Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (119577) > Сторінка 311 з 1993

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 199 306 307 308 309 310 311 312 313 314 315 316 398 597 796 995 1194 1393 1592 1791 1990 1993  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPG20N06S4L26AATMA1 IPG20N06S4L26AATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPG20N06S4L_26A-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433d346a2d013d454e0c275177 Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 33W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIPS6031RTRL AUIPS6031RTRL Infineon Technologies auips6031.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a797f51311 Description: IC PWR SWITCH N-CHANNEL 1:1 DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto Restart
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 46mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 36V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2.8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TO252-5
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N10S4L06ATMA1 IPD90N10S4L06ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD90N10S4L_06-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc80137500063630512 Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.46 грн
10+118.24 грн
100+81.41 грн
500+62.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1EBN1001AEXUMA1 1EBN1001AEXUMA1 Infineon Technologies Infineon-1EBN1001AE-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462503812bb01505fa4d89805a0 Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 13V ~ 18V
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: PG-DSO-14-43
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 90ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.5V, 3.5V
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.24 грн
10+161.23 грн
25+147.84 грн
100+124.95 грн
250+118.37 грн
500+114.40 грн
1000+109.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF5210STRL AUIRF5210STRL Infineon Technologies auirf5210s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355acd8ce13c3 Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539eb64cd44f67 Description: MOSFET N-CH 650V 15.1A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
на замовлення 7984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.91 грн
10+60.73 грн
100+40.40 грн
500+29.71 грн
1000+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3046SDLATMA1 BTS3046SDLATMA1 Infineon Technologies Infineon-BTS3046SDL-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aad821c9e4c21 Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 46mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 60V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.6A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 12629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.87 грн
10+106.58 грн
25+97.26 грн
100+81.59 грн
250+76.98 грн
500+74.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0504NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f0286ff3c3d3d Description: MOSFET N-CH 30V 21A/72A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.89 грн
10+56.07 грн
100+37.08 грн
500+27.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
1ED020I12FTAXUMA2 1ED020I12FTAXUMA2 Infineon Technologies infineon-1ed020i12-b2-datasheet-en.pdf Description: DGT ISO 4.5KV 1CH GT DVR DSO20
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Voltage - Isolation: 4500Vrms
Supplier Device Package: PG-DSO-20-55
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 20ns
Part Status: Not For New Designs
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 4.5V ~ 5.5V
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+546.40 грн
10+407.17 грн
25+377.45 грн
100+323.58 грн
250+315.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE73683EXUMA2 TLE73683EXUMA2 Infineon Technologies Infineon-TLE7368-DS-v02_21-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969d271b041d1 Description: IC REG AUTO APPL 3OUT DSO-36
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1 IPB65R110CFDAATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPX65R110CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336797ff90136ba7c820925a5 Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+474.58 грн
10+307.05 грн
100+222.23 грн
500+190.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N08S402ATMA1 IPB180N08S402ATMA1 Infineon Technologies IPB180N08S4-02-Data-Sheet-10-Infineon.pdf?fileId=5546d4614755559a01475d701b54019c Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+436.34 грн
10+282.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSL308PE-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d8ff3592c03d0 Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.10 грн
10+36.08 грн
100+23.42 грн
500+16.86 грн
1000+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 BSS138WH6433XTMA1 Infineon Technologies Infineon-BSS138W-DS-v02_43-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e62fcb4131f Description: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.08 грн
25+12.48 грн
100+7.76 грн
500+5.38 грн
1000+4.76 грн
2000+4.24 грн
5000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806 Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.62 грн
10+47.66 грн
100+31.22 грн
500+22.67 грн
1000+20.54 грн
2000+18.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP716NH6327XTSA1 BSP716NH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP716N-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304341c1e4a10141da580f3529e9 Description: MOSFET N-CH 75V 2.3A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 218µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9871QXA20XUMA2 TLE9871QXA20XUMA2 Infineon Technologies Infineon-TLE9871QXA20-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a89e33fad3f30 Description: IC SOC MOTOR DRIVER 48VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: SSI, UART
RAM Size: 3K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 28V
Program Memory Type: FLASH (36kB)
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Grade: Automotive
Number of I/O: 10
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+377.79 грн
