Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25137) > Сторінка 274 з 419

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 269 270 271 272 273 274 275 276 277 278 279 287 328 369 410 419  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3XKSA1 INFINEON INFNS30178-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGP30N60H3XKSA1 - IGBT, 30 A, 2.4 V, 187 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+276.14 грн
10+261.91 грн
100+126.35 грн
500+94.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7540PBF IRFB7540PBF INFINEON INFN-S-A0012827040-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB7540PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.58 грн
11+79.16 грн
100+63.09 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BAR141E6327HTSA1 BAR141E6327HTSA1 INFINEON INFNS15692-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAR141E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zwei in Reihe, 12 ohm, 100 V, SOT-23, 3 Pins, 0.5 pF
Bauform - Diode: SOT-23
Diodenmontage: Oberflächenmontage
Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe
Sperrspannung: 100
Diodenkapazität: 0.5
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAR14
Durchlassstrom: 140
Betriebstemperatur, max.: 125
Widerstand bei If: 12
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+43.51 грн
24+35.48 грн
100+24.18 грн
500+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAR141E6327HTSA1 BAR141E6327HTSA1 INFINEON INFNS15692-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAR141E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zwei in Reihe, 12 ohm, 100 V, SOT-23, 3 Pins, 0.5 pF
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.18 грн
500+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRPBF IRF7311TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7311TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802PBF IRLR3802PBF INFINEON 140860.pdf Description: INFINEON - IRLR3802PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 84 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.48 грн
10+95.39 грн
100+74.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPS6011RPBF IPS6011RPBF INFINEON 789705.pdf description Description: INFINEON - IPS6011RPBF - Intelligenter Leistungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 5.5V, 60A, TO-252-5
Durchlasswiderstand: 0.011
Überhitzungsschutz: Ja
Strombegrenzung: 60
Betriebstemperatur, min.: -40
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 5.5
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS6031RPBF IPS6031RPBF INFINEON 131403.pdf description Description: INFINEON - IPS6031RPBF - Intelligenter Leistungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 5.5V, 16A, TO-252-5
Durchlasswiderstand: 0.046
Überhitzungsschutz: Ja
Strombegrenzung: 16
Betriebstemperatur, min.: -40
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 5.5
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
POWERDRILL2GOTOBO1 POWERDRILL2GOTOBO1 INFINEON 3626605.pdf Description: INFINEON - POWERDRILL2GOTOBO1 - Linearer Steuer-Trigger, 3D-Magnetsensor 2GO-Kits und Shield2Go
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Trigger, lineare Steuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 3D-Magnetsensor-2GO-Kits und Shield2Go
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1732.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2001PBF IRS2001PBF INFINEON INFN-S-A0008991329-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRS2001PBF - MOSFET-Treiber-IC, 2fach, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 600mAout, 150ns, DIP-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 160ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 5221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.70 грн
10+160.66 грн
25+158.15 грн
50+135.20 грн
100+122.65 грн
250+119.78 грн
500+117.63 грн
1000+114.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03L G IPD090N03L G INFINEON 491159.pdf Description: INFINEON - IPD090N03L G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2302SPBF IRS2302SPBF INFINEON Infineon-IRS2302S-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4e4998500c47 Description: INFINEON - IRS2302SPBF - IGBT/MOSFET-Gate-Treiber, High-Side, 5V-20V Versorgungsspannung, 350mAout, 200ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+199.99 грн
10+128.86 грн
50+114.64 грн
100+88.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2301SPBF IRS2301SPBF INFINEON 1441818.pdf Description: INFINEON - IRS2301SPBF - IGBT/MOSFET-Gate-Treiber, High-Side & Low-Side, 5V-20V Versorgungsspannung, 350mAout, 200ns, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.78 грн
12+75.23 грн
50+67.86 грн
100+56.10 грн
250+49.92 грн
500+48.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
LINEARSLIDER2GOTOBO1 LINEARSLIDER2GOTOBO1 INFINEON 2614214.pdf Description: INFINEON - LINEARSLIDER2GOTOBO1 - Zubehör für Development Kit, linearer Schieberegler für 3D Magnetic 2GO-Kit
tariffCode: 85437090
Art des Zubehörs: Linearer Schieber
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 3D-Magnetsensor 2 Go-Evaluationsboard von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3350.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N60H3FKSA1 IKW40N60H3FKSA1 INFINEON IKW40N60H3_Rev2_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043293a15c401293aacb8b8002d Description: INFINEON - IKW40N60H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 306 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+362.33 грн
10+274.46 грн
100+186.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP076N12N3GXKSA1 IPP076N12N3GXKSA1 INFINEON INFNS27824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP076N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.0065 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 188
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 188
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 3
