Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149669) > Сторінка 303 з 2495

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 298 299 300 301 302 303 304 305 306 307 308 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2495  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB032N10N5ATMA1 IPB032N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB032N10N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b5c47b25335ca Description: MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+114.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 IPB048N15N5LFATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB048N15N5LF-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b573da84a026c Description: MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 255µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 75 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+320.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N15N5LFATMA1 IPB083N15N5LFATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB083N15N5LF-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b57cf380303f5 Description: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 134µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55249fca0f9c Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.02 грн
5000+35.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c5daa1fa44d37 Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1 IPD60R280P7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R280P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d54edbbd60f38 Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.37 грн
5000+27.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1 IPD60R360P7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d550931ef0f70 Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1 IPD60R600P7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d50d9fe4c403c Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.26 грн
5000+16.57 грн
7500+16.17 грн
12500+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1 IPN60R360P7SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf3d550b26150 Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R600P7SATMA1 IPN60R600P7SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439eb6361b8 Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K4P7SATMA1 IPN70R1K4P7SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN70R1K4P7S-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439fc7261ba Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.94 грн
6000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN70R360P7S-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439d6ad61b3 Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.04 грн
6000+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R600P7SATMA1 IPN70R600P7SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN70R600P7S-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf442fdaa61bc Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R900P7SATMA1 IPN70R900P7SATMA1 Infineon Technologies infineon-ipn70r900p7s-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R900P7ATMA1 IPN80R900P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN80R900P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf4679a7e646f Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R060P7XKSA1 IPP60R060P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015accdf20660227 Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.25 грн
50+165.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R120P7XKSA1 IPP60R120P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP60R120P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015acd0f0fdf074f Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.14 грн
50+121.42 грн
100+115.62 грн
500+91.32 грн
1000+83.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R280P7XKSA1 IPP60R280P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP60R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b10283a015b1f973023047b Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.01 грн
50+84.27 грн
100+78.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R060P7XKSA1 IPW60R060P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015acce82ba2022c Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
на замовлення 1542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+425.88 грн
30+212.34 грн
120+194.08 грн
510+156.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRPS5401MTRPBF IRPS5401MTRPBF Infineon Technologies Infineon-IRPS5401M-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cd69d402139db Description: POL - SUPIRBUCK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 56-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 6V ~ 14V
Applications: Power Management - Communications, Storage, Embedded Computing & High Density Multi-Rail Systems
Current - Supply: 40mA
Supplier Device Package: 56-QFN (7x7)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2007SPBF IRS2007SPBF Infineon Technologies Infineon-IRS2007(S,M)-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ae53e02c239bf&redirId=115114 Description: IC HALF BRIDGE DRVR 600MA 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Applications: Battery Powered
Current - Output / Channel: 600mA
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 200V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2007STRPBF IRS2007STRPBF Infineon Technologies Infineon-IRS2007(S,M)-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ae53e02c239bf&redirId=115114 Description: IC HALF BRIDGE DRVR 600MA 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Applications: Battery Powered
Current - Output / Channel: 600mA
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 200V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SLF9630VQFN8XUMA2 SLF9630VQFN8XUMA2 Infineon Technologies infineon-cipurse-sam-nda-free-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb34701862c51e0356b15 Description: TRANSPORT TICKETING
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: ISO7816
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Applications: Security
Core Processor: 16-Bit
Supplier Device Package: 8-VFQFPN (6x5)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SLJ52ACA150A1VQFN32XUMA2 Infineon Technologies Description: AUTHENTICATION
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4278GXUMA2 TLE4278GXUMA2 Infineon Technologies Description: IC REG LIN 5V 200MA PG-DSO-14-30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 200 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-DSO-14-30
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Reset, Watchdog
Grade: Automotive
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 12 mA
