Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24636) > Сторінка 409 з 411

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 369 404 405 406 407 408 409 410 411  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
1EDI302YASEVALBOARDTOBO1 1EDI302YASEVALBOARDTOBO1 INFINEON Description: INFINEON - 1EDI302YASEVALBOARDTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDI3025AS, 1EDI3026AS, Gate-Treiber, Power-Management
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: 1EDI3025AS, 1EDI3026AS
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDI3025AS, 1EDI3026AS
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10705.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R099CFD7XTMA1 IPT65R099CFD7XTMA1 INFINEON Infineon-IPT65R099CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb3470186794edc7b78a2 Description: INFINEON - IPT65R099CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.087 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+180.08 грн
500+147.37 грн
1000+127.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R099CFD7XTMA1 IPT65R099CFD7XTMA1 INFINEON Infineon-IPT65R099CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb3470186794edc7b78a2 Description: INFINEON - IPT65R099CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.087 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+329.74 грн
10+231.07 грн
100+180.08 грн
500+147.37 грн
1000+127.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KITTRAVEOT2GBHMC1TOBO1 KITTRAVEOT2GBHMC1TOBO1 INFINEON Description: INFINEON - KITTRAVEOT2GBHMC1TOBO1 - Motorsteuerungskit, CYT4BF8CDE, ARM Cortex-M7F/M0+, Motorsteuerung
tariffCode: 84733080
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Karte CYT4BF8CDE, Board KIT_MOTOR_DC_250W_24V_T2G, Motor DB42M03, Adapterkarte, Kabel, Adapter, Handbuch
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Motorsteuerung
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: CYT4BF8CDE
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+39010.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R099CFD7AATMA1 IPB65R099CFD7AATMA1 INFINEON 3919306.pdf Description: INFINEON - IPB65R099CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.082 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 127W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+305.89 грн
100+228.60 грн
500+193.94 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R099CFD7AATMA1 IPB65R099CFD7AATMA1 INFINEON 3919306.pdf Description: INFINEON - IPB65R099CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.082 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 127W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+459.66 грн
10+305.89 грн
100+228.60 грн
500+193.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF INFINEON irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665 description Description: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.39 грн
500+28.71 грн
1000+24.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTN8982TAAUMA1 BTN8982TAAUMA1 INFINEON BTN8982TA-Data-Sheet-rev10-Infineon.pdf?folderId=db3a30431ff98815012060aedcd46179&fileId=db3a30433fa9412f013fbe32289b7c17&ack=t Description: INFINEON - BTN8982TAAUMA1 - Motortreiber, Halbbrücke, 8V bis 18V Versorgungsspannung, 1 Ausgang, TO-263-7
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
IC-Typ: Halbbrücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 8V
Bauform - Treiber: TO-263 (D2PAK)
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+236.12 грн
250+225.54 грн
500+222.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R055B2AUMA1 IGLT65R055B2AUMA1 INFINEON 4590052.pdf Description: INFINEON - IGLT65R055B2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 5.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+611.79 грн
50+511.59 грн
100+419.37 грн
250+410.91 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R055B2AUMA1 IGLT65R055B2AUMA1 INFINEON 4590052.pdf Description: INFINEON - IGLT65R055B2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 5.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.4nC
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+883.15 грн
5+747.47 грн
10+611.79 грн
50+511.59 грн
100+419.37 грн
250+410.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT65R015M2HXTMA1 IMLT65R015M2HXTMA1 INFINEON infineon-imlt65r015m2h-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IMLT65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.0132 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+841.21 грн
50+736.07 грн
100+638.57 грн
250+596.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R310CFDAATMA1 IPB65R310CFDAATMA1 INFINEON 4098633.pdf Description: INFINEON - IPB65R310CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.4 A, 0.31 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104.2W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+249.98 грн
10+162.81 грн
100+114.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R310CFDAATMA1 IPB65R310CFDAATMA1 INFINEON 4098633.pdf Description: INFINEON - IPB65R310CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.4 A, 0.31 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104.2W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+114.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42632GSXUMA1 TLE42632GSXUMA1 INFINEON Infineon-TLE4263-2GS-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ec6d7e1c743f8 Description: INFINEON - TLE42632GSXUMA1 - LDO-Spannungsregler, fest, 5.5-45Vin, 400mA/5Vout, 1 Ausgang, -40-150°C, PG-DSO-8
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.20 грн
250+66.04 грн
500+63.50 грн
1000+60.33 грн
2500+56.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42632GMXUMA1 TLE42632GMXUMA1 INFINEON Infineon-TLE4263-2GM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ec6d7d79f43f5 Description: INFINEON - TLE42632GMXUMA1 - LDO-Spannungsregler, fest, 5.5-45Vin, 400mA/5Vout, 1 Ausgang, -40-150°C, PG-DSO-14
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.20 грн
250+66.04 грн
500+63.50 грн
1000+61.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLS830A4EPV50XUMA1 TLS830A4EPV50XUMA1 INFINEON 4327849.pdf Description: INFINEON - TLS830A4EPV50XUMA1 - LDO-Spannungsregler, fest, 3.2 bis 40Vin, 550mV Dropout, 5V/0.3Aout, TSSOP-14, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Nennausgangsspannung: 5V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3.2V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 5V 300mA LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 550mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.74 грн
