Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25686) > Сторінка 272 з 429

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 42 84 126 168 210 252 267 268 269 270 271 272 273 274 275 276 277 294 336 378 420 429  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 INFINEON INFN-S-A0008991272-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IHW40N120R5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.55 V, 394 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 394W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+401.57 грн
10+397.30 грн
100+185.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N65R5XKSA1 IHW40N65R5XKSA1 INFINEON INFN-S-A0001382794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IHW40N65R5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+299.90 грн
10+235.82 грн
100+163.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N65R6XKSA1 IHW40N65R6XKSA1 INFINEON 3760037.pdf Description: INFINEON - IHW40N65R6XKSA1 - IGBT, 83 A, 1.29 V, 210 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.29V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 83A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+255.47 грн
10+179.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R3FKSA1 IHW40N120R3FKSA1 INFINEON 1932606.pdf Description: INFINEON - IHW40N120R3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.55 V, 429 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 429
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55
Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N60R IHW40N60R INFINEON 2332241.pdf Description: INFINEON - IHW40N60R - IGBT, 40 A, 2.4 V, 305 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 305
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4
Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R600P7SXKSA1 IPAN70R600P7SXKSA1 INFINEON 2849741.pdf Description: INFINEON - IPAN70R600P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24.9W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.55 грн
16+53.74 грн
100+47.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600P7XKSA1 IPP60R600P7XKSA1 INFINEON 2362695.pdf Description: INFINEON - IPP60R600P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 30
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.60 грн
10+123.04 грн
100+99.11 грн
500+71.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5805TRPBF IRF5805TRPBF INFINEON 678483.pdf Description: INFINEON - IRF5805TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.098 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 3.8
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.098
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C5XKSA2 IDH04G65C5XKSA2 INFINEON 1932618.pdf Description: INFINEON - IDH04G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+175.15 грн
10+140.12 грн
100+84.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IDH09SG60CXKSA2 IDH09SG60CXKSA2 INFINEON INFNS19746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDH09SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 9 A, 15 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 15
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Produktpalette: thinQ Gen III
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+424.64 грн
10+375.09 грн
100+328.09 грн
500+303.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDH09G65C5XKSA2 IDH09G65C5XKSA2 INFINEON INFNS19605-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDH09G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 9 A, 14 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: thinQ Gen V
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+359.71 грн
10+305.02 грн
100+264.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DD180N16SHPSA1 DD180N16SHPSA1 INFINEON 2849700.pdf Description: INFINEON - DD180N16SHPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 226 A, 1.39 V, Zweifach, Reihenschaltung
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 226
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Durchlassspannung, max.: 1.39
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP420H6801XTSA1 BFP420H6801XTSA1 INFINEON 1942422.pdf Description: INFINEON - BFP420H6801XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 25 GHz, 210 mW, 60 mA, SOT-343
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5
Verlustleistung: 210
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60
Qualifikation: AEC-Q101
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauer-Kollektorstrom: 60
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP420H6740XTSA1 BFP420H6740XTSA1 INFINEON 1942422.pdf Description: INFINEON - BFP420H6740XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 25 GHz, 210 mW, 60 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 25GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP420H6327XTSA1 BFP420H6327XTSA1 INFINEON INFNS15718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP420H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 25 GHz, 210 mW, 60 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 60mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 25GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.71 грн
500+16.58 грн
1000+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BGS13S4N9E6327XTSA1 BGS13S4N9E6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0004843210-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BGS13S4N9E6327XTSA1 - HF-Schalter, 100MHz bis 3GHz, 1.8V bis 3.3V Versorgungsspannung, TSNP-9
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: TSNP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 100MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Frequenz, max.: 3GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 12353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.75 грн
500+17.77 грн
1000+12.23 грн
5000+11.94 грн
10000+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFP520H6327XTSA1 BFP520H6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009651746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP520H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.5 V, 45 GHz, 125 mW, 50 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+18.71 грн
73+11.71 грн
100+10.68 грн
500+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
BFP520FH6327XTSA1 BFP520FH6327XTSA1 INFINEON 2354687.pdf Description: INFINEON - BFP520FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.5 V, 45 GHz, 120 mW, 50 mA, TSFP
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70
DC-Stromverstärkung hFE: 70
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 120
Verlustleistung: 120
Bauform - Transistor: TSFP
