Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25912) > Сторінка 279 з 432

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 274 275 276 277 278 279 280 281 282 283 284 301 344 387 430 432  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF9335TRPBF IRF9335TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826305-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9335TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+44.60 грн
50+35.77 грн
250+28.17 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9332TRPBF IRF9332TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838600-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9332TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.8 A, 0.0136 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 2.5W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1504RE6152HTSA1 BAT1504RE6152HTSA1 INFINEON INFN-S-A0009651248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAT1504RE6152HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 4 V, 110 mA, 300 mV, 0.25 pF, SOT-23
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 300mV
Diodenkapazität: 0.25pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.26 грн
500+18.21 грн
1000+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIZ48NPBF IRFIZ48NPBF INFINEON 2820338.pdf Description: INFINEON - IRFIZ48NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 36 A, 0.016 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 36
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220FP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGT24LTR11N16E6327XTSA1 BGT24LTR11N16E6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0003615073-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BGT24LTR11N16E6327XTSA1 - HF-Transceiver, Silizium-Germanium, Radar, MMIC, 24GHz-24.25GHz, 6dBm Ausgang, 3.2V-3.4V, TSNP-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: -
Bauform - HF-IC: TSNP
Ausgangsleistung (dBm): 6dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 24GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.2V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: -
Frequenzgang HF, max.: 24.25GHz
Produktpalette: XENSIV
productTraceability: No
Frequenzgang HF, min.: 24GHz
Versorgungsspannung, max.: 3.4V
Frequenz, max.: 24.25GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+411.54 грн
25+387.70 грн
50+335.40 грн
100+286.14 грн
250+285.38 грн
500+281.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
S27KS0641DPBHI020 S27KS0641DPBHI020 INFINEON CYPR-S-A0013765243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S27KS0641DPBHI020 - DRAM, 8M x 8 Bit, 36ns, parallele Schnittstelle, FBGA-24
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+303.80 грн
10+274.66 грн
25+265.82 грн
50+236.18 грн
100+214.22 грн
250+209.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
S27KS0642GABHI030 S27KS0642GABHI030 INFINEON INFN-S-A0015373592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S27KS0642GABHI030 - DRAM, HyperRAM, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423219
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.33 грн
10+223.43 грн
25+217.25 грн
50+196.81 грн
100+177.89 грн
250+169.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
S27KS0643GABHV020 S27KS0643GABHV020 INFINEON INFN-S-A0015373884-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S27KS0643GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423219
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+339.13 грн
10+331.18 грн
25+323.23 грн
50+284.56 грн
100+255.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
S27KS0642GABHI020 S27KS0642GABHI020 INFINEON INFN-S-A0015373592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S27KS0642GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423219
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+327.64 грн
10+305.57 грн
25+296.73 грн
50+269.80 грн
100+242.23 грн
250+232.39 грн
500+226.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
S27KS0642GABHV020 S27KS0642GABHV020 INFINEON INFN-S-A0015373592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S27KS0642GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423219
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+322.35 грн
10+301.15 грн
25+292.32 грн
50+264.88 грн
100+239.96 грн
250+239.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R12KE4HOSA1 FF300R12KE4HOSA1 INFINEON INFNS28374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF300R12KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 460 A, 1.75 V, 1.6 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 1.6kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 460A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 460A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8603.55 грн
5+7870.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB61N15DPBF IRFB61N15DPBF INFINEON 2043026.pdf description Description: INFINEON - IRFB61N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 330
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 330
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.86 грн
10+203.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IDP40E65D2XKSA1 IDP40E65D2XKSA1 INFINEON DS_IDP40E65D2_1_2+%282%29.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a30433d68e984013d6d2dcfde1b1a Description: INFINEON - IDP40E65D2XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 40 A, Einfach, 2.2 V, 36 ns, 250 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.2V
Sperrverzögerungszeit: 36ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.16 грн
10+129.82 грн
100+76.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IDW40E65D2FKSA1 IDW40E65D2FKSA1 INFINEON INFNS27120-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDW40E65D2FKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 40 A, Einfach, 1.6 V, 36 ns, 250 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.6V
Sperrverzögerungszeit: 36ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IDW40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.33 грн
10+131.59 грн
100+106.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DF80R07W1H5FPB11BPSA1 DF80R07W1H5FPB11BPSA1 INFINEON INFN-S-A0008597357-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - DF80R07W1H5FPB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 40 A, 1.4 V, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench Stop 5 H5/ CoolSiC