13+68.00 грн
50+61.59 грн
100+46.65 грн
250+40.32 грн
500+38.77 грн
1000+37.43 грн
2500+36.65 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLS830A4EPV50XUMA1 TLS830A4EPV50XUMA1 INFINEON 4327849.pdf Description: INFINEON - TLS830A4EPV50XUMA1 - LDO-Spannungsregler, fest, 3.2 bis 40Vin, 550mV Dropout, 5V/0.3Aout, TSSOP-14, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Nennausgangsspannung: 5V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Eingangsspannung, min.: 3.2V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 550mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.65 грн
250+40.32 грн
500+38.77 грн
1000+37.43 грн
2500+36.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR24N15DTRPBF IRFR24N15DTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837983-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR24N15DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 24 A, 0.095 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.35 грн
500+49.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60R010S7AXTMA1 IPQC60R010S7AXTMA1 INFINEON 3968285.pdf Description: INFINEON - IPQC60R010S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 9000 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1893.75 грн
5+1704.62 грн
10+1515.49 грн
50+1312.56 грн
100+1123.49 грн
250+1100.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60R010S7XTMA1 IPQC60R010S7XTMA1 INFINEON 3968279.pdf Description: INFINEON - IPQC60R010S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 9000 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1457.11 грн
50+1261.40 грн
100+1079.79 грн
250+1057.94 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ65R010M2HXUMA1 IMDQ65R010M2HXUMA1 INFINEON Infineon-IMDQ65R010M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934daa3f053a3b Description: INFINEON - IMDQ65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 154 A, 650 V, 0.091 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 651W
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1288.54 грн
50+1116.33 грн
100+955.74 грн
250+936.71 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ65R010M2HXUMA1 IMDQ65R010M2HXUMA1 INFINEON Infineon-IMDQ65R010M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934daa3f053a3b Description: INFINEON - IMDQ65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 154 A, 650 V, 0.091 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 651W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1726.00 грн
5+1507.27 грн
10+1288.54 грн
50+1116.33 грн
100+955.74 грн
250+936.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ESD121B1W0201E6327XTSA1 ESD121B1W0201E6327XTSA1 INFINEON infineon-esd121-b1-w0201-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - ESD121B1W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 24 V, WLL, 2 Pin(s), 7 V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: WLL
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 24V
Betriebsspannung: 7V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+11.76 грн
103+8.05 грн
220+3.75 грн
500+3.19 грн
1000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IM12S60EA2XKMA1 IM12S60EA2XKMA1 INFINEON 4634082.pdf Description: INFINEON - IM12S60EA2XKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, Sechsfach n-Kanal, 1 mA, 1.2 kV, 0.083 ohm
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 525mV
MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
Verlustleistung: 142W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Maxi CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2686.44 грн
5+2307.36 грн
10+1927.46 грн
50+1783.68 грн
100+1640.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGI60L2727B1MXUMA1 IGI60L2727B1MXUMA1 INFINEON 4719943.pdf Description: INFINEON - IGI60L2727B1MXUMA1 - Halbbrücken-Gate-Treiber, 600V Ausgangsspannung, TFLGA-EP-27
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: TFLGA-EP
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
Ausgangsspannung, max.: 600V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Nummer: IGI60L2727B1M
Schaltfrequenz, max.: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 27Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+393.88 грн
10+300.14 грн
25+276.29 грн
50+244.34 грн
100+214.27 грн
250+203.69 грн
500+192.42 грн
1000+163.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N22KHPSA3 DZ1070N22KHPSA3 INFINEON 4425932.pdf Description: INFINEON - DZ1070N22KHPSA3 - Diodenmodul, 2.2 kV, 1.1 kA, 1.11 V, Einfach, Modul, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 41kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.11V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.1kA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 2.2kV
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+33284.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N18KHPSA3 DZ1070N18KHPSA3 INFINEON 4425931.pdf Description: INFINEON - DZ1070N18KHPSA3 - Diodenmodul, 1.8 kV, 1.1 kA, 1.11 V, Einfach, Modul, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 41kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.11V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.1kA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.8kV
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+31677.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110D2ATMA1 IGLT65R110D2ATMA1 INFINEON 4421074.pdf Description: INFINEON - IGLT65R110D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+149.66 грн
500+122.93 грн
1000+109.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1 IGLT65R035D2ATMA1 INFINEON 4421077.pdf Description: INFINEON - IGLT65R035D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47 A, 0.042 ohm, 7.7 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.7nC
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+766.38 грн
5+645.50 грн
10+523.80 грн
50+428.36 грн
100+341.84 грн
250+334.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R140D2ATMA1 IGT65R140D2ATMA1 INFINEON Infineon-IGT65R140D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f0a5ea2f70a2b Description: INFINEON - IGT65R140D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+132.39 грн