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLF35584QKVS2XUMA2 TLF35584QKVS2XUMA2 Infineon Technologies Infineon-TLF35584QV-ProductOverview-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ce150fc81cbf Description: IC REG AUTO APPL 1OUT LQFP64-18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-LQFP Exposed Pad
Voltage - Output: 3.3V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Voltage - Input: 3V ~ 40V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Power Supply, Automotive Applications
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-18
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLF35584QVVS2XUMA2 TLF35584QVVS2XUMA2 Infineon Technologies Infineon-TLF35584QV-ProductOverview-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ce150fc81cbf Description: IC REG AUTO APPL 1OUT VQFN-48-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Voltage - Output: 3.3V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Voltage - Input: 3V ~ 40V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Power Supply, Automotive Applications
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS202B1MBV50HTSA1 TLS202B1MBV50HTSA1 Infineon Technologies Infineon-TLS202B1MB%20V50-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625e37f35a015e4c2775090ca8 Description: IC REG LIN 5V 150MA PG-SCT595-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 75 µA
Voltage - Input (Max): 18V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SCT595-5
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 58dB (10kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.57V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
Current - Supply (Max): 200 µA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4300F100K256AAXUMA1 XMC4300F100K256AAXUMA1 Infineon Technologies Infineon-XMC4300-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac40152abc34fde16d8 Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 100LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 100-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 144MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M4
Data Converters: A/D 14x12b; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.13V ~ 3.63V
Connectivity: CANbus, Ethernet, I2C, LINbus, MMC/SD, SPI, UART/USART, USB OTG, USIC
Peripherals: DMA, I2S, LED, POR, Touch-Sense, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-100-25
Part Status: Active
Number of I/O: 75
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRB24427S AUIRB24427S Infineon Technologies AUIRB24427S_9-29-14.pdf Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS52GB Infineon Technologies Description: IC MOSFET POWER SWITCH TO220
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB3773PF-GT-BNDK5E1 Infineon Technologies MB3773_6-28-17.pdf Description: IC SUPERVISOR PWR SUP MONITOR
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB3773PF-GT-BND-K5ERE1 Infineon Technologies MB3773_6-28-17.pdf Description: IC POWER SUPPLY MONITOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12IS4F Infineon Technologies Description: IGBT MOD 1200V 600A 3700W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 3700 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 39 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1 IPN60R360P7SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf3d550b26150 Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
на замовлення 5427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.51 грн
10+56.61 грн
100+40.79 грн
500+29.86 грн
1000+27.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R600P7SATMA1 IPN60R600P7SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439eb6361b8 Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
на замовлення 2706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.75 грн
10+52.17 грн
100+34.95 грн
500+26.40 грн
1000+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN70R360P7S-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439d6ad61b3 Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.97 грн
10+44.57 грн
100+33.24 грн
500+23.77 грн
1000+23.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R600P7SATMA1 IPN70R600P7SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN70R600P7S-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf442fdaa61bc Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
на замовлення 3040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.46 грн
10+46.55 грн
100+31.05 грн
500+22.57 грн
1000+20.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R900P7SATMA1 IPN70R900P7SATMA1 Infineon Technologies infineon-ipn70r900p7s-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V
на замовлення 4804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.62 грн
10+38.40 грн
100+25.03 грн
500+18.06 грн
1000+16.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K4P7SATMA1 IPN70R1K4P7SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN70R1K4P7S-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439fc7261ba Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V
на замовлення 8649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+54.26 грн
10+34.91 грн
100+22.64 грн
500+16.25 грн
1000+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R900P7ATMA1 IPN80R900P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN80R900P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf4679a7e646f Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
на замовлення 5073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.75 грн
10+72.20 грн
100+48.50 грн
500+35.62 грн
1000+32.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c5daa1fa44d37 Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55249fca0f9c Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 13813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.93 грн
10+79.01 грн
100+55.44 грн
500+41.77 грн
1000+40.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1 IPD60R280P7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R280P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d54edbbd60f38 Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
на замовлення 6387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.95 грн
10+65.32 грн
100+46.73 грн
500+33.45 грн
1000+30.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1 IPD60R360P7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d550931ef0f70 Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
на замовлення 4458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.55 грн
10+57.48 грн
100+38.07 грн
500+26.72 грн
1000+24.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1 IPD60R600P7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d50d9fe4c403c Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