Bauform - HF-Transistor: TSFP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 2.5
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.5
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 50
Übergangsfrequenz: 45
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+38.62 грн
26+33.32 грн
100+24.95 грн
500+18.25 грн
1000+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BFP520H6327XTSA1 BFP520H6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009651746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP520H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.5 V, 45 GHz, 125 mW, 50 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.68 грн
500+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFP520FH6327XTSA1 BFP520FH6327XTSA1 INFINEON 2354687.pdf Description: INFINEON - BFP520FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.5 V, 45 GHz, 120 mW, 50 mA, TSFP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 120
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70
Qualifikation: AEC-Q101
Bauform - Transistor: TSFP
Dauer-Kollektorstrom: 50
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.95 грн
500+18.25 грн
1000+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R12KT3HOSA1 FF300R12KT3HOSA1 INFINEON INFNS28377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF300R12KT3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 480 A, 1.7 V, 1.45 kW, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 480
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 1.45
Verlustleistung: 1.45
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Zweifach
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 480
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13470.66 грн
5+13201.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW25N120E1XKSA1 IHW25N120E1XKSA1 INFINEON INFN-S-A0002490563-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IHW25N120E1XKSA1 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 231 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+286.23 грн
10+282.81 грн
100+163.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IHW25N120R2FKSA1 IHW25N120R2FKSA1 INFINEON 611689.pdf Description: INFINEON - IHW25N120R2FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 365 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 365
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4110GPBF IRFI4110GPBF INFINEON INFN-S-A0003068085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFI4110GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 72 A, 0.0045 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+306.73 грн
10+275.12 грн
100+261.45 грн
500+223.73 грн
1000+202.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R080P7XKSA1 IPA60R080P7XKSA1 INFINEON 2718749.pdf Description: INFINEON - IPA60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+384.49 грн
10+234.11 грн
100+192.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6303WE6327HTSA1 BAR6303WE6327HTSA1 INFINEON INFNS15694-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAR6303WE6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 1 ohm, 50 V, SOD-323, 2 Pins, 0.21 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.2V
Diodenkapazität: 0.21pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAR63
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.63 грн
1000+4.06 грн
5000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPP083N10N5AKSA1 IPP083N10N5AKSA1 INFINEON INFN-S-A0002955528-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP083N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 73 A, 0.0073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 73
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIRINDICATOR2GOTOBO1 DIRINDICATOR2GOTOBO1 INFINEON 3626605.pdf Description: INFINEON - DIRINDICATOR2GOTOBO1 - Richtungsanzeiger, HMI, 3D-Magnetsensor-2GO-Kits und Shield2Go
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: HMI-Richtungsanzeiger
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 3D-Magnetsensor-2GO-Kits und Shield2Go
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2210.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRPBF IRLR3103TRPBF INFINEON 140831.pdf Description: INFINEON - IRLR3103TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.019 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 107
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7440TRPBF IRFR7440TRPBF INFINEON INFN-S-A0012837645-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR7440TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0019 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+117.05 грн
10+85.44 грн
100+61.69 грн
500+48.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7746TRPBF IRFR7746TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813656-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR7746TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 0.0095 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 56
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7
Verlustleistung: 99
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0095
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7740TRPBF IRFR7740TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813694-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR7740TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 87 A, 0.006 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.30 грн
10+128.16 грн
100+107.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7740TRPBF IRFR7740TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813694-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR7740TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 87 A, 0.006 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 140W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+107.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7746TRPBF IRFR7746TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813656-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR7746TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 0.0095 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 99
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY2292FXI CY2292FXI INFINEON CYPR-S-A0011122928-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY2292FXI - PLL-Taktgenerator, 76.923kHz bis 80MHz, 6 Ausgänge, 3V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Takt-IC: PLL-Taktgeber
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 6Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1930.97 грн
10+1622.53 грн
25+1448.23 грн
50+1305.11 грн
