Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25964) > Сторінка 240 з 433

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 235 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 258 301 344 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 INFINEON BSS214N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f6860601311828a70444e9 Description: INFINEON - BSS214NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 48727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+24.65 грн
60+13.68 грн
250+8.76 грн
1000+6.06 грн
5000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 INFINEON INFN-S-A0001299831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS225H6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 mA, 28 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 28ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.85 грн
24+35.14 грн
100+25.96 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 INFINEON INFNS17241-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS209PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.55 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 140344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+14.41 грн
92+8.93 грн
250+6.00 грн
1000+4.98 грн
5000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 INFINEON INFN-S-A0001299831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS225H6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 mA, 28 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 28ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 INFINEON INFNS15442-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS214NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.106 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 51743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.05 грн
250+9.99 грн
1000+6.08 грн
5000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 INFINEON INFNS15441-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS205NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.53 грн
1000+6.85 грн
5000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 INFINEON INFNS15441-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS205NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+29.65 грн
50+17.28 грн
250+7.53 грн
1000+6.85 грн
5000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 INFINEON INFNS17241-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS209PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.55 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 140344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.00 грн
1000+4.98 грн
5000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IR2102SPBF IR2102SPBF INFINEON INFN-S-A0008964745-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IR2102SPBF - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 160ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.91 грн
10+135.14 грн
50+117.94 грн
100+95.06 грн
250+86.35 грн
500+71.60 грн
1000+69.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104PBF IR2104PBF INFINEON 59961.pdf description Description: INFINEON - IR2104PBF - MOSFET-IC, zweifach, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, 150ns Verzögerung, DIP-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+263.72 грн
10+203.93 грн
25+189.19 грн
50+168.07 грн
100+148.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2109SPBF IR2109SPBF INFINEON 59972.pdf Description: INFINEON - IR2109SPBF - MOSFET-IC, zweifach, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 350mAout, 200ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 750ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.61 грн
10+123.67 грн
50+111.38 грн
100+96.58 грн
250+87.75 грн
500+82.13 грн
1000+76.52 грн
2500+75.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IR2106SPBF IR2106SPBF INFINEON INFN-S-A0008964746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR2106SPBF - Treiber-IC, 2fach High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 350mAout, 200ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.32 грн
10+111.38 грн
50+99.10 грн
100+74.83 грн
250+67.81 грн
500+65.85 грн
1000+65.22 грн
2500+63.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DPS310XTSA1 DPS310XTSA1 INFINEON 2211517.pdf Description: INFINEON - DPS310XTSA1 - Drucksensor, Luftdruck, 4.351 Psi, 17.404 Psi, 1.7 V, 3.6 V, VLGA
tariffCode: 90258040
Genauigkeit: ±0.06hPa
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Druckmessung: Luftdruck
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 17.404Psi
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Sensorgehäuse/-bauform: VLGA
Bauform - Sensor: VLGA
euEccn: NLR
Sensorausgang: Digital
Betriebsdruck, min.: 4.351Psi
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Medium: Luft
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Ausgangsschnittstelle: I2C, SPI
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF IRF540ZPBF INFINEON INFN-S-A0012838300-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF540ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100V, 36A, 0.0265 Ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 92W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.84 грн
13+64.78 грн
100+58.48 грн
500+42.97 грн
1000+36.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CKIT-062-WIFI-BT CY8CKIT-062-WIFI-BT INFINEON download Description: INFINEON - CY8CKIT-062-WIFI-BT - Development Kit, Pioneer-Kit, PSoC6, WiFi, Bluetooth, äußerst energiesparend, IoT
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: PSoC 6 WiFi-BT-Pioneer-Board, CY8CKIT-028-TFT-Anzeige-Shield, USB-Kabel, Überbrückungsdrähte/Näherungssensor-Drähte
Prozessorhersteller: Cypress
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: -
Prozessorserie: -
usEccn: 5A992.c
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: PSoC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7323.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7404TRPBF IRF7404TRPBF INFINEON IRSDS16894-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7404TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.7 A, 0.04 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7406TRPBF IRF7406TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542219-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7406TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7406TRPBF IRF7406TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542219-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7406TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF INFINEON INFN-S-A0012813733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFZ24NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.07 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.45 грн
21+39.31 грн
100+31.61 грн
500+24.34 грн
