Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24636) > Сторінка 275 з 411

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 270 271 272 273 274 275 276 277 278 279 280 287 328 369 410 411  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC030N03MSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 INFINEON Infineon-BSC030N03MSG-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de605dea0359 Description: INFINEON - BSC030N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.34 грн
16+54.19 грн
100+40.46 грн
500+34.67 грн
1000+29.39 грн
5000+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7230RAUMA1 TLE7230RAUMA1 INFINEON INFNS14751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE7230RAUMA1 - Leistungsschalter, Smart Power-Technologie, Low-Side, 8 Ausgänge, 2A, SOIC-36
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.8ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 2A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
Eingangsspannung: 6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+536.96 грн
10+415.26 грн
25+384.01 грн
50+341.31 грн
100+300.96 грн
250+284.75 грн
500+274.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF150R12RT4HOSA1 FF150R12RT4HOSA1 INFINEON INFNS28347-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF150R12RT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 150 A, 1.75 V, 790 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 150A
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 790W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 790W
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 150A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6054.57 грн
5+5663.98 грн
10+5272.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF100R12RT4HOSA1 FF100R12RT4HOSA1 INFINEON INFNS28333-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF100R12RT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 100 A, 1.75 V, 555 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 555W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 555W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8731.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W1M1B11BOMA1 FF11MR12W1M1B11BOMA1 INFINEON INFN-S-A0003257861-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF11MR12W1M1B11BOMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EasyDual-Modul, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.011 ohm, Module
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: CoolSic
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12676.52 грн
5+11872.32 грн
10+11634.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W1M1B70BPSA1 FF11MR12W1M1B70BPSA1 INFINEON 3208410.pdf Description: INFINEON - FF11MR12W1M1B70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, Module
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 18
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0113
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17983.62 грн
5+17624.28 грн
10+17264.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1500R17IP5PBPSA1 FF1500R17IP5PBPSA1 INFINEON INFN-S-A0006623471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF1500R17IP5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.5 kA, 1.75 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 1.5kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: PrimePACK 3+B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 1.5kA
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1500R17IP5BPSA1 FF1500R17IP5BPSA1 INFINEON INFN-S-A0003614494-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF1500R17IP5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.5 kA, 1.75 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 1.5kA
Produktpalette: PrimePACK 3+B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 1.5kA
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+58434.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1800R23IE7BPSA1 FF1800R23IE7BPSA1 INFINEON 3811998.pdf Description: INFINEON - FF1800R23IE7BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.8 kA, 1.8 V, 20 mW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 1.8kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: PrimePACK 3+B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.3kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+99826.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1800R23IE7PBPSA1 FF1800R23IE7PBPSA1 INFINEON 3812000.pdf Description: INFINEON - FF1800R23IE7PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.8 kA, 1.8 V, 20 mW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 1.8kA
Produktpalette: PrimePACK 3+B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.3kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+114052.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS409L1E3062ABUMA1 BTS409L1E3062ABUMA1 INFINEON 2334167.pdf Description: INFINEON - BTS409L1E3062ABUMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 43V, 4A, TO-263-5
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.16ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 4A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 43V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+280.40 грн
10+212.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS409L1E3062ABUMA1 BTS409L1E3062ABUMA1 INFINEON 2334167.pdf Description: INFINEON - BTS409L1E3062ABUMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 43V, 4A, TO-263-5
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.16ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 4A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 43V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8311TRPBF IRFH8311TRPBF INFINEON irfh8311pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f94c91f12 Description: INFINEON - IRFH8311TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1700 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.77 грн
12+73.76 грн
100+49.17 грн
500+35.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8318TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0031 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+26.81 грн
32+25.90 грн
100+25.08 грн
500+22.45 грн
1000+19.66 грн
5000+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5250TRPBF IRFH5250TRPBF INFINEON INFN-S-A0011703006-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5250TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.08 грн
10+83.05 грн
100+61.67 грн
500+52.46 грн
1000+48.35 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7787TRPBF IRFH7787TRPBF INFINEON 2354736.pdf Description: INFINEON - IRFH7787TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 68 A, 6600 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.93 грн