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ600R17KE3HOSA1 FZ600R17KE3HOSA1 INFINEON Infineon-FZ600R17KE3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43044fb4fda Description: INFINEON - FZ600R17KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 840 A, 2 V, 3.15 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Dauer-Kollektorstrom: 840A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 3.15kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.15kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: Standard 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 840A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12436.25 грн
5+11959.28 грн
10+11482.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ600R17KE4HOSA1 FZ600R17KE4HOSA1 INFINEON Infineon-FZ600R17KE4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a3043293a15c401294a1c37557de9 Description: INFINEON - FZ600R17KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 840 A, 1.95 V, 3.35 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
Dauer-Kollektorstrom: 840A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: 3.35kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.35kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: 62mm C Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 840A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11648.00 грн
5+11182.75 грн
10+10716.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R340C3XKSA2 IPA90R340C3XKSA2 INFINEON INFNS12356-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA90R340C3XKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 35
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 35
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS C3
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R1K2C3XKSA1 IPA90R1K2C3XKSA1 INFINEON 83077.pdf Description: INFINEON - IPA90R1K2C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 5.1
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 31
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 31
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R1K0C3XKSA1 IPA90R1K0C3XKSA1 INFINEON 83075.pdf Description: INFINEON - IPA90R1K0C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.7 A, 1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 5.7
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 32
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 32
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP147N12N3GXKSA1 IPP147N12N3GXKSA1 INFINEON IPP_I_B147N12N3+G_Rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a79a30f57d01 Description: INFINEON - IPP147N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 41 A, 0.0126 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.21 грн
10+121.33 грн
100+57.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7833TRPBF INFINEON 173466.pdf Description: INFINEON - IRLR7833TRPBF - MOSFET, N-KANAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL500W5GPSUTOBO1 EVAL500W5GPSUTOBO1 INFINEON 3763575.pdf Description: INFINEON - EVAL500W5GPSUTOBO1 - Evaluationsboard, SL1002A600SP, Power-Management, Überspannungsbaustein
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: SL1002A600SP
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Littelfuse
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard SL1002A600SP
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Überspannungsstopper
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+41373.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C6XKSA1 IDH04G65C6XKSA1 INFINEON 2343073.pdf Description: INFINEON - IDH04G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 12 A, 6.9 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 6.9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+160.66 грн
10+99.58 грн
100+89.54 грн
500+66.82 грн
1000+52.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IDW24G65C5BXKSA2 IDW24G65C5BXKSA2 INFINEON INFN-S-A0001299189-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDW24G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+556.46 грн
5+487.01 грн
10+403.33 грн
50+335.67 грн
100+286.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPI08N80C3XKSA1 SPI08N80C3XKSA1 INFINEON INFNS16616-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPI08N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.56 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 8
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 104
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 104
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.56
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW30N60CTXKSA1 AIKW30N60CTXKSA1 INFINEON 2718657.pdf Description: INFINEON - AIKW30N60CTXKSA1 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+471.11 грн
10+361.49 грн
100+300.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R06KE3BPSA1 FP50R06KE3BPSA1 INFINEON 2255573.pdf Description: INFINEON - FP50R06KE3BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 60 A, 1.45 V, 190 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 60A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 190W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Produktpalette: EconoPIM 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 60A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10480.69 грн
5+8908.38 грн
10+8246.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65WR5XKSA1 IKW30N65WR5XKSA1 INFINEON 2882459.pdf Description: INFINEON - IKW30N65WR5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.4 V, 185 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 185W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+251.87 грн
10+176.56 грн
100+112.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR3806TRL AUIRFR3806TRL INFINEON INFN-S-A0002267158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRFR3806TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0126 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+193.30 грн
10+149.78 грн
100+107.94 грн
500+75.06 грн
