Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149360) > Сторінка 1271 з 2490
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SN7002NH6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.36W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD On-state resistance: 5Ω Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.36W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SN7002NH6433XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.16A; 0.36W; SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Case: SOT23 Drain current: 0.16A Power dissipation: 0.36W On-state resistance: 5Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4937 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SN7002WH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.5W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.23A Power dissipation: 0.5W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2027 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPA06N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 39W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 39W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPA07N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 32W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 83 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPA08N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 40W; PG-TO220-3-FP Technology: CoolMOS™ Case: PG-TO220-3-FP Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.65Ω Drain current: 8A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 40W Drain-source voltage: 800V Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPA11N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 34W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 69 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPA15N60C3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 45A; 34W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9.4A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 34W Case: PG-TO220 FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 62 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPA17N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 42W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 17A Power dissipation: 42W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPA20N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.1A Power dissipation: 34.5W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 43 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPB17N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 17A Power dissipation: 227W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 326 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPB20N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20.7A Power dissipation: 208W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 780 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SPB80P06PGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 447 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
SPD09P06PLGBTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -9.7A; 42W; PG-TO252-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -9.7A Power dissipation: 42W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1747 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPD15P10PLGBTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO252-3 Technology: SIPMOS™ Mounting: SMD Drain-source voltage: -100V Drain current: -15A On-state resistance: 0.2Ω Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 128W Case: PG-TO252-3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2164 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPD18P06PGBTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.6A; 80W; PG-TO252-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -18.6A Power dissipation: 80W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2424 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPD30P06PGBTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 125W; PG-TO252-3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -30A Power dissipation: 125W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: SIPMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1075 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPD50N03S207GBTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 136W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 50A Power dissipation: 136W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.3mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1403 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPD50P03LGBTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; 150W; PG-TO252-5 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -50A Case: PG-TO252-5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Power dissipation: 150W Technology: OptiMOS™ P кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2425 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPP04N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4A Power dissipation: 63W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 367 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPP06N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 83W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 94 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPP08N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 104W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A Power dissipation: 104W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 442 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPP11N60C3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Power dissipation: 125W Case: PG-TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 33A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPP11N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 156W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 73 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPP15P10PLHXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO220-3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -15A Power dissipation: 128W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: SIPMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPP17N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 208W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 350 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPP18P06PHXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.7A; 81.1W; PG-TO220-3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -18.7A Power dissipation: 81.1W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: SIPMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 430 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPP20N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.7A Power dissipation: 208W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 115 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPP20N60S5 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 208W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 463 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPP20N65C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13.1A Power dissipation: 208W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 41 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPP21N50C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 560V Drain current: 13.1A Power dissipation: 208W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 113 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPP80P06PHXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO220-3 Case: PG-TO220-3 Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain current: -80A Drain-source voltage: -60V Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Power dissipation: 340W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 43 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPW17N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 227W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPW20N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.1A Power dissipation: 208W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPW35N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.9A; 313W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 21.9A Power dissipation: 313W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPW47N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 47A Power dissipation: 415W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 222 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
T560N16TOFXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Thyristor: hockey-puck; 1.6kV; Ifmax: 809A; 559A; Igt: 200mA Type of thyristor: hockey-puck Max. off-state voltage: 1.6kV Max. load current: 809A Load current: 559A Gate current: 200mA Case: BG-T4814K0-1 Mounting: Press-Pack Kind of package: in-tray Max. forward impulse current: 8kA Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT) кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TLD1120ELXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; high-side,LED driver; Litix™; PG-SSOP-14-EP; 360mA Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: high-side; LED driver Technology: Litix™ Case: PG-SSOP-14-EP Output current: 0.36A Number of channels: 1 Integrated circuit features: linear dimming; PWM Mounting: SMD Operating voltage: 5.5...40V DC Protection: overheating OTP кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2275 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TLE4207GXUMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; IMC,motor controller; PG-DSO-14 Operating voltage: 8...18V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...150°C Type of integrated circuit: driver Integrated circuit features: fault detection Kind of integrated circuit: IMC; motor controller Topology: MOSFET half-bridge Case: PG-DSO-14 Kind of package: reel; tape Output current: 0.8A Number of channels: 2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2414 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
TLE4266GHTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 3171 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
TLE4268GXUMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.15A; PG-DSO-20; SMD Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear Voltage drop: 0.25V Output voltage: 5V Output current: 0.15A Case: PG-DSO-20 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Operating temperature: -40...150°C Input voltage: 5.5...45V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
TLE42712GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 939 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
TLE42754DATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.45A; PG-TO252-5 Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear Voltage drop: 0.25V Output voltage: 5V Output current: 0.45A Case: PG-TO252-5 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Operating temperature: -40...150°C Input voltage: 5.5...42V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2459 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
TLE42764GVATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 948 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
TLE42764GV50ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.4A; PG-TO263-5; SMD Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear Voltage drop: 0.25V Output voltage: 5V Output current: 0.4A Case: PG-TO263-5 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Operating temperature: -40...150°C Input voltage: 4.5...41V Tolerance: ±2% кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 995 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TLE4675GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.4A; PG-TO263-5; SMD Kind of package: reel; tape Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear Mounting: SMD Type of integrated circuit: voltage regulator Case: PG-TO263-5 Operating temperature: -40...150°C Voltage drop: 0.25V Output current: 0.4A Tolerance: ±2% Output voltage: 5V Input voltage: 5.5...45V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 998 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TLE4906KHTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Sensor: Hall; unipolar; SC59; 