Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (124868) > Сторінка 312 з 2082

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 208 307 308 309 310 311 312 313 314 315 316 317 416 624 832 1040 1248 1456 1664 1872 2080 2082  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BGA123L4E6327XTSA1 BGA123L4E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BGA%20123L4-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625fe36784015ffd006b653a7c Description: IC AMP BEIDOU GALI 1.55-1.615GHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.55GHz ~ 1.615GHz
RF Type: Beidou, Galileo, GLONASS, GPS
Voltage - Supply: 1.1V ~ 3.6V
Gain: 18.4dB
Current - Supply: 1.1mA
Noise Figure: 0.75dB
Test Frequency: 1.55GHz ~ 1.615GHz
Part Status: Active
на замовлення 24138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.69 грн
10+41.73 грн
25+37.51 грн
100+30.20 грн
250+27.46 грн
500+25.66 грн
1000+23.68 грн
5000+20.74 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGA8V1BN6E6327XTSA1 BGA8V1BN6E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BGA8V1BN6-DS-v03_03-EN.pdf?fileId=5546d462617643590161b39f384935a5 Description: IC RF AMP 3.4GHZ-3.8GHZ TSNP6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.4GHz ~ 3.8GHz
Voltage - Supply: 1.6V ~ 3.1V
Current - Supply: 4.2mA
Noise Figure: 1.2dB ~ 5.3dB
P1dB: -3dBm
Test Frequency: 3.4GHz ~ 3.8GHz
Supplier Device Package: PG-TSNP-6-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSTATMA1 BSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc010n04lst-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 39A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9520 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSTATMA1 BSC011N03LSTATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC011N03LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801605467a7822cad Description: MOSFET N-CH 30V 39A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 15 V
на замовлення 4598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.59 грн
10+124.52 грн
100+86.08 грн
500+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC014N04LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e5cba2cb8 Description: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V
на замовлення 7804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.21 грн
10+98.27 грн
100+66.96 грн
500+50.26 грн
1000+49.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 BSC014N06NSTATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC014N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e79762cbe Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8125 pF @ 30 V
на замовлення 4241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.84 грн
10+115.02 грн
100+78.75 грн
500+59.34 грн
1000+55.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC016N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801605455cb0b2c6e Description: MOSFET N-CH 60V 31A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
на замовлення 13615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.85 грн
10+110.16 грн
100+75.27 грн
500+56.60 грн
1000+52.09 грн
2000+52.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N06NSATMA1 BSC019N06NSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC019N06NS-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546789c12ca7 Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 74µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 30 V
на замовлення 15357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.87 грн
10+63.42 грн
25+57.44 грн
100+47.74 грн
250+44.79 грн
500+43.02 грн
1000+42.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSTATMA1 BSC028N06NSTATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC028N06NST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e6c1d2cbb Description: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
на замовлення 7310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.15 грн
10+125.49 грн
100+86.65 грн
500+67.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSTATMA1 BSC097N06NSTATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC097N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e889d2cc1 Description: MOSFET N-CH 60V 13A/48A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD245B1W0201E6327XTSA1 ESD245B1W0201E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-ESD245-B1-W0201-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf395340a60ec Description: TVS DIODE 5.5VWM 7.5VC WLL-2-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 5.8pF @ 1GHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V
Supplier Device Package: WLL-2-3
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 7.5V
Power - Peak Pulse: 44W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 39385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.98 грн
38+8.08 грн
100+4.96 грн
500+3.38 грн
1000+2.96 грн
2000+2.61 грн
5000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICL5102XUMA1 ICL5102XUMA1 Infineon Technologies ICL5102.pdf Description: IC LED DRIVER OFFL NO 16DSO
Voltage - Supply (Max): 18V
Voltage - Supply (Min): 8.5V
Dimming: No
Supplier Device Package: PG-DSO-16-23
Topology: Half-Bridge
Internal Switch(s): No
Applications: LED Lighting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Type: AC DC Offline Switcher
Frequency: 1.3MHz
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMC102TF064XUMA1 IMC102TF064XUMA1 Infineon Technologies Infineon-IMC100-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46265487f7b016584a0147e7660 Description: IC MOTOR DRIVER 3V-5.5V 64LQFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller
Current - Output: 50mA
Interface: Analog, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Applications: Home Appliance
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-26
Motor Type - AC, DC: AC, Synchronous
Part Status: Active
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+562.28 грн
10+368.55 грн
100+270.45 грн