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4
Dauer-Kollektorstrom: 40
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.4
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5026.83 грн
5+4766.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 INFINEON INFNS15449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS670S2LH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.65 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+8.35 грн
1000+5.72 грн
5000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 INFINEON INFNS19505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 46522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.56 грн
500+26.32 грн
1000+20.14 грн
5000+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFR340FH6327XTSA1 BFR340FH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0008993595-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR340FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 6 V, 14 GHz, 75 mW, 20 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+18.55 грн
77+11.48 грн
104+8.51 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
IGP40N65F5XKSA1 IGP40N65F5XKSA1 INFINEON 2333556.pdf Description: INFINEON - IGP40N65F5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.6 V, 255 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+269.36 грн
10+174.86 грн
100+128.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65H5XKSA1 IKW30N65H5XKSA1 INFINEON 2354584.pdf Description: INFINEON - IKW30N65H5XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+326.76 грн
10+204.89 грн
100+186.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4005WH6327XTSA1 BAS4005WH6327XTSA1 INFINEON INFNS19700-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAS4005WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N08S2L07AKSA1 IPP80N08S2L07AKSA1 INFINEON INFNS09214-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP80N08S2L07AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0051 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 80
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+441.57 грн
10+396.53 грн
100+325.00 грн
500+256.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP50N60TXKSA1 IGP50N60TXKSA1 INFINEON 2332238.pdf Description: INFINEON - IGP50N60TXKSA1 - IGBT, 50 A, 2 V, 333 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+344.42 грн
10+215.49 грн
100+166.91 грн
500+136.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 INFINEON 2849722.pdf Description: INFINEON - IKFW50N60DH3EXKSA1 - IGBT, 40 A, 2.2 V, 130 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+449.52 грн
10+259.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DD104N16KHPSA1 DD104N16KHPSA1 INFINEON 2354709.pdf Description: INFINEON - DD104N16KHPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 104 A, 1.4 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 2.9kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.4V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 104A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10194.96 грн
5+9466.37 грн
10+8736.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLSL4030PBF IRLSL4030PBF INFINEON 332466.pdf Description: INFINEON - IRLSL4030PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0034 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 180
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 370
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 370
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4295GV33HTSA1 TLE4295GV33HTSA1 INFINEON 1932137.pdf Description: INFINEON - TLE4295GV33HTSA1 - LDO-Festspannungsregler, 3.8V bis 45V, 250mV Dropout, 3.3Vout/30mAout, SCT-595-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SCT-595
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 30mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3.8V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 30mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 30mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.41 грн
250+32.93 грн
500+32.25 грн
1000+31.57 грн
2500+30.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CPROTO-062S3-4343W CY8CPROTO-062S3-4343W INFINEON 3812117.pdf Description: INFINEON - CY8CPROTO-062S3-4343W - Prototyping-Kit, S25HL512T, ARM Cortex-M0+/M4, Bluetooth und WiFi, Wireless-Entwicklung
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Entwicklung
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Prototyping-Board S25HL512T, USB-A/Micro-USB-B-Kabel, Handbuch
Prozessorhersteller: Cypress
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M4
Unterart Anwendung: Bluetooth und WiFi
usEccn: 5A992.c
Prozessorfamilie: PSoC 6
euEccn: NLR
Prozessorkern: S25HL512T
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5222.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL256LAGBHI023 S25FL256LAGBHI023 INFINEON INFN-S-A0017271261-1.pdf Description: INFINEON - S25FL256LAGBHI023 - Flash-Speicher, Floating-Gate-Architektur, Serial-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, SPI, BGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+276.42 грн
10+257.88 грн
25+250.81 грн
50+227.16 грн
100+205.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331TRPBF IRF7331TRPBF INFINEON 137700.pdf description Description: INFINEON - IRF7331TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 7
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331TRPBF IRF7331TRPBF INFINEON 137700.pdf description Description: INFINEON - IRF7331TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS35R12KT3BOSA1 FS35R12KT3BOSA1 INFINEON Infineon-FS35R12KT3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431421f53f3 Description: INFINEON - FS35R12KT3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 55 A, 1.7 V, 210 W, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 55
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 210
Verlustleistung: 210
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 28
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 55