на замовлення 22032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.24 грн
10+44.73 грн
100+30.48 грн
500+21.39 грн
1000+19.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DF11MR12W1M1B11BOMA1 DF11MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies DF11MR12W1M1_B11.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 20mA
Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC110N15NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a04caaad551a Description: MOSFET N-CH 150V 76A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 75 V
на замовлення 34321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.92 грн
10+136.97 грн
100+106.68 грн
500+92.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIPS7221RTRL AUIPS7221RTRL Infineon Technologies auips7221r.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a80e761338 Description: IC PWR SWITCH N-CHANNEL 1:1 DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 30mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 60V
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TO252-5
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD110B102ELE6327XTMA1 ESD110B102ELE6327XTMA1 Infineon Technologies Infineon-ESD110-B1-02series-DS-v01_03-EN.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=5546d4624933b875014975fe5a030e75 Description: TVS DIODE 18.5VWM 29VC PGTSLP220
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: RF Antenna
Capacitance @ Frequency: 0.3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 18.5V (Max)
Supplier Device Package: PG-TSLP-2-20
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 20V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 29V
Power - Peak Pulse: 58W
Power Line Protection: No
на замовлення 88467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.66 грн
25+12.98 грн
100+10.05 грн
500+6.31 грн
1000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRS21811STR AUIRS21811STR Infineon Technologies auirs21811s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355bf609715b4 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 60ns, 35ns (Max)
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.83 грн
10+150.51 грн
25+137.85 грн
100+116.30 грн
250+110.07 грн
500+106.31 грн
1000+101.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7675M2TR AUIRF7675M2TR Infineon Technologies auirf7675m2.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad943b13f4 Description: MOSFET N-CH 150V 4.4A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric M2
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.01 грн
10+162.78 грн
100+124.69 грн
500+111.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRS21271STR AUIRS21271STR Infineon Technologies auirs2127s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355bf588015b1 Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 9V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.67 грн
10+168.24 грн
25+154.29 грн
100+130.40 грн
250+123.53 грн
500+119.39 грн
1000+114.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004WH6327XTSA1 BAS7004WH6327XTSA1 Infineon Technologies INFNS30154-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ARR SCHOTT 70V 70MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 100 ps
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT323
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 19476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.62 грн
39+8.31 грн
100+8.00 грн
500+5.55 грн
1000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IPT111N20NFDATMA1 IPT111N20NFDATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT111N20NFD-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537a8b4b786fc2 Description: MOSFET N-CH 200V 96A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 100 V
на замовлення 3878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+543.45 грн
10+372.19 грн
100+272.45 грн
500+248.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5012BE3005XUMA1 TLE5012BE3005XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE5012B_Exxxx-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304334fac4c601350f31c43c433f Description: SPEED SENSORS 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: SENT, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Technology: Magnetoresistive
For Measuring: Angle
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°, Continuous
Output Signal: Cosine, Sine
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 11717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.36 грн
5+209.17 грн
10+199.91 грн
25+177.22 грн
50+170.18 грн
100+163.70 грн
500+148.20 грн
1000+144.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QS02GXUMA1 ICE2QS02GXUMA1 Infineon Technologies Final_Datasheet_ICE2QS02G_V20_20080613_3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4182a3d24f8&fileId=db3a30431a5c32f2011abef4f7fd3bc8 Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ)
Frequency - Switching: 20kHz ~ 150kHz
Internal Switch(s): No
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 11V ~ 25V
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Voltage
Voltage - Start Up: 12 V
Part Status: Active
на замовлення 5823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.02 грн
10+67.85 грн
25+61.56 грн
100+51.21 грн
250+48.09 грн
500+46.20 грн
1000+43.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PVT212S-TPBF PVT212S-TPBF Infineon Technologies pvt212.pdf?fileId=5546d462533600a4015356841646295d Description: SSR RELAY SPST-NO 550MA 0-150V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 550 mA
Supplier Device Package: 6-SMT
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 150 V
On-State Resistance (Max): 750 mOhms
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Approval Agency: UL
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+655.27 грн
10+561.80 грн
25+536.53 грн
50+486.25 грн
100+469.56 грн
250+448.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412AS-TPBF PVT412AS-TPBF Infineon Technologies IRSDS10638-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SSR RELAY SPST-NO 240MA 0-400V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 240 mA
Supplier Device Package: 6-SMT
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 400 V
On-State Resistance (Max): 6 Ohms
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Approval Agency: UL
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+434.93 грн
10+373.06 грн
25+356.21 грн
50+322.85 грн
100+311.78 грн
250+297.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R033G7XTMA1 IPT65R033G7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT65R033G7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154190220f14f1f Description: MOSFET N-CH 650V 69A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 28.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.44mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB032N10N5ATMA1 Infineon-IPB032N10N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b5c47b25335ca