500+109.19 грн
1000+98.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2XUMA1 IGLR65R270D2XUMA1 INFINEON 4421067.pdf Description: INFINEON - IGLR65R270D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 7.2 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.12 грн
500+56.05 грн
1000+47.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD70R500D2SAUMA1 IGD70R500D2SAUMA1 INFINEON 4590050.pdf Description: INFINEON - IGD70R500D2SAUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 3.4 A, 0.6 ohm, 0.53 nC, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.78 грн
500+40.93 грн
1000+33.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R140D2ATMA1 IGT65R140D2ATMA1 INFINEON Infineon-IGT65R140D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f0a5ea2f70a2b Description: INFINEON - IGT65R140D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+292.74 грн
10+184.19 грн
100+132.39 грн
500+109.19 грн
1000+98.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R055D2XTMA1 IGT65R055D2XTMA1 INFINEON 4470077.pdf Description: INFINEON - IGT65R055D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 31 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+450.62 грн
10+369.21 грн
100+316.58 грн
500+271.83 грн
1000+229.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R025D2AUMA1 IGLT65R025D2AUMA1 INFINEON 4421078.pdf Description: INFINEON - IGLT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 67 A, 0.03 ohm, 11 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+627.41 грн
50+524.57 грн
100+430.65 грн
250+422.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R025D2AUMA1 IGLT65R025D2AUMA1 INFINEON 4421078.pdf Description: INFINEON - IGLT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 67 A, 0.03 ohm, 11 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+875.75 грн
5+751.58 грн
10+627.41 грн
50+524.57 грн
100+430.65 грн
250+422.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110D2ATMA1 IGLT65R110D2ATMA1 INFINEON 4421074.pdf Description: INFINEON - IGLT65R110D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+305.89 грн
10+197.35 грн
100+149.66 грн
500+122.93 грн
1000+109.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R090CFD7ATMA1 IPB65R090CFD7ATMA1 INFINEON 3189145.pdf Description: INFINEON - IPB65R090CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 127W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+444.04 грн
10+297.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDATMA2 IPB65R150CFDATMA2 INFINEON 2255625.pdf Description: INFINEON - IPB65R150CFDATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.135 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195.3W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+347.83 грн
10+229.42 грн
100+161.99 грн
500+133.62 грн
1000+114.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDATMA2 IPB65R150CFDATMA2 INFINEON 2255625.pdf Description: INFINEON - IPB65R150CFDATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.135 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 195.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195.3W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+161.99 грн
500+133.62 грн
1000+114.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R050CFD7AATMA1 IPB65R050CFD7AATMA1 INFINEON 3154678.pdf Description: INFINEON - IPB65R050CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.042 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+652.90 грн
5+587.94 грн
10+522.98 грн
50+439.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R050CFD7AATMA1 IPB65R050CFD7AATMA1 INFINEON 3154678.pdf Description: INFINEON - IPB65R050CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.042 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+522.98 грн
50+439.05 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R090CFD7ATMA1 IPB65R090CFD7ATMA1 INFINEON 3189145.pdf Description: INFINEON - IPB65R090CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 127W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FZ900R12KP4HOSA1 FZ900R12KP4HOSA1 INFINEON Infineon-FZ900R12KP4-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=db3a30431f848401011fb7be4fe55944 Description: INFINEON - FZ900R12KP4HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, 900 A, 2.05 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötfahne
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 900A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9241.79 грн
5+8648.09 грн
10+8053.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R080CFD7AXTMA1 IPDQ65R080CFD7AXTMA1 INFINEON 4013782.pdf Description: INFINEON - IPDQ65R080CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.08 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+344.54 грн
100+278.76 грн
500+211.51 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R080CFD7XTMA1 IPDQ65R080CFD7XTMA1 INFINEON 3983247.pdf Description: INFINEON - IPDQ65R080CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.068 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+296.85 грн
500+245.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R080CFD7XTMA1 IPDQ65R080CFD7XTMA1 INFINEON 3983247.pdf Description: INFINEON - IPDQ65R080CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.068 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+550.94 грн
10+366.74 грн
100+296.85 грн
500+245.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC333LP32F200FAAKXUMA1 TC333LP32F200FAAKXUMA1 INFINEON 3328492.pdf Description: INFINEON - TC333LP32F200FAAKXUMA1 - 32-Bit-Mikrocontroller, AURIX Family TC33x Series Microcontrollers, TriCore, 32 Bit, 200 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 30Kanäle
Programmspeichergröße: 2MB
Versorgungsspannung, min.: 1.125V
Betriebsfrequenz, max.: 200MHz
euEccn: NLR
RAM-Speichergröße: 208KB
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.375V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1323.90 грн
25+1228.57 грн
50+1133.36 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC334LP32F300FAAKXUMA1 TC334LP32F300FAAKXUMA1 INFINEON 3328492.pdf Description: INFINEON - TC334LP32F300FAAKXUMA1 - 32-Bit-Mikrocontroller, AURIX Family TC33X Series Microcontrollers, TriCore, 32 Bit, 300 MHz
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: TriCore
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 2MB
Versorgungsspannung, min.: 1.125V