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004SH6327XTSA1 BAS7004SH6327XTSA1 INFINEON 45894.pdf Description: INFINEON - BAS7004SH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweipaarig in Reihe, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweipaarig in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+39.74 грн
37+24.29 грн
100+15.45 грн
500+10.74 грн
1000+8.78 грн
5000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C64225-28PVXCT CY7C64225-28PVXCT INFINEON CYPR-S-A0003298042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY7C64225-28PVXCT - Interface-Brücken, USB zu UART, 3 V, 5.25 V, SSOP, 28 Pin(s), 0 °C
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Brücke: USB zu UART
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+304.68 грн
10+230.50 грн
25+211.07 грн
50+186.97 грн
100+163.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DD390N16SHPSA1 DD390N16SHPSA1 INFINEON Infineon-DD390N16S-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb016390f2a8153f57 Description: INFINEON - DD390N16SHPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 390 A, 1.34 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 7 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 10kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.34V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 390A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7816.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ800R12KE3HOSA1 FZ800R12KE3HOSA1 INFINEON INFNS28678-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FZ800R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 800 A, 1.7 V, 3.55 kW, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 800
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 3.55
Verlustleistung: 3.55
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: Standard 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12191.74 грн
5+11947.99 грн
10+11704.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL2ED020I12F2TOBO1 EVAL2ED020I12F2TOBO1 INFINEON Infineon-EVAL_2ED020I12-F2-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=db3a304340155f3d014029a78ed602f3 Description: INFINEON - EVAL2ED020I12F2TOBO1 - Evaluationsboard, 2ED020I12-F2, IGBT-Gate-Treiber
Prozessorkern: 2ED020I12-F2
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2ED020I12-F2
Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF IRLTS6342TRPBF INFINEON 1561362.pdf Description: INFINEON - IRLTS6342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.014 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+29.59 грн
50+25.88 грн
100+22.17 грн
500+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IPAW60R280CEXKSA1 IPAW60R280CEXKSA1 INFINEON INFN-S-A0002362746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPAW60R280CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19.3 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 19.3
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 32
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 32
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS CE
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.25
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ESD102U102ELSE6327XTSA1 ESD102U102ELSE6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0001405741-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - ESD102U102ELSE6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 8 V, TSSLP-2-3, 2 Pin(s), 3.3 V
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: TSSLP-2-3
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.57 грн
500+9.51 грн
1000+6.95 грн
5000+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DTRPBF IRFR13N20DTRPBF INFINEON 678074.pdf Description: INFINEON - IRFR13N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.235 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 13
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.235
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DTRPBF IRFR13N20DTRPBF INFINEON 678074.pdf Description: INFINEON - IRFR13N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.235 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 110
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C24223A-24PVXI CY8C24223A-24PVXI INFINEON Infineon-CY8C24123A_CY8C24223A_CY8C24423A_PSoC_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v24_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec6aaf93d0f Description: INFINEON - CY8C24223A-24PVXI - 8-Bit-MCU, PSOC1, PSOC 1 Family CY8C24x23A Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 4 KB, 20 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 14 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 8Kanäle
Programmspeichergröße: 4KB
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 256Byte
MCU-Baureihe: CY8C24x23A
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16I/O(s)
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C24x23A Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+383.28 грн
10+292.32 грн
25+250.81 грн
50+214.04 грн
100+189.24 грн
250+182.43 грн
500+178.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C24123A-24SXI CY8C24123A-24SXI INFINEON 2081967.pdf Description: INFINEON - CY8C24123A-24SXI - 8-Bit-MCU, PSOC1, PSOC 1 Family CY8C24x23A Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 4 KB, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 14 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 4Kanäle
Programmspeichergröße: 4KB
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 256Byte
MCU-Baureihe: CY8C24x23A
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 6I/O(s)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C24x23A Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+153.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12SG60CXKSA2 IDH12SG60CXKSA2 INFINEON INFNS19749-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDH12SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 12 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+554.61 грн
10+290.55 грн
100+262.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06SG60CXKSA2 IDH06SG60CXKSA2 INFINEON INFNS19744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDH06SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 6 A, 8 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+304.68 грн
10+183.69 грн
100+180.16 грн
