Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (126655) > Сторінка 2058 з 2111

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 211 422 633 844 1055 1266 1477 1688 1899 2053 2054 2055 2056 2057 2058 2059 2060 2061 2062 2063 2110 2111  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BTS3800SL BTS3800SL INFINEON TECHNOLOGIES BTS3800SL.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 0.35A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SCT595
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 0.35A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-SCT595
On-state resistance: 0.8Ω
Technology: HITFET®
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 3µs
Turn-off time: 3µs
на замовлення 684 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+112.90 грн
10+63.15 грн
25+53.00 грн
100+41.18 грн
250+35.22 грн
500+31.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C3866AXI-040 CY8C3866AXI-040 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-PSoC_3_CY8C38_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v34_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec70ebd3dce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 67MHz; TQFP100; 8kBSRAM,64kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Case: TQFP100
Mounting: SMD
Clock frequency: 67MHz
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART; USB
Integrated circuit features: watchdog
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Number of inputs/outputs: 72
Memory: 8kB SRAM; 64kB FLASH
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4126LTI-M445 CY8C4126LTI-M445 INFINEON TECHNOLOGIES CY8C4125AZI-M443.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; QFN68; 8kBSRAM,64kBFLASH
Operating temperature: -40...85°C
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Case: QFN68
Integrated circuit features: CapSense; LCD controller
Mounting: SMD
Kind of core: 32-bit
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Number of inputs/outputs: 55
Memory: 8kB SRAM; 64kB FLASH
Clock frequency: 24MHz
Interface: GPIO; I2C; IrDA; LIN; Smart Card; SPI; UART
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5868AXI-LP032 CY8C5868AXI-LP032 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-psoc-5lp-cy8c58lp-datasheet-datasheet-en.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 67MHz; TQFP100; 64kBSRAM,256kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Mounting: SMD
Case: TQFP100
Number of inputs/outputs: 72
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of core: 32-bit
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART; USB
Integrated circuit features: watchdog
Memory: 64kB SRAM; 256kB FLASH
Clock frequency: 67MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5868AXI-LP035 CY8C5868AXI-LP035 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-psoc-5lp-cy8c58lp-datasheet-datasheet-en.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 67MHz; TQFP100; 64kBSRAM,256kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART; USB
Clock frequency: 67MHz
Integrated circuit features: watchdog
Kind of core: 32-bit
Memory: 64kB SRAM; 256kB FLASH
Case: TQFP100
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Number of inputs/outputs: 72
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS21E6327HTSA1 BAS21E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS2103WE6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.25A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 350mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.26 грн
32+13.50 грн
100+9.69 грн
500+6.78 грн
1000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC014N04LSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP183E7764HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BFP183-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462677d0f460167c628925b4907 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 65mA; 250mW; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 65mA
Power dissipation: 0.25W
Current gain: 70
Mounting: SMD
Frequency: 8GHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7430PBF IRFP7430PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFP7430PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 404A; 366W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 404A
Power dissipation: 366W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®
на замовлення 209 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+232.11 грн
10+142.57 грн
25+109.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRL7PP IRFS7530TRL7PP INFINEON TECHNOLOGIES irfs7530-7ppbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 375W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 236nC
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 304 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+301.66 грн
10+178.63 грн
25+158.50 грн
100+134.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS139H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.1A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30Ω
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.80 грн
21+20.63 грн
100+13.33 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190C6XKSA1 IPA60R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R190C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+174.31 грн
10+129.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7313pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
на замовлення 3374 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.54 грн
12+37.40 грн
100+30.11 грн
250+28.43 грн
500+27.34 грн
1000+26.42 грн
2000+25.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 IRF7313TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.5A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65213A-28PVXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C65213.pdf Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface; GPIO x8,UART; USB controller; Full Speed
Type of integrated circuit: USB interface
Interface: GPIO x8; UART
Kind of integrated circuit: USB controller
USB speed: Full Speed
Data transfer rate: 12Mbps
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Case: SSOP28
Integrated circuit features: bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65213A-32LTXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C65213.pdf Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface; GPIO x8,UART; USB controller; Full Speed
Type of integrated circuit: USB interface
Interface: GPIO x8; UART
Kind of integrated circuit: USB controller
USB speed: Full Speed
Data transfer rate: 12Mbps
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Case: QFN32
Integrated circuit features: bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFA010 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s25fl064l-64-mbit-8-mbyte-3-datasheet-en.pdf Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFA011 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s25fl064l-64-mbit-8-mbyte-3-datasheet-en.pdf Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: tube