1000+62.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5410TRL AUIRFR5410TRL INFINEON INFN-S-A0002298902-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRFR5410TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.54 грн
50+158.15 грн
100+143.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR2905ZTRL AUIRFR2905ZTRL INFINEON 2332337.pdf Description: INFINEON - AUIRFR2905ZTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 59 A, 0.0111 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+211.71 грн
10+143.93 грн
100+115.48 грн
500+96.35 грн
1000+76.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR2905ZTRL AUIRFR2905ZTRL INFINEON 2332337.pdf Description: INFINEON - AUIRFR2905ZTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 59 A, 0.0111 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0111ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+115.48 грн
500+96.35 грн
1000+76.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9410TRPBF IRF9410TRPBF INFINEON 138346.pdf Description: INFINEON - IRF9410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 7
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9410TRPBF IRF9410TRPBF INFINEON 138346.pdf Description: INFINEON - IRF9410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKA08N65H5XKSA1 IKA08N65H5XKSA1 INFINEON 1756009.pdf Description: INFINEON - IKA08N65H5XKSA1 - IGBT, 8 A, 1.65 V, 31.2 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31.2W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 8A
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.74 грн
10+87.86 грн
100+79.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF IRF1104PBF INFINEON INFN-S-A0012732583-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.24 грн
100+76.06 грн
500+67.68 грн
1000+53.08 грн
5000+52.00 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF.. IRF1104PBF.. INFINEON 2043020.pdf Description: INFINEON - IRF1104PBF.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12KT3BPSA1 FP25R12KT3BPSA1 INFINEON 2211615.pdf Description: INFINEON - FP25R12KT3BPSA1 - IGBT-Modul, Siebenerpack, 40 A, 1.7 V, 155 W, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 40
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 155
Verlustleistung: 155
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Siebenerpack
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7883.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B212 IRL40B212 INFINEON INFN-S-A0012826446-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL40B212 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 195
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 231
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
Verlustleistung: 231
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+291.20 грн
10+261.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60TFKSA1 INFINEON INFN-S-A0004163138-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGW75N60TFKSA1 - IGBT, 75 A, 2 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+516.29 грн
10+372.37 грн
100+280.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 INFINEON INFNS17501-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSR315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 620 mA, 0.62 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 620mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.32 грн
50+26.27 грн
100+18.74 грн
500+12.82 грн
1500+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 INFINEON INFNS17501-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSR315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 620 mA, 0.62 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 620mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.74 грн
500+12.82 грн
1500+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R120P7XKSA1 IPA60R120P7XKSA1 INFINEON 2718751.pdf Description: INFINEON - IPA60R120P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+270.28 грн
10+265.26 грн
100+146.44 грн
500+102.57 грн
1000+86.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03L G IPD060N03L G INFINEON 1859015.pdf Description: INFINEON - IPD060N03L G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 50
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 56
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Verlustleistung: 56
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
REF5BR4780BZ15W1TOBO1 REF5BR4780BZ15W1TOBO1 INFINEON 3770277.pdf Description: INFINEON - REF5BR4780BZ15W1TOBO1 - Referenzplatine, ICE5BR4780BZ, Power-Management, nicht isoliertes 15W-Hilfsnetzteil, Flyback
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzboard ICE5BR4780BZ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Nicht isoliertes Flyback-Netzteil
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5BR4780BZ
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6928.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5BR3995CZ16W1TOBO1 REF5BR3995CZ16W1TOBO1 INFINEON Infineon-Reference_board_REF_5BR3995CZ_16W1-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290181808002035edd Description: INFINEON - REF5BR3995CZ16W1TOBO1 - Referenzplatine, ICE5BR3995CZ, Power-Management, isoliertes 16W-Flyback-Hilfsnetzteil
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: ICE5BR3995CZ
Kit-Anwendungsbereich: 0
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: -
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Referenzboard ICE5BR3995CZ
euEccn: NLR
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Isolierte Stromversorgung, Flyback
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8560.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5BR3995BZ16W1TOBO1 REF5BR3995BZ16W1TOBO1 INFINEON 3770275.pdf Description: INFINEON - REF5BR3995BZ16W1TOBO1 - Referenzplatine, ICE5BR3995BZ, Power-Management, nicht isoliertes 16W-Hilfsnetzteil, Flyback
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzboard ICE5BR3995BZ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Nicht isoliertes Flyback-Netzteil
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5BR3995BZ