IPB032N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+114.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 Infineon-IPB048N15N5LF-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b573da84a026c
IPB048N15N5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 255µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 75 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+320.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N15N5LFATMA1 Infineon-IPB083N15N5LF-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b57cf380303f5
IPB083N15N5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 134µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 Infineon-IPD60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55249fca0f9c
IPD60R180P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+40.02 грн
5000+35.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 Infineon-IPD60R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c5daa1fa44d37
IPD60R280P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1 Infineon-IPD60R280P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d54edbbd60f38
IPD60R280P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.37 грн
5000+27.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1 Infineon-IPD60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d550931ef0f70
IPD60R360P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1 Infineon-IPD60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d50d9fe4c403c
IPD60R600P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.26 грн
5000+16.57 грн
7500+16.17 грн
12500+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1 Infineon-IPN60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf3d550b26150
IPN60R360P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R600P7SATMA1 Infineon-IPN60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439eb6361b8
IPN60R600P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K4P7SATMA1 Infineon-IPN70R1K4P7S-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439fc7261ba
IPN70R1K4P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.94 грн
6000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1 Infineon-IPN70R360P7S-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439d6ad61b3
IPN70R360P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+24.04 грн
6000+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R600P7SATMA1 Infineon-IPN70R600P7S-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf442fdaa61bc
IPN70R600P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R900P7SATMA1 infineon-ipn70r900p7s-ds-en.pdf
IPN70R900P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R900P7ATMA1 Infineon-IPN80R900P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf4679a7e646f
IPN80R900P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+31.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R060P7XKSA1 Infineon-IPP60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015accdf20660227
IPP60R060P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+276.25 грн
50+165.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R120P7XKSA1 Infineon-IPP60R120P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015acd0f0fdf074f
IPP60R120P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.14 грн
50+121.42 грн
100+115.62 грн
500+91.32 грн
1000+83.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R280P7XKSA1 Infineon-IPP60R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b10283a015b1f973023047b
IPP60R280P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.01 грн
50+84.27 грн
100+78.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R060P7XKSA1 Infineon-IPW60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015acce82ba2022c
IPW60R060P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
на замовлення 1542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+425.88 грн
30+212.34 грн
120+194.08 грн
510+156.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRPS5401MTRPBF Infineon-IRPS5401M-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cd69d402139db
IRPS5401MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: POL - SUPIRBUCK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 56-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 6V ~ 14V
Applications: Power Management - Communications, Storage, Embedded Computing & High Density Multi-Rail Systems
Current - Supply: 40mA
Supplier Device Package: 56-QFN (7x7)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2007SPBF Infineon-IRS2007(S,M)-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ae53e02c239bf&redirId=115114
IRS2007SPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC HALF BRIDGE DRVR 600MA 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Applications: Battery Powered
Current - Output / Channel: 600mA
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 200V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2007STRPBF Infineon-IRS2007(S,M)-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ae53e02c239bf&redirId=115114
IRS2007STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC HALF BRIDGE DRVR 600MA 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Applications: Battery Powered
Current - Output / Channel: 600mA
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 200V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SLF9630VQFN8XUMA2 infineon-cipurse-sam-nda-free-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb34701862c51e0356b15
SLF9630VQFN8XUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANSPORT TICKETING
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: ISO7816
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Applications: Security
Core Processor: 16-Bit
Supplier Device Package: 8-VFQFPN (6x5)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SLJ52ACA150A1VQFN32XUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: AUTHENTICATION
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4278GXUMA2
TLE4278GXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN 5V 200MA PG-DSO-14-30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 200 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-DSO-14-30
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Reset, Watchdog
Grade: Automotive
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 12 mA
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLF35584QKVS2XUMA2 Infineon-TLF35584QV-ProductOverview-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ce150fc81cbf
TLF35584QKVS2XUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG AUTO APPL 1OUT LQFP64-18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-LQFP Exposed Pad
