Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25964) > Сторінка 269 з 433

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 264 265 266 267 268 269 270 271 272 273 274 301 344 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ICE5AR4770BZSXKLA1 ICE5AR4770BZSXKLA1 INFINEON INFN-S-A0004583174-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - ICE5AR4770BZSXKLA1 - AC/DC-Wandler, Flyback nicht isoliert, 10.5V bis 24V AC Eingangsspannung, 100kHz, 15W, DIP-7
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 100kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 700V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 15W
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 10.5VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isoliert, nicht isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.46 грн
12+71.42 грн
50+60.44 грн
100+48.82 грн
250+42.33 грн
500+40.72 грн
1000+36.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49462LHALA1 TLE49462LHALA1 INFINEON INFN-S-A0011272657-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE49462LHALA1 - Hall-Effekt-Schalter, hohe Präzision, AEC-Q100, Hall-Effekt-Latch, 0.002 T, -0.002 T, 2.7 V, 18 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Signalspeicher
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Hall-Effekt-Latch
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: -0.002T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Sensorgehäuse/-bauform: SSO
Bauform - Sensor: SSO
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.002T
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Digital
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Collector
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.47 грн
16+51.43 грн
100+47.09 грн
500+39.32 грн
1000+33.98 грн
2500+33.20 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1399BNL-12ZXC CY7C1399BNL-12ZXC INFINEON 2148632.pdf Description: INFINEON - CY7C1399BNL-12ZXC - SRAM, Asynchroner SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, TSOP, 28 Pin(s), 3 V
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Speicherkonfiguration SRAM: 32K x 8bit
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 256Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 12ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Speichergröße: 256Kbit
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+191.65 грн
10+168.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1399BN-12VXI CY7C1399BN-12VXI INFINEON Infineon-CY7C1399BN_256-Kbit_(32_K_8)_Static_RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec2fd5f37f9&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: INFINEON - CY7C1399BN-12VXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, SOJ, 28 Pin(s), 3 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 256Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+211.30 грн
10+196.56 грн
25+190.83 грн
50+158.94 грн
100+141.10 грн
250+139.00 грн
500+136.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP320N20N3GXKSA1 IPP320N20N3GXKSA1 INFINEON IPP_B_I_320N20N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124967064ba184a Description: INFINEON - IPP320N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.92 грн
10+173.63 грн
100+119.57 грн
500+90.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FP200R12N3T7BPSA1 FP200R12N3T7BPSA1 INFINEON 3437274.pdf Description: INFINEON - FP200R12N3T7BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 200 A, 1.55 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 - T7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 200A
Produktpalette: TRENCHSTOP EconoPIM 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 200A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8936.11 грн
5+8935.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP200R12N3T7B11BPSA1 FP200R12N3T7B11BPSA1 INFINEON 3758284.pdf Description: INFINEON - FP200R12N3T7B11BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 200 A, 1.55 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Dauer-Kollektorstrom: 200A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPIM 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 200A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15565.10 грн
5+15367.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4906KHTSA1 TLI4906KHTSA1 INFINEON TLI4906x_DS_Rev1.0.pdf?folderId=db3a30431f848401011facc1c83b4674&fileId=db3a304320d39d590121543b7ddc05c4 Description: INFINEON - TLI4906KHTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, Unipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.01 T, 0.0085 T, 2.7 V, 18 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Schalter
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Unipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: 0.0085T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Sensorgehäuse/-bauform: SC-59
Bauform - Sensor: SC-59
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.01T
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Digital
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Drain
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+43.08 грн
25+33.50 грн
100+30.38 грн
500+25.32 грн
1000+21.83 грн
2500+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
TLV49611TAXBXA1 TLV49611TAXBXA1 INFINEON INFN-S-A0001301377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLV49611TAXBXA1 - Hall-Effekt-Schalter, Hall-Effekt-Latch, 0.002 T, -0.002 T, 3 V, 26 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Signalspeicher
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Hall-Effekt-Latch
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: -0.002T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: TO-92S
Bauform - Sensor: TO-92S
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.002T
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Digital
Produktpalette: XENSIV Series
Hysterese, typ.: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 26V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Drain
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.59 грн
29+29.07 грн
100+26.29 грн
500+20.23 грн
1000+18.25 грн
2500+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IPS7091GPBF IPS7091GPBF INFINEON 44099.pdf Description: INFINEON - IPS7091GPBF - Intelligenter Leistungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 5.5V, 5A, SOIC-8
Durchlasswiderstand: 0.08
Überhitzungsschutz: Ja
Strombegrenzung: 5
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -40
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 5.5
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP410H6327XTSA1 BFP410H6327XTSA1 INFINEON INFNS30057-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP410H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 150 mW, 40 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 40mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 25GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.19 грн