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6928.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833PBF IRL7833PBF INFINEON INFN-S-A0012838199-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL7833PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 0.0038 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+189.11 грн
10+140.58 грн
100+117.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833SPBF IRL7833SPBF INFINEON 107887.pdf Description: INFINEON - IRL7833SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 0.0038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 150
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 140
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3
Verlustleistung: 140
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06G65C6XKSA1 IDH06G65C6XKSA1 INFINEON INFN-S-A0003489956-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDH06G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 16 A, 9.6 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 9.6nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.40 грн
10+127.19 грн
100+114.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 INFINEON 1849735.pdf Description: INFINEON - BSS806NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.63 грн
500+8.00 грн
1500+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAS170WE6327HTSA1 BAS170WE6327HTSA1 INFINEON 45894.pdf Description: INFINEON - BAS170WE6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS170
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+29.37 грн
51+16.65 грн
100+9.20 грн
500+7.85 грн
1000+6.78 грн
5000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5099EPVSEPICEVALTOBO1 TLD5099EPVSEPICEVALTOBO1 INFINEON Infineon-Z8F67904874-TLD5099EP_VSEPIC-UG-UserManual-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f443e50a67045 Description: INFINEON - TLD5099EPVSEPICEVALTOBO1 - Evaluationskit, TLD5099EP SEPIC, Power-Management, Aufwärtswandler
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLD5099EP
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationskit TLD5099EP SEPIC
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Unterart Anwendung: Aufwärtsregler
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4440.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60TXKSA1 INFINEON 2331899.pdf Description: INFINEON - IKP15N60TXKSA1 - IGBT, Universal, 30 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.19 грн
10+131.37 грн
100+94.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1 IKZ75N65EL5XKSA1 INFINEON 2849726.pdf Description: INFINEON - IKZ75N65EL5XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.1 V, 536 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 536
Anzahl der Pins: 4
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3715ZPBF IRLR3715ZPBF INFINEON 107852.pdf description Description: INFINEON - IRLR3715ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 49 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 49
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 40
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2703PBF IRL2703PBF INFINEON 140530.pdf description Description: INFINEON - IRL2703PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BB639E7904HTSA1 BB639E7904HTSA1 INFINEON INFNS15706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BB639E7904HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 40 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SOD-323, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 40pF
Produktpalette: BB639
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 3644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+35.06 грн
35+24.02 грн
100+10.29 грн
500+9.25 грн
1000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3XKSA1 INFNS30178-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IGP30N60H3XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGP30N60H3XKSA1 - IGBT, 30 A, 2.4 V, 187 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+276.14 грн
10+261.91 грн
100+126.35 грн
500+94.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7540PBF INFN-S-A0012827040-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB7540PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB7540PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+99.58 грн
11+79.16 грн
100+63.09 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BAR141E6327HTSA1 INFNS15692-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAR141E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR141E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zwei in Reihe, 12 ohm, 100 V, SOT-23, 3 Pins, 0.5 pF
Bauform - Diode: SOT-23
Diodenmontage: Oberflächenmontage
Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe
Sperrspannung: 100
Diodenkapazität: 0.5
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAR14
Durchlassstrom: 140
Betriebstemperatur, max.: 125
Widerstand bei If: 12
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+43.51 грн
24+35.48 грн
100+24.18 грн
500+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAR141E6327HTSA1 INFNS15692-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAR141E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR141E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zwei in Reihe, 12 ohm, 100 V, SOT-23, 3 Pins, 0.5 pF
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.18 грн
500+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRPBF INFN-S-A0002542230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7311TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7311TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802PBF 140860.pdf
IRLR3802PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3802PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 84 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+115.48 грн
10+95.39 грн
100+74.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPS6011RPBF description 789705.pdf
IPS6011RPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPS6011RPBF - Intelligenter Leistungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 5.5V, 60A, TO-252-5