Voltage - Output: 3.3V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Voltage - Input: 3V ~ 40V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Power Supply, Automotive Applications
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-18
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLF35584QVVS2XUMA2 Infineon-TLF35584QV-ProductOverview-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ce150fc81cbf
TLF35584QVVS2XUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG AUTO APPL 1OUT VQFN-48-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Voltage - Output: 3.3V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Voltage - Input: 3V ~ 40V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Power Supply, Automotive Applications
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS202B1MBV50HTSA1 Infineon-TLS202B1MB%20V50-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625e37f35a015e4c2775090ca8
TLS202B1MBV50HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN 5V 150MA PG-SCT595-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 75 µA
Voltage - Input (Max): 18V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SCT595-5
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 58dB (10kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.57V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
Current - Supply (Max): 200 µA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+32.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4300F100K256AAXUMA1 Infineon-XMC4300-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac40152abc34fde16d8
XMC4300F100K256AAXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 100LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 100-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 144MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M4
Data Converters: A/D 14x12b; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.13V ~ 3.63V
Connectivity: CANbus, Ethernet, I2C, LINbus, MMC/SD, SPI, UART/USART, USB OTG, USIC
Peripherals: DMA, I2S, LED, POR, Touch-Sense, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-100-25
Part Status: Active
Number of I/O: 75
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRB24427S AUIRB24427S_9-29-14.pdf
AUIRB24427S
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS52GB
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MOSFET POWER SWITCH TO220
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB3773PF-GT-BNDK5E1 MB3773_6-28-17.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SUPERVISOR PWR SUP MONITOR
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB3773PF-GT-BND-K5ERE1 MB3773_6-28-17.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC POWER SUPPLY MONITOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12IS4F
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 600A 3700W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 3700 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 39 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1 Infineon-IPN60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf3d550b26150
IPN60R360P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
на замовлення 5427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.51 грн
10+56.61 грн
100+40.79 грн
500+29.86 грн
1000+27.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R600P7SATMA1 Infineon-IPN60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439eb6361b8
IPN60R600P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
на замовлення 2706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.75 грн
10+52.17 грн
100+34.95 грн
500+26.40 грн
1000+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1 Infineon-IPN70R360P7S-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439d6ad61b3
IPN70R360P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.97 грн
10+44.57 грн
100+33.24 грн
500+23.77 грн
1000+23.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R600P7SATMA1 Infineon-IPN70R600P7S-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf442fdaa61bc
IPN70R600P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
на замовлення 3040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.46 грн
10+46.55 грн
100+31.05 грн
500+22.57 грн
1000+20.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R900P7SATMA1 infineon-ipn70r900p7s-ds-en.pdf
IPN70R900P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V
на замовлення 4804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.62 грн
10+38.40 грн
100+25.03 грн
500+18.06 грн
1000+16.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K4P7SATMA1 Infineon-IPN70R1K4P7S-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439fc7261ba
IPN70R1K4P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V
на замовлення 8649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.26 грн
10+34.91 грн
100+22.64 грн
500+16.25 грн
1000+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R900P7ATMA1 Infineon-IPN80R900P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf4679a7e646f
IPN80R900P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
на замовлення 5073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.75 грн
10+72.20 грн
100+48.50 грн
500+35.62 грн
1000+32.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 Infineon-IPD60R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c5daa1fa44d37
IPD60R280P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 Infineon-IPD60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55249fca0f9c
IPD60R180P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 13813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.93 грн
10+79.01 грн
100+55.44 грн
500+41.77 грн
1000+40.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1 Infineon-IPD60R280P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d54edbbd60f38
IPD60R280P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
на замовлення 6387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.95 грн
10+65.32 грн
100+46.73 грн
500+33.45 грн
1000+30.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1 Infineon-IPD60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d550931ef0f70
IPD60R360P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
на замовлення 4458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.55 грн
10+57.48 грн
100+38.07 грн
500+26.72 грн
1000+24.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1 Infineon-IPD60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d50d9fe4c403c
IPD60R600P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
на замовлення 22032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.24 грн
10+44.73 грн
100+30.48 грн
500+21.39 грн
1000+19.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DF11MR12W1M1B11BOMA1 DF11MR12W1M1_B11.pdf
