307.03 грн
250+300.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N10N5AKSA1 IPP023N10N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP023N10N5-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 489 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+368.80 грн
10+318.84 грн
50+271.60 грн
100+244.05 грн
250+231.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023NE7N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP023NE7N3+G-DS-v02_11-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014ff58007437938 IPP023NE7N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+258.58 грн
8+157.45 грн
21+148.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N06N3GXKSA1 IPP024N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC4C2806A011C&compId=IPP024N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=50db48bc36890d6860fe3ae63f8a687849e4e47e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+462.06 грн
3+383.22 грн
10+296.20 грн
50+256.84 грн
250+251.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N10NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipp026n10nf2s-datasheet-en.pdf IPP026N10NF2SAKMA1 THT N channel transistors
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+285.08 грн
7+173.20 грн
19+163.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N06NXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP029N06N-DS-v02_06-EN.pdf?fileId=db3a3043345a30bc013465bff03f62ec IPP029N06NXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+147.31 грн
14+89.55 грн
37+84.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAA59F3947C11C&compId=IPB025N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=8fa71a09cbfa56d2c67c569dea1eabef298c8f67
IPB025N08N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.49 грн
10+201.32 грн
100+185.01 грн
250+166.31 грн
500+157.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3G-DTE.pdf
IPB025N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 2.5mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 300W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+454.64 грн
3+391.39 грн
10+310.97 грн
100+281.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB030N08N3GATMA1 IPB030N08N3G-DTE.pdf
IPB030N08N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 3mΩ
Drain current: 160A
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 992 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+318.99 грн
10+212.56 грн
100+147.61 грн
250+133.83 грн
500+123.99 грн
1000+118.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBCC450370611C&compId=IPB107N20NA-DTE.pdf?ci_sign=95e67b89e8669e5b30bbb7d2de564a5b3a2d6af1
IPB107N20NAATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 795 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+541.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1 DS_IPB117N20NFD_2_0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043440adf7501440c8377500152
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB117N20NFDATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 932 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+582.87 грн
4+351.31 грн
10+332.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA36D388DCE6143&compId=IPB60R180C7.pdf?ci_sign=6efc51a6c3abf5b6fbce0ca5738317783afa99b6
IPB60R180C7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 24nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 936 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.18 грн
10+133.87 грн
50+125.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE8968175445EF773D6&compId=IPB60R360P7.pdf?ci_sign=40ccf4ce5ead59d45d23717572646c4e08f7e2b7
IPB60R360P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 986 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.68 грн
1000+70.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L07ATMA3 IPB80N06S2L07.pdf
IPB80N06S2L07ATMA3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 210W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 210W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 671 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.49 грн
10+131.83 грн
25+124.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1 IPD025N06N-DTE.pdf
IPD025N06NATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.77 грн
5+165.55 грн
50+139.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1 IP%28D%2CS%29031N03L_%20G.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD031N03LGATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.66 грн
24+50.09 грн
65+47.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a9f6a9d4d02
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD031N06L3GATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 651 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.26 грн
9+132.85 грн
25+124.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BABC34B7B3E11C&compId=IPD034N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=3395175fdad7c29d5693c15a03df835870be8966
IPD034N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 794 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.64 грн
5+144.09 грн
10+121.04 грн
50+90.53 грн
100+88.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LG-DTE.pdf
IPD040N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2623 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.80 грн
10+62.54 грн
100+41.04 грн
500+33.06 грн
1000+30.60 грн
2500+29.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LG-DTE.pdf
IPD050N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.92 грн
10+51.30 грн
100+38.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F322FAA4E5C11C&compId=IPD060N03LG-DTE.pdf?ci_sign=7dd05ce845a4f67fba2b0dcdc3fd5e00f47869b8
IPD060N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.27 грн
10+38.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1 infineon-ipd075n03lg-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD075N03LGATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.00 грн
47+25.09 грн
129+23.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3G-DTE.pdf
IPD082N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.92 грн
10+78.69 грн
100+64.95 грн
250+61.01 грн
500+58.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LG-DTE.pdf
IPD090N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Drain current: 30A
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.65 грн
10+36.41 грн
50+31.79 грн
