Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25942) > Сторінка 320 з 433

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 315 316 317 318 319 320 321 322 323 324 325 344 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMBG120R030M1HXTMA1 IMBG120R030M1HXTMA1 INFINEON 3159566.pdf Description: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+921.81 грн
50+755.32 грн
100+604.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1 IMBG65R107M1HXTMA1 INFINEON 3671353.pdf Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+400.44 грн
10+201.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R072M1HXTMA1 IMBG65R072M1HXTMA1 INFINEON 3671355.pdf Description: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1166.38 грн
5+1086.65 грн
10+1006.92 грн
50+855.14 грн
100+715.64 грн
250+701.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R030M1HXTMA1 IMBG65R030M1HXTMA1 INFINEON 3671359.pdf Description: INFINEON - IMBG65R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1662.67 грн
5+1595.48 грн
10+1527.40 грн
50+1308.49 грн
100+1105.71 грн
250+1083.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R083M1HXTMA1 IMBG65R083M1HXTMA1 INFINEON 3671354.pdf Description: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+956.75 грн
5+883.29 грн
10+809.83 грн
50+687.94 грн
100+575.12 грн
250+563.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1 IMBG65R163M1HXTMA1 INFINEON 3671352.pdf Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+673.67 грн
5+615.44 грн
10+556.31 грн
50+472.49 грн
100+394.68 грн
250+387.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1 IMBG65R260M1HXTMA1 INFINEON 3671351.pdf Description: INFINEON - IMBG65R260M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6 A, 650 V, 0.26 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+599.31 грн
10+490.02 грн
100+401.33 грн
500+317.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R039M1HXTMA1 IMBG65R039M1HXTMA1 INFINEON Infineon-IMBG65R039M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e4982bf550d7a Description: INFINEON - IMBG65R039M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1358.98 грн
5+1289.10 грн
10+1219.23 грн
50+1044.80 грн
100+882.27 грн
250+865.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R057M1HXTMA1 IMBG65R057M1HXTMA1 INFINEON 3671356.pdf Description: INFINEON - IMBG65R057M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 161W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1050.81 грн
5+982.73 грн
10+913.75 грн
50+782.77 грн
100+661.12 грн
250+648.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1 IMBG65R022M1HXTMA1 INFINEON 3671360.pdf Description: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1242.52 грн
5+1058.88 грн
10+875.23 грн
50+728.70 грн
100+594.32 грн
250+582.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1 IMBG120R060M1HXTMA1 INFINEON 3159568.pdf Description: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+802.67 грн
5+692.48 грн
10+581.40 грн
50+496.61 грн
100+340.93 грн
250+334.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1 IMBG120R045M1HXTMA1 INFINEON 3159567.pdf Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+895.83 грн
5+814.31 грн
10+731.90 грн
50+675.46 грн
100+538.27 грн
250+531.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1 IMBG120R045M1HXTMA1 INFINEON 3159567.pdf Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+731.90 грн
50+675.46 грн
100+538.27 грн
250+531.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1 IMBG120R090M1HXTMA1 INFINEON 3159569.pdf Description: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+612.75 грн
5+537.50 грн
10+461.35 грн
50+379.32 грн
100+304.84 грн
250+304.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1 IMBG120R090M1HXTMA1 INFINEON 3159569.pdf Description: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+461.35 грн
50+379.32 грн
100+304.84 грн
250+304.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1 IMBG120R060M1HXTMA1 INFINEON 3159568.pdf Description: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 181W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+581.40 грн
50+496.61 грн
100+340.93 грн
250+334.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R072M1HXTMA1 IMBG65R072M1HXTMA1 INFINEON 3671355.pdf Description: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1006.92 грн
50+855.14 грн
100+715.64 грн
250+701.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1 IMBG65R107M1HXTMA1 INFINEON 3671353.pdf Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.107ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1 IMBG65R163M1HXTMA1 INFINEON 3671352.pdf Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+556.31 грн
50+472.49 грн
100+394.68 грн
250+387.00 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1 IMBG65R022M1HXTMA1 INFINEON 3671360.pdf Description: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+875.23 грн
50+728.70 грн
100+594.32 грн
250+582.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1 IMBG65R260M1HXTMA1 INFINEON 3671351.pdf Description: INFINEON - IMBG65R260M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6 A, 650 V, 0.26 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+490.02 грн
100+401.33 грн
500+317.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R057M1HXTMA1 IMBG65R057M1HXTMA1 INFINEON 3671356.pdf Description: INFINEON - IMBG65R057M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 161W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+913.75 грн
50+782.77 грн
100+661.12 грн
250+648.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R083M1HXTMA1 IMBG65R083M1HXTMA1 INFINEON 3671354.pdf Description: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+809.83 грн
50+687.94 грн
100+575.12 грн
250+563.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R039M1HXTMA1 IMBG65R039M1HXTMA1 INFINEON Infineon-IMBG65R039M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e4982bf550d7a Description: INFINEON - IMBG65R039M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 211W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1219.23 грн
50+1044.80 грн
100+882.27 грн
250+865.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R030M1HXTMA1 IMBG65R030M1HXTMA1 INFINEON 3671359.pdf Description: INFINEON - IMBG65R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 234W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1527.40 грн
50+1308.49 грн