100+1168.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12KE3BPSA1 FP25R12KE3BPSA1 INFINEON 2211561.pdf Description: INFINEON - FP25R12KE3BPSA1 - IGBT-Modul, Siebenerpack, 40 A, 1.7 V, 155 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 155W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 40A
Produktpalette: EconoPIM 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Siebenerpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 40A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6409.80 грн
5+5727.98 грн
10+5045.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120CS7XKSA1 IKW15N120CS7XKSA1 INFINEON 3437282.pdf Description: INFINEON - IKW15N120CS7XKSA1 - IGBT, 36 A, 1.65 V, 176 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 36A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+485.31 грн
10+358.00 грн
100+229.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465TRPBF IRF7465TRPBF INFINEON 107894.pdf Description: INFINEON - IRF7465TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.9 A, 0.28 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRL7PP IRFS3006TRL7PP INFINEON INFN-S-A0004146170-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS3006TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+289.65 грн
10+229.84 грн
100+181.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 INFINEON INFNS19473-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP322PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.37 грн
500+29.04 грн
1000+22.34 грн
5000+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R060P7XKSA1 IPP60R060P7XKSA1 INFINEON 2718789.pdf Description: INFINEON - IPP60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+342.62 грн
10+276.83 грн
100+211.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBF IRFTS9342TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838040-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFTS9342TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.75 грн
27+32.38 грн
100+16.15 грн
500+14.20 грн
1000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N65H5XKSA1 IGP30N65H5XKSA1 INFINEON 2354572.pdf Description: INFINEON - IGP30N65H5XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 188 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 188
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYW920719B2Q40EVB-01 CYW920719B2Q40EVB-01 INFINEON Infineon-CYW920719B2Q40EVB-01_Evaluation_Kit_Quick_Start_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0f026db619bc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: INFINEON - CYW920719B2Q40EVB-01 - EVAL.KIT, BLUETOOTH LOW ENERGY, SOC
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYW20719
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYW20719, USB-A/Micro-USB-B-Kabel, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy, SoC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3706.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYW954907AEVAL1F CYW954907AEVAL1F INFINEON download Description: INFINEON - CYW954907AEVAL1F - Entwicklungsboard, CYW54907 Wireless-MCU, Arduino-kompatibel
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYW54907
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: -
Anzahl der Bits: -
Prozessorhersteller: Cypress
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYW954907AEVAL1F, USB-Kabel Standard-A auf Micro-B, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-R4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYW43439KUBGT CYW43439KUBGT INFINEON INFN-S-A0018718802-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CYW43439KUBGT - HF-Transceiver, 0.5V bis 3.9V, 15dBm, 2.4GHz bis 2.5GHz, WLBGA
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: WLBGA
Ausgangsleistung (dBm): 15dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Modulschnittstelle: PCM, SDIO, SPI, UART
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: 2.4GHz-Bluetooth-Low-Energy-Systeme
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -30°C
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: 8DPSK, DQPSK, GFSK
Modulanwendungsbereiche: Handgeräte, Heimautomation, IoT-Hub, Wearables
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
HF-Frequenz: 2.4GHz
Versorgungsspannung, max.: 3.9V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+428.91 грн
10+371.67 грн
25+351.16 грн
50+313.39 грн
100+277.56 грн
500+243.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R380E6XKSA1 IPA65R380E6XKSA1 INFINEON INFN-S-A0004583416-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA65R380E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.6 A, 0.38 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+216.17 грн
10+122.18 грн
100+91.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFV040 S25FL064LABNFV040 INFINEON 2309630.pdf Description: INFINEON - S25FL064LABNFV040 - Flash-Speicher, Floating-Gate-Architektur, Serial-NOR, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, SPI, USON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: USON
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+137.56 грн
10+105.95 грн
50+97.40 грн
100+88.07 грн
250+75.43 грн
500+73.24 грн
1000+72.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF IRFS7530TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012813666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS7530TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 295 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 295A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+133.29 грн
500+111.07 грн
1000+82.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF IRFS3107TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS3107TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+397.30 грн
10+264.01 грн
50+228.98 грн
100+179.30 грн
250+161.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107PBF IRFS3107PBF INFINEON 2043117.pdf Description: INFINEON - IRFS3107PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 230 A, 0.0025 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 230
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 370
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35
Verlustleistung: 370
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7511BXUSA1 1EDN7511BXUSA1 INFINEON Infineon-1EDN751x_1EDN851x_Rev%202.0-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462576f34750157e176df0b3ca7 Description: INFINEON - 1EDN7511BXUSA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 19ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+46.39 грн
25+34.43 грн
100+26.91 грн
500+22.14 грн
1000+19.70 грн
2500+18.02 грн
5000+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BGA614H6327XTSA1 BGA614H6327XTSA1 INFINEON 1849715.html Description: INFINEON - BGA614H6327XTSA1 - HF-Verstärker, 17.5dB Verstärkung / 2.1dB Rauschmaß, DC-2.4GHz, 3V Versorgungsspannung, SOT-343-4