41+19.98 грн
100+16.05 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFB8409 AUIRFB8409 INFINEON IRSDS18596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRFB8409 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+511.88 грн
5+496.31 грн
10+479.93 грн
50+409.91 грн
100+370.66 грн
250+362.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BCV62AE6327HTSA1 BCV62AE6327HTSA1 INFINEON INFNS17361-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BCV62AE6327HTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 30 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 125hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-143
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+29.81 грн
36+22.93 грн
100+14.25 грн
500+12.17 грн
1000+5.93 грн
5000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BCV62AE6327HTSA1 BCV62AE6327HTSA1 INFINEON INFNS17361-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BCV62AE6327HTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 30 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 125hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-143
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.25 грн
500+12.17 грн
1000+5.93 грн
5000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRLPBF IRFR2405TRLPBF INFINEON 682150.pdf Description: INFINEON - IRFR2405TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.00 грн
16+52.17 грн
100+49.22 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRLPBF IRFR2405TRLPBF INFINEON 682150.pdf Description: INFINEON - IRFR2405TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFR106E6327HTSA1 BFR106E6327HTSA1 INFINEON INFNS30118-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR106E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 16 V, 5 GHz, 700 mW, 210 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 210mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 16V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 77537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+20.80 грн
64+12.86 грн
250+10.65 грн
1000+9.13 грн
3000+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BFR106E6327HTSA1 BFR106E6327HTSA1 INFINEON INFNS30118-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR106E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 16 V, 5 GHz, 700 mW, 210 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 210mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 16V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 77537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.86 грн
250+10.65 грн
1000+9.13 грн
3000+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BCR108E6327HTSA1 BCR108E6327HTSA1 INFINEON INFNS17177-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BCR108E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85332100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BCR108 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+18.35 грн
73+11.30 грн
250+7.04 грн
1000+4.23 грн
19500+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
BCR133SH6327XTSA1 BCR133SH6327XTSA1 INFINEON INFNS11630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BCR133SH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: BCR133 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+20.07 грн
67+12.37 грн
250+8.52 грн
1000+6.26 грн
9000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
BCR133SH6327XTSA1 BCR133SH6327XTSA1 INFINEON INFNS11630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BCR133SH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: BCR133 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.37 грн
250+8.52 грн
1000+6.26 грн
9000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FS200R12N3T7BPSA1 FS200R12N3T7BPSA1 INFINEON 3758284.pdf Description: INFINEON - FS200R12N3T7BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 200 A, 1.55 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Dauer-Kollektorstrom: 200A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 200A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20827.99 грн
5+18879.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R280P7XKSA1 IPP80R280P7XKSA1 INFINEON INFN-S-A0002786372-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP80R280P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.24 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.43 грн
10+117.94 грн
100+116.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N65H5XKSA1 IKP15N65H5XKSA1 INFINEON 2333565.pdf Description: INFINEON - IKP15N65H5XKSA1 - IGBT, 15 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 105
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
Kollektorstrom: 15
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4010PBF IRFSL4010PBF INFINEON INFN-S-A0012813162-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFSL4010PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0039 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 180
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3207ZPBF IRFSL3207ZPBF INFINEON INFN-S-A0012838143-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFSL3207ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 0.0033 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 170
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7537PBF IRFSL7537PBF INFINEON 2042943.pdf Description: INFINEON - IRFSL7537PBF - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 173A, TO-262-3
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 173
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 230
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7
Verlustleistung: 230
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00275
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00275
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4227PBF IRFSL4227PBF INFINEON 140054.pdf Description: INFINEON - IRFSL4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.022 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 62
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 330
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 330
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL38N20DPBF IRFSL38N20DPBF INFINEON INFN-S-A0002297198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFSL38N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 43 A, 0.054 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 43
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFS3306TRL AUIRFS3306TRL INFINEON INFN-S-A0003614990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRFS3306TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+323.50 грн
10+244.88 грн
100+198.20 грн