1000+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBF IRFP3206PBF INFINEON INFN-S-A0012838483-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFP3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2400 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+336.61 грн
10+191.65 грн
100+157.25 грн
500+129.28 грн
1000+117.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBF IRF1018EPBF INFINEON INFN-S-A0012838849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF1018EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 7100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.57 грн
13+66.91 грн
100+50.29 грн
500+41.60 грн
1000+34.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3306PBF IRFP3306PBF INFINEON INFN-S-A0012838392-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFP3306PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0033 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3006PBF IRFP3006PBF INFINEON 1807933.pdf Description: INFINEON - IRFP3006PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2500 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+359.54 грн
10+265.36 грн
100+244.06 грн
500+224.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7545PBF IRFB7545PBF INFINEON INFN-S-A0012813012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB7545PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 95 A, 5900 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+29.57 грн
100+29.24 грн
500+26.39 грн
1000+24.29 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF IRFB7530PBF INFINEON irfs7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3d98429c3 Description: INFINEON - IRFB7530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+325.96 грн
10+167.08 грн
100+161.34 грн
500+139.17 грн
1000+119.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7537PBF IRFB7537PBF INFINEON IRSD-S-A0000108830-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB7537PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 173 A, 2750 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.64 грн
12+73.96 грн
100+68.39 грн
500+60.61 грн
1000+54.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7537PBF IRFP7537PBF INFINEON INFN-S-A0012813550-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFP7537PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 172 A, 3300 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 172A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.83 грн
10+102.38 грн
100+100.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826693-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.013 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.92 грн
50+126.13 грн
250+99.92 грн
1000+80.61 грн
2000+73.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60B217 IRF60B217 INFINEON irf60b217.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e42b3719c8 irf60b217 Description: INFINEON - IRF60B217 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0073 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7546TRPBF IRFR7546TRPBF INFINEON 1868662.pdf Description: INFINEON - IRFR7546TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 56 A, 7900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 99W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.55 грн
13+67.98 грн
100+44.96 грн
500+32.78 грн
1000+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB52N15DPBF IRFB52N15DPBF INFINEON INFN-S-A0012837866-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB52N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.70 грн
10+122.85 грн
100+113.84 грн
500+84.42 грн
1000+71.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BE6327HTSA1 BC847BE6327HTSA1 INFINEON INFNS12081-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BC847BE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+20.48 грн
50+19.98 грн
250+14.25 грн
1000+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 IRF100B202 INFINEON INFN-S-A0012732550-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF100B202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 7200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.24 грн
14+60.52 грн
100+52.99 грн
500+49.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12KE3BOSA1 FP25R12KE3BOSA1 INFINEON INFNS28461-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FP25R12KE3BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 25 A, 1.7 V, 155 W, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 155
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: EconoPIM
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF IRLB3034PBF INFINEON INFN-S-A0012838563-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLB3034PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+261.26 грн
10+238.33 грн
100+148.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF IRLB3036PBF INFINEON 3732235.pdf Description: INFINEON - IRLB3036PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+336.61 грн
10+221.95 грн
100+157.25 грн
500+129.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PC40WPBF IRG4PC40WPBF INFINEON 140318.pdf description Description: INFINEON - IRG4PC40WPBF - IGBT, 40 A, 2.5 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5
Verlustleistung Pd: 160
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DPS368XTSA1 DPS368XTSA1 INFINEON 2818770.pdf Description: INFINEON - DPS368XTSA1 - Drucksensor, Luftdruck, 30 kPa, 120 kPa, 1.7 V, 3.6 V, VLGA
tariffCode: 85423990
Genauigkeit: ±1hPa
rohsCompliant: YES
Empfindlichkeit, V/P: 500mV/kPa
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Druckmessung: Luftdruck
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 120kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Sensorgehäuse/-bauform: VLGA
Bauform - Sensor: VLGA
euEccn: NLR
Sensorausgang: Digital
Betriebsdruck, min.: 30kPa
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XENSIV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Medium: Luft
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Ausgangsschnittstelle: I2C, SPI
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N10N5AKSA1 IPP039N10N5AKSA1 INFINEON INFN-S-A0003554922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP039N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+262.08 грн
10+192.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PC40SPBF IRG4PC40SPBF INFINEON 140293.pdf description Description: INFINEON - IRG4PC40SPBF - IGBT, 60 A, 1.6 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
Verlustleistung Pd: 160
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: IRG4
DC-Kollektorstrom: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PC40UD-EPBF IRG4PC40UD-EPBF INFINEON 34715.pdf Description: INFINEON - IRG4PC40UD-EPBF - IGBT, 40 A, 2.15 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.15
DC-Kollektorstrom: 40
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 160
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRG4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PC40UDPBF IRG4PC40UDPBF INFINEON 34715.pdf Description: INFINEON - IRG4PC40UDPBF - IGBT, 40 A, 2.4 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.4