500+252.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R080G7XTMA1 IPT60R080G7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT60R080G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a13e8059d0e2c Description: MOSFET N-CH 600V 29A 8HSOF
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 9.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 5341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+497.05 грн
10+323.15 грн
100+234.93 грн
500+189.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DW2B6A0HTSA1 TLE493DW2B6A0HTSA1 Infineon Technologies TLE493D-W2B6_v1.2_4-9-19.pdf Description: SEN HALL EFFECT I2C PG-TSOP6-6-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Programmable
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: I2C
Mounting Type: Surface Mount
Axis: X, Y, Z
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Resolution: 12 b
Sensing Range: ±160mT ~ ±230mT
Current - Supply (Max): 0.13µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 11634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.61 грн
5+96.03 грн
10+91.46 грн
25+80.63 грн
50+77.10 грн
100+73.87 грн
500+66.27 грн
1000+63.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DW2B6A1HTSA1 TLE493DW2B6A1HTSA1 Infineon Technologies TLE493D-W2B6_v1.2_4-9-19.pdf Description: SEN HALL EFFECT I2C PG-TSOP6-6-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Programmable
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: I2C
Mounting Type: Surface Mount
Axis: X, Y, Z
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Resolution: 12 b
Sensing Range: ±160mT ~ ±230mT
Current - Supply (Max): 0.13µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6-8
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.61 грн
5+96.03 грн
10+91.46 грн
25+80.63 грн
50+77.10 грн
100+73.87 грн
500+66.27 грн
1000+63.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DW2B6A2HTSA1 TLE493DW2B6A2HTSA1 Infineon Technologies TLE493D-W2B6_v1.2_4-9-19.pdf Description: SEN HALL EFFECT I2C PG-TSOP6-6-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Programmable
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: I2C
Mounting Type: Surface Mount
Axis: X, Y, Z
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Resolution: 12 b
Sensing Range: ±160mT ~ ±230mT
Current - Supply (Max): 0.13µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.61 грн
5+96.03 грн
10+91.46 грн
25+80.63 грн
50+77.10 грн
100+73.87 грн
500+66.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DW2B6A3HTSA1 TLE493DW2B6A3HTSA1 Infineon Technologies TLE493D-W2B6_v1.2_4-9-19.pdf Description: SEN HALL EFFECT I2C PG-TSOP6-6-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Programmable
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: I2C
Mounting Type: Surface Mount
Axis: X, Y, Z
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Resolution: 12 b
Sensing Range: ±160mT ~ ±230mT
Current - Supply (Max): 0.13µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.39 грн
5+96.92 грн
10+92.29 грн
25+81.39 грн
50+77.83 грн
100+74.57 грн
500+66.91 грн
1000+64.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLS202B1MBV50HTSA1 TLS202B1MBV50HTSA1 Infineon Technologies Infineon-TLS202B1MB%20V50-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625e37f35a015e4c2775090ca8 Description: IC REG LIN 5V 150MA PG-SCT595-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 75 µA
Voltage - Input (Max): 18V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SCT595-5
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 58dB (10kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.57V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
Current - Supply (Max): 200 µA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.00 грн
10+50.41 грн
25+45.53 грн
100+37.68 грн
250+35.26 грн
500+33.81 грн
1000+32.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLS805D1LDV50XUMA1 TLS805D1LDV50XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLS805D1LDV50-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969ed79984250 Description: IC REG LINEAR 5V 50MA PG-TSON-10
Qualification: AEC-Q100
Current - Supply (Max): 16 µA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.3V @ 50mA
PSRR: 55dB (100Hz)
Grade: Automotive
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Supplier Device Package: PG-TSON-10
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 42V
Current - Quiescent (Iq): 11.5 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Output: 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 10-TFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIR3241STR AUIR3241STR Infineon Technologies Infineon-AUIR3241STR-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebed858a5b82 Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 350mA, 350mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 1
Driven Configuration: High-Side
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
DigiKey Programmable: Not Verified
Channel Type: Single
Rise / Fall Time (Typ): 6µs, 6µs
Supplier Device Package: PG-DSO-8-903
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 3V ~ 36V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.96 грн
10+130.05 грн
25+118.85 грн
100+100.03 грн
250+94.54 грн
500+92.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGA5H1BN6E6327XTSA1 BGA5H1BN6E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BGA5H1BN6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d462617643590161b39f4c0935a8 Description: IC RF AMP LTE 2.3GHZ-2.69GHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.3GHz ~ 2.69GHz
RF Type: LTE
Voltage - Supply: 1.5V ~ 3.6V
Gain: 18.1dB
Current - Supply: 8.5mA
Noise Figure: 0.7dB
P1dB: -17dBm
Test Frequency: 2.5GHz
на замовлення 4040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.83 грн
10+31.93 грн
25+30.09 грн
100+25.84 грн
250+24.40 грн
500+23.38 грн
1000+22.05 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT200N08S5N023ATMA1 IAUT200N08S5N023ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUT200N08S5N023-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a01611d61e9ce2ab6 Description: MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+102.11 грн