500+127.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10SG60CXKSA2 IDH10SG60CXKSA2 INFINEON INFNS19747-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDH10SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+453.05 грн
10+249.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S90TFI010 S29GL256S90TFI010 INFINEON 2309619.pdf Description: INFINEON - S29GL256S90TFI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, CFI, parallel, TSOP, 56 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 90ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+544.90 грн
10+507.81 грн
25+483.08 грн
50+434.63 грн
100+398.93 грн
250+373.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SAE800GXLLA1 SAE800GXLLA1 INFINEON 96879.pdf Description: INFINEON - SAE800GXLLA1 - Programmierbarer Tongenerator, einfach, zweifach, dreifach, 2.8-18V Versorgung, SOIC-8
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, min.: 2.8
Anzahl der Pins: 8
IC-Funktion: Tongenerator
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -25
Versorgungsspannung, max.: 18
Betriebstemperatur, max.: 125
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478TRPBF IRF7478TRPBF INFINEON INFN-S-A0002255706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7478TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9333TRPBF IRF9333TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826343-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9333TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0156 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0156
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYW9P62S1-43012EVB-01 CYW9P62S1-43012EVB-01 INFINEON 3812111.pdf Description: INFINEON - CYW9P62S1-43012EVB-01 - Wi-Fi-Bluetooth-Pioneer-Kit, CYW43012, Wireless-Kommunikation
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYW43012
Kit-Anwendungsbereich: Drahtlose Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Wi-Fi-BT-Pioneer-Kit CYW43012, WM-BAC-CYW-50-Modul
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bluetooth und WiFi
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9795.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYBT-213043-02 CYBT-213043-02 INFINEON INFN-S-A0020855233-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CYBT-213043-02 - Bluetooth-Modul, Version 5, 3MB/s, -95dBm, 1.71 bis 3.3V Versorgungsspannung, -30°C bis 85°C
Empfangsempfindlichkeit: -95dBm
hazardous: false
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.0
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: Klasse 2
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
euEccn: NLR
Übertragungsrate: 3Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+816.90 грн
5+763.03 грн
10+708.28 грн
50+574.04 грн
100+484.47 грн
250+451.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C53150-20AXIT CY7C53150-20AXIT INFINEON CYPR-S-A0003299060-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY7C53150-20AXIT - Mikroprozessor, 20MHz, 8 Bit, 512 Bytes, Serial, 4.5 bis 5.5V Versorgungsspannung, TQFP-64
tariffCode: 85423190
IC-Montage: Oberflächenmontage
Anzahl der CPU-Kerne: 3
hazardous: false
Qualifikation: -
Datenbusbreite: 8
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
Programmspeichergröße: 512
MPU-Familie: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Betriebsfrequenz, max.: 20
euEccn: NLR
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 11
Anzahl der Pins: 64
Produktpalette: CY7C531x0 Series Microprocessors
MPU-Baureihe: CY7C531x0
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Schnittstellen: Serielle Schnittstellen
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C53150-20AXIT CY7C53150-20AXIT INFINEON CYPR-S-A0003299060-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY7C53150-20AXIT - Mikroprozessor, 20MHz, 8 Bit, 512 Bytes, Serial, 4.5 bis 5.5V Versorgungsspannung, TQFP-64
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 INFINEON BSD235C_rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433580b371013585a2d0d53326 Description: INFINEON - BSD235CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 21699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+37.89 грн
50+19.34 грн
250+13.25 грн
1000+8.61 грн
5000+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 INFINEON INFNS26385-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP372NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.20 грн
16+55.99 грн
50+47.25 грн
200+35.67 грн
500+25.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 INFINEON INFNS19405-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS308PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 147439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.93 грн
250+12.54 грн
1000+8.20 грн
5000+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DPBF IRFR13N20DPBF INFINEON 678074.pdf description Description: INFINEON - IRFR13N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.235 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 13
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.235
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1ED44175N01BXTSA1 1ED44175N01BXTSA1 INFINEON INFN-S-A0010773800-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 1ED44175N01BXTSA1 - IGBT-Treiber, Low-Side, 12.7V bis 20V, 50ns Verzögerung, SOT-23-6, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.6A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.6A
Versorgungsspannung, min.: 12.7V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+69.59 грн
18+51.31 грн
100+41.95 грн
500+35.34 грн
1000+30.96 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBF INFN-S-A0012826305-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9335TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9335TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+44.60 грн
50+35.77 грн
250+28.17 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9332TRPBF INFN-S-A0012838600-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9332TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9332TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.8 A, 0.0136 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 2.5W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1504RE6152HTSA1 INFN-S-A0009651248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT1504RE6152HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT1504RE6152HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 4 V, 110 mA, 300 mV, 0.25 pF, SOT-23