100+31.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 Infineon-IPD122N10N3_G-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30432239cccd0122604a0b2e7f65
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.74 грн
5+82.37 грн
10+73.21 грн
20+67.70 грн
50+61.41 грн
100+57.47 грн
200+54.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NG-DTE.pdf
IPD12CN10NGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 67A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.02 грн
10+108.25 грн
20+96.44 грн
50+82.66 грн
100+81.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LG_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304327b897500127b8b9540f0003
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD135N03LGATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 782 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.22 грн
38+31.10 грн
104+29.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LG-DTE.pdf
IPD350N06LGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.86 грн
10+63.26 грн
100+40.05 грн
500+31.39 грн
1000+30.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12.pdf
IPD50N06S4L12ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.98 грн
5+69.29 грн
25+59.73 грн
100+54.52 грн
500+51.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2 Infineon-IPD50P04P4L-11-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129db9d1df05c58
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD50P04P4L11ATMA2 SMD P channel transistors
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.81 грн
10+99.13 грн
32+97.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA470B7CA4DE143&compId=IPD60R280P7.pdf?ci_sign=2eed03d5001be500c4f619418a3d594df8c87396
IPD60R280P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1887 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.32 грн
10+101.17 грн
50+91.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1 Infineon-IPD60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d50d9fe4c403c
IPD60R600P7SAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 30W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9nC
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 4A
Power dissipation: 30W
Pulsed drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Case: PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.94 грн
10+50.89 грн
25+42.32 грн
50+37.79 грн
100+33.56 грн
500+28.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55
IPD60R650CEAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 19A; 82W
Technology: CoolMOS™ CE
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20.5nC
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 19A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 82W
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO252-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.71 грн
6+57.23 грн
25+48.81 грн
100+48.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7S.pdf
IPD70R1K4P7SAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.5A; 22.7W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 22.7W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.51 грн
10+33.83 грн
50+27.06 грн
100+25.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7S.pdf
IPD70R360P7SAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.12 грн
6+58.45 грн
25+49.40 грн
100+44.18 грн
500+41.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEATMA1 Infineon-IPX80R1K0CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402ebac5992590
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R1K0CEATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.63 грн
40+29.52 грн
109+27.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7ATMA1 Infineon-IPD80R1K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d9fa098058e5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R1K4P7 SMD N channel transistors
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.66 грн
27+43.30 грн
75+40.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K0P7ATMA1 Infineon-IPD80R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b423eae833e5a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R2K0P7 SMD N channel transistors
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.14 грн
25+48.22 грн
67+45.66 грн
500+45.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R900P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA531EA7A68A143&compId=IPD80R900P7.pdf?ci_sign=af71fb00aaf71f68f1b9472ad9adb4d9ef96b672
IPD80R900P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; PG-TO252-3; ESD
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.9Ω
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Case: PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.41 грн
10+83.08 грн
25+69.87 грн
100+56.68 грн
500+49.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404.pdf
IPD90N04S404ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 81A; Idm: 360A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 71W
Drain current: 81A
Pulsed drain current: 360A
Technology: OptiMOS™ T2
Gate charge: 20nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.92 грн
5+84.82 грн
10+71.84 грн
25+66.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 Infineon-IPD95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b1b778a55d4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD95R450P7 SMD N channel transistors
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.09 грн
8+151.55 грн
22+142.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R125G7XTMA1 Infineon-IPDD60R125G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a0161706cba27778f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPDD60R125G7XTMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+292.50 грн
5+290.30 грн
12+274.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI040N06N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A6995DAD3FBCA11C&compId=IPI040N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=5d0fdb2ae18e41775c6c36dcfad7d25cc4ee6d30
IPI040N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.84 грн
10+73.81 грн
50+66.92 грн
250+62.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPI076N12N3GAKSA1 IPP_I076N12N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a77a83ab7cd4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI076N12N3GAKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+360.32 грн
10+122.02 грн
27+115.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPI086N10N3GXKSA1 IPI086N10N3G-DTE.pdf