500+162.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFS3306TRL AUIRFS3306TRL INFINEON INFN-S-A0003614990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRFS3306TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+162.75 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ESD102U102ELSE6327XTSA1 ESD102U102ELSE6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0001405741-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - ESD102U102ELSE6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 8 V, TSSLP-2-3, 2 Pin(s), 3.3 V
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: TSSLP-2-3
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+25.06 грн
56+14.82 грн
100+10.73 грн
500+8.82 грн
1000+6.44 грн
5000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
ESD108B1CSP0201XTSA1 ESD108B1CSP0201XTSA1 INFINEON INFN-S-A0011164669-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - ESD108B1CSP0201XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, bidirektional, 18.5 V, WLL-2-1, 2 Pin(s)
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: WLL-2-1
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 18.5V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 307484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+9.25 грн
124+6.63 грн
320+2.56 грн
500+2.07 грн
1000+1.74 грн
5000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
ESD108B1CSP0201XTSA1 ESD108B1CSP0201XTSA1 INFINEON INFN-S-A0011164669-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - ESD108B1CSP0201XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, bidirektional, 18.5 V, WLL-2-1, 2 Pin(s)
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: WLL-2-1
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 18.5V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 308405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.70 грн
1000+2.30 грн
5000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ESD106B1W0201E6327XTSA1 ESD106B1W0201E6327XTSA1 INFINEON 2920437.pdf Description: INFINEON - ESD106B1W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 10 V, 0201, 2 Pin(s), 5.5 V
Anzahl der Pins: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: 0201
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10
Betriebsspannung: 5.5
Verlustleistung Pd: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+22.11 грн
45+18.26 грн
100+9.66 грн
500+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
ESD106B1W0201E6327XTSA1 ESD106B1W0201E6327XTSA1 INFINEON 2920437.pdf Description: INFINEON - ESD106B1W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 10 V, 0201, 2 Pin(s), 5.5 V
Anzahl der Pins: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: 0201
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10
Betriebsspannung: 5.5
Verlustleistung Pd: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65632-48AXC CY7C65632-48AXC INFINEON 2309552.pdf Description: INFINEON - CY7C65632-48AXC - USB-Schnittstelle, HX2VL-Architektur, USB-Hub-Controller, USB 2.0, 3.15 V, 3.6 V, TQFP, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 5A991.b.4.b
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
Anzahl der Anschlüsse: 4Anschlüsse
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Hub-Controller
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+260.44 грн
10+196.56 грн
25+180.18 грн
50+158.94 грн
100+139.00 грн
250+131.27 грн
500+127.76 грн
1000+123.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65632-48AXCT CY7C65632-48AXCT INFINEON INFN-S-A0024277571-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY7C65632-48AXCT - USB-Schnittstelle, HX2VL, USB-Hub-Controller, USB 2.0, 4.75 V, 5.25 V, TQFP, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 5A991.b.4.b
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
Anzahl der Anschlüsse: 4Anschlüsse
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Hub-Controller
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Übertragungsrate: 480Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+266.99 грн
10+200.66 грн
25+184.28 грн
50+162.75 грн
100+142.51 грн
250+135.49 грн
500+130.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 INFINEON INFNS28127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSL308CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.044 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.71 грн
50+33.58 грн
100+23.42 грн
500+17.72 грн
1500+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 INFINEON INFNS28127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSL308CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.044 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.42 грн
500+17.72 грн
1500+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B104QN-50SXI CY15B104QN-50SXI INFINEON INFN-S-A0018585947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY15B104QN-50SXI - N.FLÜCHT. SPEICHER 4MBIT 50MHZ SOIC-8
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.b.2
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1080.26 грн
10+1072.07 грн
25+1063.88 грн
50+979.52 грн
100+897.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ50N120CT2XKSA1 IKQ50N120CT2XKSA1 INFINEON 2718742.pdf Description: INFINEON - IKQ50N120CT2XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.75 V, 652 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 652W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+789.52 грн
5+628.99 грн
10+468.47 грн
50+422.84 грн
100+378.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY62146ELL-45ZSXI CY62146ELL-45ZSXI INFINEON Infineon-CY62146E_MOBL_4_MBIT_(256K_X_16)_STATIC_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebea9213270 Description: INFINEON - CY62146ELL-45ZSXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+675.68 грн
10+624.08 грн
25+596.23 грн
50+546.04 грн
100+493.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+62.16 грн
50+34.48 грн
100+29.40 грн
500+21.07 грн
1000+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR2407TRL AUIRFR2407TRL INFINEON 2332919.pdf Description: INFINEON - AUIRFR2407TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.0218 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 42
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Produktreihe HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0218
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0218
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+280.92 грн
10+253.89 грн
100+203.93 грн
500+155.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR2407TRL AUIRFR2407TRL INFINEON 2332919.pdf Description: INFINEON - AUIRFR2407TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.0218 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 42
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Produktreihe HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0218
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0218