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 300mV
Diodenkapazität: 0.25pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.26 грн
500+18.21 грн
1000+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIZ48NPBF 2820338.pdf
IRFIZ48NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFIZ48NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 36 A, 0.016 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 36
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220FP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGT24LTR11N16E6327XTSA1 INFN-S-A0003615073-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BGT24LTR11N16E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGT24LTR11N16E6327XTSA1 - HF-Transceiver, Silizium-Germanium, Radar, MMIC, 24GHz-24.25GHz, 6dBm Ausgang, 3.2V-3.4V, TSNP-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: -
Bauform - HF-IC: TSNP
Ausgangsleistung (dBm): 6dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 24GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.2V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: -
Frequenzgang HF, max.: 24.25GHz
Produktpalette: XENSIV
productTraceability: No
Frequenzgang HF, min.: 24GHz
Versorgungsspannung, max.: 3.4V
Frequenz, max.: 24.25GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+411.54 грн
25+387.70 грн
50+335.40 грн
100+286.14 грн
250+285.38 грн
500+281.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
S27KS0641DPBHI020 CYPR-S-A0013765243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S27KS0641DPBHI020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S27KS0641DPBHI020 - DRAM, 8M x 8 Bit, 36ns, parallele Schnittstelle, FBGA-24
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+303.80 грн
10+274.66 грн
25+265.82 грн
50+236.18 грн
100+214.22 грн
250+209.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
S27KS0642GABHI030 INFN-S-A0015373592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S27KS0642GABHI030
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S27KS0642GABHI030 - DRAM, HyperRAM, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423219
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+239.33 грн
10+223.43 грн
25+217.25 грн
50+196.81 грн
100+177.89 грн
250+169.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
S27KS0643GABHV020 INFN-S-A0015373884-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S27KS0643GABHV020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S27KS0643GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423219
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+339.13 грн
10+331.18 грн
25+323.23 грн
50+284.56 грн
100+255.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
S27KS0642GABHI020 INFN-S-A0015373592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S27KS0642GABHI020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S27KS0642GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423219
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+327.64 грн
10+305.57 грн
25+296.73 грн
50+269.80 грн
100+242.23 грн
250+232.39 грн
500+226.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
S27KS0642GABHV020 INFN-S-A0015373592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S27KS0642GABHV020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S27KS0642GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423219
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+322.35 грн
10+301.15 грн
25+292.32 грн
50+264.88 грн
100+239.96 грн
250+239.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R12KE4HOSA1 INFNS28374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FF300R12KE4HOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF300R12KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 460 A, 1.75 V, 1.6 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 1.6kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 460A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 460A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8603.55 грн
5+7870.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB61N15DPBF description 2043026.pdf
IRFB61N15DPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB61N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 330
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 330
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+242.86 грн
10+203.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IDP40E65D2XKSA1 DS_IDP40E65D2_1_2+%282%29.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a30433d68e984013d6d2dcfde1b1a
IDP40E65D2XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDP40E65D2XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 40 A, Einfach, 2.2 V, 36 ns, 250 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.2V
Sperrverzögerungszeit: 36ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+180.16 грн
10+129.82 грн
100+76.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IDW40E65D2FKSA1 INFNS27120-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDW40E65D2FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDW40E65D2FKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 40 A, Einfach, 1.6 V, 36 ns, 250 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.6V
Sperrverzögerungszeit: 36ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IDW40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+239.33 грн
10+131.59 грн
100+106.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DF80R07W1H5FPB11BPSA1 INFN-S-A0008597357-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DF80R07W1H5FPB11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DF80R07W1H5FPB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 40 A, 1.4 V, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench Stop 5 H5/ CoolSiC
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4
Dauer-Kollektorstrom: 40
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.4
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5026.83 грн
5+4766.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 INFNS15449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS670S2LH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS670S2LH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.65 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+8.35 грн
