Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (124748) > Сторінка 2057 з 2080

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 208 416 624 832 1040 1248 1456 1664 1872 2052 2053 2054 2055 2056 2057 2058 2059 2060 2061 2062 2080  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BTS5210L BTS5210L INFINEON TECHNOLOGIES BTS5210L.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 2; N-Channel; SMD; BSOP12
Output current: 1.8A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Case: BSOP12
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 2
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Supply voltage: 5.5...40V DC
на замовлення 388 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+311.62 грн
10+193.18 грн
100+158.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5016SDA BTS5016SDA INFINEON TECHNOLOGIES BTS5016SDA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-5
On-state resistance: 16mΩ
Technology: High Current PROFET
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+186.62 грн
10+128.51 грн
25+118.56 грн
100+113.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS723GW BTS723GW INFINEON TECHNOLOGIES BTS723GW.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.9÷4.2A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14
Output current: 2.9...4.2A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Case: SO14
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 2
On-state resistance: 53mΩ
Mounting: SMD
Supply voltage: 7...58V DC
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+345.55 грн
4+283.56 грн
10+280.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ITS716G ITS716G INFINEON TECHNOLOGIES ITS716G.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; SO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.3A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO20
On-state resistance: 0.11Ω
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Industrial PROFET
на замовлення 791 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+376.80 грн
10+312.58 грн
50+262.00 грн
100+235.47 грн
250+218.06 грн
500+208.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5210G BTS5210G INFINEON TECHNOLOGIES BTS5210G.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14
Output current: 1.8A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Case: SO14
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 2
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Supply voltage: 5.5...40V DC
на замовлення 452 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+255.37 грн
10+156.70 грн
100+124.37 грн
250+111.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP452 ISP452 INFINEON TECHNOLOGIES ISP452.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Industrial PROFET
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+133.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP762T BSP762T INFINEON TECHNOLOGIES BSP762T.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 70mΩ
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
на замовлення 512 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+243.76 грн
10+151.73 грн
100+118.56 грн
250+106.13 грн
500+97.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP752TXUMA1 BSP752TXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP752T-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a8533f0fa778a Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.15Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 52V
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+125.90 грн
10+84.57 грн
25+79.60 грн
50+78.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3321MC12NXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-1ed332xmc12n-datasheet-en.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; EiceDRIVER™; SOIC16; Ch: 1
Supply voltage: 3.5...5.5V
Operating temperature: -40...125°C
Type of integrated circuit: driver
Technology: EiceDRIVER™
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Integrated circuit features: MOSFET
Case: SOIC16
Impulse rise time: 15ns
Pulse fall time: 15ns
Turn-on time: 85ns
Power dissipation: 0.81W
Number of channels: 1
Insulation voltage: 5.7kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1 IPP034NE7N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP034NE7N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+228.84 грн
3+220.55 грн
10+189.87 грн
20+171.63 грн
50+155.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC090N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3118N BTS3118N INFINEON TECHNOLOGIES BTS3118N-DTE.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Mounting: SMD
Output current: 2.17A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
Case: SOT223-3
Kind of integrated circuit: low-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 70mΩ
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+120.54 грн
10+82.08 грн
25+75.45 грн
100+68.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPB180P04P4L02.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -140A; Idm: -720A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -140A
Pulsed drain current: -720A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: -16...5V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S401ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB180N04S4_01-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c432c5d5d67&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 188W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 188W
Case: TO263-7
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 176nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S401ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB180N04S4_01-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c432c5d5d67&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1000+81.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4L01ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB180N04S4L0110-DS-v01_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014670ea376d6469 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 180A; 188W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 188W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -16...20V
Mounting: SMD
Gate charge: 245nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1000+188.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC220N20NSFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC220N20NSFD_Rev2.0_2018-03-14.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 52A; 214W; TSON8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 52A
Power dissipation: 214W
Case: TSON8
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R007CM8XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPDQ60R007CM8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d8dd992bf0724 Category: Transistors - Unclassified
Description: IPDQ60R007CM8XTMA1
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