Application: automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFA013 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s25fl064l-64-mbit-8-mbyte-3-datasheet-en.pdf Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Application: automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128LAGMFA010 INFINEON TECHNOLOGIES S25FL.pdf Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 560 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGMFA010 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s25fl512s-512-mb-64-mb-fl-s-flash-spi-multi-i-o-3-datasheet-en.pdf Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC16
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S70FL01GSAGMFA010 INFINEON TECHNOLOGIES 002-00466%20Rev%20J.pdf Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 1Gb FLASH
Interface: CFI; SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC16
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP220N25NFDAKSA1 IPP220N25NFDAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP220N25NFD-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 61A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 61A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8736pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+72.25 грн
11+40.51 грн
100+28.01 грн
500+21.97 грн
1000+19.88 грн
2000+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QR2280ZXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICE2QR2280Z.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 39÷65kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Ubr: 800V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 39...65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V
Breakdown voltage: 800V
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD840NH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.88A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8469 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+27.09 грн
24+17.86 грн
50+11.82 грн
100+9.81 грн
250+7.88 грн
500+6.88 грн
1000+6.04 грн
3000+5.20 грн
6000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS716GBXUMA1 BTS716GBXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BTS716GB.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6÷5.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; SO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.6...5.3A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO20
On-state resistance: 35mΩ
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Classic PROFET
Turn-off time: 0.25ms
Turn-on time: 270µs
Power dissipation: 3.6W
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+327.85 грн
5+227.27 грн
10+213.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB330P10NMATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB330P10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9a628c74f22 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB19DP10NMATMA1 IPB19DP10NMATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB19DP10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9416da34eb5 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 0.149Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL064S80DHV020 INFINEON TECHNOLOGIES CYPR-S-A0005170109-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 80ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 80ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL064S80DHV023 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29GL064S_64-MBIT_(8_MBYTE)_3.0_V_FLASH_MEMORY-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed12bd84d2d&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 80ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 80ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHV020 INFINEON TECHNOLOGIES FASLS03740-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Access time: 100ns
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHV023 INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Access time: 100ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1 IKD04N60RC2ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKD04N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522334a44d1d Category: IGBT modules
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 8A; 36.6W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Power dissipation: 36.6W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 8A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 24nC
Pulsed collector current: 12A
Turn-off time: 90ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irll014npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 9222 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+49.67 грн
13+33.97 грн
25+27.76 грн
100+20.63 грн
500+15.60 грн
1000+13.92 грн
2500+12.33 грн
5000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4615PBF IRFB4615PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4615pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.09 грн
10+72.12 грн
20+70.45 грн
50+67.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 BSC093N15NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC093N15NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462503812bb01507033a3fa1175 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 87A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 87A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4700 RELAX KIT XMC4700 RELAX KIT INFINEON TECHNOLOGIES xmc4700_4800.pdf Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: ARM Infineon; XMC4700; Comp: XMC4700-F144
Type of development kit: ARM Infineon
Family: XMC4700
Kit contents: development board with XMCmicrocontroller
Components: XMC4700-F144
Interface: CAN x6; EBI; Ethernet; GPIO; I2C; I2S; LIN; PWM; SPI; UART; USIC x2
Connection: pin strips; RJ45; USB B micro x2
Number of add-on connectors: 1
Kind of architecture: Cortex M4
Application: building automation; CAV; motors; photovoltaics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4800 RELAX ETHERCAT KIT XMC4800 RELAX ETHERCAT KIT INFINEON TECHNOLOGIES xmc4700_4800.pdf Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: ARM Infineon; XMC4800; Comp: XMC4800-F144
Type of development kit: ARM Infineon
Family: XMC4800
Kit contents: development board with XMCmicrocontroller; expansion board
Components: XMC4800-F144
Interface: CAN x6; EBI; Ethernet; GPIO; I2C; I2S; LIN; PWM; SPI; UART; USIC x2
Connection: pin strips; RJ45; USB 2.0 x2; USB B micro x2
Application: building automation; CAV; EtherCAT; motors; photovoltaics
Number of add-on connectors: 2
Kind of architecture: Cortex M4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC009NE2LS5I-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGS12P2L6E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BGS12P2L6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d4487d53603ce Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SPDT; TSLP-6-4; 1.65÷3.4VDC; 0.05÷6GHz
Type of integrated circuit: RF switch
Output configuration: SPDT
Case: TSLP-6-4
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Mounting: SMD
Bandwidth: 0.05...6GHz
Application: telecommunication
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPT015N10N5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 243A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 243A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 169nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr2705pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 68W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 28A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: DPAK