1000+5.72 грн
5000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 INFNS19505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP171PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 46522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.56 грн
500+26.32 грн
1000+20.14 грн
5000+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFR340FH6327XTSA1 INFN-S-A0008993595-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFR340FH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR340FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 6 V, 14 GHz, 75 mW, 20 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+18.55 грн
77+11.48 грн
104+8.51 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
IGP40N65F5XKSA1 2333556.pdf
IGP40N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGP40N65F5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.6 V, 255 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+269.36 грн
10+174.86 грн
100+128.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65H5XKSA1 2354584.pdf
IKW30N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW30N65H5XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+326.76 грн
10+204.89 грн
100+186.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4005WH6327XTSA1 INFNS19700-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAS4005WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAS4005WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N08S2L07AKSA1 INFNS09214-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP80N08S2L07AKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP80N08S2L07AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0051 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 80
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+441.57 грн
10+396.53 грн
100+325.00 грн
500+256.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP50N60TXKSA1 2332238.pdf
IGP50N60TXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGP50N60TXKSA1 - IGBT, 50 A, 2 V, 333 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+344.42 грн
10+215.49 грн
100+166.91 грн
500+136.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 2849722.pdf
IKFW50N60DH3EXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKFW50N60DH3EXKSA1 - IGBT, 40 A, 2.2 V, 130 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+449.52 грн
10+259.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DD104N16KHPSA1 2354709.pdf
DD104N16KHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DD104N16KHPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 104 A, 1.4 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 2.9kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.4V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 104A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10194.96 грн
5+9466.37 грн
10+8736.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLSL4030PBF 332466.pdf
IRLSL4030PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLSL4030PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0034 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 180
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 370
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 370
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4295GV33HTSA1 1932137.pdf
TLE4295GV33HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4295GV33HTSA1 - LDO-Festspannungsregler, 3.8V bis 45V, 250mV Dropout, 3.3Vout/30mAout, SCT-595-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SCT-595
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 30mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3.8V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 30mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 30mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.41 грн
250+32.93 грн
500+32.25 грн
1000+31.57 грн
2500+30.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CPROTO-062S3-4343W 3812117.pdf
CY8CPROTO-062S3-4343W
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8CPROTO-062S3-4343W - Prototyping-Kit, S25HL512T, ARM Cortex-M0+/M4, Bluetooth und WiFi, Wireless-Entwicklung
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Entwicklung
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Prototyping-Board S25HL512T, USB-A/Micro-USB-B-Kabel, Handbuch
Prozessorhersteller: Cypress
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M4
Unterart Anwendung: Bluetooth und WiFi
usEccn: 5A992.c
Prozessorfamilie: PSoC 6
euEccn: NLR
Prozessorkern: S25HL512T
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5222.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL256LAGBHI023 INFN-S-A0017271261-1.pdf
S25FL256LAGBHI023
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL256LAGBHI023 - Flash-Speicher, Floating-Gate-Architektur, Serial-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, SPI, BGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+276.42 грн
10+257.88 грн
25+250.81 грн
50+227.16 грн
100+205.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331TRPBF description 137700.pdf
IRF7331TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7331TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 7
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331TRPBF description 137700.pdf
IRF7331TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7331TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS35R12KT3BOSA1 Infineon-FS35R12KT3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431421f53f3
FS35R12KT3BOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS35R12KT3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 55 A, 1.7 V, 210 W, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 55
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 210
Verlustleistung: 210
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 28
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 55
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004SH6327XTSA1 45894.pdf
BAS7004SH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAS7004SH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweipaarig in Reihe, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweipaarig in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+39.74 грн