100+1105.71 грн
250+1083.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
EVALSHNBV01DPS310TOBO1 EVALSHNBV01DPS310TOBO1 INFINEON 2367012.pdf Description: INFINEON - EVALSHNBV01DPS310TOBO1 - Evaluationsboard, DPS310/XMC1100, Luftdrucksensor
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard DPS310/XMC1100
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Luftdrucksensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5294.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITDPS3102GOTOBO1 KITDPS3102GOTOBO1 INFINEON 3968038.pdf Description: INFINEON - KITDPS3102GOTOBO1 - Evaluationskit, DPS310, Luftdrucksensor
tariffCode: 85437090
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard DPS310
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Luftdrucksensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: DPS310
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+971.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6433XTMA1 BSP135H6433XTMA1 INFINEON INFNS19463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP135H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+154.98 грн
10+99.44 грн
100+67.19 грн
500+45.67 грн
1000+38.62 грн
5000+35.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6433XTMA1 BSP135H6433XTMA1 INFINEON INFNS19463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP135H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 25ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+45.67 грн
1000+38.62 грн
5000+35.78 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BGA855N6E6327XTSA1 BGA855N6E6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0017689141-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BGA855N6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 1.164GHz bis 1.3GHz, 17.8dB Verstärkung, 0.6dB Rauschen, 1.1V bis 3.3V, TSNP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.6dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 17.8dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 1.164GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Frequenz, max.: 1.3GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA7L1BN6E6327XTSA1 BGA7L1BN6E6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0003019410-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BGA7L1BN6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 716MHz bis 960MHz, 13.6dB Verstärkung, 0.75dB Rauschen, 1.5V bis 3.6V, TSNP-6
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.75dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 13.6dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 716MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 960MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 21578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+47.30 грн
27+33.41 грн
100+26.25 грн
500+19.88 грн
1000+17.58 грн
2500+17.51 грн
5000+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BGA7L1BN6E6327XTSA1 BGA7L1BN6E6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0003019410-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BGA7L1BN6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 716MHz bis 960MHz, 13.6dB Verstärkung, 0.75dB Rauschen, 1.5V bis 3.6V, TSNP-6
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.75dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 13.6dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 716MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 960MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 21578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.25 грн
500+19.88 грн
1000+17.58 грн
2500+17.51 грн
5000+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BGA855N6E6327XTSA1 BGA855N6E6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0017689141-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BGA855N6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 1.164GHz bis 1.3GHz, 17.8dB Verstärkung, 0.6dB Rauschen, 1.1V bis 3.3V, TSNP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.6dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 17.8dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 1.164GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Frequenz, max.: 1.3GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50101EKBXUMA1 BTS50101EKBXUMA1 INFINEON 2211607.pdf Description: INFINEON - BTS50101EKBXUMA1 - Leistungsschalter, AEC-Q100, High-Side, 1 Ausgang, 13.5V, 50A/0.01 Ohm Ausgang, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.01ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 50A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 13.5V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: PROFET
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 36031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+135.27 грн
500+104.81 грн
1000+94.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50101EKBXUMA1 BTS50101EKBXUMA1 INFINEON 2211607.pdf Description: INFINEON - BTS50101EKBXUMA1 - Leistungsschalter, AEC-Q100, High-Side, 1 Ausgang, 13.5V, 50A/0.01 Ohm Ausgang, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.01ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 50A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 13.5V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: PROFET
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 36031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+215.00 грн
50+146.92 грн
100+131.69 грн
500+105.64 грн
1000+95.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2EDF7175FXUMA1 2EDF7175FXUMA1 INFINEON INFN-S-A0006623190-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 2EDF7175FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, MOSFET, 16 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.65 грн
10+162.15 грн
50+152.29 грн
100+126.44 грн
250+109.04 грн
500+104.43 грн
1000+95.21 грн
2500+93.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 INFINEON 2577518.pdf Description: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.10 грн
10+99.44 грн
100+81.52 грн
500+63.72 грн
1000+54.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CHL8510CRT CHL8510CRT INFINEON IRSD-S-A0000254707-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CHL8510CRT - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.5V-13.2V Versorgung, 3 A /4Aout, 20ns Verzögerung, DFN-10
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DFN