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 2.1dB
Bauform - HF-IC: SOT-343
Verstärkung: 17.5dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 0GHz
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3V
Frequenz, max.: 2.4GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+135.00 грн
50+112.78 грн
100+104.24 грн
500+87.27 грн
1500+62.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BGA614H6327XTSA1 BGA614H6327XTSA1 INFINEON 1849715.html Description: INFINEON - BGA614H6327XTSA1 - HF-Verstärker, 17.5dB Verstärkung / 2.1dB Rauschmaß, DC-2.4GHz, 3V Versorgungsspannung, SOT-343-4
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 2.1dB
Bauform - HF-IC: SOT-343
Verstärkung: 17.5dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 0GHz
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3V
Frequenz, max.: 2.4GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+104.24 грн
500+87.27 грн
1500+62.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R041CFD7XKSA1 IPP65R041CFD7XKSA1 INFINEON 3159573.pdf Description: INFINEON - IPP65R041CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 50 A, 0.035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+662.17 грн
5+499.83 грн
10+337.49 грн
50+307.04 грн
100+277.56 грн
250+271.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R225C7XKSA1 IPP65R225C7XKSA1 INFINEON INFNS26378-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP65R225C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+192.24 грн
10+185.41 грн
100+98.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R060CFD7XKSA1 IPP65R060CFD7XKSA1 INFINEON 3159574.pdf Description: INFINEON - IPP65R060CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.06 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+551.10 грн
10+292.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R065C7XKSA1 IPP65R065C7XKSA1 INFINEON INFNS28169-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP65R065C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+543.41 грн
10+457.11 грн
100+369.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R095C7XKSA1 IPP65R095C7XKSA1 INFINEON INFNS28757-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP65R095C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.095 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+414.39 грн
10+329.80 грн
100+219.58 грн
500+168.99 грн
1000+150.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R155CFD7XKSA1 IPP65R155CFD7XKSA1 INFINEON 3189137.pdf Description: INFINEON - IPP65R155CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.131 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.131ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+255.47 грн
10+254.61 грн
100+128.16 грн
500+108.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 INFN-S-A0008991272-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IHW40N120R5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IHW40N120R5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.55 V, 394 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 394W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+401.57 грн
10+397.30 грн
100+185.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N65R5XKSA1 INFN-S-A0001382794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IHW40N65R5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IHW40N65R5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+299.90 грн
10+235.82 грн
100+163.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N65R6XKSA1 3760037.pdf
IHW40N65R6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IHW40N65R6XKSA1 - IGBT, 83 A, 1.29 V, 210 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.29V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 83A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+255.47 грн
10+179.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R3FKSA1 1932606.pdf
IHW40N120R3FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IHW40N120R3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.55 V, 429 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 429
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55
Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N60R 2332241.pdf
IHW40N60R
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IHW40N60R - IGBT, 40 A, 2.4 V, 305 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 305
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4
Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R600P7SXKSA1 2849741.pdf
IPAN70R600P7SXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPAN70R600P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24.9W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+96.55 грн
16+53.74 грн
100+47.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600P7XKSA1 2362695.pdf
IPP60R600P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R600P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 30
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+125.60 грн
10+123.04 грн
100+99.11 грн
500+71.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5805TRPBF 678483.pdf
IRF5805TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5805TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.098 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 3.8
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.098
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C5XKSA2 1932618.pdf
IDH04G65C5XKSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH04G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+175.15 грн
10+140.12 грн
100+84.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IDH09SG60CXKSA2 INFNS19746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDH09SG60CXKSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH09SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 9 A, 15 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 15
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Produktpalette: thinQ Gen III
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+424.64 грн
10+375.09 грн
100+328.09 грн
500+303.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDH09G65C5XKSA2 INFNS19605-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDH09G65C5XKSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH09G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 9 A, 14 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: thinQ Gen V
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+359.71 грн
10+305.02 грн
100+264.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DD180N16SHPSA1 2849700.pdf