DF11MR12W1M1B11BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 20mA
Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 Infineon-BSC110N15NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a04caaad551a
BSC110N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 76A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 75 V
на замовлення 34321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.92 грн
10+136.97 грн
100+106.68 грн
500+92.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIPS7221RTRL auips7221r.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a80e761338
AUIPS7221RTRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHANNEL 1:1 DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 30mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 60V
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TO252-5
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD110B102ELE6327XTMA1 Infineon-ESD110-B1-02series-DS-v01_03-EN.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=5546d4624933b875014975fe5a030e75
ESD110B102ELE6327XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 18.5VWM 29VC PGTSLP220
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: RF Antenna
Capacitance @ Frequency: 0.3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 18.5V (Max)
Supplier Device Package: PG-TSLP-2-20
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 20V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 29V
Power - Peak Pulse: 58W
Power Line Protection: No
на замовлення 88467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.66 грн
25+12.98 грн
100+10.05 грн
500+6.31 грн
1000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRS21811STR auirs21811s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355bf609715b4
AUIRS21811STR
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 60ns, 35ns (Max)
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.83 грн
10+150.51 грн
25+137.85 грн
100+116.30 грн
250+110.07 грн
500+106.31 грн
1000+101.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7675M2TR auirf7675m2.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad943b13f4
AUIRF7675M2TR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 4.4A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric M2
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.01 грн
10+162.78 грн
100+124.69 грн
500+111.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRS21271STR auirs2127s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355bf588015b1
AUIRS21271STR
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 9V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.67 грн
10+168.24 грн
25+154.29 грн
100+130.40 грн
250+123.53 грн
500+119.39 грн
1000+114.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004WH6327XTSA1 INFNS30154-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAS7004WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARR SCHOTT 70V 70MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 100 ps
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT323
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 19476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.62 грн
39+8.31 грн
100+8.00 грн
500+5.55 грн
1000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IPT111N20NFDATMA1 Infineon-IPT111N20NFD-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537a8b4b786fc2
IPT111N20NFDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 96A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 100 V
на замовлення 3878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+543.45 грн
10+372.19 грн
100+272.45 грн
500+248.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5012BE3005XUMA1 Infineon-TLE5012B_Exxxx-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304334fac4c601350f31c43c433f
TLE5012BE3005XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPEED SENSORS 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: SENT, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Technology: Magnetoresistive
For Measuring: Angle
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°, Continuous
Output Signal: Cosine, Sine
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 11717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+243.36 грн
5+209.17 грн
10+199.91 грн
25+177.22 грн
50+170.18 грн
100+163.70 грн
500+148.20 грн
1000+144.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QS02GXUMA1 Final_Datasheet_ICE2QS02G_V20_20080613_3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4182a3d24f8&fileId=db3a30431a5c32f2011abef4f7fd3bc8
ICE2QS02GXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ)
Frequency - Switching: 20kHz ~ 150kHz
Internal Switch(s): No
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 11V ~ 25V
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Voltage
Voltage - Start Up: 12 V
Part Status: Active
на замовлення 5823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.02 грн
10+67.85 грн
25+61.56 грн
100+51.21 грн
250+48.09 грн
500+46.20 грн
1000+43.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PVT212S-TPBF pvt212.pdf?fileId=5546d462533600a4015356841646295d
PVT212S-TPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: SSR RELAY SPST-NO 550MA 0-150V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 550 mA
Supplier Device Package: 6-SMT
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 150 V
On-State Resistance (Max): 750 mOhms
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Approval Agency: UL
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+655.27 грн
10+561.80 грн
25+536.53 грн
50+486.25 грн
100+469.56 грн
250+448.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412AS-TPBF IRSDS10638-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
PVT412AS-TPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: SSR RELAY SPST-NO 240MA 0-400V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 240 mA
Supplier Device Package: 6-SMT
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 400 V
On-State Resistance (Max): 6 Ohms
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Approval Agency: UL
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+434.93 грн
10+373.06 грн
25+356.21 грн
50+322.85 грн
100+311.78 грн
250+297.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R033G7XTMA1 Infineon-IPT65R033G7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154190220f14f1f
IPT65R033G7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 69A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 28.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.44mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 298 299 300 301 302 303 304 305 306 307 308 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2495  [ Наступна Сторінка >> ]