4000+95.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT240N08S5N019ATMA1 IAUT240N08S5N019ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUT240N08S5N019-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625debb399015e0506723e791a Description: MOSFET N-CH 80V 240A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9264 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+336.28 грн
10+214.26 грн
100+151.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9104SHXUMA1 TLE9104SHXUMA1 Infineon Technologies TLE9104SH_Rev1.31_9-30-20.pdf Description: IC POWERTRAIN SWITCH DSO20-88
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 4
Interface: SPI
Type: Powertrain Switch
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 150mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V ~ 60V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-20-88
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Reverse Battery, Short Circuit
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+327.74 грн
10+239.17 грн
25+220.26 грн
100+187.16 грн
250+177.84 грн
500+172.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLS850B0TBV50ATMA1 TLS850B0TBV50ATMA1 Infineon Technologies Infineon-TLS850B0TB V50-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4625fe3678401600cf1035c6d43 Description: IC REG LIN 5V 500MA PG-TO263-5-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-6, D2PAK (5 Leads + Tab), TO-263BA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 25 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO263-5-1
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
Grade: Automotive
Part Status: Active
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 33 µA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.67 грн
10+107.39 грн
25+98.00 грн
100+82.26 грн
250+77.64 грн
500+74.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT200N08S5N023ATMA1 IAUT200N08S5N023ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUT200N08S5N023-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a01611d61e9ce2ab6 Description: MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+306.77 грн
10+194.75 грн
100+137.32 грн
500+109.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT165N08S5N029ATMA2 IAUT165N08S5N029ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IAUT165N08S5N029-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fda2c4bd0569 Description: MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.19 грн
10+155.48 грн
100+108.86 грн
500+90.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUT300N10S5N015-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2469d7203245 Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+426.37 грн
10+274.24 грн
100+197.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT260N10S5N019ATMA1 IAUT260N10S5N019ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUT260N10S5N019-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2460488e3241 Description: MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
FET Type: N-Channel
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+378.22 грн
10+242.53 грн
100+173.26 грн
500+145.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT150N10S5N035ATMA1 IAUT150N10S5N035ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUT150N10S5N035-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f246034af323f Description: MOSFET N-CH 100V 150A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6110 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.29 грн
10+161.39 грн
100+113.15 грн
500+94.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF800R17KF6CB2NOSA2 Infineon Technologies Description: IGBT MODULE A-IHM130-1
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49452WAFERX6SA1 Infineon Technologies Description: MAGNETIC FIELD SWITCH
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4945CHIPX1SA1 Infineon Technologies Description: MAGNETIC FIELD SWITCH
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUXMIGP4063D Infineon Technologies Description: IGBT 600V TO-247 COPAK
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB2198-503-E Infineon Technologies Description: TOOL KIT
Part Status: Obsolete
Supplied Contents: Board(s)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB2198-508-E Infineon Technologies MB2198-508-E__OpManual_9-17-08.pdf Description: TOOL KIT
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Supplied Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRG4PH50S-205 Infineon Technologies Description: IGBT 1200V 141A TO-247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 33A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: -/616ns
Switching Energy: 16mJ (off)
Test Condition: 600V, 33A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 227 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 141 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 99 A
Power - Max: 543 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUXKNG4PH50S-215 Infineon Technologies Description: IGBT 1200V TO247-3
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1 Infineon Technologies Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 83 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns
Switching Energy: 420µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1 IKB40N65EH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKB40N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f0162a9221b17693f Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 78 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/157ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1 Infineon Technologies Description: IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+117.02 грн
2000+105.73 грн
3000+104.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB50N65S5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec81bbc6f2fec Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.63 грн
10+157.80 грн
100+109.99 грн
500+84.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/173ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.63 грн
10+158.17 грн