Verlustleistung Pd: 160
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PC40FDPBF IRG4PC40FDPBF INFINEON 1916247.pdf Description: INFINEON - IRG4PC40FDPBF - IGBT, 49 A, 1.85 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85
Verlustleistung Pd: 160
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 49
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PC40KDPBF IRG4PC40KDPBF INFINEON 140289.pdf description Description: INFINEON - IRG4PC40KDPBF - IGBT, 42 A, 2.1 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.1
DC-Kollektorstrom: 42
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 160
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KITDRIVER1EDN7512BTOBO1 INFINEON Infineon-1EDN751x_1EDN851x_Rev%202.0-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d462576f34750157e176df0b3ca7 Description: INFINEON - KITDRIVER1EDN7512BTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDN7512B, 1 Kanal, Low-Side, MOSFET-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1EDN7512B
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDN7512B
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3498.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITDRIVER2EDN7524GTOBO1 KITDRIVER2EDN7524GTOBO1 INFINEON Infineon-Quick-start-guide_KIT_DRIVER_2EDN7524G-ATI-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46264fee02f016513ddffd91490 Description: INFINEON - KITDRIVER2EDN7524GTOBO1 - Evaluationsboard, EiceDRIVER 2EDF7524G Gate-Treiber, zwei Kanäle, nicht isoliert
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 2EDN7524G
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationskit 2EDN7524G
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2077.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21084PBF. IRS21084PBF. INFINEON INFN-S-A0008963375-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRS21084PBF. - GATE DRIVER, IGBT, MOSFET, -40TO125DEG C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Half Bridge
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Through Hole
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Inverting, Non-Inverting
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
225+126.94 грн
1000+113.02 грн
2500+91.73 грн
5000+82.89 грн
Мінімальне замовлення: 225
В кошику  од. на суму  грн.
KITDRIVER2EDS8265HTOBO1 KITDRIVER2EDS8265HTOBO1 INFINEON Infineon-2EDF7175F-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b09026be3060 Description: INFINEON - KITDRIVER2EDS8265HTOBO1 - Evaluationskit, 2EDS8265H, isolierter Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 2EDS8265H
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationskit 2EDS8265H
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Isolierter Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3747.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.69 грн
50+87.63 грн
100+60.44 грн
500+44.34 грн
1000+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRLPBF IRLR2905TRLPBF INFINEON 140822.pdf Description: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.73 грн
50+60.85 грн
100+46.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRPBF IRF7311TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7311TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.37 грн
10+91.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF INFINEON INFN-S-A0004663990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.67 грн
50+78.13 грн
250+52.09 грн
1000+34.60 грн
2000+30.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7314TRPBF IRF7314TRPBF INFINEON IRSDS07021-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7314TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.049 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.049ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.049ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF IRF7317TRPBF INFINEON INFN-S-A0002485110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7317TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.12 грн
12+73.87 грн
100+49.47 грн
500+40.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317PBF IRF7317PBF INFINEON INFN-S-A0002485110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7317PBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.023 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R600P7XKSA1 IPP80R600P7XKSA1 INFINEON 2327429.pdf Description: INFINEON - IPP80R600P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.59 грн
12+69.45 грн
100+60.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSR202NL6327HTSA1 BSR202NL6327HTSA1 INFINEON INFNS19161-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSR202NL6327HTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.8 A, 0.033 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSR802NL6327HTSA1 BSR802NL6327HTSA1 INFINEON INFNS16749-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSR802NL6327HTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.023 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.72 грн
32+26.37 грн
100+21.79 грн
500+16.88 грн
1000+13.55 грн
5000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSR92PH6327XTSA1 BSR92PH6327XTSA1 INFINEON Infineon-BSR92P-DataSheet-v01_06-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ac3aa43e1 Description: INFINEON - BSR92PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 140 mA, 11 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.77 грн
50+34.56 грн
100+22.52 грн
500+15.89 грн
1500+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 INFINEON INFNS17502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSR316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 360 mA, 1.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 38069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.14 грн
50+26.62 грн
100+20.72 грн
500+15.51 грн
1500+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NH6327XTSA1 BSS214N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f6860601311828a70444e9
BSS214NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS214NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 48727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+24.65 грн
60+13.68 грн
250+8.76 грн
1000+6.06 грн
5000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 INFN-S-A0001299831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS225H6327FTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS225H6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 mA, 28 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 28ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+46.85 грн
24+35.14 грн
100+25.96 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 INFNS17241-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS209PWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS209PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.55 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 140344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