37+24.29 грн
100+15.45 грн
500+10.74 грн
1000+8.78 грн
5000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C64225-28PVXCT CYPR-S-A0003298042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY7C64225-28PVXCT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C64225-28PVXCT - Interface-Brücken, USB zu UART, 3 V, 5.25 V, SSOP, 28 Pin(s), 0 °C
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Brücke: USB zu UART
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+304.68 грн
10+230.50 грн
25+211.07 грн
50+186.97 грн
100+163.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DD390N16SHPSA1 Infineon-DD390N16S-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb016390f2a8153f57
DD390N16SHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DD390N16SHPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 390 A, 1.34 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 7 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 10kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.34V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 390A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7816.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ800R12KE3HOSA1 INFNS28678-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FZ800R12KE3HOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FZ800R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 800 A, 1.7 V, 3.55 kW, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 800
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 3.55
Verlustleistung: 3.55
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: Standard 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+12191.74 грн
5+11947.99 грн
10+11704.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL2ED020I12F2TOBO1 Infineon-EVAL_2ED020I12-F2-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=db3a304340155f3d014029a78ed602f3
EVAL2ED020I12F2TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL2ED020I12F2TOBO1 - Evaluationsboard, 2ED020I12-F2, IGBT-Gate-Treiber
Prozessorkern: 2ED020I12-F2
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2ED020I12-F2
Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF 1561362.pdf
IRLTS6342TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLTS6342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.014 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+29.59 грн
50+25.88 грн
100+22.17 грн
500+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IPAW60R280CEXKSA1 INFN-S-A0002362746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPAW60R280CEXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPAW60R280CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19.3 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 19.3
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 32
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 32
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS CE
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.25
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ESD102U102ELSE6327XTSA1 INFN-S-A0001405741-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ESD102U102ELSE6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ESD102U102ELSE6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 8 V, TSSLP-2-3, 2 Pin(s), 3.3 V
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: TSSLP-2-3
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.57 грн
500+9.51 грн
1000+6.95 грн
5000+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DTRPBF 678074.pdf
IRFR13N20DTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR13N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.235 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 13
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.235
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DTRPBF 678074.pdf
IRFR13N20DTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR13N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.235 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 110
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C24223A-24PVXI Infineon-CY8C24123A_CY8C24223A_CY8C24423A_PSoC_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v24_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec6aaf93d0f
CY8C24223A-24PVXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C24223A-24PVXI - 8-Bit-MCU, PSOC1, PSOC 1 Family CY8C24x23A Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 4 KB, 20 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 14 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 8Kanäle
Programmspeichergröße: 4KB
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 256Byte
MCU-Baureihe: CY8C24x23A
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16I/O(s)
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C24x23A Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+383.28 грн
10+292.32 грн
25+250.81 грн
50+214.04 грн
100+189.24 грн
250+182.43 грн
500+178.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C24123A-24SXI 2081967.pdf
CY8C24123A-24SXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C24123A-24SXI - 8-Bit-MCU, PSOC1, PSOC 1 Family CY8C24x23A Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 4 KB, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 14 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 4Kanäle
Programmspeichergröße: 4KB
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 256Byte
MCU-Baureihe: CY8C24x23A
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 6I/O(s)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C24x23A Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+153.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12SG60CXKSA2 INFNS19749-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDH12SG60CXKSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH12SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 12 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+554.61 грн
10+290.55 грн
100+262.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06SG60CXKSA2 INFNS19744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDH06SG60CXKSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH06SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 6 A, 8 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+304.68 грн