100+110.26 грн
500+84.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1 Infineon Technologies Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 83 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns
Switching Energy: 420µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+401.52 грн
10+256.52 грн
100+182.49 грн
500+141.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1 IKB40N65EH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKB40N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f0162a9221b17693f Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 78 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/157ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.81 грн
10+176.65 грн
100+124.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1 Infineon Technologies Description: IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 3046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+326.19 грн
10+207.23 грн
100+146.78 грн
500+120.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N06LS5ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC027N06LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101596e1c881234d6 Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V
на замовлення 47012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.54 грн
10+145.98 грн
100+100.57 грн
500+76.12 грн
1000+70.26 грн
2000+65.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7511BXUSA1 1EDN7511BXUSA1 Infineon Technologies Infineon-1EDN751x_1EDN851x_Rev%202.0-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462576f34750157e176df0b3ca7 Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
Supplier Device Package: PG-SOT23-6-2
Input Type: Inverting, Non-Inverting
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 1.9V
Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET
Number of Drivers: 1
Driven Configuration: Low-Side
Channel Type: Single
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
на замовлення 24069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.26 грн
10+34.78 грн
25+31.26 грн
100+25.67 грн
250+23.91 грн
500+22.85 грн
1000+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN8511BXUSA1 1EDN8511BXUSA1 Infineon Technologies Infineon-1EDN751x_1EDN851x_Rev+2.0-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f34750157e176df0b3ca7 Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 8V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V
Supplier Device Package: PG-SOT23-6-2
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 14340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.60 грн
10+32.01 грн
25+28.69 грн
100+23.53 грн
250+21.91 грн
500+20.94 грн
1000+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7524GXTMA1 2EDN7524GXTMA1 Infineon Technologies infineon-2edn752x-2edn852x-ds--datasheet-en.pdf Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-WSON-8-1
Rise / Fall Time (Typ): 5.3ns, 4.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 6622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.42 грн
10+64.62 грн
25+58.39 грн
100+48.41 грн
250+45.36 грн
500+43.53 грн
1000+41.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2007STRPBF IRS2007STRPBF Infineon Technologies Infineon-IRS2007(S,M)-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ae53e02c239bf&redirId=115114 Description: IC HALF BRIDGE DRVR 600MA 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Applications: Battery Powered
Current - Output / Channel: 600mA
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 200V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.69 грн
10+39.04 грн
25+35.12 грн
100+28.93 грн
250+27.02 грн
500+25.86 грн
1000+24.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4300F100K256AAXUMA1 XMC4300F100K256AAXUMA1 Infineon Technologies Infineon-XMC4300-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac40152abc34fde16d8 Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 100LQFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 100-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 144MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M4
Data Converters: A/D 14x12b; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.13V ~ 3.63V
Connectivity: CANbus, Ethernet, I2C, LINbus, MMC/SD, SPI, UART/USART, USB OTG, USIC
Peripherals: DMA, I2S, LED, POR, Touch-Sense, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-100-25
Part Status: Active
Number of I/O: 75
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1502.01 грн
10+1155.31 грн
50+1038.75 грн
100+940.94 грн
500+909.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DPS422XTSA1 DPS422XTSA1 Infineon Technologies Description: SENSOR 17.4PSIG 24BIT
Features: Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WLGA
Output Type: I2C, SPI
Mounting Type: Surface Mount
Output: 24 b
Operating Pressure: 4.35PSI ~ 17.4PSI (30kPa ~ 120kPa)
Pressure Type: Vented Gauge
Accuracy: ±0.4°C
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
Applications: Board Mount
Maximum Pressure: 145PSI (999.74kPa)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC95R450P7X7SA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH BARE DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3570AMGB01TRP IR3570AMGB01TRP Infineon Technologies IR3564A_70A_PB_v3.04_10-1-13.pdf Description: IC REG CTRLR INTEL 2OUT 40VQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3570AMGB02TRP IR3570AMGB02TRP Infineon Technologies IR3564A_70A_PB_v3.04_10-1-13.pdf Description: IC REG CTRLR INTEL 2OUT 40VQFN
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-VQFN-40-901
Applications: Controller, Intel VR12, VR12.5, AMD SVI1, SVI2
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Input: 3.3V
Number of Outputs: 2
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3570AMGB04TRP IR3570AMGB04TRP Infineon Technologies IR3564A_70A_PB_v3.04_10-1-13.pdf Description: IC REG CTRLR INTEL 2OUT 40VQFN
Supplier Device Package: PG-VQFN-40-901
Applications: Controller, Intel VR12, VR12.5, AMD SVI1, SVI2
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Input: 3.3V
Number of Outputs: 2