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Quellstrom: 3A
Versorgungsspannung, min.: 10.8V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 13.2V
Eingabeverzögerung: 16ns
Ausgabeverzögerung: 17ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+92.27 грн
11+82.86 грн
50+68.89 грн
100+50.99 грн
250+43.00 грн
500+38.93 грн
1000+30.71 грн
2500+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2EDF7275KXUMA1 2EDF7275KXUMA1 INFINEON INFN-S-A0008993695-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 2EDF7275KXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, MOSFET, 13 Pin(s), LGA
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+197.08 грн
10+146.92 грн
25+134.38 грн
50+118.12 грн
100+102.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD40DP06NMATMA1 IPD40DP06NMATMA1 INFINEON Infineon-IPD40DP06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0667894e724f Description: INFINEON - IPD40DP06NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+74.44 грн
50+49.63 грн
100+34.13 грн
500+26.04 грн
1000+21.27 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R360P6SATMA1 IPL60R360P6SATMA1 INFINEON DS_IPL60R360P6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01475e68ce13047c Description: INFINEON - IPL60R360P6SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.3 A, 0.36 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89.3W
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+154.98 грн
50+118.25 грн
250+82.24 грн
1000+57.40 грн
3000+51.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R360P6SATMA1 IPL60R360P6SATMA1 INFINEON DS_IPL60R360P6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01475e68ce13047c Description: INFINEON - IPL60R360P6SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.3 A, 0.36 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89.3W
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+118.25 грн
250+82.24 грн
1000+57.40 грн
3000+51.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5268LTI-LP030 CY8C5268LTI-LP030 INFINEON INFN-S-A0016826738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY8C5268LTI-LP030 - PROGRAMMIERBARES SOC, 67MHZ, QFN-EP-68
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 8Kanäle
Programmspeichergröße: 256KB
MPU-Familie: PSoC 5LP
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 67MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 5
RAM-Speichergröße: 64KB
MCU-Baureihe: CY8C52xx
CPU-Geschwindigkeit: 67MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 38I/O(s)
Anzahl der Pins: 68Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
MPU-Baureihe: CY8C52LP
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, LIN, SPI, UART, USB
Bauform - MPU: QFN-EP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M3
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1086.65 грн
10+834.02 грн
25+791.92 грн
50+699.58 грн
100+612.75 грн
250+585.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5268AXI-LP047 CY8C5268AXI-LP047 INFINEON INFN-S-A0016826738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY8C5268AXI-LP047 - PROGRAMMIERBARES SOC, 67MHZ, TQFP-100
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 8Kanäle
Programmspeichergröße: 256KB
MPU-Familie: PSoC 5LP
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 67MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 5
RAM-Speichergröße: 64KB
MCU-Baureihe: CY8C52xx
CPU-Geschwindigkeit: 67MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: -
productTraceability: No
MPU-Baureihe: CY8C52LP
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, LIN, SPI, UART, USB
Bauform - MPU: TQFP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M3
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1046.33 грн
10+824.17 грн
25+712.19 грн
50+608.08 грн
100+542.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5287AXI-LP095 CY8C5287AXI-LP095 INFINEON 4189468.pdf Description: INFINEON - CY8C5287AXI-LP095 - ARM-MCU, PSOC 5LP, PSOC 5 Family CY8C52xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M3, 32 Bit, 80 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 8Kanäle
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 80MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 5
RAM-Speichergröße: 64KB
MCU-Baureihe: CY8C52xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 5 Family CY8C52xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+799.98 грн
10+670.08 грн
25+635.15 грн
50+542.36 грн
100+494.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5267AXI-LP051 CY8C5267AXI-LP051 INFINEON 2091501.pdf Description: INFINEON - CY8C5267AXI-LP051 - ARM-MCU, Baureihe PSoC 5, PSOC 5 Family CY8C52xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M3, 32 Bit
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 8Kanäle
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 67MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 5
RAM-Speichergröße: 32KB
MCU-Baureihe: CY8C52xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 5 Family CY8C52xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1057.08 грн
10+834.02 грн
25+719.35 грн
50+614.73 грн
100+549.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4246AZI-L433 CY8C4246AZI-L433 INFINEON Infineon-PSoC_4_PSoC_4200L_Family-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed894aa5a14&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: INFINEON - CY8C4246AZI-L433 - ARM-MCU, PSoC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 38I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSoC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+592.15 грн
10+464.04 грн
25+433.58 грн
50+390.14 грн
100+327.11 грн
250+312.52 грн
500+310.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5468AXI-LP106 CY8C5468AXI-LP106 INFINEON download Description: INFINEON - CY8C5468AXI-LP106 - PROGRAMMIERBARES SOC, 67MHZ, TQFP-100
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Programmspeichergröße: 256KB
MPU-Familie: PSoC 5LP
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 67MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 5
RAM-Speichergröße: 64KB
MCU-Baureihe: CY8C54xx
CPU-Geschwindigkeit: 67MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
MPU-Baureihe: CY8C54LP
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, LIN, SPI, UART, USB
Bauform - MPU: TQFP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M3
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1133.23 грн
