Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25686) > Сторінка 279 з 429

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 42 84 126 168 210 252 274 275 276 277 278 279 280 281 282 283 284 294 336 378 420 429  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
S27KS0641DPBHI020 S27KS0641DPBHI020 INFINEON CYPR-S-A0013765243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S27KS0641DPBHI020 - DRAM, 8M x 8 Bit, 36ns, parallele Schnittstelle, FBGA-24
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+293.92 грн
10+265.72 грн
25+257.18 грн
50+228.49 грн
100+207.26 грн
250+202.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
S27KS0642GABHI030 S27KS0642GABHI030 INFINEON INFN-S-A0015373592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S27KS0642GABHI030 - DRAM, HyperRAM, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423219
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+231.55 грн
10+216.17 грн
25+210.19 грн
50+190.41 грн
100+172.10 грн
250+164.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
S27KS0643GABHV020 S27KS0643GABHV020 INFINEON INFN-S-A0015373884-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S27KS0643GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423219
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+312.71 грн
10+293.06 грн
25+283.66 грн
50+261.82 грн
100+239.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
S27KS0642GABHI020 S27KS0642GABHI020 INFINEON INFN-S-A0015373592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S27KS0642GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423219
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+301.61 грн
10+281.96 грн
25+272.56 грн
50+248.33 грн
100+223.37 грн
250+214.58 грн
500+208.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
S27KS0642GABHV020 S27KS0642GABHV020 INFINEON INFN-S-A0015373592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S27KS0642GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423219
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+311.86 грн
10+291.35 грн
25+282.81 грн
50+256.26 грн
100+232.16 грн
250+231.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R12KE4HOSA1 FF300R12KE4HOSA1 INFINEON INFNS28374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF300R12KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 460 A, 1.75 V, 1.6 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 1.6kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 460A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 460A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8323.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB61N15DPBF IRFB61N15DPBF INFINEON 2043026.pdf description Description: INFINEON - IRFB61N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 330
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 330
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+234.96 грн
10+196.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IDP40E65D2XKSA1 IDP40E65D2XKSA1 INFINEON INFNS30294-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDP40E65D2XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 40 A, Einfach, 2.2 V, 36 ns, 250 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.2V
Sperrverzögerungszeit: 36ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+160.63 грн
10+105.95 грн
100+96.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IDW40E65D2FKSA1 IDW40E65D2FKSA1 INFINEON INFNS27120-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDW40E65D2FKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 40 A, Einfach, 1.6 V, 36 ns, 250 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.6V
Sperrverzögerungszeit: 36ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IDW40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+231.55 грн
10+127.31 грн
100+103.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DF80R07W1H5FPB11BPSA1 DF80R07W1H5FPB11BPSA1 INFINEON INFN-S-A0008597357-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - DF80R07W1H5FPB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 40 A, 1.4 V, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench Stop 5 H5/ CoolSiC
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4
Dauer-Kollektorstrom: 40
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.4
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4863.31 грн
5+4611.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 INFINEON INFNS15449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS670S2LH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.65 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+8.07 грн
1000+5.53 грн
5000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 INFINEON INFNS19505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 46523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.37 грн
500+25.47 грн
1000+19.48 грн
5000+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFR340FH6327XTSA1 BFR340FH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0008993595-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR340FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 6 V, 14 GHz, 75 mW, 20 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+17.94 грн
77+11.11 грн
104+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
IGP40N65F5XKSA1 IGP40N65F5XKSA1 INFINEON Infineon-IGW40N65F5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b91b9dc795778 Description: INFINEON - IGP40N65F5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.6 V, 255 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+246.92 грн
10+194.81 грн
100+137.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65H5XKSA1 IKW30N65H5XKSA1 INFINEON 2354584.pdf Description: INFINEON - IKW30N65H5XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+316.13 грн