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3570AMGB06TRP Infineon Technologies IR3564A_70A_PB_v3.04_10-1-13.pdf Description: IC REG CTRLR INTEL 2OUT 40VQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3570AMGB10TRP IR3570AMGB10TRP Infineon Technologies IR3564A_70A_PB_v3.04_10-1-13.pdf Description: IC REG CTRLR INTEL 2OUT 40VQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA123L4E6327XTSA1 Infineon-BGA%20123L4-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625fe36784015ffd006b653a7c
BGA123L4E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP BEIDOU GALI 1.55-1.615GHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.55GHz ~ 1.615GHz
RF Type: Beidou, Galileo, GLONASS, GPS
Voltage - Supply: 1.1V ~ 3.6V
Gain: 18.4dB
Current - Supply: 1.1mA
Noise Figure: 0.75dB
Test Frequency: 1.55GHz ~ 1.615GHz
Part Status: Active
на замовлення 24138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.69 грн
10+41.73 грн
25+37.51 грн
100+30.20 грн
250+27.46 грн
500+25.66 грн
1000+23.68 грн
5000+20.74 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGA8V1BN6E6327XTSA1 Infineon-BGA8V1BN6-DS-v03_03-EN.pdf?fileId=5546d462617643590161b39f384935a5
BGA8V1BN6E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF AMP 3.4GHZ-3.8GHZ TSNP6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.4GHz ~ 3.8GHz
Voltage - Supply: 1.6V ~ 3.1V
Current - Supply: 4.2mA
Noise Figure: 1.2dB ~ 5.3dB
P1dB: -3dBm
Test Frequency: 3.4GHz ~ 3.8GHz
Supplier Device Package: PG-TSNP-6-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSTATMA1 infineon-bsc010n04lst-datasheet-en.pdf
BSC010N04LSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 39A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9520 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSTATMA1 Infineon-BSC011N03LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801605467a7822cad
BSC011N03LSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 39A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 15 V
на замовлення 4598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+199.59 грн
10+124.52 грн
100+86.08 грн
500+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1 Infineon-BSC014N04LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e5cba2cb8
BSC014N04LSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V
на замовлення 7804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+159.21 грн
10+98.27 грн
100+66.96 грн
500+50.26 грн
1000+49.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 Infineon-BSC014N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e79762cbe
BSC014N06NSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8125 pF @ 30 V
на замовлення 4241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+184.84 грн
10+115.02 грн
100+78.75 грн
500+59.34 грн
1000+55.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1 Infineon-BSC016N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801605455cb0b2c6e
BSC016N06NSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 31A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
на замовлення 13615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+177.85 грн
10+110.16 грн
100+75.27 грн
500+56.60 грн
1000+52.09 грн
2000+52.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N06NSATMA1 Infineon-BSC019N06NS-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546789c12ca7
BSC019N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 74µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 30 V
на замовлення 15357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+90.87 грн
10+63.42 грн
25+57.44 грн
100+47.74 грн
250+44.79 грн
500+43.02 грн
1000+42.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSTATMA1 Infineon-BSC028N06NST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e6c1d2cbb
BSC028N06NSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
на замовлення 7310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+201.15 грн
10+125.49 грн
100+86.65 грн
500+67.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSTATMA1 Infineon-BSC097N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e889d2cc1
BSC097N06NSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 13A/48A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD245B1W0201E6327XTSA1 Infineon-ESD245-B1-W0201-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf395340a60ec
ESD245B1W0201E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 5.5VWM 7.5VC WLL-2-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 5.8pF @ 1GHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V
Supplier Device Package: WLL-2-3
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 7.5V
Power - Peak Pulse: 44W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 39385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+13.98 грн
38+8.08 грн
100+4.96 грн
500+3.38 грн
1000+2.96 грн
2000+2.61 грн
5000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICL5102XUMA1 ICL5102.pdf
ICL5102XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC LED DRIVER OFFL NO 16DSO
Voltage - Supply (Max): 18V
Voltage - Supply (Min): 8.5V
Dimming: No
Supplier Device Package: PG-DSO-16-23
Topology: Half-Bridge
Internal Switch(s): No
Applications: LED Lighting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Type: AC DC Offline Switcher
Frequency: 1.3MHz
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMC102TF064XUMA1 Infineon-IMC100-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46265487f7b016584a0147e7660
IMC102TF064XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MOTOR DRIVER 3V-5.5V 64LQFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller
Current - Output: 50mA
Interface: Analog, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Applications: Home Appliance
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-26
Motor Type - AC, DC: AC, Synchronous
Part Status: Active
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+562.28 грн
10+368.55 грн
100+270.45 грн
500+252.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R080G7XTMA1 Infineon-IPT60R080G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a13e8059d0e2c