57+14.41 грн
92+8.93 грн
250+6.00 грн
1000+4.98 грн
5000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 INFN-S-A0001299831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS225H6327FTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS225H6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 mA, 28 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 28ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NH6327XTSA1 INFNS15442-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS214NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS214NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.106 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 51743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.05 грн
250+9.99 грн
1000+6.08 грн
5000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS205NH6327XTSA1 INFNS15441-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS205NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS205NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.53 грн
1000+6.85 грн
5000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSS205NH6327XTSA1 INFNS15441-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS205NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS205NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+29.65 грн
50+17.28 грн
250+7.53 грн
1000+6.85 грн
5000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 INFNS17241-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS209PWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS209PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.55 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 140344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.00 грн
1000+4.98 грн
5000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IR2102SPBF description INFN-S-A0008964745-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR2102SPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2102SPBF - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 160ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+185.91 грн
10+135.14 грн
50+117.94 грн
100+95.06 грн
250+86.35 грн
500+71.60 грн
1000+69.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104PBF description 59961.pdf
IR2104PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2104PBF - MOSFET-IC, zweifach, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, 150ns Verzögerung, DIP-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+263.72 грн
10+203.93 грн
25+189.19 грн
50+168.07 грн
100+148.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2109SPBF 59972.pdf
IR2109SPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2109SPBF - MOSFET-IC, zweifach, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 350mAout, 200ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 750ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+155.61 грн
10+123.67 грн
50+111.38 грн
100+96.58 грн
250+87.75 грн
500+82.13 грн
1000+76.52 грн
2500+75.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IR2106SPBF INFN-S-A0008964746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR2106SPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2106SPBF - Treiber-IC, 2fach High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 350mAout, 200ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+134.32 грн
10+111.38 грн
50+99.10 грн
100+74.83 грн
250+67.81 грн
500+65.85 грн
1000+65.22 грн
2500+63.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DPS310XTSA1 2211517.pdf
DPS310XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DPS310XTSA1 - Drucksensor, Luftdruck, 4.351 Psi, 17.404 Psi, 1.7 V, 3.6 V, VLGA
tariffCode: 90258040
Genauigkeit: ±0.06hPa
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Druckmessung: Luftdruck
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 17.404Psi
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Sensorgehäuse/-bauform: VLGA
Bauform - Sensor: VLGA
euEccn: NLR
Sensorausgang: Digital
Betriebsdruck, min.: 4.351Psi
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Medium: Luft
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Ausgangsschnittstelle: I2C, SPI
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF description INFN-S-A0012838300-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF540ZPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100V, 36A, 0.0265 Ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 92W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+113.84 грн
13+64.78 грн
100+58.48 грн
500+42.97 грн
1000+36.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CKIT-062-WIFI-BT download
CY8CKIT-062-WIFI-BT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8CKIT-062-WIFI-BT - Development Kit, Pioneer-Kit, PSoC6, WiFi, Bluetooth, äußerst energiesparend, IoT
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: PSoC 6 WiFi-BT-Pioneer-Board, CY8CKIT-028-TFT-Anzeige-Shield, USB-Kabel, Überbrückungsdrähte/Näherungssensor-Drähte
Prozessorhersteller: Cypress
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: -
Prozessorserie: -
usEccn: 5A992.c
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: PSoC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7323.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7404TRPBF description IRSDS16894-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7404TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7404TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.7 A, 0.04 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7406TRPBF description INFN-S-A0002542219-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7406TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7406TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7406TRPBF description INFN-S-A0002542219-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7406TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7406TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF description INFN-S-A0012813733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ24NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ24NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.07 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+88.45 грн
21+39.31 грн
100+31.61 грн
500+24.34 грн
1000+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBF INFN-S-A0012838483-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFP3206PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2400 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+336.61 грн
10+191.65 грн
100+157.25 грн
500+129.28 грн
1000+117.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBF description INFN-S-A0012838849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1018EPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1018EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 7100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+119.57 грн