DD180N16SHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DD180N16SHPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 226 A, 1.39 V, Zweifach, Reihenschaltung
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 226
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Durchlassspannung, max.: 1.39
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP420H6801XTSA1 1942422.pdf
BFP420H6801XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP420H6801XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 25 GHz, 210 mW, 60 mA, SOT-343
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5
Verlustleistung: 210
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60
Qualifikation: AEC-Q101
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauer-Kollektorstrom: 60
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP420H6740XTSA1 1942422.pdf
BFP420H6740XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP420H6740XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 25 GHz, 210 mW, 60 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 25GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP420H6327XTSA1 INFNS15718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP420H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP420H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 25 GHz, 210 mW, 60 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 60mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 25GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.71 грн
500+16.58 грн
1000+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BGS13S4N9E6327XTSA1 INFN-S-A0004843210-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BGS13S4N9E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGS13S4N9E6327XTSA1 - HF-Schalter, 100MHz bis 3GHz, 1.8V bis 3.3V Versorgungsspannung, TSNP-9
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: TSNP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 100MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Frequenz, max.: 3GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 12353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.75 грн
500+17.77 грн
1000+12.23 грн
5000+11.94 грн
10000+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFP520H6327XTSA1 INFN-S-A0009651746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP520H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP520H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.5 V, 45 GHz, 125 mW, 50 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
46+18.71 грн
73+11.71 грн
100+10.68 грн
500+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
BFP520FH6327XTSA1 2354687.pdf
BFP520FH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP520FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.5 V, 45 GHz, 120 mW, 50 mA, TSFP
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70
DC-Stromverstärkung hFE: 70
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 120
Verlustleistung: 120
Bauform - Transistor: TSFP
Bauform - HF-Transistor: TSFP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 2.5
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.5
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 50
Übergangsfrequenz: 45
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+38.62 грн
26+33.32 грн
100+24.95 грн
500+18.25 грн
1000+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BFP520H6327XTSA1 INFN-S-A0009651746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP520H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP520H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.5 V, 45 GHz, 125 mW, 50 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.68 грн
500+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFP520FH6327XTSA1 2354687.pdf
BFP520FH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP520FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.5 V, 45 GHz, 120 mW, 50 mA, TSFP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 120
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70
Qualifikation: AEC-Q101
Bauform - Transistor: TSFP
Dauer-Kollektorstrom: 50
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.95 грн
500+18.25 грн
1000+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R12KT3HOSA1 INFNS28377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FF300R12KT3HOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF300R12KT3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 480 A, 1.7 V, 1.45 kW, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 480
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 1.45
Verlustleistung: 1.45
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Zweifach
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 480
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+13470.66 грн
5+13201.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW25N120E1XKSA1 INFN-S-A0002490563-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IHW25N120E1XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IHW25N120E1XKSA1 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 231 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+286.23 грн
10+282.81 грн
100+163.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IHW25N120R2FKSA1 611689.pdf
IHW25N120R2FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IHW25N120R2FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 365 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 365
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4110GPBF INFN-S-A0003068085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFI4110GPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFI4110GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 72 A, 0.0045 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+306.73 грн
10+275.12 грн
100+261.45 грн
500+223.73 грн
1000+202.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R080P7XKSA1 2718749.pdf
IPA60R080P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+384.49 грн
10+234.11 грн
100+192.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6303WE6327HTSA1 INFNS15694-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAR6303WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR6303WE6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 1 ohm, 50 V, SOD-323, 2 Pins, 0.21 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.2V
Diodenkapazität: 0.21pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAR63
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.63 грн
1000+4.06 грн
5000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPP083N10N5AKSA1 INFN-S-A0002955528-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP083N10N5AKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP083N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 73 A, 0.0073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 73