750+1479.53 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY14V101NA-BA25XIT INFINEON TECHNOLOGIES ?docID=45099 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 25ns; FBGA48; parallel
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: FBGA48
Kind of memory: NV SRAM
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 25ns
Supply voltage: 1.65...1.95V DC; 3...3.6V DC
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS128SDSBHB203 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FS128S_S25FS256S_1.8_V_Serial_Peripheral_Interface_with_Multi-I_O_MirrorBit(R)_Non-Volatile_Flash-DataSheet-v14_00-EN.PDF?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6b5ab5758&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 1.7÷2V; BGA24
Application: automotive
Case: BGA24
Type of integrated circuit: FLASH memory
Mounting: SMD
Kind of memory: NOR
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...105°C
Operating voltage: 1.7...2V
Operating frequency: 133MHz
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3GATMA1 IPB123N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB123N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; 94W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 58A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM16W08-SGTR FM16W08-SGTR INFINEON TECHNOLOGIES FM16W08-DTE.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; parallel 8bit; 8kx8bit; 2.7÷5.5VDC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: parallel 8bit
Memory organisation: 8kx8bit
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Access time: 70ns
Case: SO28
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR112 INFINEON TECHNOLOGIES bcr112series.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 140MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Kind of transistor: BRT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR112WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr112series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143a34902e01d0 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 100mA; 250mW; SC70,SOT323; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 20
Mounting: SMD
Frequency: 140MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIR3241STR AUIR3241STR INFINEON TECHNOLOGIES AUIR3241STR.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,MOSFET gate driver; SO8; 625mW; Ch: 1; 40V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 3...36V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90P04P4L-04-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f7829059b2dee Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -90A; 125W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -90A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 135nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS117BKSA1 BTS117BKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS117-DS-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa350a0970fbc Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; THT; TO220-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3.5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: THT
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.1Ω
Kind of package: tube
Technology: SIPMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NAC1081XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-Infineon-NAC1080_NAC1081_DS_v01_03-EN-DataSheet-v01_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d718a49017db42a43930b11 Category: Unclassified
Description: NAC1081XTMA1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5000+189.29 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5XKSA1 IPP051N15N5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP051N15N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a0437e3754cb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 120A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+337.52 грн
10+203.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP051N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a0437e3754cb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 115A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 115A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: OptiMOS™ 5
Pulsed drain current: 480A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R125P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+228.58 грн
10+194.84 грн
30+177.43 грн
120+151.73 грн
150+148.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125CPFKSA1 IPW60R125CPFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R125CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+359.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125C6FKSA1 IPW60R125C6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R125C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125CFD7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPW60R125CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46261ff57770162002fa4562bb2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 92W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 92W
Case: TO247
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS205NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
On-state resistance: 85mΩ
Technology: OptiMOS™ 2
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 2.5A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 5277 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.11 грн
22+18.90 грн
26+16.42 грн
50+11.11 грн
100+9.37 грн
500+6.55 грн
1000+5.80 грн
3000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5ATMA1 IPT012N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPT012N08N5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 279A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 279A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+441.09 грн
10+368.13 грн
100+340.77 грн
500+325.01 грн
1000+292.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40T209ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRL40T209-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265413c11016542adc035132a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 586A; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 586A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT260N10S5N019ATMA1 IAUT260N10S5N019ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IAUT260N10S5N019.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 260A; 300W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 260A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT240N08S5N019ATMA1 IAUT240N08S5N019ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IAUT240N08S5N019.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 240A; 230W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 240A