10+950.48 грн
25+821.48 грн
50+750.32 грн
100+681.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4045AZI-S413 CY8C4045AZI-S413 INFINEON INFN-S-A0017942764-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY8C4045AZI-S413 - ARM-MCU, PSoC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 48 MHz, 32 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 32KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
RAM-Speichergröße: 4KB
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 36I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+284.88 грн
10+256.21 грн
25+241.88 грн
50+209.62 грн
100+179.68 грн
250+170.46 грн
500+152.80 грн
1000+139.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4246AZI-M443 CY8C4246AZI-M443 INFINEON Infineon-PSoC_4_PSoC_4200M_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee45b436afc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integrati Description: INFINEON - CY8C4246AZI-M443 - ARM-MCU, PSoC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 38I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSoC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+457.77 грн
10+350.27 грн
25+324.29 грн
50+277.00 грн
100+232.66 грн
250+221.14 грн
500+215.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5688AXI-LP099 CY8C5688AXI-LP099 INFINEON 2864271.pdf Description: INFINEON - CY8C5688AXI-LP099 - ARM-MCU, PSOC 5 Family CY8C56xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M3, 32 Bit, 80 MHz, 256 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 80MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 5LP
RAM-Speichergröße: 64KB
MCU-Baureihe: CY8C56LPxxx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 5 Family CY8C56xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, I2C, I2S, LIN, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1568.60 грн
5+1411.83 грн
10+1300.75 грн
25+1193.70 грн
50+1088.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C21123-24SXIT CY8C21123-24SXIT INFINEON 2082020.pdf Description: INFINEON - CY8C21123-24SXIT - 8-Bit-MCU, PSOC 1 Family CY8C21x23 Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 4 KB, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 4Kanäle
Programmspeichergröße: 4KB
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 256Byte
MCU-Baureihe: CY8C21x23
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 6I/O(s)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C21x23 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+145.89 грн
250+136.68 грн
500+132.07 грн
1000+128.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4014LQI-422T CY8C4014LQI-422T INFINEON Infineon-PSoC_4_PSoC_4000_Family_Programmable_System-on-Chip_(PSoC)-DataSheet-v06_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecc2b7d45ee&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: INFINEON - CY8C4014LQI-422T - ARM-MCU, PSOC 4, PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 16 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -Kanäle
Programmspeichergröße: 16KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 16MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 2KB
MCU-Baureihe: CY8C40xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 20I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+95.98 грн
250+91.38 грн
500+86.77 грн
1000+82.16 грн
2000+77.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C624ABZI-S2D44 CY8C624ABZI-S2D44 INFINEON 3933784.pdf Description: INFINEON - CY8C624ABZI-S2D44 - ARM-MCU, PSOC 6 Family CY8C62xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 2MB
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Betriebsfrequenz, max.: 150MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 6
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: CY8C62xA
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 100I/O(s)
Anzahl der Pins: 124Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 6 Family CY8C62xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, QSPI, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+900.31 грн
10+708.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C624ALQI-S2D42 CY8C624ALQI-S2D42 INFINEON 3933784.pdf Description: INFINEON - CY8C624ALQI-S2D42 - ARM-MCU, PSOC 6 Family CY8C62xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 2MB
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Betriebsfrequenz, max.: 150MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 6
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: CY8C62xA
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 53I/O(s)
Anzahl der Pins: 68Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 6 Family CY8C62xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, QSPI, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+760.56 грн
10+612.75 грн
25+576.02 грн
50+526.56 грн
100+477.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSATMA1 BSZ0902NSATMA1 INFINEON BSZ0902NS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f0d175c012f25d963971d2f Description: INFINEON - BSZ0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2200 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.75 грн
500+34.60 грн
1000+27.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSATMA1 BSZ0902NSATMA1 INFINEON BSZ0902NS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f0d175c012f25d963971d2f Description: INFINEON - BSZ0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2200 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.67 грн
13+72.02 грн
100+47.75 грн
500+34.60 грн
1000+27.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N08NS5ATMA1 BSC026N08NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0001300011-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC026N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+280.40 грн
50+204.25 грн
250+155.88 грн
1000+133.10 грн
3000+115.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1 IPZ40N04S5L2R8ATMA1 INFINEON 2371115.pdf Description: INFINEON - IPZ40N04S5L2R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+105.71 грн
50+70.41 грн
250+50.79 грн
1000+32.69 грн
3000+29.49 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1 IPZ40N04S5L2R8ATMA1 INFINEON 2371115.pdf Description: INFINEON - IPZ40N04S5L2R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.41 грн
250+50.79 грн
1000+32.69 грн