5÷13.5mT; Usup: 2.7÷18VDC; SMT Type of sensor: Hall Case: SC59 Range of detectable magnetic field: 5...13.5mT Supply voltage: 2.7...18V DC Operating temperature: -40...150°C Mounting: SMT Kind of sensor: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 891 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TLE4935L | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Sensor: Hall; latch; P-SSO-3-2; -20÷20mT; Usup: 3.8÷24VDC; THT Type of sensor: Hall Case: P-SSO-3-2 Range of detectable magnetic field: -20...20mT Supply voltage: 3.8...24V DC Operating temperature: -40...150°C Mounting: THT Kind of sensor: latch кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 366 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TLE4945L | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Sensor: Hall; bipolar; P-SSO-3-2; -10÷10mT; Usup: 3.8÷24VDC; THT Type of sensor: Hall Case: P-SSO-3-2 Range of detectable magnetic field: -10...10mT Supply voltage: 3.8...24V DC Operating temperature: -40...150°C Mounting: THT Kind of sensor: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
TLE49462KHTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Sensor: Hall; latch; SC59; -3.5÷3.5mT; Usup: 2.7÷18VDC; SMT Type of sensor: Hall Case: SC59 Range of detectable magnetic field: -3.5...3.5mT Supply voltage: 2.7...18V DC Operating temperature: -40...150°C Mounting: SMT Kind of sensor: latch кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2581 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TLE7258SJXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: interface; transceiver; 5.5÷18VDC; LIN; SMD; PG-DSO-8 Type of integrated circuit: interface Kind of integrated circuit: transceiver Mounting: SMD Case: PG-DSO-8 Operating temperature: -40...150°C Kind of package: reel; tape DC supply current: 3mA Number of transmitters: 1 Number of receivers: 1 Supply voltage: 5.5...18V DC Interface: LIN кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2416 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TLE7259-3GE | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: interface; transceiver; LIN; PG-DSO-8; -40÷150°C; 5.5÷27VDC Type of integrated circuit: interface Kind of integrated circuit: transceiver Mounting: SMD Case: PG-DSO-8 Operating temperature: -40...150°C Kind of package: reel; tape DC supply current: 5mA Number of transmitters: 1 Number of receivers: 1 Supply voltage: 5.5...27V DC Interface: LIN кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2391 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TLF50251EL | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.75÷45VDC; Uout: 5VDC; 500mA; SSOP14 Type of integrated circuit: PMIC Kind of integrated circuit: DC/DC converter Input voltage: 4.75...45V DC Output voltage: 5V DC Output current: 0.5A Case: SSOP14 Mounting: SMD Frequency: 2.2MHz Topology: buck Number of channels: 1 Operating temperature: -40...150°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TLF80511TFV50ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.4A; DPAK; SMD Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear Voltage drop: 0.25V Output voltage: 5V Output current: 0.4A Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Operating temperature: -40...150°C Input voltage: 3.3...40V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 191 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
TLS820F0ELV33XUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
TLV4906KFTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Sensor: Hall; SC59; 4.7÷13.9mT; Usup: 2.7÷18VDC; Temp: -40÷85°C Type of sensor: Hall Case: SC59 Range of detectable magnetic field: 4.7...13.9mT Supply voltage: 2.7...18V DC Operating temperature: -40...85°C Output configuration: analogue voltage Operation mode: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1603 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TT210N12KOF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: thyristor; double series; 1.2kV; 210A; BG-PB50-1; screw Semiconductor structure: double series Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: thyristor Gate current: 150mA Max. forward voltage: 1.65V Load current: 210A Max. off-state voltage: 1.2kV Max. forward impulse current: 6.6kA Case: BG-PB50-1 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TT250N18KOFHPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: thyristor; double series; 1.8kV; 250A; BG-PB50-1; Ifsm: 7kA Semiconductor structure: double series Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: thyristor Gate current: 200mA Max. forward voltage: 1.5V Load current: 250A Max. off-state voltage: 1.8kV Max. forward impulse current: 7kA Case: BG-PB50-1 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TT251N16KOFHPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 251A; BG-PB50-1; screw Semiconductor structure: double series Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: thyristor Gate current: 300mA Max. forward voltage: 1.4V Load current: 251A Max. off-state voltage: 1.6kV Max. forward impulse current: 9.1kA Case: BG-PB50-1 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
TT320N18SOF | INFINEON TECHNOLOGIES | TT320N18SOF Thyristor modules |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
SN7002NH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 5Ω
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.36W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 5Ω
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.36W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 20.46 грн |
23+ | 13.22 грн |
50+ | 8.78 грн |
100+ | 7.46 грн |
361+ | 3.11 грн |
991+ | 2.94 грн |
15000+ | 2.83 грн |
SN7002NH6433XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.16A; 0.36W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT23
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.16A; 0.36W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT23
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4937 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
18+ | 17.39 грн |
25+ | 12.14 грн |
50+ | 6.90 грн |
100+ | 5.41 грн |
250+ | 4.08 грн |
297+ | 3.78 грн |