Durchlasswiderstand: 0.011
Überhitzungsschutz: Ja
Strombegrenzung: 60
Betriebstemperatur, min.: -40
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 5.5
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS6031RPBF description 131403.pdf
IPS6031RPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPS6031RPBF - Intelligenter Leistungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 5.5V, 16A, TO-252-5
Durchlasswiderstand: 0.046
Überhitzungsschutz: Ja
Strombegrenzung: 16
Betriebstemperatur, min.: -40
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 5.5
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
POWERDRILL2GOTOBO1 3626605.pdf
POWERDRILL2GOTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - POWERDRILL2GOTOBO1 - Linearer Steuer-Trigger, 3D-Magnetsensor 2GO-Kits und Shield2Go
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Trigger, lineare Steuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 3D-Magnetsensor-2GO-Kits und Shield2Go
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1732.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2001PBF INFN-S-A0008991329-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRS2001PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2001PBF - MOSFET-Treiber-IC, 2fach, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 600mAout, 150ns, DIP-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 160ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 5221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+170.70 грн
10+160.66 грн
25+158.15 грн
50+135.20 грн
100+122.65 грн
250+119.78 грн
500+117.63 грн
1000+114.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03L G 491159.pdf
IPD090N03L G
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD090N03L G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2302SPBF Infineon-IRS2302S-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4e4998500c47
IRS2302SPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2302SPBF - IGBT/MOSFET-Gate-Treiber, High-Side, 5V-20V Versorgungsspannung, 350mAout, 200ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+199.99 грн
10+128.86 грн
50+114.64 грн
100+88.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2301SPBF 1441818.pdf
IRS2301SPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2301SPBF - IGBT/MOSFET-Gate-Treiber, High-Side & Low-Side, 5V-20V Versorgungsspannung, 350mAout, 200ns, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+108.78 грн
12+75.23 грн
50+67.86 грн
100+56.10 грн
250+49.92 грн
500+48.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
LINEARSLIDER2GOTOBO1 2614214.pdf
LINEARSLIDER2GOTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - LINEARSLIDER2GOTOBO1 - Zubehör für Development Kit, linearer Schieberegler für 3D Magnetic 2GO-Kit
tariffCode: 85437090
Art des Zubehörs: Linearer Schieber
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 3D-Magnetsensor 2 Go-Evaluationsboard von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3350.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N60H3FKSA1 IKW40N60H3_Rev2_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043293a15c401293aacb8b8002d
IKW40N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW40N60H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 306 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+362.33 грн
10+274.46 грн
100+186.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP076N12N3GXKSA1 INFNS27824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP076N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP076N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.0065 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 188
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 188
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 3
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ600R17KE3HOSA1 Infineon-FZ600R17KE3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43044fb4fda
FZ600R17KE3HOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FZ600R17KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 840 A, 2 V, 3.15 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Dauer-Kollektorstrom: 840A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 3.15kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.15kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: Standard 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 840A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+12436.25 грн
5+11959.28 грн
10+11482.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ600R17KE4HOSA1 Infineon-FZ600R17KE4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a3043293a15c401294a1c37557de9
FZ600R17KE4HOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FZ600R17KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 840 A, 1.95 V, 3.35 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
Dauer-Kollektorstrom: 840A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: 3.35kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.35kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: 62mm C Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 840A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11648.00 грн
5+11182.75 грн
10+10716.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R340C3XKSA2 INFNS12356-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPA90R340C3XKSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA90R340C3XKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 35
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 35
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS C3
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R1K2C3XKSA1 83077.pdf
IPA90R1K2C3XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA90R1K2C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 5.1
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 31
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 31
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R1K0C3XKSA1 83075.pdf