10+198.22 грн
100+180.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4005WH6327XTSA1 BAS4005WH6327XTSA1 INFINEON INFNS19700-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAS4005WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 65635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+11.79 грн
113+7.62 грн
133+6.43 грн
500+4.43 грн
1000+3.62 грн
5000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N08S2L07AKSA1 IPP80N08S2L07AKSA1 INFINEON INFNS09214-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP80N08S2L07AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0051 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 80
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+427.21 грн
10+383.63 грн
100+314.42 грн
500+248.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP50N60TXKSA1 IGP50N60TXKSA1 INFINEON 2332238.pdf Description: INFINEON - IGP50N60TXKSA1 - IGBT, 50 A, 2 V, 333 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+333.22 грн
10+208.48 грн
100+161.48 грн
500+131.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 INFINEON Infineon-IKFW50N60DH3E-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc8016034ff1f782dfb Description: INFINEON - IKFW50N60DH3EXKSA1 - IGBT, 40 A, 2.2 V, 130 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+316.13 грн
10+315.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DD104N16KHPSA1 DD104N16KHPSA1 INFINEON INFNS29282-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - DD104N16KHPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 104 A, 1.4 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 2.9kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.4V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 104A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10061.55 грн
5+9313.94 грн
10+8565.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLSL4030PBF IRLSL4030PBF INFINEON 332466.pdf Description: INFINEON - IRLSL4030PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0034 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 180
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 370
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 370
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4295GV33HTSA1 TLE4295GV33HTSA1 INFINEON 1932137.pdf Description: INFINEON - TLE4295GV33HTSA1 - LDO-Festspannungsregler, 3.8V bis 45V, 250mV Dropout, 3.3Vout/30mAout, SCT-595-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SCT-595
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 30mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3.8V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 30mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 30mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.16 грн
250+39.25 грн
500+39.03 грн
1000+38.89 грн
2500+38.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CPROTO-062S3-4343W CY8CPROTO-062S3-4343W INFINEON Infineon-CY8CPROTO-062S3-4343W_PSoC_62S3_Wi-Fi_BT_Prototyping_Kit_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0f01affd1913 Description: INFINEON - CY8CPROTO-062S3-4343W - Prototyping-Kit, S25HL512T, ARM Cortex-M0+/M4, Bluetooth und WiFi, Wireless-Entwicklung
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Entwicklung
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Prototyping-Board S25HL512T, USB-A/Micro-USB-B-Kabel, Handbuch
Prozessorhersteller: Cypress
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M4
Unterart Anwendung: Bluetooth und WiFi
usEccn: 5A992.c
Prozessorfamilie: PSoC 6
euEccn: NLR
Prozessorkern: S25HL512T
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4771.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL256LAGBHI023 S25FL256LAGBHI023 INFINEON 2309631.pdf Description: INFINEON - S25FL256LAGBHI023 - Flash-Speicher, Floating-Gate-Architektur, Serial-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, SPI, BGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+267.43 грн
10+249.49 грн
25+242.65 грн
50+219.77 грн
100+198.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331TRPBF IRF7331TRPBF INFINEON 137700.pdf description Description: INFINEON - IRF7331TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 7
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331TRPBF IRF7331TRPBF INFINEON 137700.pdf description Description: INFINEON - IRF7331TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS35R12KT3BOSA1 FS35R12KT3BOSA1 INFINEON Infineon-FS35R12KT3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431421f53f3 Description: INFINEON - FS35R12KT3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 55 A, 1.7 V, 210 W, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 55
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 210
Verlustleistung: 210
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 28
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 55
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004SH6327XTSA1 BAS7004SH6327XTSA1 INFINEON 45894.pdf Description: INFINEON - BAS7004SH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweipaarig in Reihe, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweipaarig in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+38.45 грн
37+23.50 грн
100+14.95 грн
500+10.39 грн
1000+8.50 грн
5000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C64225-28PVXCT CY7C64225-28PVXCT INFINEON CYPR-S-A0003298042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY7C64225-28PVXCT - Interface-Brücken, USB zu UART, 3 V, 5.25 V, SSOP, 28 Pin(s), 0 °C
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Brücke: USB zu UART
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+294.77 грн