3000+29.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 3159566.pdf
IMBG120R030M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+921.81 грн
50+755.32 грн
100+604.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1 3671353.pdf
IMBG65R107M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+400.44 грн
10+201.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R072M1HXTMA1 3671355.pdf
IMBG65R072M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1166.38 грн
5+1086.65 грн
10+1006.92 грн
50+855.14 грн
100+715.64 грн
250+701.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R030M1HXTMA1 3671359.pdf
IMBG65R030M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1662.67 грн
5+1595.48 грн
10+1527.40 грн
50+1308.49 грн
100+1105.71 грн
250+1083.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R083M1HXTMA1 3671354.pdf
IMBG65R083M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+956.75 грн
5+883.29 грн
10+809.83 грн
50+687.94 грн
100+575.12 грн
250+563.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1 3671352.pdf
IMBG65R163M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+673.67 грн
5+615.44 грн
10+556.31 грн
50+472.49 грн
100+394.68 грн
250+387.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1 3671351.pdf
IMBG65R260M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R260M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6 A, 650 V, 0.26 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+599.31 грн
10+490.02 грн
100+401.33 грн
500+317.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R039M1HXTMA1 Infineon-IMBG65R039M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e4982bf550d7a
IMBG65R039M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R039M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1358.98 грн
5+1289.10 грн
10+1219.23 грн
50+1044.80 грн
100+882.27 грн
250+865.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R057M1HXTMA1 3671356.pdf
IMBG65R057M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R057M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 161W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1050.81 грн
5+982.73 грн
10+913.75 грн
50+782.77 грн
100+661.12 грн
250+648.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1 3671360.pdf
IMBG65R022M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1242.52 грн
5+1058.88 грн
10+875.23 грн
50+728.70 грн
100+594.32 грн
250+582.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1 3159568.pdf
IMBG120R060M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+802.67 грн
5+692.48 грн
10+581.40 грн
50+496.61 грн
100+340.93 грн
250+334.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1 3159567.pdf
IMBG120R045M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+895.83 грн
5+814.31 грн
10+731.90 грн
50+675.46 грн
100+538.27 грн
250+531.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1 3159567.pdf
IMBG120R045M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+731.90 грн
50+675.46 грн
100+538.27 грн
250+531.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1 3159569.pdf
IMBG120R090M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+612.75 грн
5+537.50 грн
10+461.35 грн
50+379.32 грн
100+304.84 грн
250+304.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1 3159569.pdf
IMBG120R090M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+461.35 грн
50+379.32 грн
100+304.84 грн
250+304.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1 3159568.pdf
IMBG120R060M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 181W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+581.40 грн
50+496.61 грн
100+340.93 грн
250+334.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R072M1HXTMA1 3671355.pdf
IMBG65R072M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1006.92 грн
50+855.14 грн
100+715.64 грн
250+701.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1 3671353.pdf
IMBG65R107M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.107ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1 3671352.pdf
IMBG65R163M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+556.31 грн
50+472.49 грн
100+394.68 грн
250+387.00 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1 3671360.pdf
IMBG65R022M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+875.23 грн
50+728.70 грн
100+594.32 грн
250+582.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1 3671351.pdf
IMBG65R260M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R260M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6 A, 650 V, 0.26 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+490.02 грн
100+401.33 грн
500+317.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R057M1HXTMA1 3671356.pdf
IMBG65R057M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R057M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 161W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+913.75 грн
50+782.77 грн
100+661.12 грн
250+648.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R083M1HXTMA1 3671354.pdf
IMBG65R083M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+809.83 грн
50+687.94 грн
100+575.12 грн
250+563.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R039M1HXTMA1 Infineon-IMBG65R039M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e4982bf550d7a
IMBG65R039M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R039M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 211W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1219.23 грн
50+1044.80 грн
100+882.27 грн
250+865.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R030M1HXTMA1 3671359.pdf
IMBG65R030M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 234W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1527.40 грн
50+1308.49 грн
100+1105.71 грн
250+1083.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
EVALSHNBV01DPS310TOBO1 2367012.pdf
EVALSHNBV01DPS310TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALSHNBV01DPS310TOBO1 - Evaluationsboard, DPS310/XMC1100, Luftdrucksensor
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard DPS310/XMC1100
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Luftdrucksensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5294.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITDPS3102GOTOBO1 3968038.pdf
KITDPS3102GOTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITDPS3102GOTOBO1 - Evaluationskit, DPS310, Luftdrucksensor
tariffCode: 85437090