10+183.69 грн
100+180.16 грн
500+127.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10SG60CXKSA2 INFNS19747-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDH10SG60CXKSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH10SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+453.05 грн
10+249.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S90TFI010 2309619.pdf
S29GL256S90TFI010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL256S90TFI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, CFI, parallel, TSOP, 56 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 90ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+544.90 грн
10+507.81 грн
25+483.08 грн
50+434.63 грн
100+398.93 грн
250+373.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SAE800GXLLA1 96879.pdf
SAE800GXLLA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SAE800GXLLA1 - Programmierbarer Tongenerator, einfach, zweifach, dreifach, 2.8-18V Versorgung, SOIC-8
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, min.: 2.8
Anzahl der Pins: 8
IC-Funktion: Tongenerator
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -25
Versorgungsspannung, max.: 18
Betriebstemperatur, max.: 125
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478TRPBF description INFN-S-A0002255706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7478TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7478TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9333TRPBF INFN-S-A0012826343-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9333TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9333TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0156 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0156
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYW9P62S1-43012EVB-01 3812111.pdf
CYW9P62S1-43012EVB-01
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW9P62S1-43012EVB-01 - Wi-Fi-Bluetooth-Pioneer-Kit, CYW43012, Wireless-Kommunikation
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYW43012
Kit-Anwendungsbereich: Drahtlose Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Wi-Fi-BT-Pioneer-Kit CYW43012, WM-BAC-CYW-50-Modul
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bluetooth und WiFi
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9795.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYBT-213043-02 INFN-S-A0020855233-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CYBT-213043-02
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYBT-213043-02 - Bluetooth-Modul, Version 5, 3MB/s, -95dBm, 1.71 bis 3.3V Versorgungsspannung, -30°C bis 85°C
Empfangsempfindlichkeit: -95dBm
hazardous: false
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.0
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: Klasse 2
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
euEccn: NLR
Übertragungsrate: 3Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+816.90 грн
5+763.03 грн
10+708.28 грн
50+574.04 грн
100+484.47 грн
250+451.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C53150-20AXIT CYPR-S-A0003299060-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY7C53150-20AXIT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C53150-20AXIT - Mikroprozessor, 20MHz, 8 Bit, 512 Bytes, Serial, 4.5 bis 5.5V Versorgungsspannung, TQFP-64
tariffCode: 85423190
IC-Montage: Oberflächenmontage
Anzahl der CPU-Kerne: 3
hazardous: false
Qualifikation: -
Datenbusbreite: 8
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
Programmspeichergröße: 512
MPU-Familie: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Betriebsfrequenz, max.: 20
euEccn: NLR
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 11
Anzahl der Pins: 64
Produktpalette: CY7C531x0 Series Microprocessors
MPU-Baureihe: CY7C531x0
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Schnittstellen: Serielle Schnittstellen
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C53150-20AXIT CYPR-S-A0003299060-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY7C53150-20AXIT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C53150-20AXIT - Mikroprozessor, 20MHz, 8 Bit, 512 Bytes, Serial, 4.5 bis 5.5V Versorgungsspannung, TQFP-64
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1 BSD235C_rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433580b371013585a2d0d53326
BSD235CH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSD235CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 21699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+37.89 грн
50+19.34 грн
250+13.25 грн
1000+8.61 грн
5000+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372NH6327XTSA1 INFNS26385-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP372NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP372NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+89.20 грн
16+55.99 грн
50+47.25 грн
200+35.67 грн
500+25.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 INFNS19405-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS308PEH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS308PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 147439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.93 грн
250+12.54 грн
1000+8.20 грн
5000+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DPBF description 678074.pdf
IRFR13N20DPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR13N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.235 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 13
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.235
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1ED44175N01BXTSA1 INFN-S-A0010773800-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1ED44175N01BXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED44175N01BXTSA1 - IGBT-Treiber, Low-Side, 12.7V bis 20V, 50ns Verzögerung, SOT-23-6, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.6A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.6A
Versorgungsspannung, min.: 12.7V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+69.59 грн
18+51.31 грн
100+41.95 грн
500+35.34 грн
1000+30.96 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 274 275 276 277 278 279 280 281 282 283 284 301 344 387 430 432  [ Наступна Сторінка >> ]