на замовлення 3652 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+75.87 грн
10+50.82 грн
50+34.97 грн
100+29.86 грн
500+21.97 грн
1000+19.79 грн
2000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2705TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cb38f2673 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 20A; Idm: 110A; 68W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 20A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
On-state resistance: 40mΩ
Gate-source voltage: ±16V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBF IRLR6225TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr6225pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 100A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 545 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+74.06 грн
10+46.04 грн
50+39.16 грн
100+36.31 грн
250+32.54 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8743TRPBF IRLR8743TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr8743pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 160A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 160A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+65.93 грн
10+57.03 грн
100+53.67 грн
500+48.64 грн
1000+46.13 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF IRLR3636TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr2908pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 39A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 39A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; Idm: 60A; 79W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
On-state resistance: 0.105Ω
Gate-source voltage: ±16V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLR3915TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 61A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 61A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBF IRFB4310ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4310zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 250W
Gate charge: 0.12µC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBFXKMA1 IRFB4310ZPBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irfs4310z-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015356161b4d1e2d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB180N10S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433d1d0bbe013d2129cf8a2f88 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: TO263-7
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 300W
Drain current: 180A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N10S5N029AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA180N10S5N029-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39b1380b38 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; Idm: 561A; 221W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 561A
Power dissipation: 221W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBF IRLU3410PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3410pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+110.19 грн
10+53.34 грн
75+44.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD30P06PGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -30A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 501 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+124.64 грн
5+98.12 грн
10+86.38 грн
50+59.54 грн
100+57.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM25040B-GTR FM25040B-GTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25040B_4-Kbit_(512_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec8ff1b416c&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; SPI; 512x8bit; 4.5÷5.5VDC; 20MHz; SO8
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 20MHz
Memory: 4kb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 512x8bit
Case: SO8
Interface: SPI
Kind of memory: FRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256P10TFI010 S29GL256P10TFI010 INFINEON TECHNOLOGIES 128_Mbit_3_V_Page_Flash_with_90_nm_MirrorBit_Process_Technology-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed7850458a5&utm_source=cypress&utm_medium=ref Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; TSOP56; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: TSOP56
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10TFI010 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; TSOP56; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: TSOP56
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256P90FFIR20 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s29gl01gp-s29gl512p-s29gl256p-s29gl128p-1-gbit512256128-mbit-3-v-page-flash-with-90-nm-mirrorbit-process-technology-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed7850458a5&utm_source=cyp Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3800SL BTS3800SL.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 0.35A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SCT595
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 0.35A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-SCT595
On-state resistance: 0.8Ω
Technology: HITFET®
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 3µs
Turn-off time: 3µs
на замовлення 684 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+112.90 грн
10+63.15 грн
25+53.00 грн
100+41.18 грн
250+35.22 грн
500+31.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C3866AXI-040 Infineon-PSoC_3_CY8C38_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v34_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec70ebd3dce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 67MHz; TQFP100; 8kBSRAM,64kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Case: TQFP100
Mounting: SMD
Clock frequency: 67MHz
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART; USB
Integrated circuit features: watchdog
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Number of inputs/outputs: 72
Memory: 8kB SRAM; 64kB FLASH
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4126LTI-M445 CY8C4125AZI-M443.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; QFN68; 8kBSRAM,64kBFLASH
Operating temperature: -40...85°C
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Case: QFN68
Integrated circuit features: CapSense; LCD controller
Mounting: SMD
Kind of core: 32-bit
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Number of inputs/outputs: 55
Memory: 8kB SRAM; 64kB FLASH
Clock frequency: 24MHz
Interface: GPIO; I2C; IrDA; LIN; Smart Card; SPI; UART
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5868AXI-LP032 infineon-psoc-5lp-cy8c58lp-datasheet-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 67MHz; TQFP100; 64kBSRAM,256kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Mounting: SMD
Case: TQFP100
Number of inputs/outputs: 72
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of core: 32-bit
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART; USB
Integrated circuit features: watchdog
Memory: 64kB SRAM; 256kB FLASH
Clock frequency: 67MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5868AXI-LP035 infineon-psoc-5lp-cy8c58lp-datasheet-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 67MHz; TQFP100; 64kBSRAM,256kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART; USB