Betriebsfrequenz, max.: 300MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: AURIX
RAM-Speichergröße: 248KB
MCU-Baureihe: TC33x
Anzahl der Ein-/Ausgänge: -
Anzahl der Pins: 144Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: AURIX Family TC33X Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.375V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1856.75 грн
5+1675.84 грн
10+1494.94 грн
25+1304.16 грн
50+1179.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITA2GTC3775VTRBTOBO1 KITA2GTC3775VTRBTOBO1 INFINEON 3600267.pdf Description: INFINEON - KITA2GTC3775VTRBTOBO1 - Evaluationsboard, TC377, AURIX-Familie, TriCore, 32 Bit
tariffCode: 84733080
Prozessorkern: TC377
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: TriCore
Prozessorfamilie: AURIX
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TC377
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+69714.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TC389QP160F300SAEKXUMA2 TC389QP160F300SAEKXUMA2 INFINEON 4117297.pdf Description: INFINEON - TC389QP160F300SAEKXUMA2 - 32-Bit-Mikrocontroller, AURIX Family TC38x Series Microcontrollers, TriCore, 32 Bit, 300 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 138Kanäle
Programmspeichergröße: 10MB
Betriebsfrequenz, max.: 300MHz
euEccn: NLR
RAM-Speichergröße: 1.376MB
Anzahl der Pins: 516Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2797.45 грн
25+2457.14 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVINVHPD2SICFS0108TOBO2 EVINVHPD2SICFS0108TOBO2 INFINEON Infineon-Quickstart_Guide_for_Inverter_Evaluation_Kit_with_the_HybridPACK_Drive_G2_power_modules-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f2a15b87e0071&da=t Description: INFINEON - EVINVHPD2SICFS0108TOBO2 - Evaluationskit, FS01MR08A8MA2LBC, Stromversorgungsmodul, 10V bis 18V
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: FS01MR08A8MA2LBC
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FS01MR08A8MA2LBC, Gate-Treiber-Platine, Phasenstromsensor und Logik-Platine
euEccn: 3A225
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Leistungsmodul
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A225
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+402843.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRS25752LTRPBF IRS25752LTRPBF INFINEON 2211671.pdf Description: INFINEON - IRS25752LTRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side, 10V bis 18V Versorgung, 160mAout, 215ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 240mA
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 160mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 140ns
Ausgabeverzögerung: 215ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.76 грн
500+38.64 грн
1000+32.07 грн
2500+29.74 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21091STRPBF IRS21091STRPBF INFINEON irs21091.pdf Description: INFINEON - IRS21091STRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Nicht isoliert, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 750ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.16 грн
14+62.08 грн
50+56.08 грн
100+45.97 грн
250+39.75 грн
500+38.06 грн
1000+36.72 грн
2500+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21091STRPBF IRS21091STRPBF INFINEON irs21091.pdf Description: INFINEON - IRS21091STRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Nicht isoliert, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.97 грн
250+39.75 грн
500+38.06 грн
1000+36.72 грн
2500+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KITPSOC4-HVMS-64KLITE INFINEON Description: INFINEON - KITPSOC4-HVMS-64KLITE - Evaluationsboard, CY8C4146LWE-HVS115X, PSoC 4 HV-Familie, ARM, Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CY8C4146LWE-HVS115X
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: PSoC 4 HV
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationshauptplatine CY8C4146LWE-HVS115X, USB-Kabel
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Prozessorserie: Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9951.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100PW219XKSA1 IRF100PW219XKSA1 INFINEON Infineon-IRF100PW219-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194d11e9f761e44 Description: INFINEON - IRF100PW219XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 1700 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+445.68 грн
10+254.09 грн
100+197.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U180N16RRPB37BPSA1 DDB6U180N16RRPB37BPSA1 INFINEON infineon-ddb6u180n16rrp-b37-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - DDB6U180N16RRPB37BPSA1 - Diodenmodul, 1.2 kV, 50 A, 1.2 V, Brücke, Modul, 29 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 1.6kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.2V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: EconoPACK 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5627.80 грн
5+5034.92 грн
10+4442.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G120C5XKSA1 IDH20G120C5XKSA1 INFINEON INFN-S-A0001300545-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDH20G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 56 A, 82 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 82nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 56A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+558.34 грн
5+474.47 грн
10+389.77 грн
50+347.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NBT2000A8K0T4USON8XTMA5 NBT2000A8K0T4USON8XTMA5 INFINEON Infineon-OPTIGA_Authenticate_NBT_DSE-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84d5b8d24f50 Description: INFINEON - NBT2000A8K0T4USON8XTMA5 - NFC-I2C-Brücken-Tag, 1.62V bis 3.63V Versorgung, -25°C bis 85°C, USON-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: NFC/I2C-Brücken-Tag
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: USON
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: 1.62V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Schnittstellen: I2C, NFC
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.61 грн
10+89.63 грн
50+83.87 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI302YASEVALBOARDTOBO1
1EDI302YASEVALBOARDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI302YASEVALBOARDTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDI3025AS, 1EDI3026AS, Gate-Treiber, Power-Management