10+106.90 грн
100+74.17 грн
500+53.37 грн
1000+41.16 грн
5000+37.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830TRPBF IRFHM830TRPBF INFINEON 2332322.pdf Description: INFINEON - IRFHM830TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3800 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.7W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.25 грн
13+65.04 грн
100+51.72 грн
500+36.80 грн
1000+30.38 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4253DTRPBF IRFH4253DTRPBF INFINEON irfh4253dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a847c1e8e Description: INFINEON - IRFH4253DTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 25 V, 145 A, 0.0011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: FastIRFET HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.48 грн
10+104.43 грн
100+75.40 грн
500+65.74 грн
1000+56.74 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7787TRPBF IRFH7787TRPBF INFINEON 2354736.pdf Description: INFINEON - IRFH7787TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 68 A, 0.0066 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+87.05 грн
1000+66.32 грн
5000+52.23 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5304TRPBF IRFH5304TRPBF INFINEON INFN-S-A0012490484-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5304TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 79 A, 0.0038 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 46
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.00 грн
500+38.33 грн
1000+26.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4253DTRPBF IRFH4253DTRPBF INFINEON irfh4253dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a847c1e8e Description: INFINEON - IRFH4253DTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 25 V, 145 A, 0.0011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: FastIRFET HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.40 грн
500+65.74 грн
1000+56.74 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5250DTRPBF IRFH5250DTRPBF INFINEON IRSD-S-A0001030640-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - IRFH5250DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1400 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.05 грн
100+81.00 грн
500+73.07 грн
1000+66.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8311TRPBF IRFH8311TRPBF INFINEON irfh8311pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f94c91f12 Description: INFINEON - IRFH8311TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1700 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.17 грн
500+35.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813168-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8325TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 5000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 54W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.48 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9351TRPBF IRFHS9351TRPBF INFINEON irfhs9351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623a8d41f63 Description: INFINEON - IRFHS9351TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.76 грн
250+32.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2103STRPBF IRS2103STRPBF INFINEON 683717.pdf Description: INFINEON - IRS2103STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 130mA /270mAout, 680ns/150ns Ein/Aus, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2103STRPBF IRS2103STRPBF INFINEON 683717.pdf Description: INFINEON - IRS2103STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 130mA /270mAout, 680ns/150ns Ein/Aus, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.87 грн
14+60.52 грн
50+54.68 грн
100+44.82 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1 IMW120R045M1XKSA1 INFINEON 2820326.pdf Description: INFINEON - IMW120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1167.66 грн
5+1035.27 грн
10+902.88 грн
50+781.89 грн
100+669.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF INFINEON INFN-S-A0012838658-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB4020PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.03 грн
12+69.90 грн
100+56.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 INFINEON INFNS15817-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+201.46 грн
50+147.19 грн
100+104.43 грн
500+82.46 грн
1000+73.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 INFINEON INFNS15817-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+104.43 грн
500+82.46 грн
1000+73.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF IRFB4019PBF INFINEON INFN-S-A0012837744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFB4019PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 17 A, 0.095 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.41 грн
13+65.95 грн
100+53.37 грн
500+43.22 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF IRFB4620PBF INFINEON INFN-S-A0012838264-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB4620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.0725 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0725ohm
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+244.22 грн
10+227.78 грн
100+108.54 грн
500+81.70 грн
1000+69.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 INFINEON Infineon-IPD70R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf7799fb0d79 Description: INFINEON - IPD70R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.16 грн
50+44.90 грн
100+36.35 грн
500+29.32 грн
1000+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2183STRPBF IR2183STRPBF INFINEON 133039.pdf Description: INFINEON - IR2183STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgungsspannung, 2.3Aout, 220ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.50 грн
500+83.99 грн
1000+75.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2108STRPBF IR2108STRPBF INFINEON INFN-S-A0008993572-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IR2108STRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.82 грн
250+47.51 грн
500+45.67 грн
1000+45.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2108STRPBF IR2108STRPBF INFINEON INFN-S-A0008993572-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IR2108STRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+101.14 грн
12+74.25 грн
50+66.61 грн
100+54.82 грн
250+47.51 грн
500+45.67 грн
1000+45.25 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD15P10PGBTMA1 SPD15P10PGBTMA1 INFINEON INFNS19265-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD15P10PGBTMA1 - HF-FET-Transistor, -100 V, -15 A, 128 W, TO-252