IPT60R080G7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 29A 8HSOF
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 9.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 5341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+497.05 грн
10+323.15 грн
100+234.93 грн
500+189.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DW2B6A0HTSA1 TLE493D-W2B6_v1.2_4-9-19.pdf
TLE493DW2B6A0HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SEN HALL EFFECT I2C PG-TSOP6-6-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Programmable
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: I2C
Mounting Type: Surface Mount
Axis: X, Y, Z
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Resolution: 12 b
Sensing Range: ±160mT ~ ±230mT
Current - Supply (Max): 0.13µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 11634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+112.61 грн
5+96.03 грн
10+91.46 грн
25+80.63 грн
50+77.10 грн
100+73.87 грн
500+66.27 грн
1000+63.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DW2B6A1HTSA1 TLE493D-W2B6_v1.2_4-9-19.pdf
TLE493DW2B6A1HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SEN HALL EFFECT I2C PG-TSOP6-6-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Programmable
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: I2C
Mounting Type: Surface Mount
Axis: X, Y, Z
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Resolution: 12 b
Sensing Range: ±160mT ~ ±230mT
Current - Supply (Max): 0.13µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6-8
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+112.61 грн
5+96.03 грн
10+91.46 грн
25+80.63 грн
50+77.10 грн
100+73.87 грн
500+66.27 грн
1000+63.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DW2B6A2HTSA1 TLE493D-W2B6_v1.2_4-9-19.pdf
TLE493DW2B6A2HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SEN HALL EFFECT I2C PG-TSOP6-6-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Programmable
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: I2C
Mounting Type: Surface Mount
Axis: X, Y, Z
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Resolution: 12 b
Sensing Range: ±160mT ~ ±230mT
Current - Supply (Max): 0.13µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+112.61 грн
5+96.03 грн
10+91.46 грн
25+80.63 грн
50+77.10 грн
100+73.87 грн
500+66.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DW2B6A3HTSA1 TLE493D-W2B6_v1.2_4-9-19.pdf
TLE493DW2B6A3HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SEN HALL EFFECT I2C PG-TSOP6-6-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Programmable
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: I2C
Mounting Type: Surface Mount
Axis: X, Y, Z
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Resolution: 12 b
Sensing Range: ±160mT ~ ±230mT
Current - Supply (Max): 0.13µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+113.39 грн
5+96.92 грн
10+92.29 грн
25+81.39 грн
50+77.83 грн
100+74.57 грн
500+66.91 грн
1000+64.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLS202B1MBV50HTSA1 Infineon-TLS202B1MB%20V50-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625e37f35a015e4c2775090ca8
TLS202B1MBV50HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN 5V 150MA PG-SCT595-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 75 µA
Voltage - Input (Max): 18V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SCT595-5
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 58dB (10kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.57V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
Current - Supply (Max): 200 µA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+73.00 грн
10+50.41 грн
25+45.53 грн
100+37.68 грн
250+35.26 грн
500+33.81 грн
1000+32.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLS805D1LDV50XUMA1 Infineon-TLS805D1LDV50-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969ed79984250
TLS805D1LDV50XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR 5V 50MA PG-TSON-10
Qualification: AEC-Q100
Current - Supply (Max): 16 µA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.3V @ 50mA
PSRR: 55dB (100Hz)
Grade: Automotive
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Supplier Device Package: PG-TSON-10
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 42V
Current - Quiescent (Iq): 11.5 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Output: 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 10-TFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIR3241STR Infineon-AUIR3241STR-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebed858a5b82
AUIR3241STR
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 350mA, 350mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 1
Driven Configuration: High-Side
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
DigiKey Programmable: Not Verified
Channel Type: Single
Rise / Fall Time (Typ): 6µs, 6µs
Supplier Device Package: PG-DSO-8-903
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 3V ~ 36V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+180.96 грн
10+130.05 грн
25+118.85 грн
100+100.03 грн
250+94.54 грн
500+92.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGA5H1BN6E6327XTSA1 Infineon-BGA5H1BN6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d462617643590161b39f4c0935a8
BGA5H1BN6E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF AMP LTE 2.3GHZ-2.69GHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.3GHz ~ 2.69GHz
RF Type: LTE
Voltage - Supply: 1.5V ~ 3.6V
Gain: 18.1dB
Current - Supply: 8.5mA
Noise Figure: 0.7dB
P1dB: -17dBm
Test Frequency: 2.5GHz
на замовлення 4040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+38.83 грн
10+31.93 грн
25+30.09 грн
100+25.84 грн
250+24.40 грн
500+23.38 грн
1000+22.05 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT200N08S5N023ATMA1 Infineon-IAUT200N08S5N023-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a01611d61e9ce2ab6
IAUT200N08S5N023ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+102.11 грн