10+278.11 грн
25+256.74 грн
100+218.91 грн
250+208.40 грн
500+202.06 грн
1000+193.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9877QXA20XUMA2 TLE9877QXA20XUMA2 Infineon Technologies Infineon-TLE9877QXA20-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a89d127563f28 Description: IC SOC MOTOR DRIVER 48VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: LIN, SSI, UART
RAM Size: 6K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 28V
Program Memory Type: FLASH (64kB)
Applications: Automotive
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Part Status: Not For New Designs
Number of I/O: 10
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9877QXA40XUMA2 TLE9877QXA40XUMA2 Infineon Technologies Infineon-TLE987x-ProductBrief-PB-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46249a28d750149aee472032794 Description: IC SOC MOTOR DRIVER 48VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: LIN, SSI, UART
RAM Size: 6K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 28V
Program Memory Type: FLASH (64kB)
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Part Status: Active
Number of I/O: 10
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 8017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+385.60 грн
10+284.28 грн
25+262.54 грн
100+223.92 грн
250+213.20 грн
500+206.74 грн
1000+198.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9877QXW40XUMA1 TLE9877QXW40XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE987x-ProductBrief-PB-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46249a28d750149aee472032794 Description: IC SOC MOTOR DRIVER 48VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: LIN, SSI, UART
RAM Size: 6K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 28V
Program Memory Type: FLASH (64kB)
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-29
Part Status: Active
Number of I/O: 10
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+405.11 грн
10+299.38 грн
25+276.64 грн
100+236.14 грн
250+224.95 грн
500+218.20 грн
1000+209.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9879QXA20XUMA2 TLE9879QXA20XUMA2 Infineon Technologies Infineon-TLE9879QXA20-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a8473ba2274de Description: IC SOC MOTOR DRIVER 48VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: LIN, SSI, UART
RAM Size: 6K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 28V
Program Memory Type: FLASH (128kB)
Applications: Automotive
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Number of I/O: 10
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9879QXW40XUMA1 TLE9879QXW40XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE987x-ProductBrief-PB-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46249a28d750149aee472032794 Description: IC SOC MOTOR DRIVER 48VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: LIN, SSI, UART
RAM Size: 6K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 28V
Program Memory Type: FLASH (128kB)
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-29
Number of I/O: 10
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+427.75 грн
10+316.52 грн
25+292.67 грн
100+250.02 грн
250+238.28 грн
500+231.20 грн
1000+221.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9867QXA40XUMA2 TLE9867QXA40XUMA2 Infineon Technologies Infineon-TLE9867QXA40-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8a3f72423f48 Description: IC SOC MOTOR DRIVER 48VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: LIN, SSI, UART
RAM Size: 6K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 28V
Program Memory Type: FLASH (64kB)
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Supplier Device Package: VQFN-48-31
Grade: Automotive
Number of I/O: 10
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+352.04 грн
10+258.42 грн
25+238.28 грн
100+202.94 грн
250+193.07 грн
500+187.12 грн
1000+179.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9867QXW20XUMA1 TLE9867QXW20XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE9867QXW20-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b10283a015b2486a2e22e42 Description: IC SOC MOTOR DRIVER 48VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: LIN, SSI, UART
RAM Size: 6K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 28V
Program Memory Type: FLASH (128kB)
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-29
Grade: Automotive
Number of I/O: 10
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.41 грн
10+200.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9869QXA20XUMA2 TLE9869QXA20XUMA2 Infineon Technologies Infineon-TLE9869QXA20-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8a3614cd3f3c Description: IC SOC MOTOR DRIVER 48VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: LIN, SSI, UART
RAM Size: 6K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 28V
Program Memory Type: FLASH (128kB)
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Number of I/O: 10
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.19 грн
10+201.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE98432QXXUMA1 TLE98432QXXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE9843-2QX-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a893e5eaf029b Description: EMBEDDED POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: LIN, SSI, UART
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 3V ~ 28V
Program Memory Type: FLASH (52kB)
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Part Status: Active
Number of I/O: 10
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+292.71 грн
10+213.62 грн
25+196.60 грн
100+166.92 грн
250+158.53 грн
500+153.48 грн
1000+146.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE98422QXXUMA1 TLE98422QXXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE9842-2QX-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a84aabc5f7511 Description: EMBEDDED POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: LIN, SSI, UART
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 3V ~ 28V
Program Memory Type: FLASH (40kB)
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Grade: Automotive
Number of I/O: 10
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.69 грн
10+208.66 грн