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: -100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebsfrequenz, max.: -
Betriebsfrequenz, min.: -
Verlustleistung: 128W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+160.35 грн
10+102.79 грн
100+70.06 грн
500+51.85 грн
1000+44.54 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5014S16DXUMA1 TLE5014S16DXUMA1 INFINEON INFN-S-A0006155622-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE5014S16DXUMA1 - GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance), Winkelsensor, 4.2V bis 5.5V Versorgungsspannung, TDSO-16
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Winkelsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Magnetfeld, max.: 0.08T
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
Sensorgehäuse/-bauform: TDSO
Magnetoresistiver Sensor: Winkelsensor
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: TDSO
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Magnetfeld, min.: 0.025T
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 6019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+577.25 грн
25+544.36 грн
50+446.68 грн
100+395.41 грн
250+374.97 грн
500+354.53 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60TFKSA1 INFINEON INFN-S-A0001299596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKW20N60TFKSA1 - IGBT, 41 A, 1.5 V, 166 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 41A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+284.51 грн
10+161.17 грн
100+130.75 грн
500+112.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846PNH6327XTSA1 BC846PNH6327XTSA1 INFINEON INFNS17145-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BC846PNH6327XTSA1 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 65 V, 65 V, 100 mA, 100 mA, 250 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 250MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 250mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BC846PN Series
Verlustleistung, NPN: 250mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
на замовлення 7840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+25.49 грн
67+12.42 грн
100+9.87 грн
500+6.77 грн
1500+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7503TRPBF IRF7503TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542222-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7503TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.32 грн
250+24.01 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7580MTRPBF IRF7580MTRPBF INFINEON INFN-S-A0012826543-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7580MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 114 A, 0.0029 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 96
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS25411STRPBF IRS25411STRPBF INFINEON IRSDS13477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRS25411STRPBF - LED-Treiber, Buck (Abwärts), 1 Ausgang, 8V bis 16.6Vin, 500kHz, 16.6V/700mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 16.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 16.6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 700mA
Eingangsspannung, min.: 8V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+190.77 грн
10+142.26 грн
50+129.92 грн
100+107.66 грн
250+94.45 грн
500+90.92 грн
1000+81.05 грн
2500+79.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2181STRPBF IRS2181STRPBF INFINEON 844875.pdf Description: INFINEON - IRS2181STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung,1.4Aout, 220ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.15 грн
10+104.43 грн
50+96.21 грн
100+80.94 грн
250+70.48 грн
500+68.65 грн
1000+67.31 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2453DSTRPBF IRS2453DSTRPBF INFINEON 2331695.pdf Description: INFINEON - IRS2453DSTRPBF - MOSFET-Treiber, Vollbrücke, 10V-16.6V Versorgung, 180mA/260mAout, 15.6V Sperrspannung, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 260mA
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Quellstrom: 180mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 16.6V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.61 грн
10+101.14 грн
50+92.92 грн
100+76.36 грн
250+65.90 грн
500+63.43 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRSM836-084MA IRSM836-084MA INFINEON Infineon-IRSM836-084MA-DataSheet-vNA-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153567f2ba0289c Description: INFINEON - IRSM836-084MA - Motortreiber / Motorsteuerung, AC-Drehstrommotor, 11.5V-18.5V, 250V/7A/3 Ausgänge, PQFN-39
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: No
IPM-Baureihe: CIPOS Nano
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 1.5
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 7
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 250
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: PQFN
Produktpalette: CIPOS Nano
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRSM005-301MH IRSM005-301MH INFINEON 3187053.pdf Description: INFINEON - IRSM005-301MH - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 100V Drain-Source, 30Aout, Verzögerung 160ns In/150ns Out, PQFN-28
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Nano
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: -
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 30A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 100V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: PQFN
Produktpalette: CIPOS Nano Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.29 грн
10+179.26 грн
25+165.28 грн
50+145.84 грн
100+127.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRSM808-204MH IRSM808-204MH INFINEON Infineon-IRSM808-204MH-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153567f1a5c2898 Description: INFINEON - IRSM808-204MH - Motortreiber / Motorsteuerung, Halbbrücke, 7.4V-9.8V, 250V/20A/1 Ausgang, PQFN-32
tariffCode: 85423911
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 20A
Motortyp: Halbbrücke
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgangsspannung: 250V
Bauform - IPM: PQFN
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Nennspannung (Vces / Vdss): 250V
Isolationsspannung: 1.5kV
Versorgungsspannung, min.: 7.4V
Bauform - Treiber: PQFN
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Nennstrom (Ic/Id): 20A
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Nano
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Nano
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 9.8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+422.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRSM808-105MH IRSM808-105MH INFINEON Infineon-IRSM808-105MH-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46256fb43b3015765dffaeb7e54 Description: INFINEON - IRSM808-105MH - Motortreiber / Motorsteuerung, Halbbrücke, 7.4V-9.8V, 500V/10A/1 Ausgang, PQFN-32