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard DPS310
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Luftdrucksensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: DPS310
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+971.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6433XTMA1 INFNS19463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP135H6433XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP135H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+154.98 грн
10+99.44 грн
100+67.19 грн
500+45.67 грн
1000+38.62 грн
5000+35.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6433XTMA1 INFNS19463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP135H6433XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP135H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 25ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+45.67 грн
1000+38.62 грн
5000+35.78 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BGA855N6E6327XTSA1 INFN-S-A0017689141-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BGA855N6E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGA855N6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 1.164GHz bis 1.3GHz, 17.8dB Verstärkung, 0.6dB Rauschen, 1.1V bis 3.3V, TSNP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.6dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 17.8dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 1.164GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Frequenz, max.: 1.3GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA7L1BN6E6327XTSA1 INFN-S-A0003019410-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BGA7L1BN6E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGA7L1BN6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 716MHz bis 960MHz, 13.6dB Verstärkung, 0.75dB Rauschen, 1.5V bis 3.6V, TSNP-6
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.75dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 13.6dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 716MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 960MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 21578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+47.30 грн
27+33.41 грн
100+26.25 грн
500+19.88 грн
1000+17.58 грн
2500+17.51 грн
5000+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BGA7L1BN6E6327XTSA1 INFN-S-A0003019410-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BGA7L1BN6E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGA7L1BN6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 716MHz bis 960MHz, 13.6dB Verstärkung, 0.75dB Rauschen, 1.5V bis 3.6V, TSNP-6
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.75dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 13.6dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 716MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 960MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 21578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.25 грн
500+19.88 грн
1000+17.58 грн
2500+17.51 грн
5000+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BGA855N6E6327XTSA1 INFN-S-A0017689141-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BGA855N6E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGA855N6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 1.164GHz bis 1.3GHz, 17.8dB Verstärkung, 0.6dB Rauschen, 1.1V bis 3.3V, TSNP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.6dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 17.8dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 1.164GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Frequenz, max.: 1.3GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50101EKBXUMA1 2211607.pdf
BTS50101EKBXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS50101EKBXUMA1 - Leistungsschalter, AEC-Q100, High-Side, 1 Ausgang, 13.5V, 50A/0.01 Ohm Ausgang, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.01ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 50A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 13.5V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: PROFET
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 36031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+135.27 грн
500+104.81 грн
1000+94.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50101EKBXUMA1 2211607.pdf
BTS50101EKBXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS50101EKBXUMA1 - Leistungsschalter, AEC-Q100, High-Side, 1 Ausgang, 13.5V, 50A/0.01 Ohm Ausgang, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.01ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 50A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 13.5V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: PROFET
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 36031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+215.00 грн
50+146.92 грн
100+131.69 грн
500+105.64 грн
1000+95.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2EDF7175FXUMA1 INFN-S-A0006623190-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2EDF7175FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDF7175FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, MOSFET, 16 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+183.65 грн
10+162.15 грн
50+152.29 грн
100+126.44 грн
250+109.04 грн
500+104.43 грн
1000+95.21 грн
2500+93.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 2577518.pdf
BSC0910NDIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.10 грн
10+99.44 грн
100+81.52 грн
500+63.72 грн
1000+54.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CHL8510CRT IRSD-S-A0000254707-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CHL8510CRT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CHL8510CRT - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.5V-13.2V Versorgung, 3 A /4Aout, 20ns Verzögerung, DFN-10
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DFN
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Quellstrom: 3A
Versorgungsspannung, min.: 10.8V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 13.2V
Eingabeverzögerung: 16ns
Ausgabeverzögerung: 17ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+92.27 грн
11+82.86 грн
50+68.89 грн
100+50.99 грн
250+43.00 грн
500+38.93 грн
1000+30.71 грн