Power dissipation: 230W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IAUT300N10S5N015.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT150N10S5N035ATMA1 IAUT150N10S5N035ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IAUT150N10S5N035.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 166W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Power dissipation: 166W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTH500151LUAAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BTH500151LUAAUMA1.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 32A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-HSOF-8
Case: PG-HSOF-8
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
Supply voltage: 12...54V DC
Output current: 32A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Operating temperature: -40...150°C
Technology: PROFET™
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT165N08S5N029ATMA2 IAUT165N08S5N029ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IAUT165N08S5N029.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; 167W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Power dissipation: 167W
Gate charge: 31nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT200N08S5N023ATMA1 IAUT200N08S5N023ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IAUT200N08S5N023.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; 200W; PG-HSOF-8
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-HSOF-8
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 200W
Gate charge: 36nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 200A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N014ATMA1 IAUT300N08S5N014ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IAUT300N08S5N014.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 300W; PG-HSOF-8
Drain current: 300A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-HSOF-8
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 300W
Gate charge: 60nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8788pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50085-1TMB BTS50085-1TMB INFINEON TECHNOLOGIES BTS50085-1TMB.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 38A; Ch: 1; N-Channel; THT
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 38A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: THT
Case: PG-TO220-7-11
On-state resistance: 7.2mΩ
Supply voltage: 5...58V DC
Technology: High Current PROFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7440PBF IRFB7440PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7440PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 208A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 208A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 273 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+110.72 грн
6+73.79 грн
10+53.89 грн
50+47.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM1808B-SG FM1808B-SG INFINEON TECHNOLOGIES FM1808B-DTE.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; parallel 8bit; 32kx8bit; 4.4÷5.5VDC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Interface: parallel 8bit
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Case: SO28
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 70ns
Supply voltage: 4.4...5.5V DC
Memory: 256kb FRAM
Memory organisation: 32kx8bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1 IPD60N10S4L12ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60N10S4L_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc801374ffd51cd0505 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 94W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 94W
Gate charge: 49nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: DPAK; TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC098N10NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB015N08N5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 999 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+356.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R340C3XKSA2 IPA90R340C3XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA90R340C3-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431b3e89eb011b8cc90e320fa6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 900V; 15A; Idm: 15A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 15A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 15A
Gate charge: 94nC
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+237.51 грн
150+198.16 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP316PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -680mA
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 1.8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
на замовлення 679 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.75 грн
15+28.69 грн
50+24.96 грн
100+23.63 грн
125+23.22 грн
250+21.81 грн
500+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F3L300R07PE4 F3L300R07PE4 INFINEON TECHNOLOGIES F3L300R07PE4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 300A; AG-ECONO4-1
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 300A
Case: AG-ECONO4-1
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 940W
Technology: EconoPACK™ 4
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+18241.90 грн
3+14924.15 грн
6+12536.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1049GN30-10ZSXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1049GN_4-Mbit_(512K_words_8_bit)_Static_RAM-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed849f059c3&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 10ns; TSOP44 II; parallel
Case: TSOP44 II
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 10ns
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Memory organisation: 512kx8bit
Memory: 4Mb SRAM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1049GN30-10ZSXI CY7C1049GN30-10ZSXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1049GN_4-Mbit_(512K_words_8_bit)_Static_RAM-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed849f059c3&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.2÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Case: TSOP44 II
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Access time: 10ns
Operating voltage: 2.2...3.6V
Memory organisation: 512kx8bit
Memory: 4Mb SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1049G-10VXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1049G_and_CY7C1049GE_are_high-performance_CMOS_fast_static_RAM_devices_with_embedded_ECC-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed7e2c15966&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_ Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 10ns; SOJ36; parallel; tube
Case: SOJ36
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 10ns
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Memory organisation: 512kx8bit
Memory: 4Mb SRAM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1049GN30-10VXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1049GN_4-Mbit_(512K_words_8_bit)_Static_RAM-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed849f059c3&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 10ns; SOJ36; parallel; tube