500+ | 3.45 грн |
SN7002WH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2027 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
19+ | 16.37 грн |
28+ | 10.85 грн |
50+ | 7.32 грн |
100+ | 6.26 грн |
247+ | 4.53 грн |
500+ | 4.52 грн |
678+ | 4.28 грн |
SPA06N80C3 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 39W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 39W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 39W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 39W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 209.74 грн |
10+ | 147.99 грн |
11+ | 111.16 грн |
28+ | 105.46 грн |
250+ | 100.71 грн |
SPA07N60C3 | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 254.76 грн |
10+ | 124.31 грн |
26+ | 114.01 грн |
100+ | 109.26 грн |
SPA08N80C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 40W; PG-TO220-3-FP
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO220-3-FP
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 40W
Drain-source voltage: 800V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 40W; PG-TO220-3-FP
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO220-3-FP
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 40W
Drain-source voltage: 800V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 178.57 грн |
10+ | 122.56 грн |
25+ | 115.91 грн |
50+ | 114.96 грн |
100+ | 112.11 грн |
SPA11N80C3 | ![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 235.32 грн |
8+ | 147.99 грн |
22+ | 134.91 грн |
250+ | 129.21 грн |
SPA15N60C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 45A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 45A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 209.74 грн |
16+ | 196.33 грн |
25+ | 184.31 грн |
SPA17N80C3 | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 42W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 42W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 337.64 грн |
6+ | 227.90 грн |
15+ | 207.11 грн |
100+ | 206.16 грн |
250+ | 199.51 грн |
SPA20N60C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 408.23 грн |
5+ | 265.40 грн |
13+ | 242.26 грн |
25+ | 233.71 грн |
50+ | 231.81 грн |
SPB17N80C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 326 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 480.88 грн |
4+ | 356.16 грн |
5+ | 342.02 грн |
10+ | 323.97 грн |
250+ | 311.62 грн |
SPB20N60C3 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 321.27 грн |
5+ | 238.76 грн |
14+ | 217.56 грн |
250+ | 212.81 грн |
1000+ | 208.06 грн |
SPB80P06PGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
SPB80P06PGATMA1 SMD P channel transistors
SPB80P06PGATMA1 SMD P channel transistors
на замовлення 447 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 362.19 грн |
6+ | 210.91 грн |
15+ | 199.51 грн |
100+ | 199.29 грн |
SPD09P06PLGBTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -9.7A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -9.7A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -9.7A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -9.7A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1747 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 85.94 грн |
10+ | 65.51 грн |
24+ | 47.03 грн |
50+ | 46.08 грн |
66+ | 44.46 грн |
100+ | 43.42 грн |
SPD15P10PLGBTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO252-3
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
On-state resistance: 0.2Ω
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 128W
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO252-3
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
On-state resistance: 0.2Ω
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 128W
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2164 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 105.38 грн |
12+ | 99.65 грн |
25+ | 92.16 грн |
33+ | 90.26 грн |
SPD18P06PGBTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.6A; 80W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.6A
Power dissipation: 80W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.6A; 80W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.6A
Power dissipation: 80W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 100.27 грн |
10+ | 88.79 грн |
18+ | 65.55 грн |
47+ | 61.75 грн |
2500+ | 59.85 грн |
SPD30P06PGBTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -30A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -30A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 152.45 грн |
5+ | 109.51 грн |
10+ | 92.16 грн |
16+ | 72.20 грн |
43+ | 68.40 грн |
50+ | 67.45 грн |
100+ | 65.55 грн |
SPD50N03S207GBTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 136W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 136W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 46.57 грн |
25+ | 42.56 грн |
71+ | 41.33 грн |
100+ | 41.04 грн |
500+ | 39.71 грн |
SPD50P03LGBTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; 150W; PG-TO252-5
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Case: PG-TO252-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 150W
Technology: OptiMOS™ P
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; 150W; PG-TO252-5
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Case: PG-TO252-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 150W
Technology: OptiMOS™ P
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 201.56 грн |
10+ | 154.90 грн |
15+ | 77.90 грн |
40+ | 73.15 грн |
2500+ | 70.30 грн |
SPP04N80C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 367 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 157.56 грн |
3+ | 135.16 грн |
10+ | 112.11 грн |
28+ | 106.41 грн |
250+ | 102.61 грн |
SPP06N80C3 | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 216.91 грн |
3+ | 190.41 грн |
8+ | 142.51 грн |
22+ | 134.91 грн |
250+ | 133.01 грн |
SPP08N80C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 442 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 241.46 грн |
3+ | 204.23 грн |
7+ | 170.06 грн |
19+ | 161.51 грн |
SPP11N60C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 260.90 грн |
10+ | 120.37 грн |
27+ | 110.21 грн |
100+ | 109.26 грн |