4000+95.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT240N08S5N019ATMA1 Infineon-IAUT240N08S5N019-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625debb399015e0506723e791a
IAUT240N08S5N019ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 240A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9264 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+336.28 грн
10+214.26 грн
100+151.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9104SHXUMA1 TLE9104SH_Rev1.31_9-30-20.pdf
TLE9104SHXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC POWERTRAIN SWITCH DSO20-88
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 4
Interface: SPI
Type: Powertrain Switch
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 150mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V ~ 60V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-20-88
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Reverse Battery, Short Circuit
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+327.74 грн
10+239.17 грн
25+220.26 грн
100+187.16 грн
250+177.84 грн
500+172.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLS850B0TBV50ATMA1 Infineon-TLS850B0TB V50-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4625fe3678401600cf1035c6d43
TLS850B0TBV50ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN 5V 500MA PG-TO263-5-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-6, D2PAK (5 Leads + Tab), TO-263BA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 25 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO263-5-1
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
Grade: Automotive
Part Status: Active
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 33 µA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+150.67 грн
10+107.39 грн
25+98.00 грн
100+82.26 грн
250+77.64 грн
500+74.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT200N08S5N023ATMA1 Infineon-IAUT200N08S5N023-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a01611d61e9ce2ab6
IAUT200N08S5N023ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+306.77 грн
10+194.75 грн
100+137.32 грн
500+109.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT165N08S5N029ATMA2 Infineon-IAUT165N08S5N029-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fda2c4bd0569
IAUT165N08S5N029ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+246.19 грн
10+155.48 грн
100+108.86 грн
500+90.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1 Infineon-IAUT300N10S5N015-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2469d7203245
IAUT300N10S5N015ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+426.37 грн
10+274.24 грн
100+197.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT260N10S5N019ATMA1 Infineon-IAUT260N10S5N019-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2460488e3241
IAUT260N10S5N019ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
FET Type: N-Channel
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+378.22 грн
10+242.53 грн
100+173.26 грн
500+145.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT150N10S5N035ATMA1 Infineon-IAUT150N10S5N035-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f246034af323f
IAUT150N10S5N035ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 150A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6110 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+256.29 грн
10+161.39 грн
100+113.15 грн
500+94.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF800R17KF6CB2NOSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE A-IHM130-1
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49452WAFERX6SA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC FIELD SWITCH
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4945CHIPX1SA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC FIELD SWITCH
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUXMIGP4063D
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V TO-247 COPAK
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB2198-503-E
Виробник: Infineon Technologies
Description: TOOL KIT
Part Status: Obsolete
Supplied Contents: Board(s)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB2198-508-E MB2198-508-E__OpManual_9-17-08.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: TOOL KIT
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Supplied Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRG4PH50S-205
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 141A TO-247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 33A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: -/616ns
Switching Energy: 16mJ (off)
Test Condition: 600V, 33A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 227 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 141 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 99 A
Power - Max: 543 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUXKNG4PH50S-215
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V TO247-3
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 83 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns
Switching Energy: 420µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1 Infineon-IKB40N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f0162a9221b17693f
IKB40N65EH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 78 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/157ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+117.02 грн
2000+105.73 грн
3000+104.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 Infineon-IGB50N65S5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec81bbc6f2fec
IGB50N65S5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+251.63 грн
10+157.80 грн
100+109.99 грн
500+84.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/173ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+251.63 грн
10+158.17 грн
100+110.26 грн
500+84.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 83 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns
Switching Energy: 420µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+401.52 грн
10+256.52 грн
100+182.49 грн