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: 1EDI3025AS, 1EDI3026AS
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDI3025AS, 1EDI3026AS
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+10705.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R099CFD7XTMA1 Infineon-IPT65R099CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb3470186794edc7b78a2
IPT65R099CFD7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT65R099CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.087 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+180.08 грн
500+147.37 грн
1000+127.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R099CFD7XTMA1 Infineon-IPT65R099CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb3470186794edc7b78a2
IPT65R099CFD7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT65R099CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.087 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+329.74 грн
10+231.07 грн
100+180.08 грн
500+147.37 грн
1000+127.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KITTRAVEOT2GBHMC1TOBO1
KITTRAVEOT2GBHMC1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITTRAVEOT2GBHMC1TOBO1 - Motorsteuerungskit, CYT4BF8CDE, ARM Cortex-M7F/M0+, Motorsteuerung
tariffCode: 84733080
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Karte CYT4BF8CDE, Board KIT_MOTOR_DC_250W_24V_T2G, Motor DB42M03, Adapterkarte, Kabel, Adapter, Handbuch
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Motorsteuerung
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: CYT4BF8CDE
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+39010.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R099CFD7AATMA1 3919306.pdf
IPB65R099CFD7AATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R099CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.082 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 127W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+305.89 грн
100+228.60 грн
500+193.94 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R099CFD7AATMA1 3919306.pdf
IPB65R099CFD7AATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R099CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.082 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 127W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+459.66 грн
10+305.89 грн
100+228.60 грн
500+193.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF description irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665
IRLR120NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+39.39 грн
500+28.71 грн
1000+24.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTN8982TAAUMA1 BTN8982TA-Data-Sheet-rev10-Infineon.pdf?folderId=db3a30431ff98815012060aedcd46179&fileId=db3a30433fa9412f013fbe32289b7c17&ack=t
BTN8982TAAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTN8982TAAUMA1 - Motortreiber, Halbbrücke, 8V bis 18V Versorgungsspannung, 1 Ausgang, TO-263-7
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
IC-Typ: Halbbrücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 8V
Bauform - Treiber: TO-263 (D2PAK)
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+236.12 грн
250+225.54 грн
500+222.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R055B2AUMA1 4590052.pdf
IGLT65R055B2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLT65R055B2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 5.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+611.79 грн
50+511.59 грн
100+419.37 грн
250+410.91 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R055B2AUMA1 4590052.pdf
IGLT65R055B2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLT65R055B2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 5.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.4nC
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+883.15 грн
5+747.47 грн
10+611.79 грн
50+511.59 грн
100+419.37 грн
250+410.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT65R015M2HXTMA1 infineon-imlt65r015m2h-datasheet-en.pdf
IMLT65R015M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMLT65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.0132 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+841.21 грн
50+736.07 грн
100+638.57 грн
250+596.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R310CFDAATMA1 4098633.pdf
IPB65R310CFDAATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R310CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.4 A, 0.31 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104.2W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+249.98 грн
10+162.81 грн
100+114.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R310CFDAATMA1 4098633.pdf
IPB65R310CFDAATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R310CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.4 A, 0.31 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104.2W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+114.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42632GSXUMA1 Infineon-TLE4263-2GS-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ec6d7e1c743f8
TLE42632GSXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE42632GSXUMA1 - LDO-Spannungsregler, fest, 5.5-45Vin, 400mA/5Vout, 1 Ausgang, -40-150°C, PG-DSO-8
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+76.20 грн
250+66.04 грн
500+63.50 грн
1000+60.33 грн
2500+56.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42632GMXUMA1 Infineon-TLE4263-2GM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ec6d7d79f43f5
TLE42632GMXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE42632GMXUMA1 - LDO-Spannungsregler, fest, 5.5-45Vin, 400mA/5Vout, 1 Ausgang, -40-150°C, PG-DSO-14
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+76.20 грн
250+66.04 грн
500+63.50 грн
1000+61.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLS830A4EPV50XUMA1 4327849.pdf
TLS830A4EPV50XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLS830A4EPV50XUMA1 - LDO-Spannungsregler, fest, 3.2 bis 40Vin, 550mV Dropout, 5V/0.3Aout, TSSOP-14, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Nennausgangsspannung: 5V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3.2V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 5V 300mA LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 550mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+93.74 грн
13+68.00 грн
50+61.59 грн
100+46.65 грн
250+40.32 грн
500+38.77 грн
1000+37.43 грн