25+191.97 грн
100+162.93 грн
250+154.72 грн
500+149.77 грн
1000+143.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE98442QXXUMA1 TLE98442QXXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE9844-2QX-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a84a1d6e97509 Description: IC MOTOR DRIVER 48VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: LIN, SSI, UART
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 3V ~ 28V
Program Memory Type: FLASH (64kB)
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Part Status: Active
Number of I/O: 10
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.27 грн
10+214.67 грн
25+197.60 грн
100+167.82 грн
250+159.43 грн
500+154.37 грн
1000+147.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS20965STRPBF IRS20965STRPBF Infineon Technologies irs20965spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356761d8b279b Description: IC AMP CLASS D MONO 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: 1-Channel (Mono)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Class D
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 15V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9351TRPBF IRFHS9351TRPBF Infineon Technologies irfhs9351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623a8d41f63 Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.47 грн
10+41.87 грн
100+27.32 грн
500+19.77 грн
1000+16.05 грн
2000+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3142DNT BTS3142DNT Infineon Technologies Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS118DNT BTS118DNT Infineon Technologies Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS142DNT BTS142DNT Infineon Technologies Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto Restart
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 23mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 42V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4.6A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3118DNT Infineon Technologies Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3134NXT BTS3134NXT Infineon Technologies Description: IC PWR SWTCH N-CHAN 1:1 SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 35mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 42V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIT6W12VBIASICE3TOBO1 KIT6W12VBIASICE3TOBO1 Infineon Technologies Infineon-General_description_KIT_6W_12V_BIAS_ICE3-ATI-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625debb399015e28e45b1b3dde Description: EVAL BOARD FOR ICE3RBR4765JZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S4R7XTMA2 IPLU300N04S4R7XTMA2 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.76mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22945 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1 IKB10N60TATMA1 Infineon Technologies IKB10N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b428742d3dfe Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.26 грн
10+102.75 грн
100+70.06 грн
500+52.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0589NSATMA1 BSZ0589NSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ0589NS-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101598da704fa60e0 Description: MOSFET N-CH 30V 17A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
520966231136 Infineon Technologies Description: IC FLASH NOR
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
811600-73670880 Infineon Technologies Description: IC FLASH NOR
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLV493DA1B6MS2GOTOBO1 TLV493DA1B6MS2GOTOBO1 Infineon Technologies Infineon-3D%20Magnetic%20Sensor-PB-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46261d5e6820161e7571b2b3dd0 Description: EVAL BOARD FOR TLV493D
Packaging: Box
Interface: USB
Contents: Board(s)
Voltage - Supply: 5V, USB
Sensor Type: Magnetic, Linear, Rotary Position
Utilized IC / Part: TLV493D-A1B6
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: Yes, MCU, 32-Bit
Sensing Range: ±130mT
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R190G7XTMA1 IPDD60R190G7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDD60R190G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a01617087dc0f79ea Description: MOSFET N-CH 600V 13A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R125G7XTMA1 IPDD60R125G7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDD60R125G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a0161706cba27778f Description: MOSFET N-CH 600V 20A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R080G7XTMA1 IPDD60R080G7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDD60R080G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a016170882f757a07 Description: MOSFET N-CH 600V 29A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 400 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+213.30 грн
Мінімальне замовлення: 1700
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R050G7XTMA1 IPDD60R050G7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDD60R050G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a0161707eb2f97810 Description: MOSFET N-CH 600V 47A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R190G7XTMA1 IPDD60R190G7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDD60R190G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a01617087dc0f79ea Description: MOSFET N-CH 600V 13A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 400 V
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.02 грн
10+147.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R125G7XTMA1 IPDD60R125G7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDD60R125G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a0161706cba27778f Description: MOSFET N-CH 600V 20A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.07 грн
10+142.21 грн
100+128.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R050G7XTMA1 IPDD60R050G7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDD60R050G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a0161707eb2f97810 Description: MOSFET N-CH 600V 47A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 400 V
на замовлення 3215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+606.50 грн
10+447.31 грн
100+341.46 грн