IPA90R1K0C3XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA90R1K0C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.7 A, 1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 5.7
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 32
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 32
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP147N12N3GXKSA1 IPP_I_B147N12N3+G_Rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a79a30f57d01
IPP147N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP147N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 41 A, 0.0126 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+132.21 грн
10+121.33 грн
100+57.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7833TRPBF 173466.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR7833TRPBF - MOSFET, N-KANAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL500W5GPSUTOBO1 3763575.pdf
EVAL500W5GPSUTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL500W5GPSUTOBO1 - Evaluationsboard, SL1002A600SP, Power-Management, Überspannungsbaustein
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: SL1002A600SP
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Littelfuse
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard SL1002A600SP
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Überspannungsstopper
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+41373.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C6XKSA1 2343073.pdf
IDH04G65C6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH04G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 12 A, 6.9 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 6.9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+160.66 грн
10+99.58 грн
100+89.54 грн
500+66.82 грн
1000+52.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IDW24G65C5BXKSA2 INFN-S-A0001299189-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDW24G65C5BXKSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDW24G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+556.46 грн
5+487.01 грн
10+403.33 грн
50+335.67 грн
100+286.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPI08N80C3XKSA1 INFNS16616-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPI08N80C3XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPI08N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.56 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 8
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 104
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 104
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.56
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW30N60CTXKSA1 2718657.pdf
AIKW30N60CTXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIKW30N60CTXKSA1 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+471.11 грн
10+361.49 грн
100+300.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R06KE3BPSA1 2255573.pdf
FP50R06KE3BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP50R06KE3BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 60 A, 1.45 V, 190 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 60A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 190W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Produktpalette: EconoPIM 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 60A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10480.69 грн
5+8908.38 грн
10+8246.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65WR5XKSA1 2882459.pdf
IKW30N65WR5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW30N65WR5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.4 V, 185 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 185W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+251.87 грн
10+176.56 грн
100+112.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR3806TRL INFN-S-A0002267158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRFR3806TRL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR3806TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0126 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+193.30 грн
10+149.78 грн
100+107.94 грн
500+75.06 грн
1000+62.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5410TRL INFN-S-A0002298902-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRFR5410TRL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR5410TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+171.54 грн
50+158.15 грн
100+143.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR2905ZTRL 2332337.pdf
AUIRFR2905ZTRL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR2905ZTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 59 A, 0.0111 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+211.71 грн
10+143.93 грн
100+115.48 грн
500+96.35 грн
1000+76.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR2905ZTRL 2332337.pdf
AUIRFR2905ZTRL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR2905ZTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 59 A, 0.0111 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0111ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+115.48 грн
500+96.35 грн
1000+76.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9410TRPBF 138346.pdf
IRF9410TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 7
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9410TRPBF 138346.pdf
IRF9410TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKA08N65H5XKSA1 1756009.pdf
IKA08N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKA08N65H5XKSA1 - IGBT, 8 A, 1.65 V, 31.2 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31.2W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 8A
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+139.74 грн
10+87.86 грн
100+79.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF INFN-S-A0012732583-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1104PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+79.24 грн
100+76.06 грн
500+67.68 грн
1000+53.08 грн
5000+52.00 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF.. 2043020.pdf
IRF1104PBF..