2500+36.65 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLS830A4EPV50XUMA1 4327849.pdf
TLS830A4EPV50XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLS830A4EPV50XUMA1 - LDO-Spannungsregler, fest, 3.2 bis 40Vin, 550mV Dropout, 5V/0.3Aout, TSSOP-14, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Nennausgangsspannung: 5V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Eingangsspannung, min.: 3.2V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 550mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+46.65 грн
250+40.32 грн
500+38.77 грн
1000+37.43 грн
2500+36.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR24N15DTRPBF INFN-S-A0012837983-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR24N15DTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR24N15DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 24 A, 0.095 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+67.35 грн
500+49.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60R010S7AXTMA1 3968285.pdf
IPQC60R010S7AXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPQC60R010S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 9000 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1893.75 грн
5+1704.62 грн
10+1515.49 грн
50+1312.56 грн
100+1123.49 грн
250+1100.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60R010S7XTMA1 3968279.pdf
IPQC60R010S7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPQC60R010S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 9000 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+1457.11 грн
50+1261.40 грн
100+1079.79 грн
250+1057.94 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ65R010M2HXUMA1 Infineon-IMDQ65R010M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934daa3f053a3b
IMDQ65R010M2HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMDQ65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 154 A, 650 V, 0.091 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 651W
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+1288.54 грн
50+1116.33 грн
100+955.74 грн
250+936.71 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ65R010M2HXUMA1 Infineon-IMDQ65R010M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934daa3f053a3b
IMDQ65R010M2HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMDQ65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 154 A, 650 V, 0.091 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 651W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1726.00 грн
5+1507.27 грн
10+1288.54 грн
50+1116.33 грн
100+955.74 грн
250+936.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ESD121B1W0201E6327XTSA1 infineon-esd121-b1-w0201-datasheet-en.pdf
ESD121B1W0201E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ESD121B1W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 24 V, WLL, 2 Pin(s), 7 V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: WLL
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 24V
Betriebsspannung: 7V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
70+11.76 грн
103+8.05 грн
220+3.75 грн
500+3.19 грн
1000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IM12S60EA2XKMA1 4634082.pdf
IM12S60EA2XKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IM12S60EA2XKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, Sechsfach n-Kanal, 1 mA, 1.2 kV, 0.083 ohm
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 525mV
MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
Verlustleistung: 142W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Maxi CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2686.44 грн
5+2307.36 грн
10+1927.46 грн
50+1783.68 грн
100+1640.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGI60L2727B1MXUMA1 4719943.pdf
IGI60L2727B1MXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGI60L2727B1MXUMA1 - Halbbrücken-Gate-Treiber, 600V Ausgangsspannung, TFLGA-EP-27
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: TFLGA-EP
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
Ausgangsspannung, max.: 600V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Nummer: IGI60L2727B1M
Schaltfrequenz, max.: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 27Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+393.88 грн
10+300.14 грн
25+276.29 грн
50+244.34 грн
100+214.27 грн
250+203.69 грн
500+192.42 грн
1000+163.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N22KHPSA3 4425932.pdf
DZ1070N22KHPSA3
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DZ1070N22KHPSA3 - Diodenmodul, 2.2 kV, 1.1 kA, 1.11 V, Einfach, Modul, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 41kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.11V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.1kA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 2.2kV
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+33284.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N18KHPSA3 4425931.pdf
DZ1070N18KHPSA3
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DZ1070N18KHPSA3 - Diodenmodul, 1.8 kV, 1.1 kA, 1.11 V, Einfach, Modul, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 41kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.11V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.1kA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.8kV
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+31677.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110D2ATMA1 4421074.pdf
IGLT65R110D2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLT65R110D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+149.66 грн
500+122.93 грн
1000+109.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1 4421077.pdf
IGLT65R035D2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLT65R035D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47 A, 0.042 ohm, 7.7 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.7nC
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+766.38 грн
5+645.50 грн
10+523.80 грн
50+428.36 грн
100+341.84 грн
250+334.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R140D2ATMA1 Infineon-IGT65R140D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f0a5ea2f70a2b
IGT65R140D2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R140D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+132.39 грн
500+109.19 грн
1000+98.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2XUMA1 4421067.pdf