Case: SOJ36
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 10ns
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Memory organisation: 512kx8bit
Memory: 4Mb SRAM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 570 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1049G30-10VXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1049G_and_CY7C1049GE_are_high-performance_CMOS_fast_static_RAM_devices_with_embedded_ECC-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed7e2c15966&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_ Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 10ns; SOJ36; parallel; tube
Case: SOJ36
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 10ns
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Memory organisation: 512kx8bit
Memory: 4Mb SRAM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5210L BTS5210L.pdf
BTS5210L
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 2; N-Channel; SMD; BSOP12
Output current: 1.8A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Case: BSOP12
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 2
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Supply voltage: 5.5...40V DC
на замовлення 388 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+311.62 грн
10+193.18 грн
100+158.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5016SDA BTS5016SDA.pdf
BTS5016SDA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-5
On-state resistance: 16mΩ
Technology: High Current PROFET
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+186.62 грн
10+128.51 грн
25+118.56 грн
100+113.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS723GW BTS723GW.pdf
BTS723GW
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.9÷4.2A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14
Output current: 2.9...4.2A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Case: SO14
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 2
On-state resistance: 53mΩ
Mounting: SMD
Supply voltage: 7...58V DC
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+345.55 грн
4+283.56 грн
10+280.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ITS716G ITS716G.pdf
ITS716G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; SO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.3A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO20
On-state resistance: 0.11Ω
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Industrial PROFET
на замовлення 791 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+376.80 грн
10+312.58 грн
50+262.00 грн
100+235.47 грн
250+218.06 грн
500+208.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5210G BTS5210G.pdf
BTS5210G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14
Output current: 1.8A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Case: SO14
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 2
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Supply voltage: 5.5...40V DC
на замовлення 452 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+255.37 грн
10+156.70 грн
100+124.37 грн
250+111.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP452 ISP452.pdf
ISP452
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Industrial PROFET
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+133.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP762T BSP762T.pdf
BSP762T
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 70mΩ
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
на замовлення 512 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+243.76 грн
10+151.73 грн
100+118.56 грн
250+106.13 грн
500+97.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP752TXUMA1 Infineon-BSP752T-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a8533f0fa778a
BSP752TXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.15Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 52V
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+125.90 грн
10+84.57 грн
25+79.60 грн
50+78.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3321MC12NXUMA1 infineon-1ed332xmc12n-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; EiceDRIVER™; SOIC16; Ch: 1
Supply voltage: 3.5...5.5V
Operating temperature: -40...125°C
Type of integrated circuit: driver
Technology: EiceDRIVER™
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Integrated circuit features: MOSFET
Case: SOIC16
Impulse rise time: 15ns
Pulse fall time: 15ns
Turn-on time: 85ns
Power dissipation: 0.81W
Number of channels: 1
Insulation voltage: 5.7kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1 IPP034NE7N3G-DTE.pdf
IPP034NE7N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+228.84 грн
3+220.55 грн
10+189.87 грн
20+171.63 грн
50+155.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03LSG-DTE.pdf
BSC090N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3118N BTS3118N-DTE.pdf
BTS3118N
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Mounting: SMD
Output current: 2.17A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
Case: SOT223-3
Kind of integrated circuit: low-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 70mΩ
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+120.54 грн
10+82.08 грн
25+75.45 грн
100+68.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -140A; Idm: -720A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -140A
Pulsed drain current: -720A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: -16...5V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S401ATMA1 Infineon-IPB180N04S4_01-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c432c5d5d67&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 188W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 188W
Case: TO263-7
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 176nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S401ATMA1 Infineon-IPB180N04S4_01-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c432c5d5d67&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+81.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4L01ATMA1 Infineon-IPB180N04S4L0110-DS-v01_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014670ea376d6469
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 180A; 188W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 188W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -16...20V
Mounting: SMD
Gate charge: 245nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+188.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC220N20NSFDATMA1 BSC220N20NSFD_Rev2.0_2018-03-14.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 52A; 214W; TSON8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 52A
Power dissipation: 214W
Case: TSON8
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R007CM8XTMA1 Infineon-IPDQ60R007CM8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d8dd992bf0724
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistors - Unclassified