500+294.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 IPN70R1K2P7SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN70R1K2P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f524b972d6b74 Description: MOSFET N-CH 700V 4.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 174 pF @ 400 V
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.93 грн
10+35.78 грн
100+24.77 грн
500+19.42 грн
1000+16.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SATMA1 IPN70R2K0P7SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN70R2K0P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526712fe6b76 Description: MOSFET N-CH 700V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V
на замовлення 14553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.08 грн
10+31.80 грн
100+20.52 грн
500+14.70 грн
1000+13.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1 IPN70R450P7SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526728366b78 Description: MOSFET N-CH 700V 10A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.40 грн
10+48.48 грн
100+31.91 грн
500+23.27 грн
1000+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipn80r1k2p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
на замовлення 2912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.50 грн
10+65.85 грн
100+43.78 грн
500+32.19 грн
1000+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R3K3P7ATMA1 IPN80R3K3P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipn80r3k3p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.50 грн
10+45.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7511BXUSA1 1EDN7511BXUSA1 Infineon Technologies Infineon-1EDN751x_1EDN851x_Rev%202.0-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462576f34750157e176df0b3ca7 Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-SOT23-6-2
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.25 грн
6000+21.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN8511BXUSA1 1EDN8511BXUSA1 Infineon Technologies Infineon-1EDN751x_1EDN851x_Rev+2.0-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f34750157e176df0b3ca7 Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 8V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-SOT23-6-2
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A
DigiKey Programmable: Not Verified
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2EDS8165HXUMA1 2EDS8165HXUMA1 Infineon Technologies Infineon-2EDF7175F-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b09026be3060 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-DSO-16-30
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: -, 1.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 2A
Part Status: Discontinued at Digi-Key
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N06NSATMA1 BSC019N06NSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC019N06NS-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546789c12ca7 Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 74µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD171N16KKHOSA1 Infineon Technologies Description: THYR / DIODE MODULE DK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ435N40KS01HPSA1 DZ435N40KS01HPSA1 Infineon Technologies Infineon-DZ435N-DS-v03_02-EN.pdf?fileId=db3a3043243b5f170124e2ccd4426304 Description: DIODE GEN PURP 4KV 700A PB501-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L26AATMA1 Infineon-IPG20N06S4L_26A-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433d346a2d013d454e0c275177
IPG20N06S4L26AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 33W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIPS6031RTRL auips6031.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a797f51311
AUIPS6031RTRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHANNEL 1:1 DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto Restart
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 46mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 36V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2.8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TO252-5
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N10S4L06ATMA1 Infineon-IPD90N10S4L_06-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc80137500063630512
IPD90N10S4L06ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.46 грн
10+118.24 грн
100+81.41 грн
500+62.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1EBN1001AEXUMA1 Infineon-1EBN1001AE-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462503812bb01505fa4d89805a0
1EBN1001AEXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 13V ~ 18V
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: PG-DSO-14-43
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 90ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.5V, 3.5V
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.24 грн
10+161.23 грн
25+147.84 грн
100+124.95 грн
250+118.37 грн
500+114.40 грн
1000+109.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF5210STRL auirf5210s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355acd8ce13c3
AUIRF5210STRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 Infineon-IPD65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539eb64cd44f67
IPD65R400CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 15.1A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
на замовлення 7984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.91 грн
10+60.73 грн
100+40.40 грн
500+29.71 грн
1000+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3046SDLATMA1 Infineon-BTS3046SDL-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aad821c9e4c21
BTS3046SDLATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 46mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 60V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.6A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 12629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.87 грн
10+106.58 грн
25+97.26 грн
100+81.59 грн
250+76.98 грн
500+74.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1 Infineon-BSC0504NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f0286ff3c3d3d
BSC0504NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/72A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.89 грн