IGLR65R270D2XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR65R270D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 7.2 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+72.12 грн
500+56.05 грн
1000+47.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD70R500D2SAUMA1 4590050.pdf
IGD70R500D2SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGD70R500D2SAUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 3.4 A, 0.6 ohm, 0.53 nC, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+53.78 грн
500+40.93 грн
1000+33.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R140D2ATMA1 Infineon-IGT65R140D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f0a5ea2f70a2b
IGT65R140D2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R140D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+292.74 грн
10+184.19 грн
100+132.39 грн
500+109.19 грн
1000+98.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R055D2XTMA1 4470077.pdf
IGT65R055D2XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R055D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 31 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+450.62 грн
10+369.21 грн
100+316.58 грн
500+271.83 грн
1000+229.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R025D2AUMA1 4421078.pdf
IGLT65R025D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 67 A, 0.03 ohm, 11 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+627.41 грн
50+524.57 грн
100+430.65 грн
250+422.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R025D2AUMA1 4421078.pdf
IGLT65R025D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 67 A, 0.03 ohm, 11 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+875.75 грн
5+751.58 грн
10+627.41 грн
50+524.57 грн
100+430.65 грн
250+422.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110D2ATMA1 4421074.pdf
IGLT65R110D2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLT65R110D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+305.89 грн
10+197.35 грн
100+149.66 грн
500+122.93 грн
1000+109.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R090CFD7ATMA1 3189145.pdf
IPB65R090CFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R090CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 127W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+444.04 грн
10+297.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDATMA2 2255625.pdf
IPB65R150CFDATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R150CFDATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.135 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195.3W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+347.83 грн
10+229.42 грн
100+161.99 грн
500+133.62 грн
1000+114.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDATMA2 2255625.pdf
IPB65R150CFDATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R150CFDATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.135 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 195.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195.3W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+161.99 грн
500+133.62 грн
1000+114.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R050CFD7AATMA1 3154678.pdf
IPB65R050CFD7AATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R050CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.042 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+652.90 грн
5+587.94 грн
10+522.98 грн
50+439.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R050CFD7AATMA1 3154678.pdf
IPB65R050CFD7AATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R050CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.042 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+522.98 грн
50+439.05 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R090CFD7ATMA1 3189145.pdf
IPB65R090CFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R090CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 127W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FZ900R12KP4HOSA1 Infineon-FZ900R12KP4-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=db3a30431f848401011fb7be4fe55944
FZ900R12KP4HOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FZ900R12KP4HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, 900 A, 2.05 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötfahne
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 900A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+9241.79 грн
5+8648.09 грн
10+8053.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R080CFD7AXTMA1 4013782.pdf
IPDQ65R080CFD7AXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ65R080CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.08 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+344.54 грн
100+278.76 грн
500+211.51 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R080CFD7XTMA1 3983247.pdf
IPDQ65R080CFD7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ65R080CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.068 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+296.85 грн
500+245.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R080CFD7XTMA1 3983247.pdf
IPDQ65R080CFD7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ65R080CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.068 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+550.94 грн
10+366.74 грн
100+296.85 грн
500+245.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC333LP32F200FAAKXUMA1 3328492.pdf
TC333LP32F200FAAKXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TC333LP32F200FAAKXUMA1 - 32-Bit-Mikrocontroller, AURIX Family TC33x Series Microcontrollers, TriCore, 32 Bit, 200 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 30Kanäle
Programmspeichergröße: 2MB
Versorgungsspannung, min.: 1.125V
Betriebsfrequenz, max.: 200MHz
euEccn: NLR
RAM-Speichergröße: 208KB
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.375V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+1323.90 грн
25+1228.57 грн
50+1133.36 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC334LP32F300FAAKXUMA1 3328492.pdf
TC334LP32F300FAAKXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TC334LP32F300FAAKXUMA1 - 32-Bit-Mikrocontroller, AURIX Family TC33X Series Microcontrollers, TriCore, 32 Bit, 300 MHz
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: TriCore
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 2MB
Versorgungsspannung, min.: 1.125V