SPP11N80C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 272.16 грн |
9+ | 144.04 грн |
23+ | 131.11 грн |
1000+ | 126.36 грн |
SPP15P10PLHXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 128W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 128W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 189.28 грн |
10+ | 138.12 грн |
16+ | 72.20 грн |
43+ | 67.45 грн |
1000+ | 65.55 грн |
SPP17N80C3 | ![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 180.07 грн |
10+ | 119.38 грн |
27+ | 108.31 грн |
1000+ | 104.51 грн |
SPP18P06PHXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.7A; 81.1W; PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.7A
Power dissipation: 81.1W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.7A; 81.1W; PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.7A
Power dissipation: 81.1W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 175.98 грн |
5+ | 157.86 грн |
10+ | 137.76 грн |
19+ | 59.85 грн |
51+ | 57.00 грн |
500+ | 55.10 грн |
SPP20N60C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 260.90 грн |
6+ | 212.12 грн |
10+ | 188.11 грн |
25+ | 185.26 грн |
SPP20N60S5 | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 463 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 335.59 грн |
3+ | 290.06 грн |
6+ | 216.61 грн |
15+ | 204.26 грн |
SPP20N65C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 547.38 грн |
3+ | 475.54 грн |
4+ | 350.57 грн |
9+ | 330.62 грн |
SPP21N50C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 113 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 281.36 грн |
3+ | 244.68 грн |
7+ | 180.51 грн |
17+ | 171.01 грн |
SPP80P06PHXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain current: -80A
Drain-source voltage: -60V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Power dissipation: 340W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain current: -80A
Drain-source voltage: -60V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Power dissipation: 340W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 318.20 грн |
6+ | 203.24 грн |
16+ | 185.26 грн |
50+ | 178.61 грн |
SPW17N80C3 | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 339.68 грн |
3+ | 298.94 грн |
5+ | 228.96 грн |
14+ | 216.61 грн |
SPW20N60C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 239.41 грн |
3+ | 207.19 грн |
7+ | 168.16 грн |
19+ | 158.66 грн |
30+ | 154.86 грн |
SPW35N60C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.9A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21.9A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.9A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21.9A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 735.64 грн |
SPW47N60C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 222 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 991.42 грн |
2+ | 762.64 грн |
5+ | 694.49 грн |
480+ | 684.99 грн |
960+ | 667.89 грн |
T560N16TOFXPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.6kV; Ifmax: 809A; 559A; Igt: 200mA
Type of thyristor: hockey-puck
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. load current: 809A
Load current: 559A
Gate current: 200mA
Case: BG-T4814K0-1
Mounting: Press-Pack
Kind of package: in-tray
Max. forward impulse current: 8kA
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.6kV; Ifmax: 809A; 559A; Igt: 200mA
Type of thyristor: hockey-puck
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. load current: 809A
Load current: 559A
Gate current: 200mA
Case: BG-T4814K0-1
Mounting: Press-Pack
Kind of package: in-tray
Max. forward impulse current: 8kA
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 11119.48 грн |
TLD1120ELXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; high-side,LED driver; Litix™; PG-SSOP-14-EP; 360mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; LED driver
Technology: Litix™
Case: PG-SSOP-14-EP
Output current: 0.36A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 5.5...40V DC
Protection: overheating OTP
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; high-side,LED driver; Litix™; PG-SSOP-14-EP; 360mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; LED driver
Technology: Litix™
Case: PG-SSOP-14-EP
Output current: 0.36A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 5.5...40V DC
Protection: overheating OTP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 72.64 грн |
6+ | 58.01 грн |
10+ | 50.26 грн |
25+ | 46.17 грн |
TLE4207GXUMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; IMC,motor controller; PG-DSO-14
Operating voltage: 8...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Type of integrated circuit: driver
Integrated circuit features: fault detection
Kind of integrated circuit: IMC; motor controller
Topology: MOSFET half-bridge
Case: PG-DSO-14
Kind of package: reel; tape
Output current: 0.8A
Number of channels: 2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; IMC,motor controller; PG-DSO-14
Operating voltage: 8...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Type of integrated circuit: driver
Integrated circuit features: fault detection
Kind of integrated circuit: IMC; motor controller
Topology: MOSFET half-bridge
Case: PG-DSO-14
Kind of package: reel; tape
Output current: 0.8A
Number of channels: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2414 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 99.24 грн |
10+ | 91.75 грн |
13+ | 87.41 грн |
25+ | 83.61 грн |
36+ | 82.66 грн |
100+ | 79.80 грн |
TLE4266GHTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
TLE4266G LDO fixed voltage regulators
TLE4266G LDO fixed voltage regulators
на замовлення 3171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 157.56 грн |
12+ | 99.76 грн |
31+ | 95.01 грн |
TLE4268GXUMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.15A; PG-DSO-20; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.25V
Output voltage: 5V
Output current: 0.15A
Case: PG-DSO-20
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Input voltage: 5.5...45V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.15A; PG-DSO-20; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.25V