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+155.90 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR2407 AUIRFR2407 INFINEON 2332919.pdf Description: INFINEON - AUIRFR2407 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.0218 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 42
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0218
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0218
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZTRLPBF IRFR2307ZTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837873-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR2307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.72 грн
10+113.84 грн
100+77.56 грн
500+57.49 грн
1000+50.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 INFINEON INFNS30194-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKW50N60H3FKSA1 - IGBT, 100 A, 1.85 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+426.70 грн
10+281.74 грн
100+234.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BF2040WH6814XTSA1 BF2040WH6814XTSA1 INFINEON INFNS10671-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BF2040WH6814XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 40 mA, SOT-343, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: SOT-343
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: BF2040
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): -
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BF2040WH6814XTSA1 BF2040WH6814XTSA1 INFINEON INFNS10671-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BF2040WH6814XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 40 mA, SOT-343, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 200
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F4150R12KS4BOSA1 F4150R12KS4BOSA1 INFINEON INFNS28276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - F4150R12KS4BOSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 180 A, 3.2 V, 960 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V
Dauer-Kollektorstrom: 180A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2V
Verlustleistung Pd: 960W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 180A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15794.42 грн
5+15793.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF450R08A03P2XKSA1 FF450R08A03P2XKSA1 INFINEON 3177199.pdf Description: INFINEON - FF450R08A03P2XKSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 450 A, 1.2 V, 1.667 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.2V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.2V
Verlustleistung Pd: 1.667kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.667kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750V
Dauerkollektorstrom: 450A
Produktpalette: HybridPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 450A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10108.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF150R12KE3GB2HOSA1 FF150R12KE3GB2HOSA1 INFINEON 2255533.pdf Description: INFINEON - FF150R12KE3GB2HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 225 A, 1.7 V, 780 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 225A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 780W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: C Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 225A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838607-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.21 грн
50+77.56 грн
250+52.91 грн
1000+35.90 грн
3000+29.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099P7XKSA1 IPW60R099P7XKSA1 INFINEON 2718795.pdf Description: INFINEON - IPW60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+341.52 грн
10+306.31 грн
100+169.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF INFINEON irfs7730pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563aad5921dc Description: INFINEON - IRFB7730PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 2600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375mW
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+295.66 грн
10+150.70 грн
100+136.77 грн
500+108.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TT175N16SOFHPSA1 TT175N16SOFHPSA1 INFINEON INFN-S-A0001535581-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TT175N16SOFHPSA1 - Thyristormodul, Reihenschaltung, 275A, 1.6kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 175A
RMS-Durchlassstrom: 275A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4731.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4014LQI-421T CY8C4014LQI-421T INFINEON INFN-S-A0018292500-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY8C4014LQI-421T - PROGRAMMIERBARES SOC, 16MHZ, QFN-EP-16
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 16KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Bauform - MPU: QFN-EP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 2KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M0
MCU-Familie: PSoC 4
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: CY8C40xx
Produktpalette: -
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
MPU-Familie: PSoC 4
euEccn: NLR
MPU-Baureihe: PSoC 4000
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Schnittstellen: I2C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
CPU-Geschwindigkeit: 16MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s)
Betriebsfrequenz, max.: 16MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.3
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+104.19 грн
250+91.26 грн
500+88.45 грн
1000+83.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4245LQI-483 CY8C4245LQI-483 INFINEON Infineon-PSOC_4_PSOC_4200_FAMILY_DATASHEET_PROGRAMMABLE_SYSTEM-ON-CHIP-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec80ee2400e&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: INFINEON - CY8C4245LQI-483 - ARM-MCU, Baureihe PSoC 4, PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: UFQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 32KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+294.84 грн
10+233.42 грн
25+217.04 грн
50+200.01 грн
100+182.52 грн
250+181.12 грн
500+179.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5AR4770BZSXKLA1 INFN-S-A0004583174-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ICE5AR4770BZSXKLA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICE5AR4770BZSXKLA1 - AC/DC-Wandler, Flyback nicht isoliert, 10.5V bis 24V AC Eingangsspannung, 100kHz, 15W, DIP-7
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 100kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 700V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 15W
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 10.5VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isoliert, nicht isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+97.46 грн
12+71.42 грн
50+60.44 грн
100+48.82 грн
250+42.33 грн
500+40.72 грн