Betriebsfrequenz, max.: 300MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: AURIX
RAM-Speichergröße: 248KB
MCU-Baureihe: TC33x
Anzahl der Ein-/Ausgänge: -
Anzahl der Pins: 144Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: AURIX Family TC33X Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.375V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1856.75 грн
5+1675.84 грн
10+1494.94 грн
25+1304.16 грн
50+1179.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITA2GTC3775VTRBTOBO1 3600267.pdf
KITA2GTC3775VTRBTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITA2GTC3775VTRBTOBO1 - Evaluationsboard, TC377, AURIX-Familie, TriCore, 32 Bit
tariffCode: 84733080
Prozessorkern: TC377
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: TriCore
Prozessorfamilie: AURIX
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TC377
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+69714.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TC389QP160F300SAEKXUMA2 4117297.pdf
TC389QP160F300SAEKXUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TC389QP160F300SAEKXUMA2 - 32-Bit-Mikrocontroller, AURIX Family TC38x Series Microcontrollers, TriCore, 32 Bit, 300 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 138Kanäle
Programmspeichergröße: 10MB
Betriebsfrequenz, max.: 300MHz
euEccn: NLR
RAM-Speichergröße: 1.376MB
Anzahl der Pins: 516Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+2797.45 грн
25+2457.14 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVINVHPD2SICFS0108TOBO2 Infineon-Quickstart_Guide_for_Inverter_Evaluation_Kit_with_the_HybridPACK_Drive_G2_power_modules-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f2a15b87e0071&da=t
EVINVHPD2SICFS0108TOBO2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVINVHPD2SICFS0108TOBO2 - Evaluationskit, FS01MR08A8MA2LBC, Stromversorgungsmodul, 10V bis 18V
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: FS01MR08A8MA2LBC
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FS01MR08A8MA2LBC, Gate-Treiber-Platine, Phasenstromsensor und Logik-Platine
euEccn: 3A225
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Leistungsmodul
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A225
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+402843.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRS25752LTRPBF 2211671.pdf
IRS25752LTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS25752LTRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side, 10V bis 18V Versorgung, 160mAout, 215ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 240mA
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 160mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 140ns
Ausgabeverzögerung: 215ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+54.76 грн
500+38.64 грн
1000+32.07 грн
2500+29.74 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21091STRPBF irs21091.pdf
IRS21091STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS21091STRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Nicht isoliert, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 750ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+87.16 грн
14+62.08 грн
50+56.08 грн
100+45.97 грн
250+39.75 грн
500+38.06 грн
1000+36.72 грн
2500+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21091STRPBF irs21091.pdf
IRS21091STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS21091STRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Nicht isoliert, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+45.97 грн
250+39.75 грн
500+38.06 грн
1000+36.72 грн
2500+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KITPSOC4-HVMS-64KLITE
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITPSOC4-HVMS-64KLITE - Evaluationsboard, CY8C4146LWE-HVS115X, PSoC 4 HV-Familie, ARM, Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CY8C4146LWE-HVS115X
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: PSoC 4 HV
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationshauptplatine CY8C4146LWE-HVS115X, USB-Kabel
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Prozessorserie: Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+9951.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100PW219XKSA1 Infineon-IRF100PW219-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194d11e9f761e44
IRF100PW219XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF100PW219XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 1700 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+445.68 грн
10+254.09 грн
100+197.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U180N16RRPB37BPSA1 infineon-ddb6u180n16rrp-b37-datasheet-en.pdf
DDB6U180N16RRPB37BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DDB6U180N16RRPB37BPSA1 - Diodenmodul, 1.2 kV, 50 A, 1.2 V, Brücke, Modul, 29 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 1.6kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.2V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: EconoPACK 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+5627.80 грн
5+5034.92 грн
10+4442.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G120C5XKSA1 INFN-S-A0001300545-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDH20G120C5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH20G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 56 A, 82 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 82nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 56A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+558.34 грн
5+474.47 грн
10+389.77 грн
50+347.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NBT2000A8K0T4USON8XTMA5 Infineon-OPTIGA_Authenticate_NBT_DSE-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84d5b8d24f50
NBT2000A8K0T4USON8XTMA5
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - NBT2000A8K0T4USON8XTMA5 - NFC-I2C-Brücken-Tag, 1.62V bis 3.63V Versorgung, -25°C bis 85°C, USON-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: NFC/I2C-Brücken-Tag
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: USON
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: 1.62V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Schnittstellen: I2C, NFC
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+103.61 грн
10+89.63 грн
50+83.87 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 369 404 405 406 407 408 409 410 411  [ Наступна Сторінка >> ]