Clock frequency: 67MHz
Integrated circuit features: watchdog
Kind of core: 32-bit
Memory: 64kB SRAM; 256kB FLASH
Case: TQFP100
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Number of inputs/outputs: 72
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS21E6327HTSA1 BAS2103WE6327HTSA1.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.25A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 350mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+16.26 грн
32+13.50 грн
100+9.69 грн
500+6.78 грн
1000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSI-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP183E7764HTSA1 Infineon-BFP183-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462677d0f460167c628925b4907
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 65mA; 250mW; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 65mA
Power dissipation: 0.25W
Current gain: 70
Mounting: SMD
Frequency: 8GHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7430PBF IRFP7430PBF.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 404A; 366W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 404A
Power dissipation: 366W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®
на замовлення 209 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+232.11 грн
10+142.57 грн
25+109.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRL7PP irfs7530-7ppbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 375W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 236nC
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 304 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+301.66 грн
10+178.63 грн
25+158.50 грн
100+134.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.1A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30Ω
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.80 грн
21+20.63 грн
100+13.33 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190C6XKSA1 IPA60R190C6-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+174.31 грн
10+129.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF description irf7313pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
на замовлення 3374 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+69.54 грн
12+37.40 грн
100+30.11 грн
250+28.43 грн
500+27.34 грн
1000+26.42 грн
2000+25.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.5A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65213A-28PVXIT Infineon-CY7C65213.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface; GPIO x8,UART; USB controller; Full Speed
Type of integrated circuit: USB interface
Interface: GPIO x8; UART
Kind of integrated circuit: USB controller
USB speed: Full Speed
Data transfer rate: 12Mbps
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Case: SSOP28
Integrated circuit features: bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65213A-32LTXIT Infineon-CY7C65213.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface; GPIO x8,UART; USB controller; Full Speed
Type of integrated circuit: USB interface
Interface: GPIO x8; UART
Kind of integrated circuit: USB controller
USB speed: Full Speed
Data transfer rate: 12Mbps
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Case: QFN32
Integrated circuit features: bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFA010 infineon-s25fl064l-64-mbit-8-mbyte-3-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFA011 infineon-s25fl064l-64-mbit-8-mbyte-3-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: tube
Application: automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFA013 infineon-s25fl064l-64-mbit-8-mbyte-3-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Application: automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128LAGMFA010 S25FL.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 560 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGMFA010 infineon-s25fl512s-512-mb-64-mb-fl-s-flash-spi-multi-i-o-3-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC16
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S70FL01GSAGMFA010 002-00466%20Rev%20J.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 1Gb FLASH
Interface: CFI; SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC16
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP220N25NFDAKSA1 IPP220N25NFD-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 61A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 61A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF irf8736pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+72.25 грн
11+40.51 грн
100+28.01 грн
500+21.97 грн
1000+19.88 грн
2000+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QR2280ZXKLA1 ICE2QR2280Z.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 39÷65kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Ubr: 800V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 39...65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V
Breakdown voltage: 800V
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.88A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8469 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+27.09 грн
24+17.86 грн
50+11.82 грн
100+9.81 грн
250+7.88 грн
500+6.88 грн
1000+6.04 грн
3000+5.20 грн
6000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS716GBXUMA1 BTS716GB.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6÷5.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; SO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.6...5.3A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO20
On-state resistance: 35mΩ
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Classic PROFET
Turn-off time: 0.25ms
Turn-on time: 270µs
Power dissipation: 3.6W
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+327.85 грн
5+227.27 грн
10+213.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB330P10NMATMA1 Infineon-IPB330P10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9a628c74f22
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB19DP10NMATMA1 Infineon-IPB19DP10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9416da34eb5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 0.149Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL064S80DHV020 CYPR-S-A0005170109-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 80ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 80ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL064S80DHV023 Infineon-S29GL064S_64-MBIT_(8_MBYTE)_3.0_V_FLASH_MEMORY-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed12bd84d2d&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 80ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 80ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHV020 FASLS03740-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Access time: 100ns
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHV023 download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Access time: 100ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1 Infineon-IKD04N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522334a44d1d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 8A; 36.6W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Power dissipation: 36.6W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 8A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 24nC