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIRINDICATOR2GOTOBO1 3626605.pdf
DIRINDICATOR2GOTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DIRINDICATOR2GOTOBO1 - Richtungsanzeiger, HMI, 3D-Magnetsensor-2GO-Kits und Shield2Go
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: HMI-Richtungsanzeiger
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 3D-Magnetsensor-2GO-Kits und Shield2Go
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2210.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRPBF 140831.pdf
IRLR3103TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3103TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.019 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 107
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7440TRPBF INFN-S-A0012837645-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR7440TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR7440TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0019 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+117.05 грн
10+85.44 грн
100+61.69 грн
500+48.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7746TRPBF INFN-S-A0012813656-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR7746TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR7746TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 0.0095 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 56
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7
Verlustleistung: 99
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0095
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7740TRPBF INFN-S-A0012813694-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR7740TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR7740TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 87 A, 0.006 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+174.30 грн
10+128.16 грн
100+107.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7740TRPBF INFN-S-A0012813694-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR7740TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR7740TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 87 A, 0.006 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 140W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+107.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7746TRPBF INFN-S-A0012813656-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR7746TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR7746TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 0.0095 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 99
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY2292FXI CYPR-S-A0011122928-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY2292FXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY2292FXI - PLL-Taktgenerator, 76.923kHz bis 80MHz, 6 Ausgänge, 3V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Takt-IC: PLL-Taktgeber
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 6Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1930.97 грн
10+1622.53 грн
25+1448.23 грн
50+1305.11 грн
100+1168.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12KE3BPSA1 2211561.pdf
FP25R12KE3BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP25R12KE3BPSA1 - IGBT-Modul, Siebenerpack, 40 A, 1.7 V, 155 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 155W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 40A
Produktpalette: EconoPIM 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Siebenerpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 40A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6409.80 грн
5+5727.98 грн
10+5045.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120CS7XKSA1 3437282.pdf
IKW15N120CS7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW15N120CS7XKSA1 - IGBT, 36 A, 1.65 V, 176 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 36A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+485.31 грн
10+358.00 грн
100+229.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465TRPBF 107894.pdf
IRF7465TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7465TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.9 A, 0.28 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRL7PP INFN-S-A0004146170-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS3006TRL7PP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3006TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+289.65 грн
10+229.84 грн
100+181.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 INFNS19473-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP322PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP322PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.37 грн
500+29.04 грн
1000+22.34 грн
5000+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R060P7XKSA1 2718789.pdf
IPP60R060P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+342.62 грн
10+276.83 грн
100+211.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBF INFN-S-A0012838040-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFTS9342TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFTS9342TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+50.75 грн
27+32.38 грн
100+16.15 грн
500+14.20 грн
1000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N65H5XKSA1 2354572.pdf
IGP30N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGP30N65H5XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 188 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 188
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYW920719B2Q40EVB-01 Infineon-CYW920719B2Q40EVB-01_Evaluation_Kit_Quick_Start_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0f026db619bc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CYW920719B2Q40EVB-01
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW920719B2Q40EVB-01 - EVAL.KIT, BLUETOOTH LOW ENERGY, SOC
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYW20719
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYW20719, USB-A/Micro-USB-B-Kabel, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy, SoC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3706.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYW954907AEVAL1F download
CYW954907AEVAL1F
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW954907AEVAL1F - Entwicklungsboard, CYW54907 Wireless-MCU, Arduino-kompatibel
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYW54907
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: -
Anzahl der Bits: -
Prozessorhersteller: Cypress