1000+36.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49462LHALA1 INFN-S-A0011272657-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE49462LHALA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE49462LHALA1 - Hall-Effekt-Schalter, hohe Präzision, AEC-Q100, Hall-Effekt-Latch, 0.002 T, -0.002 T, 2.7 V, 18 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Signalspeicher
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Hall-Effekt-Latch
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: -0.002T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Sensorgehäuse/-bauform: SSO
Bauform - Sensor: SSO
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.002T
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Digital
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Collector
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+63.47 грн
16+51.43 грн
100+47.09 грн
500+39.32 грн
1000+33.98 грн
2500+33.20 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1399BNL-12ZXC 2148632.pdf
CY7C1399BNL-12ZXC
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1399BNL-12ZXC - SRAM, Asynchroner SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, TSOP, 28 Pin(s), 3 V
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Speicherkonfiguration SRAM: 32K x 8bit
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 256Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 12ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Speichergröße: 256Kbit
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+191.65 грн
10+168.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1399BN-12VXI Infineon-CY7C1399BN_256-Kbit_(32_K_8)_Static_RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec2fd5f37f9&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY7C1399BN-12VXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1399BN-12VXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, SOJ, 28 Pin(s), 3 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 256Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+211.30 грн
10+196.56 грн
25+190.83 грн
50+158.94 грн
100+141.10 грн
250+139.00 грн
500+136.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP320N20N3GXKSA1 IPP_B_I_320N20N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124967064ba184a
IPP320N20N3GXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP320N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+194.92 грн
10+173.63 грн
100+119.57 грн
500+90.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FP200R12N3T7BPSA1 3437274.pdf
FP200R12N3T7BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP200R12N3T7BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 200 A, 1.55 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 - T7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 200A
Produktpalette: TRENCHSTOP EconoPIM 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 200A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8936.11 грн
5+8935.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP200R12N3T7B11BPSA1 3758284.pdf
FP200R12N3T7B11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP200R12N3T7B11BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 200 A, 1.55 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Dauer-Kollektorstrom: 200A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPIM 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 200A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+15565.10 грн
5+15367.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4906KHTSA1 TLI4906x_DS_Rev1.0.pdf?folderId=db3a30431f848401011facc1c83b4674&fileId=db3a304320d39d590121543b7ddc05c4
TLI4906KHTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLI4906KHTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, Unipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.01 T, 0.0085 T, 2.7 V, 18 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Schalter
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Unipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: 0.0085T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Sensorgehäuse/-bauform: SC-59
Bauform - Sensor: SC-59
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.01T
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Digital
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Drain
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+43.08 грн
25+33.50 грн
100+30.38 грн
500+25.32 грн
1000+21.83 грн
2500+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
TLV49611TAXBXA1 INFN-S-A0001301377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLV49611TAXBXA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLV49611TAXBXA1 - Hall-Effekt-Schalter, Hall-Effekt-Latch, 0.002 T, -0.002 T, 3 V, 26 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Signalspeicher
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Hall-Effekt-Latch
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: -0.002T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: TO-92S
Bauform - Sensor: TO-92S
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.002T
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Digital
Produktpalette: XENSIV Series
Hysterese, typ.: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 26V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Drain
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+37.59 грн
29+29.07 грн
100+26.29 грн
500+20.23 грн
1000+18.25 грн
2500+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IPS7091GPBF 44099.pdf
IPS7091GPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPS7091GPBF - Intelligenter Leistungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 5.5V, 5A, SOIC-8
Durchlasswiderstand: 0.08
Überhitzungsschutz: Ja
Strombegrenzung: 5
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -40
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 5.5
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP410H6327XTSA1 INFNS30057-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP410H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP410H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 150 mW, 40 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 40mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 25GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+32.19 грн
41+19.98 грн
100+16.05 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFB8409 IRSDS18596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRFB8409
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFB8409 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+511.88 грн
5+496.31 грн
10+479.93 грн
50+409.91 грн
100+370.66 грн
250+362.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BCV62AE6327HTSA1 INFNS17361-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCV62AE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCV62AE6327HTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 30 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 125hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-143