2500+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2EDF7275KXUMA1 INFN-S-A0008993695-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2EDF7275KXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDF7275KXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, MOSFET, 13 Pin(s), LGA
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+197.08 грн
10+146.92 грн
25+134.38 грн
50+118.12 грн
100+102.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD40DP06NMATMA1 Infineon-IPD40DP06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0667894e724f
IPD40DP06NMATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD40DP06NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+74.44 грн
50+49.63 грн
100+34.13 грн
500+26.04 грн
1000+21.27 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R360P6SATMA1 DS_IPL60R360P6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01475e68ce13047c
IPL60R360P6SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R360P6SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.3 A, 0.36 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89.3W
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+154.98 грн
50+118.25 грн
250+82.24 грн
1000+57.40 грн
3000+51.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R360P6SATMA1 DS_IPL60R360P6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01475e68ce13047c
IPL60R360P6SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R360P6SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.3 A, 0.36 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89.3W
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+118.25 грн
250+82.24 грн
1000+57.40 грн
3000+51.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5268LTI-LP030 INFN-S-A0016826738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY8C5268LTI-LP030
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C5268LTI-LP030 - PROGRAMMIERBARES SOC, 67MHZ, QFN-EP-68
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 8Kanäle
Programmspeichergröße: 256KB
MPU-Familie: PSoC 5LP
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 67MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 5
RAM-Speichergröße: 64KB
MCU-Baureihe: CY8C52xx
CPU-Geschwindigkeit: 67MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 38I/O(s)
Anzahl der Pins: 68Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
MPU-Baureihe: CY8C52LP
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, LIN, SPI, UART, USB
Bauform - MPU: QFN-EP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M3
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1086.65 грн
10+834.02 грн
25+791.92 грн
50+699.58 грн
100+612.75 грн
250+585.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5268AXI-LP047 INFN-S-A0016826738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY8C5268AXI-LP047
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C5268AXI-LP047 - PROGRAMMIERBARES SOC, 67MHZ, TQFP-100
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 8Kanäle
Programmspeichergröße: 256KB
MPU-Familie: PSoC 5LP
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 67MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 5
RAM-Speichergröße: 64KB
MCU-Baureihe: CY8C52xx
CPU-Geschwindigkeit: 67MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: -
productTraceability: No
MPU-Baureihe: CY8C52LP
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, LIN, SPI, UART, USB
Bauform - MPU: TQFP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M3
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1046.33 грн
10+824.17 грн
25+712.19 грн
50+608.08 грн
100+542.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5287AXI-LP095 4189468.pdf
CY8C5287AXI-LP095
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C5287AXI-LP095 - ARM-MCU, PSOC 5LP, PSOC 5 Family CY8C52xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M3, 32 Bit, 80 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 8Kanäle
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 80MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 5
RAM-Speichergröße: 64KB
MCU-Baureihe: CY8C52xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 5 Family CY8C52xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+799.98 грн
10+670.08 грн
25+635.15 грн
50+542.36 грн
100+494.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5267AXI-LP051 2091501.pdf
CY8C5267AXI-LP051
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C5267AXI-LP051 - ARM-MCU, Baureihe PSoC 5, PSOC 5 Family CY8C52xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M3, 32 Bit
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 8Kanäle
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 67MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 5
RAM-Speichergröße: 32KB
MCU-Baureihe: CY8C52xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 5 Family CY8C52xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1057.08 грн
10+834.02 грн
25+719.35 грн
50+614.73 грн
100+549.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4246AZI-L433 Infineon-PSoC_4_PSoC_4200L_Family-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed894aa5a14&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY8C4246AZI-L433
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4246AZI-L433 - ARM-MCU, PSoC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 38I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSoC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+592.15 грн
10+464.04 грн
25+433.58 грн
50+390.14 грн
100+327.11 грн
250+312.52 грн
500+310.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5468AXI-LP106 download
CY8C5468AXI-LP106
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C5468AXI-LP106 - PROGRAMMIERBARES SOC, 67MHZ, TQFP-100
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Programmspeichergröße: 256KB
MPU-Familie: PSoC 5LP
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 67MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 5
RAM-Speichergröße: 64KB
MCU-Baureihe: CY8C54xx
CPU-Geschwindigkeit: 67MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
MPU-Baureihe: CY8C54LP
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, LIN, SPI, UART, USB
Bauform - MPU: TQFP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M3
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1133.23 грн
10+950.48 грн
25+821.48 грн
50+750.32 грн
100+681.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4045AZI-S413 INFN-S-A0017942764-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY8C4045AZI-S413