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYW954907AEVAL1F, USB-Kabel Standard-A auf Micro-B, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-R4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYW43439KUBGT INFN-S-A0018718802-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CYW43439KUBGT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW43439KUBGT - HF-Transceiver, 0.5V bis 3.9V, 15dBm, 2.4GHz bis 2.5GHz, WLBGA
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: WLBGA
Ausgangsleistung (dBm): 15dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Modulschnittstelle: PCM, SDIO, SPI, UART
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: 2.4GHz-Bluetooth-Low-Energy-Systeme
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -30°C
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: 8DPSK, DQPSK, GFSK
Modulanwendungsbereiche: Handgeräte, Heimautomation, IoT-Hub, Wearables
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
HF-Frequenz: 2.4GHz
Versorgungsspannung, max.: 3.9V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+428.91 грн
10+371.67 грн
25+351.16 грн
50+313.39 грн
100+277.56 грн
500+243.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R380E6XKSA1 INFN-S-A0004583416-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPA65R380E6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R380E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.6 A, 0.38 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+216.17 грн
10+122.18 грн
100+91.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFV040 2309630.pdf
S25FL064LABNFV040
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL064LABNFV040 - Flash-Speicher, Floating-Gate-Architektur, Serial-NOR, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, SPI, USON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: USON
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+137.56 грн
10+105.95 грн
50+97.40 грн
100+88.07 грн
250+75.43 грн
500+73.24 грн
1000+72.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF INFN-S-A0012813666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS7530TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7530TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 295 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 295A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+133.29 грн
500+111.07 грн
1000+82.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF INFN-S-A0012838786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS3107TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3107TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+397.30 грн
10+264.01 грн
50+228.98 грн
100+179.30 грн
250+161.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107PBF 2043117.pdf
IRFS3107PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3107PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 230 A, 0.0025 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 230
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 370
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35
Verlustleistung: 370
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7511BXUSA1 Infineon-1EDN751x_1EDN851x_Rev%202.0-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462576f34750157e176df0b3ca7
1EDN7511BXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN7511BXUSA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 19ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+46.39 грн
25+34.43 грн
100+26.91 грн
500+22.14 грн
1000+19.70 грн
2500+18.02 грн
5000+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BGA614H6327XTSA1 1849715.html
BGA614H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGA614H6327XTSA1 - HF-Verstärker, 17.5dB Verstärkung / 2.1dB Rauschmaß, DC-2.4GHz, 3V Versorgungsspannung, SOT-343-4
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 2.1dB
Bauform - HF-IC: SOT-343
Verstärkung: 17.5dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 0GHz
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3V
Frequenz, max.: 2.4GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+135.00 грн
50+112.78 грн
100+104.24 грн
500+87.27 грн
1500+62.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BGA614H6327XTSA1 1849715.html
BGA614H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGA614H6327XTSA1 - HF-Verstärker, 17.5dB Verstärkung / 2.1dB Rauschmaß, DC-2.4GHz, 3V Versorgungsspannung, SOT-343-4
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 2.1dB
Bauform - HF-IC: SOT-343
Verstärkung: 17.5dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 0GHz
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3V
Frequenz, max.: 2.4GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+104.24 грн
500+87.27 грн
1500+62.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R041CFD7XKSA1 3159573.pdf
IPP65R041CFD7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R041CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 50 A, 0.035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+662.17 грн
5+499.83 грн
10+337.49 грн
50+307.04 грн
100+277.56 грн
250+271.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R225C7XKSA1 INFNS26378-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP65R225C7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R225C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+192.24 грн
10+185.41 грн
100+98.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R060CFD7XKSA1 3159574.pdf
IPP65R060CFD7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R060CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.06 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+551.10 грн
10+292.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R065C7XKSA1 INFNS28169-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP65R065C7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R065C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+543.41 грн
10+457.11 грн
100+369.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R095C7XKSA1 INFNS28757-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP65R095C7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R095C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.095 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+414.39 грн
10+329.80 грн
100+219.58 грн
500+168.99 грн
1000+150.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R155CFD7XKSA1 3189137.pdf
IPP65R155CFD7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R155CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.131 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.131ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+255.47 грн
10+254.61 грн
100+128.16 грн
500+108.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 42 84 126 168 210 252 267 268 269 270 271 272 273 274 275 276 277 294 336 378 420 429  [ Наступна Сторінка >> ]