Pulsed collector current: 12A
Turn-off time: 90ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF description irll014npbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 9222 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+49.67 грн
13+33.97 грн
25+27.76 грн
100+20.63 грн
500+15.60 грн
1000+13.92 грн
2500+12.33 грн
5000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4615PBF irfb4615pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+83.09 грн
10+72.12 грн
20+70.45 грн
50+67.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 Infineon-BSC093N15NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462503812bb01507033a3fa1175
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 87A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 87A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4700 RELAX KIT xmc4700_4800.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: ARM Infineon; XMC4700; Comp: XMC4700-F144
Type of development kit: ARM Infineon
Family: XMC4700
Kit contents: development board with XMCmicrocontroller
Components: XMC4700-F144
Interface: CAN x6; EBI; Ethernet; GPIO; I2C; I2S; LIN; PWM; SPI; UART; USIC x2
Connection: pin strips; RJ45; USB B micro x2
Number of add-on connectors: 1
Kind of architecture: Cortex M4
Application: building automation; CAV; motors; photovoltaics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4800 RELAX ETHERCAT KIT xmc4700_4800.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: ARM Infineon; XMC4800; Comp: XMC4800-F144
Type of development kit: ARM Infineon
Family: XMC4800
Kit contents: development board with XMCmicrocontroller; expansion board
Components: XMC4800-F144
Interface: CAN x6; EBI; Ethernet; GPIO; I2C; I2S; LIN; PWM; SPI; UART; USIC x2
Connection: pin strips; RJ45; USB 2.0 x2; USB B micro x2
Application: building automation; CAV; EtherCAT; motors; photovoltaics
Number of add-on connectors: 2
Kind of architecture: Cortex M4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5I-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGS12P2L6E6327XTSA1 Infineon-BGS12P2L6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d4487d53603ce
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SPDT; TSLP-6-4; 1.65÷3.4VDC; 0.05÷6GHz
Type of integrated circuit: RF switch
Output configuration: SPDT
Case: TSLP-6-4
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Mounting: SMD
Bandwidth: 0.05...6GHz
Application: telecommunication
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 243A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 243A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 169nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2705TRPBF irlr2705pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 68W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 28A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: DPAK
на замовлення 3652 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+75.87 грн
10+50.82 грн
50+34.97 грн
100+29.86 грн
500+21.97 грн
1000+19.79 грн
2000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2705TRLPBF irlr2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cb38f2673
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 20A; Idm: 110A; 68W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 20A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
On-state resistance: 40mΩ
Gate-source voltage: ±16V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBF irlr6225pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 100A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 545 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+74.06 грн
10+46.04 грн
50+39.16 грн
100+36.31 грн
250+32.54 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8743TRPBF irlr8743pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 160A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 160A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+65.93 грн
10+57.03 грн
100+53.67 грн
500+48.64 грн
1000+46.13 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF irlr2908pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 39A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 39A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; Idm: 60A; 79W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
On-state resistance: 0.105Ω
Gate-source voltage: ±16V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 61A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 61A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBF irfb4310zpbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 250W
Gate charge: 0.12µC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBFXKMA1 infineon-irfs4310z-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015356161b4d1e2d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 Infineon-IPB180N10S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433d1d0bbe013d2129cf8a2f88
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: TO263-7
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 300W
Drain current: 180A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N10S5N029AUMA1 Infineon-IAUA180N10S5N029-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39b1380b38
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; Idm: 561A; 221W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 561A
Power dissipation: 221W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBF irlr3410pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+110.19 грн
10+53.34 грн
75+44.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -30A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 501 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+124.64 грн
5+98.12 грн
10+86.38 грн
50+59.54 грн
100+57.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM25040B-GTR Infineon-FM25040B_4-Kbit_(512_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec8ff1b416c&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; SPI; 512x8bit; 4.5÷5.5VDC; 20MHz; SO8
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 20MHz
Memory: 4kb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 512x8bit
Case: SO8
Interface: SPI
Kind of memory: FRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256P10TFI010 128_Mbit_3_V_Page_Flash_with_90_nm_MirrorBit_Process_Technology-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed7850458a5&utm_source=cypress&utm_medium=ref
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; TSOP56; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: TSOP56
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10TFI010 infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; TSOP56; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: TSOP56
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256P90FFIR20 infineon-s29gl01gp-s29gl512p-s29gl256p-s29gl128p-1-gbit512256128-mbit-3-v-page-flash-with-90-nm-mirrorbit-process-technology-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed7850458a5&utm_source=cyp
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 211 422 633 844 1055 1266 1477 1688 1899 2053 2054 2055 2056 2057 2058 2059 2060 2061 2062 2063 2110 2111  Наступна Сторінка >> ]