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+29.81 грн
36+22.93 грн
100+14.25 грн
500+12.17 грн
1000+5.93 грн
5000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BCV62AE6327HTSA1 INFNS17361-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCV62AE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCV62AE6327HTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 30 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 125hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-143
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.25 грн
500+12.17 грн
1000+5.93 грн
5000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRLPBF 682150.pdf
IRFR2405TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR2405TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+81.00 грн
16+52.17 грн
100+49.22 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRLPBF 682150.pdf
IRFR2405TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR2405TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFR106E6327HTSA1 INFNS30118-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFR106E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR106E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 16 V, 5 GHz, 700 mW, 210 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 210mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 16V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 77537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+20.80 грн
64+12.86 грн
250+10.65 грн
1000+9.13 грн
3000+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BFR106E6327HTSA1 INFNS30118-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFR106E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR106E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 16 V, 5 GHz, 700 mW, 210 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 210mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 16V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 77537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.86 грн
250+10.65 грн
1000+9.13 грн
3000+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BCR108E6327HTSA1 INFNS17177-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCR108E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCR108E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85332100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BCR108 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+18.35 грн
73+11.30 грн
250+7.04 грн
1000+4.23 грн
19500+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
BCR133SH6327XTSA1 INFNS11630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCR133SH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCR133SH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: BCR133 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+20.07 грн
67+12.37 грн
250+8.52 грн
1000+6.26 грн
9000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
BCR133SH6327XTSA1 INFNS11630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCR133SH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCR133SH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: BCR133 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.37 грн
250+8.52 грн
1000+6.26 грн
9000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FS200R12N3T7BPSA1 3758284.pdf
FS200R12N3T7BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS200R12N3T7BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 200 A, 1.55 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Dauer-Kollektorstrom: 200A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 200A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+20827.99 грн
5+18879.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R280P7XKSA1 INFN-S-A0002786372-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP80R280P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP80R280P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.24 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+156.43 грн
10+117.94 грн
100+116.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N65H5XKSA1 2333565.pdf
IKP15N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKP15N65H5XKSA1 - IGBT, 15 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 105
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
Kollektorstrom: 15
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4010PBF description INFN-S-A0012813162-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFSL4010PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFSL4010PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0039 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 180
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3207ZPBF INFN-S-A0012838143-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFSL3207ZPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFSL3207ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 0.0033 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 170
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7537PBF 2042943.pdf
IRFSL7537PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFSL7537PBF - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 173A, TO-262-3
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 173
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 230
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7
Verlustleistung: 230
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00275
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00275
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4227PBF 140054.pdf
IRFSL4227PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFSL4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.022 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 62
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 330
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 330
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL38N20DPBF INFN-S-A0002297198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFSL38N20DPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFSL38N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 43 A, 0.054 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 43
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFS3306TRL INFN-S-A0003614990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRFS3306TRL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFS3306TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+323.50 грн
10+244.88 грн
100+198.20 грн
500+162.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFS3306TRL INFN-S-A0003614990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRFS3306TRL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFS3306TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+162.75 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ESD102U102ELSE6327XTSA1 INFN-S-A0001405741-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ESD102U102ELSE6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ESD102U102ELSE6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 8 V, TSSLP-2-3, 2 Pin(s), 3.3 V