tariffCode: 85423911
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 10A
Motortyp: Halbbrücke
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgangsspannung: 500V
Bauform - IPM: PQFN
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Nennspannung (Vces / Vdss): 500V
Isolationsspannung: 1.5kV
Versorgungsspannung, min.: 7.4V
Bauform - Treiber: PQFN
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Nennstrom (Ic/Id): 10A
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Nano
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Nano
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 9.8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 1251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+553.41 грн
10+374.14 грн
25+359.34 грн
50+319.93 грн
100+234.00 грн
500+212.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRSM005-800MHTR IRSM005-800MHTR INFINEON INFN-S-A0008996901-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRSM005-800MHTR - Motortreiber / Motorsteuerung, Halbbrücke, 10V-20V, 40V/80A/3 Ausgänge, PQFN-28
tariffCode: 85423911
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: PQFN
Nennspannung (Vces / Vdss): 40V
Isolationsspannung: -
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 80A
Produktpalette: CIPOS Nano
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: No
IPM-Baureihe: CIPOS Nano
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2453DSTRPBF IRS2453DSTRPBF INFINEON 2331695.pdf Description: INFINEON - IRS2453DSTRPBF - MOSFET-Treiber, Vollbrücke, 10V-16.6V Versorgung, 180mA/260mAout, 15.6V Sperrspannung, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 260mA
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Quellstrom: 180mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 16.6V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.36 грн
250+65.90 грн
500+63.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DCMOTORCONTRBTN8982TOBO1 DCMOTORCONTRBTN8982TOBO1 INFINEON 1862004.pdf Description: INFINEON - DCMOTORCONTRBTN8982TOBO1 - Tochterplatine DC-Motorsteuerung-Shield, BTN8982TA-IC, Arduino Uno R3- & XMC1100 Boot-Kit-kompatibel
tariffCode: 84733080
Prozessorkern: BTN8982, IPD90P04P4L
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: -
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BTN8982
euEccn: NLR
Prozessorserie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Arduino Uno R3 & Infineon XMC1100 Boot Kit
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1793.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS723GWXUMA1 BTS723GWXUMA1 INFINEON Infineon-BTS723GW-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa3ac3bba0ff5 Description: INFINEON - BTS723GWXUMA1 - Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 2 Ausgänge, 42V, 9A, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.09ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 9A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 42V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+397.17 грн
10+302.61 грн
25+279.58 грн
50+247.39 грн
100+217.09 грн
250+207.22 грн
500+203.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS723GWXUMA1 BTS723GWXUMA1 INFINEON 1836346.pdf Description: INFINEON - BTS723GWXUMA1 - Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 2 Ausgänge, 42V, 9A, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.09ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 9A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 42V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+259.38 грн
250+247.39 грн
500+239.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N65C3XKSA1 SPA11N65C3XKSA1 INFINEON INFNS14190-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPA11N65C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 33W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+234.35 грн
10+116.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4004PBF IRFP4004PBF INFINEON INFN-S-A0012838336-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFP4004PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 350 A, 1700 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+420.19 грн
10+375.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS28E6327HTSA1 BAS28E6327HTSA1 INFINEON bas28series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141b5844e103ea&fileId=db3a30431400ef6801141c0848da041a Description: INFINEON - BAS28E6327HTSA1 - Diodenmodul, 80 V, 200 mA, 1.25 V, Zweifach, getrennt, SOT-143, 4 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-143
Durchlassstoßstrom: 4.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BAS28
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, getrennt
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.42 грн
100+48.35 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS28E6327HTSA1 BAS28E6327HTSA1 INFINEON bas28series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141b5844e103ea&fileId=db3a30431400ef6801141c0848da041a Description: INFINEON - BAS28E6327HTSA1 - Diodenmodul, 80 V, 200 mA, 1.25 V, Zweifach, getrennt, SOT-143, 4 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-143
Durchlassstoßstrom: 4.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BAS28
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, getrennt
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5250TRPBF IRFH5250TRPBF INFINEON INFN-S-A0011703006-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5250TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
на замовлення 3623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.70 грн
500+68.64 грн
1000+49.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03MSGATMA1 Infineon-BSC030N03MSG-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de605dea0359
BSC030N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC030N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+55.34 грн
16+54.19 грн
100+40.46 грн
500+34.67 грн
1000+29.39 грн
5000+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7230RAUMA1 INFNS14751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE7230RAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE7230RAUMA1 - Leistungsschalter, Smart Power-Technologie, Low-Side, 8 Ausgänge, 2A, SOIC-36
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.8ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 2A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
Eingangsspannung: 6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+536.96 грн