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1104PBF.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12KT3BPSA1 2211615.pdf
FP25R12KT3BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP25R12KT3BPSA1 - IGBT-Modul, Siebenerpack, 40 A, 1.7 V, 155 W, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 40
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 155
Verlustleistung: 155
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Siebenerpack
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7883.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B212 INFN-S-A0012826446-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL40B212
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL40B212 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 195
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 231
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
Verlustleistung: 231
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+291.20 грн
10+261.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 INFN-S-A0004163138-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IGW75N60TFKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGW75N60TFKSA1 - IGBT, 75 A, 2 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+516.29 грн
10+372.37 грн
100+280.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 INFNS17501-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSR315PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSR315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 620 mA, 0.62 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 620mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+38.32 грн
50+26.27 грн
100+18.74 грн
500+12.82 грн
1500+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 INFNS17501-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSR315PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSR315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 620 mA, 0.62 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 620mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.74 грн
500+12.82 грн
1500+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R120P7XKSA1 2718751.pdf
IPA60R120P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R120P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+270.28 грн
10+265.26 грн
100+146.44 грн
500+102.57 грн
1000+86.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03L G 1859015.pdf
IPD060N03L G
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD060N03L G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 50
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 56
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Verlustleistung: 56
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
REF5BR4780BZ15W1TOBO1 3770277.pdf
REF5BR4780BZ15W1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF5BR4780BZ15W1TOBO1 - Referenzplatine, ICE5BR4780BZ, Power-Management, nicht isoliertes 15W-Hilfsnetzteil, Flyback
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzboard ICE5BR4780BZ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Nicht isoliertes Flyback-Netzteil
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5BR4780BZ
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6928.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5BR3995CZ16W1TOBO1 Infineon-Reference_board_REF_5BR3995CZ_16W1-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290181808002035edd
REF5BR3995CZ16W1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF5BR3995CZ16W1TOBO1 - Referenzplatine, ICE5BR3995CZ, Power-Management, isoliertes 16W-Flyback-Hilfsnetzteil
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: ICE5BR3995CZ
Kit-Anwendungsbereich: 0
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: -
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Referenzboard ICE5BR3995CZ
euEccn: NLR
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Isolierte Stromversorgung, Flyback
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8560.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5BR3995BZ16W1TOBO1 3770275.pdf
REF5BR3995BZ16W1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF5BR3995BZ16W1TOBO1 - Referenzplatine, ICE5BR3995BZ, Power-Management, nicht isoliertes 16W-Hilfsnetzteil, Flyback
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzboard ICE5BR3995BZ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Nicht isoliertes Flyback-Netzteil
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5BR3995BZ
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6928.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833PBF INFN-S-A0012838199-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL7833PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL7833PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 0.0038 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+189.11 грн
10+140.58 грн
100+117.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833SPBF 107887.pdf
IRL7833SPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL7833SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 0.0038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 150
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 140
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3
Verlustleistung: 140
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06G65C6XKSA1 INFN-S-A0003489956-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDH06G65C6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH06G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 16 A, 9.6 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 9.6nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+218.40 грн
10+127.19 грн
100+114.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 1849735.pdf
BSS806NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS806NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.63 грн
500+8.00 грн
1500+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAS170WE6327HTSA1 45894.pdf
BAS170WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAS170WE6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS170
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+29.37 грн
51+16.65 грн
100+9.20 грн
500+7.85 грн
1000+6.78 грн
5000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5099EPVSEPICEVALTOBO1 Infineon-Z8F67904874-TLD5099EP_VSEPIC-UG-UserManual-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f443e50a67045
TLD5099EPVSEPICEVALTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLD5099EPVSEPICEVALTOBO1 - Evaluationskit, TLD5099EP SEPIC, Power-Management, Aufwärtswandler
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLD5099EP
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationskit TLD5099EP SEPIC
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Unterart Anwendung: Aufwärtsregler
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4440.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 2331899.pdf
IKP15N60TXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKP15N60TXKSA1 - IGBT, Universal, 30 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+168.19 грн
10+131.37 грн
100+94.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1 2849726.pdf
IKZ75N65EL5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKZ75N65EL5XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.1 V, 536 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 536
Anzahl der Pins: 4
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3715ZPBF description 107852.pdf
IRLR3715ZPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3715ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 49 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 49
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 40
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2703PBF description 140530.pdf
IRL2703PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL2703PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BB639E7904HTSA1 INFNS15706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BB639E7904HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BB639E7904HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 40 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SOD-323, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 40pF
Produktpalette: BB639
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 3644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+35.06 грн
35+24.02 грн
100+10.29 грн
500+9.25 грн
1000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 269 270 271 272 273 274 275 276 277 278 279 287 328 369 410 419  [ Наступна Сторінка >> ]