13+66.91 грн
100+50.29 грн
500+41.60 грн
1000+34.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3306PBF description INFN-S-A0012838392-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFP3306PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP3306PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0033 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3006PBF 1807933.pdf
IRFP3006PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP3006PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2500 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+359.54 грн
10+265.36 грн
100+244.06 грн
500+224.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7545PBF INFN-S-A0012813012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB7545PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB7545PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 95 A, 5900 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+29.57 грн
100+29.24 грн
500+26.39 грн
1000+24.29 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF irfs7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3d98429c3
IRFB7530PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB7530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+325.96 грн
10+167.08 грн
100+161.34 грн
500+139.17 грн
1000+119.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7537PBF IRSD-S-A0000108830-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB7537PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB7537PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 173 A, 2750 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+182.64 грн
12+73.96 грн
100+68.39 грн
500+60.61 грн
1000+54.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7537PBF INFN-S-A0012813550-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFP7537PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP7537PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 172 A, 3300 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 172A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+104.83 грн
10+102.38 грн
100+100.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBF INFN-S-A0012826693-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6644TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.013 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+194.92 грн
50+126.13 грн
250+99.92 грн
1000+80.61 грн
2000+73.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60B217 irf60b217.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e42b3719c8 irf60b217
IRF60B217
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF60B217 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0073 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7546TRPBF 1868662.pdf
IRFR7546TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR7546TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 56 A, 7900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 99W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+92.55 грн
13+67.98 грн
100+44.96 грн
500+32.78 грн
1000+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB52N15DPBF INFN-S-A0012837866-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB52N15DPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB52N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+159.70 грн
10+122.85 грн
100+113.84 грн
500+84.42 грн
1000+71.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BE6327HTSA1 INFNS12081-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC847BE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BC847BE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+20.48 грн
50+19.98 грн
250+14.25 грн
1000+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 INFN-S-A0012732550-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF100B202
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF100B202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 7200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+148.24 грн
14+60.52 грн
100+52.99 грн
500+49.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12KE3BOSA1 INFNS28461-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FP25R12KE3BOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP25R12KE3BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 25 A, 1.7 V, 155 W, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 155
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: EconoPIM
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF INFN-S-A0012838563-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLB3034PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB3034PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+261.26 грн
10+238.33 грн
100+148.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF 3732235.pdf
IRLB3036PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB3036PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+336.61 грн
10+221.95 грн
100+157.25 грн
500+129.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PC40WPBF description 140318.pdf
IRG4PC40WPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4PC40WPBF - IGBT, 40 A, 2.5 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5
Verlustleistung Pd: 160
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DPS368XTSA1 2818770.pdf
DPS368XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DPS368XTSA1 - Drucksensor, Luftdruck, 30 kPa, 120 kPa, 1.7 V, 3.6 V, VLGA
tariffCode: 85423990
Genauigkeit: ±1hPa
rohsCompliant: YES
Empfindlichkeit, V/P: 500mV/kPa
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Druckmessung: Luftdruck
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 120kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Sensorgehäuse/-bauform: VLGA
Bauform - Sensor: VLGA
euEccn: NLR
Sensorausgang: Digital
Betriebsdruck, min.: 30kPa
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XENSIV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Medium: Luft
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Ausgangsschnittstelle: I2C, SPI
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N10N5AKSA1 INFN-S-A0003554922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP039N10N5AKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP039N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+262.08 грн
10+192.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PC40SPBF description 140293.pdf
IRG4PC40SPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4PC40SPBF - IGBT, 60 A, 1.6 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
Verlustleistung Pd: 160
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: IRG4
DC-Kollektorstrom: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PC40UD-EPBF 34715.pdf
IRG4PC40UD-EPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4PC40UD-EPBF - IGBT, 40 A, 2.15 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.15
DC-Kollektorstrom: 40
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 160