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4045AZI-S413 - ARM-MCU, PSoC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 48 MHz, 32 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 32KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
RAM-Speichergröße: 4KB
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 36I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+284.88 грн
10+256.21 грн
25+241.88 грн
50+209.62 грн
100+179.68 грн
250+170.46 грн
500+152.80 грн
1000+139.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4246AZI-M443 Infineon-PSoC_4_PSoC_4200M_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee45b436afc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integrati
CY8C4246AZI-M443
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4246AZI-M443 - ARM-MCU, PSoC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 38I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSoC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+457.77 грн
10+350.27 грн
25+324.29 грн
50+277.00 грн
100+232.66 грн
250+221.14 грн
500+215.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5688AXI-LP099 2864271.pdf
CY8C5688AXI-LP099
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C5688AXI-LP099 - ARM-MCU, PSOC 5 Family CY8C56xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M3, 32 Bit, 80 MHz, 256 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 80MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 5LP
RAM-Speichergröße: 64KB
MCU-Baureihe: CY8C56LPxxx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 5 Family CY8C56xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, I2C, I2S, LIN, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1568.60 грн
5+1411.83 грн
10+1300.75 грн
25+1193.70 грн
50+1088.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C21123-24SXIT 2082020.pdf
CY8C21123-24SXIT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C21123-24SXIT - 8-Bit-MCU, PSOC 1 Family CY8C21x23 Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 4 KB, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 4Kanäle
Programmspeichergröße: 4KB
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 256Byte
MCU-Baureihe: CY8C21x23
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 6I/O(s)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C21x23 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+145.89 грн
250+136.68 грн
500+132.07 грн
1000+128.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4014LQI-422T Infineon-PSoC_4_PSoC_4000_Family_Programmable_System-on-Chip_(PSoC)-DataSheet-v06_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecc2b7d45ee&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY8C4014LQI-422T
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4014LQI-422T - ARM-MCU, PSOC 4, PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 16 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -Kanäle
Programmspeichergröße: 16KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 16MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 2KB
MCU-Baureihe: CY8C40xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 20I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+95.98 грн
250+91.38 грн
500+86.77 грн
1000+82.16 грн
2000+77.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C624ABZI-S2D44 3933784.pdf
CY8C624ABZI-S2D44
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C624ABZI-S2D44 - ARM-MCU, PSOC 6 Family CY8C62xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 2MB
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Betriebsfrequenz, max.: 150MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 6
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: CY8C62xA
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 100I/O(s)
Anzahl der Pins: 124Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 6 Family CY8C62xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, QSPI, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+900.31 грн
10+708.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C624ALQI-S2D42 3933784.pdf
CY8C624ALQI-S2D42
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C624ALQI-S2D42 - ARM-MCU, PSOC 6 Family CY8C62xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 2MB
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Betriebsfrequenz, max.: 150MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 6
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: CY8C62xA
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 53I/O(s)
Anzahl der Pins: 68Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 6 Family CY8C62xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, QSPI, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+760.56 грн
10+612.75 грн
25+576.02 грн
50+526.56 грн
100+477.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSATMA1 BSZ0902NS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f0d175c012f25d963971d2f
BSZ0902NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2200 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.75 грн
500+34.60 грн
1000+27.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSATMA1 BSZ0902NS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f0d175c012f25d963971d2f
BSZ0902NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2200 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+114.67 грн
13+72.02 грн
100+47.75 грн
500+34.60 грн
1000+27.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N08NS5ATMA1 INFN-S-A0001300011-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC026N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC026N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+280.40 грн
50+204.25 грн
250+155.88 грн
1000+133.10 грн
3000+115.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1 2371115.pdf
IPZ40N04S5L2R8ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPZ40N04S5L2R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+105.71 грн
50+70.41 грн
250+50.79 грн
1000+32.69 грн
3000+29.49 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L2R8ATMA1 2371115.pdf
IPZ40N04S5L2R8ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPZ40N04S5L2R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+70.41 грн
250+50.79 грн
1000+32.69 грн
3000+29.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 315 316 317 318 319 320 321 322 323 324 325 344 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]