10+415.26 грн
25+384.01 грн
50+341.31 грн
100+300.96 грн
250+284.75 грн
500+274.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF150R12RT4HOSA1 INFNS28347-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FF150R12RT4HOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF150R12RT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 150 A, 1.75 V, 790 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 150A
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 790W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 790W
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 150A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+6054.57 грн
5+5663.98 грн
10+5272.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF100R12RT4HOSA1 INFNS28333-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FF100R12RT4HOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF100R12RT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 100 A, 1.75 V, 555 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 555W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 555W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+8731.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W1M1B11BOMA1 INFN-S-A0003257861-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FF11MR12W1M1B11BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF11MR12W1M1B11BOMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EasyDual-Modul, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.011 ohm, Module
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: CoolSic
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+12676.52 грн
5+11872.32 грн
10+11634.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W1M1B70BPSA1 3208410.pdf
FF11MR12W1M1B70BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF11MR12W1M1B70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, Module
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 18
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0113
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+17983.62 грн
5+17624.28 грн
10+17264.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1500R17IP5PBPSA1 INFN-S-A0006623471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FF1500R17IP5PBPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF1500R17IP5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.5 kA, 1.75 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 1.5kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: PrimePACK 3+B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 1.5kA
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1500R17IP5BPSA1 INFN-S-A0003614494-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FF1500R17IP5BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF1500R17IP5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.5 kA, 1.75 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 1.5kA
Produktpalette: PrimePACK 3+B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 1.5kA
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+58434.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1800R23IE7BPSA1 3811998.pdf
FF1800R23IE7BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF1800R23IE7BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.8 kA, 1.8 V, 20 mW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 1.8kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: PrimePACK 3+B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.3kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+99826.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1800R23IE7PBPSA1 3812000.pdf
FF1800R23IE7PBPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF1800R23IE7PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.8 kA, 1.8 V, 20 mW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 1.8kA
Produktpalette: PrimePACK 3+B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.3kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+114052.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS409L1E3062ABUMA1 2334167.pdf
BTS409L1E3062ABUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS409L1E3062ABUMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 43V, 4A, TO-263-5
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.16ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 4A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 43V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+280.40 грн
10+212.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS409L1E3062ABUMA1 2334167.pdf
BTS409L1E3062ABUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS409L1E3062ABUMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 43V, 4A, TO-263-5
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.16ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 4A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 43V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8311TRPBF irfh8311pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f94c91f12
IRFH8311TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8311TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1700 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+116.77 грн
12+73.76 грн
100+49.17 грн
500+35.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBF INFN-S-A0012813463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH8318TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8318TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0031 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
31+26.81 грн
32+25.90 грн
100+25.08 грн
500+22.45 грн
1000+19.66 грн
5000+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5250TRPBF INFN-S-A0011703006-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5250TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5250TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+106.08 грн
10+83.05 грн
100+61.67 грн
500+52.46 грн
1000+48.35 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7787TRPBF 2354736.pdf
IRFH7787TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7787TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 68 A, 6600 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+166.93 грн
10+106.90 грн
100+74.17 грн
500+53.37 грн
1000+41.16 грн
5000+37.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830TRPBF 2332322.pdf
IRFHM830TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHM830TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3800 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.7W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+105.25 грн
13+65.04 грн
100+51.72 грн
500+36.80 грн