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: TSSLP-2-3
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+25.06 грн
56+14.82 грн
100+10.73 грн
500+8.82 грн
1000+6.44 грн
5000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
ESD108B1CSP0201XTSA1 INFN-S-A0011164669-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ESD108B1CSP0201XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ESD108B1CSP0201XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, bidirektional, 18.5 V, WLL-2-1, 2 Pin(s)
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: WLL-2-1
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 18.5V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 307484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
89+9.25 грн
124+6.63 грн
320+2.56 грн
500+2.07 грн
1000+1.74 грн
5000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
ESD108B1CSP0201XTSA1 INFN-S-A0011164669-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ESD108B1CSP0201XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ESD108B1CSP0201XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, bidirektional, 18.5 V, WLL-2-1, 2 Pin(s)
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: WLL-2-1
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 18.5V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 308405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.70 грн
1000+2.30 грн
5000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ESD106B1W0201E6327XTSA1 2920437.pdf
ESD106B1W0201E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ESD106B1W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 10 V, 0201, 2 Pin(s), 5.5 V
Anzahl der Pins: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: 0201
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10
Betriebsspannung: 5.5
Verlustleistung Pd: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+22.11 грн
45+18.26 грн
100+9.66 грн
500+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
ESD106B1W0201E6327XTSA1 2920437.pdf
ESD106B1W0201E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ESD106B1W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 10 V, 0201, 2 Pin(s), 5.5 V
Anzahl der Pins: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: 0201
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10
Betriebsspannung: 5.5
Verlustleistung Pd: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65632-48AXC 2309552.pdf
CY7C65632-48AXC
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C65632-48AXC - USB-Schnittstelle, HX2VL-Architektur, USB-Hub-Controller, USB 2.0, 3.15 V, 3.6 V, TQFP, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 5A991.b.4.b
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
Anzahl der Anschlüsse: 4Anschlüsse
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Hub-Controller
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+260.44 грн
10+196.56 грн
25+180.18 грн
50+158.94 грн
100+139.00 грн
250+131.27 грн
500+127.76 грн
1000+123.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65632-48AXCT INFN-S-A0024277571-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY7C65632-48AXCT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C65632-48AXCT - USB-Schnittstelle, HX2VL, USB-Hub-Controller, USB 2.0, 4.75 V, 5.25 V, TQFP, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 5A991.b.4.b
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
Anzahl der Anschlüsse: 4Anschlüsse
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Hub-Controller
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Übertragungsrate: 480Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+266.99 грн
10+200.66 грн
25+184.28 грн
50+162.75 грн
100+142.51 грн
250+135.49 грн
500+130.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 INFNS28127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSL308CH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSL308CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.044 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+54.71 грн
50+33.58 грн
100+23.42 грн
500+17.72 грн
1500+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 INFNS28127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSL308CH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSL308CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.044 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.42 грн
500+17.72 грн
1500+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B104QN-50SXI INFN-S-A0018585947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY15B104QN-50SXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY15B104QN-50SXI - N.FLÜCHT. SPEICHER 4MBIT 50MHZ SOIC-8
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.b.2
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1080.26 грн
10+1072.07 грн
25+1063.88 грн
50+979.52 грн
100+897.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ50N120CT2XKSA1 2718742.pdf
IKQ50N120CT2XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKQ50N120CT2XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.75 V, 652 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 652W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+789.52 грн
5+628.99 грн
10+468.47 грн
50+422.84 грн
100+378.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY62146ELL-45ZSXI Infineon-CY62146E_MOBL_4_MBIT_(256K_X_16)_STATIC_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebea9213270
CY62146ELL-45ZSXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62146ELL-45ZSXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+675.68 грн
10+624.08 грн
25+596.23 грн
50+546.04 грн
100+493.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF description INFN-S-A0012837793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFL014NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+62.16 грн
50+34.48 грн
100+29.40 грн
500+21.07 грн
1000+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR2407TRL 2332919.pdf
AUIRFR2407TRL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR2407TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.0218 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 42
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Produktreihe HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0218
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0218
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+280.92 грн
10+253.89 грн
100+203.93 грн
500+155.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR2407TRL 2332919.pdf
AUIRFR2407TRL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR2407TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.0218 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 42