10+56.07 грн
100+37.08 грн
500+27.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
1ED020I12FTAXUMA2 infineon-1ed020i12-b2-datasheet-en.pdf
1ED020I12FTAXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: DGT ISO 4.5KV 1CH GT DVR DSO20
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Voltage - Isolation: 4500Vrms
Supplier Device Package: PG-DSO-20-55
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 20ns
Part Status: Not For New Designs
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 4.5V ~ 5.5V
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+546.40 грн
10+407.17 грн
25+377.45 грн
100+323.58 грн
250+315.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE73683EXUMA2 Infineon-TLE7368-DS-v02_21-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969d271b041d1
TLE73683EXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG AUTO APPL 3OUT DSO-36
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1 Infineon-IPX65R110CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336797ff90136ba7c820925a5
IPB65R110CFDAATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+474.58 грн
10+307.05 грн
100+222.23 грн
500+190.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N08S402ATMA1 IPB180N08S4-02-Data-Sheet-10-Infineon.pdf?fileId=5546d4614755559a01475d701b54019c
IPB180N08S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+436.34 грн
10+282.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308PEH6327XTSA1 Infineon-BSL308PE-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d8ff3592c03d0
BSL308PEH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.10 грн
10+36.08 грн
100+23.42 грн
500+16.86 грн
1000+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 Infineon-BSS138W-DS-v02_43-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e62fcb4131f
BSS138WH6433XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.08 грн
25+12.48 грн
100+7.76 грн
500+5.38 грн
1000+4.76 грн
2000+4.24 грн
5000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806
BSP125H6433XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.62 грн
10+47.66 грн
100+31.22 грн
500+22.67 грн
1000+20.54 грн
2000+18.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP716NH6327XTSA1 Infineon-BSP716N-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304341c1e4a10141da580f3529e9
BSP716NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 2.3A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 218µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9871QXA20XUMA2 Infineon-TLE9871QXA20-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a89e33fad3f30
TLE9871QXA20XUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SOC MOTOR DRIVER 48VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: SSI, UART
RAM Size: 3K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 28V
Program Memory Type: FLASH (36kB)
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Grade: Automotive
Number of I/O: 10
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+377.79 грн
10+278.11 грн
25+256.74 грн
100+218.91 грн
250+208.40 грн
500+202.06 грн
1000+193.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9877QXA20XUMA2 Infineon-TLE9877QXA20-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a89d127563f28
TLE9877QXA20XUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SOC MOTOR DRIVER 48VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: LIN, SSI, UART
RAM Size: 6K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 28V
Program Memory Type: FLASH (64kB)
Applications: Automotive
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Part Status: Not For New Designs
Number of I/O: 10
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+266.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9877QXA40XUMA2 Infineon-TLE987x-ProductBrief-PB-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46249a28d750149aee472032794
TLE9877QXA40XUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SOC MOTOR DRIVER 48VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: LIN, SSI, UART
RAM Size: 6K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 28V
Program Memory Type: FLASH (64kB)
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Part Status: Active
Number of I/O: 10
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 8017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+385.60 грн
10+284.28 грн
25+262.54 грн
100+223.92 грн
250+213.20 грн
500+206.74 грн
1000+198.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9877QXW40XUMA1 Infineon-TLE987x-ProductBrief-PB-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46249a28d750149aee472032794
TLE9877QXW40XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SOC MOTOR DRIVER 48VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: LIN, SSI, UART
RAM Size: 6K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 28V
Program Memory Type: FLASH (64kB)
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-29
Part Status: Active
Number of I/O: 10
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+405.11 грн
10+299.38 грн
25+276.64 грн
100+236.14 грн
250+224.95 грн
500+218.20 грн
1000+209.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9879QXA20XUMA2 Infineon-TLE9879QXA20-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a8473ba2274de
TLE9879QXA20XUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SOC MOTOR DRIVER 48VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: LIN, SSI, UART
RAM Size: 6K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 28V
Program Memory Type: FLASH (128kB)
Applications: Automotive
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Number of I/O: 10
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9879QXW40XUMA1 Infineon-TLE987x-ProductBrief-PB-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46249a28d750149aee472032794
TLE9879QXW40XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SOC MOTOR DRIVER 48VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: LIN, SSI, UART
RAM Size: 6K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 28V
Program Memory Type: FLASH (128kB)
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-29
Number of I/O: 10
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+427.75 грн