1000+30.38 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4253DTRPBF irfh4253dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a847c1e8e
IRFH4253DTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH4253DTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 25 V, 145 A, 0.0011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: FastIRFET HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+150.48 грн
10+104.43 грн
100+75.40 грн
500+65.74 грн
1000+56.74 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7787TRPBF 2354736.pdf
IRFH7787TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7787TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 68 A, 0.0066 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+87.05 грн
1000+66.32 грн
5000+52.23 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5304TRPBF INFN-S-A0012490484-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5304TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5304TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 79 A, 0.0038 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 46
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+50.00 грн
500+38.33 грн
1000+26.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4253DTRPBF irfh4253dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a847c1e8e
IRFH4253DTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH4253DTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 25 V, 145 A, 0.0011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: FastIRFET HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+75.40 грн
500+65.74 грн
1000+56.74 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5250DTRPBF IRSD-S-A0001030640-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFH5250DTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5250DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1400 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+83.05 грн
100+81.00 грн
500+73.07 грн
1000+66.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8311TRPBF irfh8311pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f94c91f12
IRFH8311TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8311TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1700 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+49.17 грн
500+35.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8325TRPBF INFN-S-A0012813168-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH8325TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8325TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 5000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 54W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+26.48 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9351TRPBF irfhs9351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623a8d41f63
IRFHS9351TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHS9351TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+48.76 грн
250+32.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2103STRPBF 683717.pdf
IRS2103STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2103STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 130mA /270mAout, 680ns/150ns Ein/Aus, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+44.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2103STRPBF 683717.pdf
IRS2103STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2103STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 130mA /270mAout, 680ns/150ns Ein/Aus, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+83.87 грн
14+60.52 грн
50+54.68 грн
100+44.82 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1 2820326.pdf
IMW120R045M1XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1167.66 грн
5+1035.27 грн
10+902.88 грн
50+781.89 грн
100+669.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF INFN-S-A0012838658-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB4020PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4020PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+134.03 грн
12+69.90 грн
100+56.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 INFNS15817-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD031N06L3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+201.46 грн
50+147.19 грн
100+104.43 грн
500+82.46 грн
1000+73.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 INFNS15817-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD031N06L3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+104.43 грн
500+82.46 грн
1000+73.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF description INFN-S-A0012837744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB4019PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4019PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 17 A, 0.095 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+118.41 грн
13+65.95 грн
100+53.37 грн
500+43.22 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF INFN-S-A0012838264-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB4620PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.0725 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0725ohm
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+244.22 грн
10+227.78 грн
100+108.54 грн
500+81.70 грн
1000+69.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1 Infineon-IPD70R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf7799fb0d79
IPD70R600P7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+87.16 грн
50+44.90 грн
100+36.35 грн
500+29.32 грн
1000+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2183STRPBF 133039.pdf
IR2183STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2183STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgungsspannung, 2.3Aout, 220ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+99.50 грн
500+83.99 грн
1000+75.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2108STRPBF description INFN-S-A0008993572-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR2108STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2108STRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+54.82 грн
250+47.51 грн
500+45.67 грн
1000+45.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2108STRPBF description INFN-S-A0008993572-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR2108STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2108STRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+101.14 грн
12+74.25 грн
50+66.61 грн
100+54.82 грн
250+47.51 грн
500+45.67 грн
1000+45.25 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD15P10PGBTMA1 INFNS19265-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPD15P10PGBTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD15P10PGBTMA1 - HF-FET-Transistor, -100 V, -15 A, 128 W, TO-252