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRG4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PC40UDPBF 34715.pdf
IRG4PC40UDPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4PC40UDPBF - IGBT, 40 A, 2.4 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.4
Verlustleistung Pd: 160
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PC40FDPBF 1916247.pdf
IRG4PC40FDPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4PC40FDPBF - IGBT, 49 A, 1.85 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85
Verlustleistung Pd: 160
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 49
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PC40KDPBF description 140289.pdf
IRG4PC40KDPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4PC40KDPBF - IGBT, 42 A, 2.1 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.1
DC-Kollektorstrom: 42
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 160
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KITDRIVER1EDN7512BTOBO1 Infineon-1EDN751x_1EDN851x_Rev%202.0-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d462576f34750157e176df0b3ca7
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITDRIVER1EDN7512BTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDN7512B, 1 Kanal, Low-Side, MOSFET-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1EDN7512B
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDN7512B
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3498.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITDRIVER2EDN7524GTOBO1 Infineon-Quick-start-guide_KIT_DRIVER_2EDN7524G-ATI-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46264fee02f016513ddffd91490
KITDRIVER2EDN7524GTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITDRIVER2EDN7524GTOBO1 - Evaluationsboard, EiceDRIVER 2EDF7524G Gate-Treiber, zwei Kanäle, nicht isoliert
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 2EDN7524G
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationskit 2EDN7524G
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2077.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21084PBF. INFN-S-A0008963375-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRS21084PBF.
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS21084PBF. - GATE DRIVER, IGBT, MOSFET, -40TO125DEG C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Half Bridge
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Through Hole
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Inverting, Non-Inverting
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
225+126.94 грн
1000+113.02 грн
2500+91.73 грн
5000+82.89 грн
Мінімальне замовлення: 225
В кошику  од. на суму  грн.
KITDRIVER2EDS8265HTOBO1 Infineon-2EDF7175F-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b09026be3060
KITDRIVER2EDS8265HTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITDRIVER2EDS8265HTOBO1 - Evaluationskit, 2EDS8265H, isolierter Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 2EDS8265H
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationskit 2EDS8265H
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Isolierter Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3747.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description INFN-S-A0012905427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR2905TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+141.69 грн
50+87.63 грн
100+60.44 грн
500+44.34 грн
1000+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRLPBF 140822.pdf
IRLR2905TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+91.73 грн
50+60.85 грн
100+46.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRPBF INFN-S-A0002542230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7311TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7311TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+93.37 грн
10+91.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF description INFN-S-A0004663990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7316TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+123.67 грн
50+78.13 грн
250+52.09 грн
1000+34.60 грн
2000+30.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7314TRPBF description IRSDS07021-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7314TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7314TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.049 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.049ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.049ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF description INFN-S-A0002485110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7317TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7317TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+117.12 грн
12+73.87 грн
100+49.47 грн
500+40.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317PBF description INFN-S-A0002485110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7317PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7317PBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.023 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R600P7XKSA1 2327429.pdf
IPP80R600P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP80R600P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+137.59 грн
12+69.45 грн
100+60.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSR202NL6327HTSA1 INFNS19161-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSR202NL6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSR202NL6327HTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.8 A, 0.033 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSR802NL6327HTSA1 INFNS16749-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSR802NL6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSR802NL6327HTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.023 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+39.72 грн
32+26.37 грн
100+21.79 грн
500+16.88 грн
1000+13.55 грн
5000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSR92PH6327XTSA1 Infineon-BSR92P-DataSheet-v01_06-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ac3aa43e1
BSR92PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSR92PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 140 mA, 11 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+55.77 грн
50+34.56 грн
100+22.52 грн
500+15.89 грн
1500+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1 INFNS17502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSR316PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSR316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 360 mA, 1.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 38069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+44.14 грн
50+26.62 грн
100+20.72 грн
500+15.51 грн
1500+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 235 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 258 301 344 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]