500+141.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1 Infineon-IKB40N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f0162a9221b17693f
IKB40N65EH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 78 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/157ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+278.81 грн
10+176.65 грн
100+124.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 3046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+326.19 грн
10+207.23 грн
100+146.78 грн
500+120.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N06LS5ATMA1 Infineon-BSC027N06LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101596e1c881234d6
BSC027N06LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V
на замовлення 47012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+234.54 грн
10+145.98 грн
100+100.57 грн
500+76.12 грн
1000+70.26 грн
2000+65.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7511BXUSA1 Infineon-1EDN751x_1EDN851x_Rev%202.0-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462576f34750157e176df0b3ca7
1EDN7511BXUSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
Supplier Device Package: PG-SOT23-6-2
Input Type: Inverting, Non-Inverting
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 1.9V
Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET
Number of Drivers: 1
Driven Configuration: Low-Side
Channel Type: Single
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
на замовлення 24069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+51.26 грн
10+34.78 грн
25+31.26 грн
100+25.67 грн
250+23.91 грн
500+22.85 грн
1000+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN8511BXUSA1 Infineon-1EDN751x_1EDN851x_Rev+2.0-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f34750157e176df0b3ca7
1EDN8511BXUSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 8V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V
Supplier Device Package: PG-SOT23-6-2
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 14340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.60 грн
10+32.01 грн
25+28.69 грн
100+23.53 грн
250+21.91 грн
500+20.94 грн
1000+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7524GXTMA1 infineon-2edn752x-2edn852x-ds--datasheet-en.pdf
2EDN7524GXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
Supplier Device Package: PG-WSON-8-1
Rise / Fall Time (Typ): 5.3ns, 4.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 6622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+92.42 грн
10+64.62 грн
25+58.39 грн
100+48.41 грн
250+45.36 грн
500+43.53 грн
1000+41.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2007STRPBF Infineon-IRS2007(S,M)-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ae53e02c239bf&redirId=115114
IRS2007STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC HALF BRIDGE DRVR 600MA 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Applications: Battery Powered
Current - Output / Channel: 600mA
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 200V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.69 грн
10+39.04 грн
25+35.12 грн
100+28.93 грн
250+27.02 грн
500+25.86 грн
1000+24.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4300F100K256AAXUMA1 Infineon-XMC4300-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac40152abc34fde16d8
XMC4300F100K256AAXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 100LQFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 100-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 144MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M4
Data Converters: A/D 14x12b; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.13V ~ 3.63V
Connectivity: CANbus, Ethernet, I2C, LINbus, MMC/SD, SPI, UART/USART, USB OTG, USIC
Peripherals: DMA, I2S, LED, POR, Touch-Sense, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-100-25
Part Status: Active
Number of I/O: 75
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1502.01 грн
10+1155.31 грн
50+1038.75 грн
100+940.94 грн
500+909.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DPS422XTSA1
DPS422XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR 17.4PSIG 24BIT
Features: Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WLGA
Output Type: I2C, SPI
Mounting Type: Surface Mount
Output: 24 b
Operating Pressure: 4.35PSI ~ 17.4PSI (30kPa ~ 120kPa)
Pressure Type: Vented Gauge
Accuracy: ±0.4°C
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
Applications: Board Mount
Maximum Pressure: 145PSI (999.74kPa)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC95R450P7X7SA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH BARE DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3570AMGB01TRP IR3564A_70A_PB_v3.04_10-1-13.pdf
IR3570AMGB01TRP
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG CTRLR INTEL 2OUT 40VQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3570AMGB02TRP IR3564A_70A_PB_v3.04_10-1-13.pdf
IR3570AMGB02TRP
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG CTRLR INTEL 2OUT 40VQFN
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-VQFN-40-901
Applications: Controller, Intel VR12, VR12.5, AMD SVI1, SVI2
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Input: 3.3V
Number of Outputs: 2
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3570AMGB04TRP IR3564A_70A_PB_v3.04_10-1-13.pdf
IR3570AMGB04TRP
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG CTRLR INTEL 2OUT 40VQFN
Supplier Device Package: PG-VQFN-40-901
Applications: Controller, Intel VR12, VR12.5, AMD SVI1, SVI2
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Input: 3.3V
Number of Outputs: 2
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3570AMGB06TRP IR3564A_70A_PB_v3.04_10-1-13.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG CTRLR INTEL 2OUT 40VQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3570AMGB10TRP IR3564A_70A_PB_v3.04_10-1-13.pdf
IR3570AMGB10TRP
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG CTRLR INTEL 2OUT 40VQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 208 307 308 309 310 311 312 313 314 315 316 317 416 624 832 1040 1248 1456 1664 1872 2080 2082  [ Наступна Сторінка >> ]