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: -100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebsfrequenz, max.: -
Betriebsfrequenz, min.: -
Verlustleistung: 128W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+160.35 грн
10+102.79 грн
100+70.06 грн
500+51.85 грн
1000+44.54 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5014S16DXUMA1 INFN-S-A0006155622-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE5014S16DXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE5014S16DXUMA1 - GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance), Winkelsensor, 4.2V bis 5.5V Versorgungsspannung, TDSO-16
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Winkelsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Magnetfeld, max.: 0.08T
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
Sensorgehäuse/-bauform: TDSO
Magnetoresistiver Sensor: Winkelsensor
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: TDSO
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Magnetfeld, min.: 0.025T
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 6019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+577.25 грн
25+544.36 грн
50+446.68 грн
100+395.41 грн
250+374.97 грн
500+354.53 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60TFKSA1 INFN-S-A0001299596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IKW20N60TFKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW20N60TFKSA1 - IGBT, 41 A, 1.5 V, 166 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 41A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+284.51 грн
10+161.17 грн
100+130.75 грн
500+112.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846PNH6327XTSA1 INFNS17145-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC846PNH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BC846PNH6327XTSA1 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 65 V, 65 V, 100 mA, 100 mA, 250 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 250MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 250mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BC846PN Series
Verlustleistung, NPN: 250mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
на замовлення 7840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
33+25.49 грн
67+12.42 грн
100+9.87 грн
500+6.77 грн
1500+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7503TRPBF INFN-S-A0002542222-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7503TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7503TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+32.32 грн
250+24.01 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7580MTRPBF INFN-S-A0012826543-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7580MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7580MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 114 A, 0.0029 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 96
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+61.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS25411STRPBF IRSDS13477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRS25411STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS25411STRPBF - LED-Treiber, Buck (Abwärts), 1 Ausgang, 8V bis 16.6Vin, 500kHz, 16.6V/700mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 16.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 16.6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 700mA
Eingangsspannung, min.: 8V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+190.77 грн
10+142.26 грн
50+129.92 грн
100+107.66 грн
250+94.45 грн
500+90.92 грн
1000+81.05 грн
2500+79.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2181STRPBF 844875.pdf
IRS2181STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2181STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung,1.4Aout, 220ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+138.15 грн
10+104.43 грн
50+96.21 грн
100+80.94 грн
250+70.48 грн
500+68.65 грн
1000+67.31 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2453DSTRPBF 2331695.pdf
IRS2453DSTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2453DSTRPBF - MOSFET-Treiber, Vollbrücke, 10V-16.6V Versorgung, 180mA/260mAout, 15.6V Sperrspannung, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 260mA
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Quellstrom: 180mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 16.6V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+140.61 грн
10+101.14 грн
50+92.92 грн
100+76.36 грн
250+65.90 грн
500+63.43 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRSM836-084MA Infineon-IRSM836-084MA-DataSheet-vNA-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153567f2ba0289c
IRSM836-084MA
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRSM836-084MA - Motortreiber / Motorsteuerung, AC-Drehstrommotor, 11.5V-18.5V, 250V/7A/3 Ausgänge, PQFN-39
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: No
IPM-Baureihe: CIPOS Nano
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 1.5
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 7
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 250
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: PQFN
Produktpalette: CIPOS Nano
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRSM005-301MH 3187053.pdf
IRSM005-301MH
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRSM005-301MH - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 100V Drain-Source, 30Aout, Verzögerung 160ns In/150ns Out, PQFN-28
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Nano
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: -
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 30A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 100V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: PQFN
Produktpalette: CIPOS Nano Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+239.29 грн
10+179.26 грн
25+165.28 грн
50+145.84 грн
100+127.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRSM808-204MH Infineon-IRSM808-204MH-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153567f1a5c2898
IRSM808-204MH
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRSM808-204MH - Motortreiber / Motorsteuerung, Halbbrücke, 7.4V-9.8V, 250V/20A/1 Ausgang, PQFN-32
tariffCode: 85423911
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 20A
Motortyp: Halbbrücke
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgangsspannung: 250V
Bauform - IPM: PQFN
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Nennspannung (Vces / Vdss): 250V
Isolationsspannung: 1.5kV
Versorgungsspannung, min.: 7.4V
Bauform - Treiber: PQFN