IPI086N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.62 грн
10+88.91 грн
50+74.79 грн
100+69.87 грн
250+62.98 грн
500+60.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI180N10N3GXKSA1 IPI180N10N3G-DTE.pdf
IPI180N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 476 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.22 грн
5+91.97 грн
25+70.85 грн
250+62.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R190C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594260EF079B1BF&compId=IPI60R190C6-DTE.pdf?ci_sign=9f13d353281a0e64deef708e1dc2f0664d7e1f5f
IPI60R190C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+322.17 грн
3+266.72 грн
10+206.65 грн
100+190.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S407AKSA2 IPI80N06S407AKSA2.pdf
IPI80N06S407AKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 58A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 398 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.32 грн
3+144.09 грн
10+123.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R800C3XKSA1 Infineon-IPI90R800C3-DS-v01_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e0123a887f69e5be4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI90R800C3XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.66 грн
19+63.96 грн
51+60.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K5C6SATMA1 IPL65R1K5C6S-DTE.pdf
IPL65R1K5C6SATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.5Ω
Drain current: 3A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 26.6W
Drain-source voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+102.19 грн
10+78.73 грн
100+70.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1 Infineon-IPN50R800CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae426895b03
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN50R800CE SMD N channel transistors
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.22 грн
27+43.30 грн
75+40.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CEATMA1 Infineon-IPN50R950CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae41e225b00
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN50R950CE SMD N channel transistors
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.83 грн
50+23.52 грн
137+22.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 infineon-ipn80r1k4p7-ds-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN80R1K4P7 SMD N channel transistors
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.71 грн
34+35.13 грн
92+33.26 грн
3000+33.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1 infineon-ipn80r4k5p7-ds-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN80R4K5P7 SMD N channel transistors
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.63 грн
30+40.15 грн
80+37.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP014N06NF2SAKMA2 Infineon-IPP014N06NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60965a3c7a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
50+191.82 грн
200+166.57 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IPP015N04NF2SAKMA1 Infineon-IPP015N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640183175b60d92ae3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 895 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
50+93.26 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IPP015N04NGXKSA1 IPP015N04NG-DTE.pdf
IPP015N04NGXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+437.68 грн
5+394.46 грн
10+350.33 грн
25+286.36 грн
50+244.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP016N06NF2SAKMA1 Infineon-IPP016N06NF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60a1443c7d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP016N06NF2SAKMA1 THT N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.77 грн
14+83.65 грн
39+78.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N08NF2SAKMA1 Infineon-IPP019N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f7027bd71695
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP019N08NF2SAKMA1 THT N channel transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.61 грн
9+136.79 грн
24+128.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N03LF2SAKSA1 Infineon-IPP020N03LF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101902fe2ba53256d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
100+73.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5AKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAF8298E0D611C&compId=IPP020N08N5-DTE.pdf?ci_sign=9dc82295fd02601e52b8b2d21a394a10450c2c86
IPP020N08N5AKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 375W
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+477.96 грн
3+414.90 грн
10+350.33 грн
50+307.03 грн
250+300.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N10N5AKSA1 IPP023N10N5-DTE.pdf
IPP023N10N5AKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 489 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+368.80 грн
10+318.84 грн
50+271.60 грн
100+244.05 грн
250+231.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023NE7N3GXKSA1 Infineon-IPP023NE7N3+G-DS-v02_11-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014ff58007437938
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP023NE7N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.58 грн
8+157.45 грн
21+148.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N06N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC4C2806A011C&compId=IPP024N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=50db48bc36890d6860fe3ae63f8a687849e4e47e
IPP024N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+462.06 грн
3+383.22 грн
10+296.20 грн
50+256.84 грн
250+251.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N10NF2SAKMA1 infineon-ipp026n10nf2s-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP026N10NF2SAKMA1 THT N channel transistors
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.08 грн
7+173.20 грн
19+163.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N06NXKSA1 Infineon-IPP029N06N-DS-v02_06-EN.pdf?fileId=db3a3043345a30bc013465bff03f62ec
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP029N06NXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.31 грн
14+89.55 грн
37+84.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1266 1267 1268 1269 1270 1271 1272 1273 1274 1275 1276 1494 1743 1992 2241 2490 2491  [ Наступна Сторінка >> ]