10+316.52 грн
25+292.67 грн
100+250.02 грн
250+238.28 грн
500+231.20 грн
1000+221.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9867QXA40XUMA2 Infineon-TLE9867QXA40-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8a3f72423f48
TLE9867QXA40XUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SOC MOTOR DRIVER 48VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: LIN, SSI, UART
RAM Size: 6K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 28V
Program Memory Type: FLASH (64kB)
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Supplier Device Package: VQFN-48-31
Grade: Automotive
Number of I/O: 10
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+352.04 грн
10+258.42 грн
25+238.28 грн
100+202.94 грн
250+193.07 грн
500+187.12 грн
1000+179.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9867QXW20XUMA1 Infineon-TLE9867QXW20-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b10283a015b2486a2e22e42
TLE9867QXW20XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SOC MOTOR DRIVER 48VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: LIN, SSI, UART
RAM Size: 6K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 28V
Program Memory Type: FLASH (128kB)
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-29
Grade: Automotive
Number of I/O: 10
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.41 грн
10+200.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9869QXA20XUMA2 Infineon-TLE9869QXA20-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8a3614cd3f3c
TLE9869QXA20XUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SOC MOTOR DRIVER 48VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: LIN, SSI, UART
RAM Size: 6K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 28V
Program Memory Type: FLASH (128kB)
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Number of I/O: 10
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.19 грн
10+201.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE98432QXXUMA1 Infineon-TLE9843-2QX-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a893e5eaf029b
TLE98432QXXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EMBEDDED POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: LIN, SSI, UART
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 3V ~ 28V
Program Memory Type: FLASH (52kB)
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Part Status: Active
Number of I/O: 10
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+292.71 грн
10+213.62 грн
25+196.60 грн
100+166.92 грн
250+158.53 грн
500+153.48 грн
1000+146.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE98422QXXUMA1 Infineon-TLE9842-2QX-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a84aabc5f7511
TLE98422QXXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EMBEDDED POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: LIN, SSI, UART
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 3V ~ 28V
Program Memory Type: FLASH (40kB)
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Grade: Automotive
Number of I/O: 10
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.69 грн
10+208.66 грн
25+191.97 грн
100+162.93 грн
250+154.72 грн
500+149.77 грн
1000+143.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE98442QXXUMA1 Infineon-TLE9844-2QX-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a84a1d6e97509
TLE98442QXXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MOTOR DRIVER 48VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: LIN, SSI, UART
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 3V ~ 28V
Program Memory Type: FLASH (64kB)
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Part Status: Active
Number of I/O: 10
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+294.27 грн
10+214.67 грн
25+197.60 грн
100+167.82 грн
250+159.43 грн
500+154.37 грн
1000+147.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS20965STRPBF irs20965spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356761d8b279b
IRS20965STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP CLASS D MONO 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: 1-Channel (Mono)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Class D
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 15V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9351TRPBF irfhs9351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623a8d41f63
IRFHS9351TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.47 грн
10+41.87 грн
100+27.32 грн
500+19.77 грн
1000+16.05 грн
2000+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3142DNT
BTS3142DNT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS118DNT
BTS118DNT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS142DNT
BTS142DNT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto Restart
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 23mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 42V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4.6A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3118DNT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3134NXT
BTS3134NXT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWTCH N-CHAN 1:1 SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 35mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 42V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIT6W12VBIASICE3TOBO1 Infineon-General_description_KIT_6W_12V_BIAS_ICE3-ATI-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625debb399015e28e45b1b3dde
KIT6W12VBIASICE3TOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR ICE3RBR4765JZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S4R7XTMA2
IPLU300N04S4R7XTMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.76mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22945 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1 IKB10N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b428742d3dfe
IKB10N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.26 грн
10+102.75 грн
100+70.06 грн
500+52.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0589NSATMA1 Infineon-BSZ0589NS-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101598da704fa60e0
BSZ0589NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 17A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