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Produktreihe HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0218
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0218
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+155.90 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR2407 2332919.pdf
AUIRFR2407
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR2407 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.0218 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 42
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0218
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0218
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZTRLPBF INFN-S-A0012837873-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR2307ZTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR2307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+177.72 грн
10+113.84 грн
100+77.56 грн
500+57.49 грн
1000+50.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3FKSA1 INFNS30194-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IKW50N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW50N60H3FKSA1 - IGBT, 100 A, 1.85 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+426.70 грн
10+281.74 грн
100+234.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BF2040WH6814XTSA1 INFNS10671-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BF2040WH6814XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BF2040WH6814XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 40 mA, SOT-343, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: SOT-343
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: BF2040
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): -
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BF2040WH6814XTSA1 INFNS10671-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BF2040WH6814XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BF2040WH6814XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 40 mA, SOT-343, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 200
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F4150R12KS4BOSA1 INFNS28276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
F4150R12KS4BOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F4150R12KS4BOSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 180 A, 3.2 V, 960 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V
Dauer-Kollektorstrom: 180A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2V
Verlustleistung Pd: 960W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 180A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+15794.42 грн
5+15793.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF450R08A03P2XKSA1 3177199.pdf
FF450R08A03P2XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF450R08A03P2XKSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 450 A, 1.2 V, 1.667 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.2V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.2V
Verlustleistung Pd: 1.667kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.667kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750V
Dauerkollektorstrom: 450A
Produktpalette: HybridPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 450A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10108.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF150R12KE3GB2HOSA1 2255533.pdf
FF150R12KE3GB2HOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF150R12KE3GB2HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 225 A, 1.7 V, 780 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 225A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 780W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: C Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 225A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF INFN-S-A0012838607-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3806TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+121.21 грн
50+77.56 грн
250+52.91 грн
1000+35.90 грн
3000+29.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099P7XKSA1 2718795.pdf
IPW60R099P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+341.52 грн
10+306.31 грн
100+169.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF irfs7730pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563aad5921dc
IRFB7730PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB7730PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 2600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375mW
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+295.66 грн
10+150.70 грн
100+136.77 грн
500+108.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TT175N16SOFHPSA1 INFN-S-A0001535581-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TT175N16SOFHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TT175N16SOFHPSA1 - Thyristormodul, Reihenschaltung, 275A, 1.6kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 175A
RMS-Durchlassstrom: 275A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4731.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4014LQI-421T INFN-S-A0018292500-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY8C4014LQI-421T
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4014LQI-421T - PROGRAMMIERBARES SOC, 16MHZ, QFN-EP-16
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 16KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Bauform - MPU: QFN-EP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 2KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M0
MCU-Familie: PSoC 4
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: CY8C40xx
Produktpalette: -
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
MPU-Familie: PSoC 4
euEccn: NLR
MPU-Baureihe: PSoC 4000
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Schnittstellen: I2C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
CPU-Geschwindigkeit: 16MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s)
Betriebsfrequenz, max.: 16MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.3
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+104.19 грн
250+91.26 грн
500+88.45 грн
1000+83.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4245LQI-483 Infineon-PSOC_4_PSOC_4200_FAMILY_DATASHEET_PROGRAMMABLE_SYSTEM-ON-CHIP-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec80ee2400e&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY8C4245LQI-483
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4245LQI-483 - ARM-MCU, Baureihe PSoC 4, PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: UFQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 32KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+294.84 грн
10+233.42 грн
25+217.04 грн
50+200.01 грн
100+182.52 грн
250+181.12 грн
500+179.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 264 265 266 267 268 269 270 271 272 273 274 301 344 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]