Output voltage: 5V
Output current: 0.15A
Case: PG-DSO-20
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Input voltage: 5.5...45V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 128.92 грн |
5+ | 112.47 грн |
15+ | 78.85 грн |
40+ | 74.10 грн |
TLE42712GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
TLE4271-2G LDO fixed voltage regulators
TLE4271-2G LDO fixed voltage regulators
на замовлення 939 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 242.48 грн |
8+ | 153.91 грн |
20+ | 145.36 грн |
TLE42754DATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.45A; PG-TO252-5
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.25V
Output voltage: 5V
Output current: 0.45A
Case: PG-TO252-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Input voltage: 5.5...42V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.45A; PG-TO252-5
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.25V
Output voltage: 5V
Output current: 0.45A
Case: PG-TO252-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Input voltage: 5.5...42V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 135.05 грн |
10+ | 94.71 грн |
13+ | 88.36 грн |
25+ | 83.61 грн |
50+ | 80.75 грн |
TLE42764GVATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
TLE42764GV LDO adjustable voltage regulators
TLE42764GV LDO adjustable voltage regulators
на замовлення 948 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 169.84 грн |
11+ | 104.51 грн |
30+ | 98.81 грн |
TLE42764GV50ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.4A; PG-TO263-5; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.25V
Output voltage: 5V
Output current: 0.4A
Case: PG-TO263-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Input voltage: 4.5...41V
Tolerance: ±2%
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.4A; PG-TO263-5; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.25V
Output voltage: 5V
Output current: 0.4A
Case: PG-TO263-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Input voltage: 4.5...41V
Tolerance: ±2%
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 136.15 грн |
10+ | 117.81 грн |
25+ | 111.16 грн |
50+ | 107.36 грн |
TLE4675GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.4A; PG-TO263-5; SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Case: PG-TO263-5
Operating temperature: -40...150°C
Voltage drop: 0.25V
Output current: 0.4A
Tolerance: ±2%
Output voltage: 5V
Input voltage: 5.5...45V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.4A; PG-TO263-5; SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Case: PG-TO263-5
Operating temperature: -40...150°C
Voltage drop: 0.25V
Output current: 0.4A
Tolerance: ±2%
Output voltage: 5V
Input voltage: 5.5...45V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 998 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 235.32 грн |
5+ | 205.21 грн |
8+ | 144.41 грн |
22+ | 135.86 грн |
TLE4906KHTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; unipolar; SC59; 5÷13.5mT; Usup: 2.7÷18VDC; SMT
Type of sensor: Hall
Case: SC59
Range of detectable magnetic field: 5...13.5mT
Supply voltage: 2.7...18V DC
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: SMT
Kind of sensor: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; unipolar; SC59; 5÷13.5mT; Usup: 2.7÷18VDC; SMT
Type of sensor: Hall
Case: SC59
Range of detectable magnetic field: 5...13.5mT
Supply voltage: 2.7...18V DC
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: SMT
Kind of sensor: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 891 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 59.79 грн |
10+ | 55.01 грн |
32+ | 35.91 грн |
50+ | 35.82 грн |
86+ | 33.92 грн |
TLE4935L |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; P-SSO-3-2; -20÷20mT; Usup: 3.8÷24VDC; THT
Type of sensor: Hall
Case: P-SSO-3-2
Range of detectable magnetic field: -20...20mT
Supply voltage: 3.8...24V DC
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: THT
Kind of sensor: latch
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; P-SSO-3-2; -20÷20mT; Usup: 3.8÷24VDC; THT
Type of sensor: Hall
Case: P-SSO-3-2
Range of detectable magnetic field: -20...20mT
Supply voltage: 3.8...24V DC
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: THT
Kind of sensor: latch
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 366 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 115.61 грн |
17+ | 69.06 грн |
47+ | 62.70 грн |
1000+ | 60.80 грн |
TLE4945L |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; bipolar; P-SSO-3-2; -10÷10mT; Usup: 3.8÷24VDC; THT
Type of sensor: Hall
Case: P-SSO-3-2
Range of detectable magnetic field: -10...10mT
Supply voltage: 3.8...24V DC
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: THT
Kind of sensor: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; bipolar; P-SSO-3-2; -10÷10mT; Usup: 3.8÷24VDC; THT
Type of sensor: Hall
Case: P-SSO-3-2
Range of detectable magnetic field: -10...10mT
Supply voltage: 3.8...24V DC
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: THT
Kind of sensor: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TLE49462KHTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; SC59; -3.5÷3.5mT; Usup: 2.7÷18VDC; SMT
Type of sensor: Hall
Case: SC59
Range of detectable magnetic field: -3.5...3.5mT
Supply voltage: 2.7...18V DC
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: SMT
Kind of sensor: latch
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; SC59; -3.5÷3.5mT; Usup: 2.7÷18VDC; SMT
Type of sensor: Hall
Case: SC59
Range of detectable magnetic field: -3.5...3.5mT
Supply voltage: 2.7...18V DC
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: SMT
Kind of sensor: latch
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2581 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 85.94 грн |
10+ | 60.68 грн |
31+ | 36.39 грн |
85+ | 34.39 грн |
1000+ | 33.06 грн |
TLE7258SJXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: interface; transceiver; 5.5÷18VDC; LIN; SMD; PG-DSO-8
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: transceiver
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
DC supply current: 3mA
Number of transmitters: 1