10+223.00 грн
25+204.20 грн
50+180.89 грн
100+158.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DD390N16SHPSA1 DD390N16SHPSA1 INFINEON Infineon-DD390N16S-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb016390f2a8153f57 Description: INFINEON - DD390N16SHPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 390 A, 1.34 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 7 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 10kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.34V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 390A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7897.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ800R12KE3HOSA1 FZ800R12KE3HOSA1 INFINEON INFNS28678-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FZ800R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 800 A, 1.7 V, 3.55 kW, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 800
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 3.55
Verlustleistung: 3.55
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: Standard 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11795.15 грн
5+11559.34 грн
10+11323.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL2ED020I12F2TOBO1 EVAL2ED020I12F2TOBO1 INFINEON Infineon-EVAL_2ED020I12-F2-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=db3a304340155f3d014029a78ed602f3 Description: INFINEON - EVAL2ED020I12F2TOBO1 - Evaluationsboard, 2ED020I12-F2, IGBT-Gate-Treiber
Prozessorkern: 2ED020I12-F2
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2ED020I12-F2
Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF IRLTS6342TRPBF INFINEON 1561362.pdf Description: INFINEON - IRLTS6342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.014 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+28.62 грн
50+25.03 грн
100+21.45 грн
500+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IPAW60R280CEXKSA1 IPAW60R280CEXKSA1 INFINEON INFN-S-A0002362746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPAW60R280CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19.3 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 19.3
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 32
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 32
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS CE
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.25
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ESD102U102ELSE6327XTSA1 ESD102U102ELSE6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0001405741-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - ESD102U102ELSE6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 8 V, TSSLP-2-3, 2 Pin(s), 3.3 V
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: TSSLP-2-3
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.19 грн
500+9.20 грн
1000+6.72 грн
5000+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DTRPBF IRFR13N20DTRPBF INFINEON 678074.pdf Description: INFINEON - IRFR13N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.235 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 13
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.235
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DTRPBF IRFR13N20DTRPBF INFINEON 678074.pdf Description: INFINEON - IRFR13N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.235 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 110
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C24223A-24PVXI CY8C24223A-24PVXI INFINEON 2864269.pdf Description: INFINEON - CY8C24223A-24PVXI - 8-Bit-MCU, PSOC1, PSOC 1 Family CY8C24x23A Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 4 KB, 20 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 14 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 8Kanäle
Programmspeichergröße: 4KB
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 256Byte
MCU-Baureihe: CY8C24x23A
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16I/O(s)
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C24x23A Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+407.55 грн
10+311.01 грн
25+267.43 грн
50+228.49 грн
100+201.40 грн
250+194.81 грн
500+191.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C24123A-24SXI CY8C24123A-24SXI INFINEON 2081967.pdf Description: INFINEON - CY8C24123A-24SXI - 8-Bit-MCU, PSOC1, PSOC 1 Family CY8C24x23A Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 4 KB, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 14 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 4Kanäle
Programmspeichergröße: 4KB
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 256Byte
MCU-Baureihe: CY8C24x23A
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 6I/O(s)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C24x23A Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12SG60CXKSA2 IDH12SG60CXKSA2 INFINEON INFNS19749-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDH12SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 12 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+528.03 грн
10+507.52 грн
100+266.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06SG60CXKSA2 IDH06SG60CXKSA2 INFINEON INFNS19744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDH06SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 6 A, 8 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+294.77 грн
10+177.72 грн
100+174.30 грн
500+122.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10SG60CXKSA2 IDH10SG60CXKSA2 INFINEON Infineon-IDH10SG60C-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30431f848401011ff4d3f3a2532e Description: INFINEON - IDH10SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+456.26 грн
10+381.07 грн