Description: IPDQ60R007CM8XTMA1
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
750+1479.53 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY14V101NA-BA25XIT ?docID=45099
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 25ns; FBGA48; parallel
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: FBGA48
Kind of memory: NV SRAM
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 25ns
Supply voltage: 1.65...1.95V DC; 3...3.6V DC
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS128SDSBHB203 Infineon-S25FS128S_S25FS256S_1.8_V_Serial_Peripheral_Interface_with_Multi-I_O_MirrorBit(R)_Non-Volatile_Flash-DataSheet-v14_00-EN.PDF?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6b5ab5758&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 1.7÷2V; BGA24
Application: automotive
Case: BGA24
Type of integrated circuit: FLASH memory
Mounting: SMD
Kind of memory: NOR
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...105°C
Operating voltage: 1.7...2V
Operating frequency: 133MHz
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3GATMA1 IPB123N10N3G-DTE.pdf
IPB123N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; 94W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 58A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM16W08-SGTR FM16W08-DTE.pdf
FM16W08-SGTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; parallel 8bit; 8kx8bit; 2.7÷5.5VDC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: parallel 8bit
Memory organisation: 8kx8bit
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Access time: 70ns
Case: SO28
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR112 bcr112series.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 140MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Kind of transistor: BRT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR112WH6327XTSA1 bcr112series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143a34902e01d0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 100mA; 250mW; SC70,SOT323; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 20
Mounting: SMD
Frequency: 140MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIR3241STR AUIR3241STR.pdf
AUIR3241STR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,MOSFET gate driver; SO8; 625mW; Ch: 1; 40V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 3...36V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 40V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2 Infineon-IPD90P04P4L-04-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f7829059b2dee
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -90A; 125W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -90A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 135nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS117BKSA1 Infineon-BTS117-DS-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa350a0970fbc
BTS117BKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; THT; TO220-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3.5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: THT
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.1Ω
Kind of package: tube
Technology: SIPMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NAC1081XTMA1 Infineon-Infineon-NAC1080_NAC1081_DS_v01_03-EN-DataSheet-v01_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d718a49017db42a43930b11
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: NAC1081XTMA1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+189.29 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5XKSA1 Infineon-IPP051N15N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a0437e3754cb
IPP051N15N5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 120A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+337.52 грн
10+203.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5AKSA1 Infineon-IPP051N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a0437e3754cb
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 115A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 115A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: OptiMOS™ 5
Pulsed drain current: 480A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6-DTE.pdf
IPW60R125P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+228.58 грн
10+194.84 грн
30+177.43 грн
120+151.73 грн
150+148.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125CPFKSA1 IPW60R125CP-DTE.pdf
IPW60R125CPFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+359.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125C6FKSA1 IPW60R125C6-DTE.pdf
IPW60R125C6FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125CFD7XKSA1 Infineon-IPW60R125CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46261ff57770162002fa4562bb2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 92W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 92W
Case: TO247
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1.pdf
BSS205NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
On-state resistance: 85mΩ
Technology: OptiMOS™ 2
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 2.5A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 5277 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+24.11 грн
22+18.90 грн
26+16.42 грн
50+11.11 грн
100+9.37 грн
500+6.55 грн
1000+5.80 грн
3000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5ATMA1 IPT012N08N5-DTE.pdf
IPT012N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 279A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 279A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+441.09 грн
10+368.13 грн
100+340.77 грн
500+325.01 грн
1000+292.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40T209ATMA2 Infineon-IRL40T209-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265413c11016542adc035132a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 586A; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 586A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT260N10S5N019ATMA1 IAUT260N10S5N019.pdf
IAUT260N10S5N019ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 260A; 300W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 260A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT240N08S5N019ATMA1 IAUT240N08S5N019.pdf
IAUT240N08S5N019ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 240A; 230W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 240A
Power dissipation: 230W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015.pdf
IAUT300N10S5N015ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT150N10S5N035ATMA1 IAUT150N10S5N035.pdf
IAUT150N10S5N035ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 166W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Power dissipation: 166W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTH500151LUAAUMA1 BTH500151LUAAUMA1.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 32A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-HSOF-8
Case: PG-HSOF-8
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