Number of receivers: 1
Supply voltage: 5.5...18V DC
Interface: LIN
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: interface; transceiver; 5.5÷18VDC; LIN; SMD; PG-DSO-8
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: transceiver
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
DC supply current: 3mA
Number of transmitters: 1
Number of receivers: 1
Supply voltage: 5.5...18V DC
Interface: LIN
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2416 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 70.60 грн |
10+ | 57.22 грн |
25+ | 50.16 грн |
26+ | 43.04 грн |
72+ | 40.76 грн |
TLE7259-3GE |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: ETHERNET interfaces -integrated circuits
Description: IC: interface; transceiver; LIN; PG-DSO-8; -40÷150°C; 5.5÷27VDC
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: transceiver
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
DC supply current: 5mA
Number of transmitters: 1
Number of receivers: 1
Supply voltage: 5.5...27V DC
Interface: LIN
кількість в упаковці: 1 шт
Category: ETHERNET interfaces -integrated circuits
Description: IC: interface; transceiver; LIN; PG-DSO-8; -40÷150°C; 5.5÷27VDC
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: transceiver
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
DC supply current: 5mA
Number of transmitters: 1
Number of receivers: 1
Supply voltage: 5.5...27V DC
Interface: LIN
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 98.22 грн |
5+ | 84.85 грн |
18+ | 62.70 грн |
50+ | 58.90 грн |
TLF50251EL |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.75÷45VDC; Uout: 5VDC; 500mA; SSOP14
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 4.75...45V DC
Output voltage: 5V DC
Output current: 0.5A
Case: SSOP14
Mounting: SMD
Frequency: 2.2MHz
Topology: buck
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...150°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.75÷45VDC; Uout: 5VDC; 500mA; SSOP14
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 4.75...45V DC
Output voltage: 5V DC
Output current: 0.5A
Case: SSOP14
Mounting: SMD
Frequency: 2.2MHz
Topology: buck
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 153.47 грн |
TLF80511TFV50ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.4A; DPAK; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.25V
Output voltage: 5V
Output current: 0.4A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Input voltage: 3.3...40V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.4A; DPAK; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.25V
Output voltage: 5V
Output current: 0.4A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Input voltage: 3.3...40V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 109.48 грн |
10+ | 76.95 грн |
18+ | 62.70 грн |
49+ | 59.85 грн |
250+ | 57.00 грн |
TLS820F0ELV33XUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
TLS820F0ELV33 LDO fixed voltage regulators
TLS820F0ELV33 LDO fixed voltage regulators
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 86.97 грн |
16+ | 73.15 грн |
43+ | 69.35 грн |
500+ | 69.06 грн |
TLV4906KFTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; SC59; 4.7÷13.9mT; Usup: 2.7÷18VDC; Temp: -40÷85°C
Type of sensor: Hall
Case: SC59
Range of detectable magnetic field: 4.7...13.9mT
Supply voltage: 2.7...18V DC
Operating temperature: -40...85°C
Output configuration: analogue voltage
Operation mode: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; SC59; 4.7÷13.9mT; Usup: 2.7÷18VDC; Temp: -40÷85°C
Type of sensor: Hall
Case: SC59
Range of detectable magnetic field: 4.7...13.9mT
Supply voltage: 2.7...18V DC
Operating temperature: -40...85°C
Output configuration: analogue voltage
Operation mode: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1603 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 30.69 грн |
25+ | 23.88 грн |
45+ | 22.90 грн |
TT210N12KOF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.2kV; 210A; BG-PB50-1; screw
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: thyristor
Gate current: 150mA
Max. forward voltage: 1.65V
Load current: 210A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward impulse current: 6.6kA
Case: BG-PB50-1
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.2kV; 210A; BG-PB50-1; screw
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: thyristor
Gate current: 150mA
Max. forward voltage: 1.65V
Load current: 210A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward impulse current: 6.6kA
Case: BG-PB50-1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 7813.72 грн |
TT250N18KOFHPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.8kV; 250A; BG-PB50-1; Ifsm: 7kA
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: thyristor
Gate current: 200mA
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 250A
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. forward impulse current: 7kA
Case: BG-PB50-1
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.8kV; 250A; BG-PB50-1; Ifsm: 7kA
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: thyristor
Gate current: 200mA
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 250A
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. forward impulse current: 7kA
Case: BG-PB50-1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 17904.94 грн |
TT251N16KOFHPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 251A; BG-PB50-1; screw
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: thyristor
Gate current: 300mA
Max. forward voltage: 1.4V
Load current: 251A
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 9.1kA
Case: BG-PB50-1
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 251A; BG-PB50-1; screw
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: thyristor
Gate current: 300mA
Max. forward voltage: 1.4V
Load current: 251A
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 9.1kA
Case: BG-PB50-1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 18912.74 грн |
TT320N18SOF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
TT320N18SOF Thyristor modules
TT320N18SOF Thyristor modules
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 8399.46 грн |