100+241.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S90TFI010 S29GL256S90TFI010 INFINEON 2309619.pdf Description: INFINEON - S29GL256S90TFI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, CFI, parallel, TSOP, 56 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 90ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+527.17 грн
10+491.29 грн
25+467.36 грн
50+420.49 грн
100+385.95 грн
250+361.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SAE800GXLLA1 SAE800GXLLA1 INFINEON 96879.pdf Description: INFINEON - SAE800GXLLA1 - Programmierbarer Tongenerator, einfach, zweifach, dreifach, 2.8-18V Versorgung, SOIC-8
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, min.: 2.8
Anzahl der Pins: 8
IC-Funktion: Tongenerator
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -25
Versorgungsspannung, max.: 18
Betriebstemperatur, max.: 125
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478TRPBF IRF7478TRPBF INFINEON INFN-S-A0002255706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7478TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9333TRPBF IRF9333TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826343-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9333TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0156 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0156
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYW9P62S1-43012EVB-01 CYW9P62S1-43012EVB-01 INFINEON 3812111.pdf Description: INFINEON - CYW9P62S1-43012EVB-01 - Wi-Fi-Bluetooth-Pioneer-Kit, CYW43012, Wireless-Kommunikation
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYW43012
Kit-Anwendungsbereich: Drahtlose Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Wi-Fi-BT-Pioneer-Kit CYW43012, WM-BAC-CYW-50-Modul
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bluetooth und WiFi
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9477.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYBT-213043-02 CYBT-213043-02 INFINEON Infineon-CYBT-213043-02-DataSheet-v05_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb3470185f3d0932d10d6 Description: INFINEON - CYBT-213043-02 - Bluetooth-Modul, Version 5, 3MB/s, -95dBm, 1.71 bis 3.3V Versorgungsspannung, -30°C bis 85°C
Empfangsempfindlichkeit: -95dBm
hazardous: false
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.0
Bluetooth-Klasse: Klasse 2
usEccn: 5A992.c
Signalbereich, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
euEccn: NLR
Übertragungsrate: 3Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+669.00 грн
5+624.58 грн
10+580.15 грн
50+510.14 грн
100+431.36 грн
250+402.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C53150-20AXIT CY7C53150-20AXIT INFINEON CYPR-S-A0003299060-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY7C53150-20AXIT - Mikroprozessor, 20MHz, 8 Bit, 512 Bytes, Serial, 4.5 bis 5.5V Versorgungsspannung, TQFP-64
tariffCode: 85423190
IC-Montage: Oberflächenmontage
Anzahl der CPU-Kerne: 3
hazardous: false
Qualifikation: -
Datenbusbreite: 8
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
Programmspeichergröße: 512
MPU-Familie: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Betriebsfrequenz, max.: 20
euEccn: NLR
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 11
Anzahl der Pins: 64
Produktpalette: CY7C531x0 Series Microprocessors
MPU-Baureihe: CY7C531x0
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Schnittstellen: Serielle Schnittstellen
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C53150-20AXIT CY7C53150-20AXIT INFINEON CYPR-S-A0003299060-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY7C53150-20AXIT - Mikroprozessor, 20MHz, 8 Bit, 512 Bytes, Serial, 4.5 bis 5.5V Versorgungsspannung, TQFP-64
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0001300642-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSD235CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+36.65 грн
50+18.71 грн
250+12.82 грн
1000+8.33 грн
5000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 INFINEON INFNS26385-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP372NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.153 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.153ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+71.09 грн
15+57.59 грн
100+40.93 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 INFINEON INFNS19405-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS308PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 156594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.62 грн
250+13.50 грн
1000+9.04 грн
5000+6.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DPBF IRFR13N20DPBF INFINEON 678074.pdf description Description: INFINEON - IRFR13N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.235 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 13
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.235
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1ED44175N01BXTSA1 1ED44175N01BXTSA1 INFINEON INFN-S-A0010773800-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 1ED44175N01BXTSA1 - IGBT-Treiber, Low-Side, 12.7V bis 20V, 50ns Verzögerung, SOT-23-6, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.6A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 12.7V
Quellstrom: 2.6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 4707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+75.53 грн
14+63.23 грн
100+47.16 грн
500+39.35 грн
1000+29.95 грн
2500+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
1ED44175N01BXTSA1 1ED44175N01BXTSA1 INFINEON INFN-S-A0010773800-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 1ED44175N01BXTSA1 - IGBT-Treiber, Low-Side, 12.7V bis 20V, 50ns Verzögerung, SOT-23-6, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.6A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.6A