Supply voltage: 12...54V DC
Output current: 32A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Operating temperature: -40...150°C
Technology: PROFET™
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT165N08S5N029ATMA2 IAUT165N08S5N029.pdf
IAUT165N08S5N029ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; 167W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Power dissipation: 167W
Gate charge: 31nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT200N08S5N023ATMA1 IAUT200N08S5N023.pdf
IAUT200N08S5N023ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; 200W; PG-HSOF-8
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-HSOF-8
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 200W
Gate charge: 36nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 200A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N014ATMA1 IAUT300N08S5N014.pdf
IAUT300N08S5N014ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 300W; PG-HSOF-8
Drain current: 300A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-HSOF-8
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 300W
Gate charge: 60nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF irf8788pbf.pdf
IRF8788TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50085-1TMB BTS50085-1TMB.pdf
BTS50085-1TMB
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 38A; Ch: 1; N-Channel; THT
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 38A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: THT
Case: PG-TO220-7-11
On-state resistance: 7.2mΩ
Supply voltage: 5...58V DC
Technology: High Current PROFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7440PBF IRFB7440PBF.pdf
IRFB7440PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 208A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 208A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 273 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+110.72 грн
6+73.79 грн
10+53.89 грн
50+47.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM1808B-SG FM1808B-DTE.pdf
FM1808B-SG
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; parallel 8bit; 32kx8bit; 4.4÷5.5VDC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Interface: parallel 8bit
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Case: SO28
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 70ns
Supply voltage: 4.4...5.5V DC
Memory: 256kb FRAM
Memory organisation: 32kx8bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1 Infineon-IPD60N10S4L_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc801374ffd51cd0505
IPD60N10S4L12ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 94W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 94W
Gate charge: 49nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: DPAK; TO252
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5-DTE.pdf
BSC098N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5-DTE.pdf
IPB015N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 999 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+356.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R340C3XKSA2 Infineon-IPA90R340C3-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431b3e89eb011b8cc90e320fa6
IPA90R340C3XKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 900V; 15A; Idm: 15A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 15A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 15A
Gate charge: 94nC
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+237.51 грн
150+198.16 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1-dte.pdf
BSP316PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -680mA
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 1.8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
на замовлення 679 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+43.75 грн
15+28.69 грн
50+24.96 грн
100+23.63 грн
125+23.22 грн
250+21.81 грн
500+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F3L300R07PE4 F3L300R07PE4.pdf
F3L300R07PE4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 300A; AG-ECONO4-1
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 300A
Case: AG-ECONO4-1
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 940W
Technology: EconoPACK™ 4
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+18241.90 грн
3+14924.15 грн
6+12536.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1049GN30-10ZSXIT Infineon-CY7C1049GN_4-Mbit_(512K_words_8_bit)_Static_RAM-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed849f059c3&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 10ns; TSOP44 II; parallel
Case: TSOP44 II
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 10ns
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Memory organisation: 512kx8bit
Memory: 4Mb SRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1049GN30-10ZSXI Infineon-CY7C1049GN_4-Mbit_(512K_words_8_bit)_Static_RAM-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed849f059c3&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY7C1049GN30-10ZSXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.2÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Case: TSOP44 II
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Access time: 10ns
Operating voltage: 2.2...3.6V
Memory organisation: 512kx8bit
Memory: 4Mb SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1049G-10VXI Infineon-CY7C1049G_and_CY7C1049GE_are_high-performance_CMOS_fast_static_RAM_devices_with_embedded_ECC-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed7e2c15966&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 10ns; SOJ36; parallel; tube
Case: SOJ36
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 10ns
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Memory organisation: 512kx8bit
Memory: 4Mb SRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1049GN30-10VXI Infineon-CY7C1049GN_4-Mbit_(512K_words_8_bit)_Static_RAM-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed849f059c3&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 10ns; SOJ36; parallel; tube
Case: SOJ36
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 10ns
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Memory organisation: 512kx8bit
Memory: 4Mb SRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 570 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1049G30-10VXI Infineon-CY7C1049G_and_CY7C1049GE_are_high-performance_CMOS_fast_static_RAM_devices_with_embedded_ECC-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed7e2c15966&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 10ns; SOJ36; parallel; tube
Case: SOJ36
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 10ns
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Memory organisation: 512kx8bit
Memory: 4Mb SRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 208 416 624 832 1040 1248 1456 1664 1872 2052 2053 2054 2055 2056 2057 2058 2059 2060 2061 2062 2080  [ Наступна Сторінка >> ]