520966231136
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH NOR
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
811600-73670880
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH NOR
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLV493DA1B6MS2GOTOBO1 Infineon-3D%20Magnetic%20Sensor-PB-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46261d5e6820161e7571b2b3dd0
TLV493DA1B6MS2GOTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR TLV493D
Packaging: Box
Interface: USB
Contents: Board(s)
Voltage - Supply: 5V, USB
Sensor Type: Magnetic, Linear, Rotary Position
Utilized IC / Part: TLV493D-A1B6
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: Yes, MCU, 32-Bit
Sensing Range: ±130mT
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R190G7XTMA1 Infineon-IPDD60R190G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a01617087dc0f79ea
IPDD60R190G7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 13A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R125G7XTMA1 Infineon-IPDD60R125G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a0161706cba27778f
IPDD60R125G7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 20A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R080G7XTMA1 Infineon-IPDD60R080G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a016170882f757a07
IPDD60R080G7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 29A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 400 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1700+213.30 грн
Мінімальне замовлення: 1700
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R050G7XTMA1 Infineon-IPDD60R050G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a0161707eb2f97810
IPDD60R050G7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 47A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R190G7XTMA1 Infineon-IPDD60R190G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a01617087dc0f79ea
IPDD60R190G7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 13A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 400 V
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.02 грн
10+147.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R125G7XTMA1 Infineon-IPDD60R125G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a0161706cba27778f
IPDD60R125G7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 20A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.07 грн
10+142.21 грн
100+128.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R050G7XTMA1 Infineon-IPDD60R050G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a0161707eb2f97810
IPDD60R050G7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 47A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 400 V
на замовлення 3215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+606.50 грн
10+447.31 грн
100+341.46 грн
500+294.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 Infineon-IPN70R1K2P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f524b972d6b74
IPN70R1K2P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 4.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 174 pF @ 400 V
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.93 грн
10+35.78 грн
100+24.77 грн
500+19.42 грн
1000+16.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SATMA1 Infineon-IPN70R2K0P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526712fe6b76
IPN70R2K0P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V
на замовлення 14553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.08 грн
10+31.80 грн
100+20.52 грн
500+14.70 грн
1000+13.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1 Infineon-IPN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526728366b78
IPN70R450P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 10A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.40 грн
10+48.48 грн
100+31.91 грн
500+23.27 грн
1000+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 infineon-ipn80r1k2p7-ds-en.pdf
IPN80R1K2P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
на замовлення 2912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.50 грн
10+65.85 грн
100+43.78 грн
500+32.19 грн
1000+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R3K3P7ATMA1 infineon-ipn80r3k3p7-ds-en.pdf
IPN80R3K3P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.50 грн
10+45.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7511BXUSA1 Infineon-1EDN751x_1EDN851x_Rev%202.0-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462576f34750157e176df0b3ca7
1EDN7511BXUSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-SOT23-6-2
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.25 грн
6000+21.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN8511BXUSA1 Infineon-1EDN751x_1EDN851x_Rev+2.0-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f34750157e176df0b3ca7
1EDN8511BXUSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 8V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-SOT23-6-2
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A
DigiKey Programmable: Not Verified
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2EDS8165HXUMA1 Infineon-2EDF7175F-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b09026be3060
2EDS8165HXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-DSO-16-30
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: -, 1.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 2A
Part Status: Discontinued at Digi-Key
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N06NSATMA1 Infineon-BSC019N06NS-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546789c12ca7
BSC019N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 74µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD171N16KKHOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: THYR / DIODE MODULE DK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ435N40KS01HPSA1 Infineon-DZ435N-DS-v03_02-EN.pdf?fileId=db3a3043243b5f170124e2ccd4426304
DZ435N40KS01HPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 4KV 700A PB501-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 199 306 307 308 309 310 311 312 313 314 315 316 398 597 796 995 1194 1393 1592 1791 1990 1993  [ Наступна Сторінка >> ]