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Nennstrom (Ic/Id): 20A
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Nano
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Nano
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 9.8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+422.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRSM808-105MH Infineon-IRSM808-105MH-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46256fb43b3015765dffaeb7e54
IRSM808-105MH
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRSM808-105MH - Motortreiber / Motorsteuerung, Halbbrücke, 7.4V-9.8V, 500V/10A/1 Ausgang, PQFN-32
tariffCode: 85423911
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 10A
Motortyp: Halbbrücke
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgangsspannung: 500V
Bauform - IPM: PQFN
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Nennspannung (Vces / Vdss): 500V
Isolationsspannung: 1.5kV
Versorgungsspannung, min.: 7.4V
Bauform - Treiber: PQFN
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Nennstrom (Ic/Id): 10A
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Nano
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Nano
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 9.8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 1251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+553.41 грн
10+374.14 грн
25+359.34 грн
50+319.93 грн
100+234.00 грн
500+212.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRSM005-800MHTR INFN-S-A0008996901-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRSM005-800MHTR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRSM005-800MHTR - Motortreiber / Motorsteuerung, Halbbrücke, 10V-20V, 40V/80A/3 Ausgänge, PQFN-28
tariffCode: 85423911
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: PQFN
Nennspannung (Vces / Vdss): 40V
Isolationsspannung: -
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 80A
Produktpalette: CIPOS Nano
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: No
IPM-Baureihe: CIPOS Nano
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2453DSTRPBF 2331695.pdf
IRS2453DSTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2453DSTRPBF - MOSFET-Treiber, Vollbrücke, 10V-16.6V Versorgung, 180mA/260mAout, 15.6V Sperrspannung, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 260mA
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Quellstrom: 180mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 16.6V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+76.36 грн
250+65.90 грн
500+63.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DCMOTORCONTRBTN8982TOBO1 1862004.pdf
DCMOTORCONTRBTN8982TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DCMOTORCONTRBTN8982TOBO1 - Tochterplatine DC-Motorsteuerung-Shield, BTN8982TA-IC, Arduino Uno R3- & XMC1100 Boot-Kit-kompatibel
tariffCode: 84733080
Prozessorkern: BTN8982, IPD90P04P4L
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: -
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BTN8982
euEccn: NLR
Prozessorserie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Arduino Uno R3 & Infineon XMC1100 Boot Kit
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1793.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS723GWXUMA1 Infineon-BTS723GW-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa3ac3bba0ff5
BTS723GWXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS723GWXUMA1 - Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 2 Ausgänge, 42V, 9A, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.09ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 9A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 42V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+397.17 грн
10+302.61 грн
25+279.58 грн
50+247.39 грн
100+217.09 грн
250+207.22 грн
500+203.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS723GWXUMA1 1836346.pdf
BTS723GWXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS723GWXUMA1 - Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 2 Ausgänge, 42V, 9A, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.09ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 9A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 42V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+259.38 грн
250+247.39 грн
500+239.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N65C3XKSA1 INFNS14190-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPA11N65C3XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPA11N65C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 33W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+234.35 грн
10+116.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4004PBF description INFN-S-A0012838336-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFP4004PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4004PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 350 A, 1700 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+420.19 грн
10+375.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS28E6327HTSA1 bas28series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141b5844e103ea&fileId=db3a30431400ef6801141c0848da041a
BAS28E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAS28E6327HTSA1 - Diodenmodul, 80 V, 200 mA, 1.25 V, Zweifach, getrennt, SOT-143, 4 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-143
Durchlassstoßstrom: 4.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BAS28
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, getrennt
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
17+49.42 грн
100+48.35 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS28E6327HTSA1 bas28series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141b5844e103ea&fileId=db3a30431400ef6801141c0848da041a
BAS28E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAS28E6327HTSA1 - Diodenmodul, 80 V, 200 mA, 1.25 V, Zweifach, getrennt, SOT-143, 4 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-143
Durchlassstoßstrom: 4.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BAS28
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, getrennt
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+48.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5250TRPBF INFN-S-A0011703006-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5250TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5250TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
на замовлення 3623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+84.70 грн
500+68.64 грн
1000+49.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 270 271 272 273 274 275 276 277 278 279 280 287 328 369 410 411  [ Наступна Сторінка >> ]