Versorgungsspannung, min.: 12.7V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 4707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.16 грн
500+39.35 грн
1000+29.95 грн
2500+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKP28N65ES5XKSA1 IKP28N65ES5XKSA1 INFINEON Infineon-IKP28N65ES5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201697b6e31284429 Description: INFINEON - IKP28N65ES5XKSA1 - IGBT, 38 A, 1.5 V, 130 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 38A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+280.25 грн
10+197.37 грн
100+160.63 грн
500+128.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF IRFS7437TRLPBF INFINEON 1911994.pdf Description: INFINEON - IRFS7437TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 1800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.28 грн
250+56.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7434TRL7PP IRFS7434TRL7PP INFINEON INFN-S-A0012813670-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS7434TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 362 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 362A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+116.63 грн
250+105.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR825PBF IRFR825PBF INFINEON 1915955.pdf Description: INFINEON - IRFR825PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 1.05 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 119
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S27KS0641DPBHI020 CYPR-S-A0013765243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S27KS0641DPBHI020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S27KS0641DPBHI020 - DRAM, 8M x 8 Bit, 36ns, parallele Schnittstelle, FBGA-24
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+293.92 грн
10+265.72 грн
25+257.18 грн
50+228.49 грн
100+207.26 грн
250+202.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
S27KS0642GABHI030 INFN-S-A0015373592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S27KS0642GABHI030
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S27KS0642GABHI030 - DRAM, HyperRAM, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423219
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+231.55 грн
10+216.17 грн
25+210.19 грн
50+190.41 грн
100+172.10 грн
250+164.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
S27KS0643GABHV020 INFN-S-A0015373884-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S27KS0643GABHV020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S27KS0643GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423219
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+312.71 грн
10+293.06 грн
25+283.66 грн
50+261.82 грн
100+239.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
S27KS0642GABHI020 INFN-S-A0015373592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S27KS0642GABHI020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S27KS0642GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423219
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+301.61 грн
10+281.96 грн
25+272.56 грн
50+248.33 грн
100+223.37 грн
250+214.58 грн
500+208.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
S27KS0642GABHV020 INFN-S-A0015373592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S27KS0642GABHV020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S27KS0642GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423219
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+311.86 грн
10+291.35 грн
25+282.81 грн
50+256.26 грн
100+232.16 грн
250+231.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R12KE4HOSA1 INFNS28374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FF300R12KE4HOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF300R12KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 460 A, 1.75 V, 1.6 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 1.6kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 460A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 460A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8323.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB61N15DPBF description 2043026.pdf
IRFB61N15DPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB61N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 330
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 330
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+234.96 грн
10+196.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IDP40E65D2XKSA1 INFNS30294-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDP40E65D2XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDP40E65D2XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 40 A, Einfach, 2.2 V, 36 ns, 250 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.2V
Sperrverzögerungszeit: 36ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+160.63 грн
10+105.95 грн
100+96.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IDW40E65D2FKSA1 INFNS27120-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDW40E65D2FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDW40E65D2FKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 40 A, Einfach, 1.6 V, 36 ns, 250 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.6V
Sperrverzögerungszeit: 36ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IDW40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+231.55 грн
10+127.31 грн
100+103.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DF80R07W1H5FPB11BPSA1 INFN-S-A0008597357-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DF80R07W1H5FPB11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DF80R07W1H5FPB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 40 A, 1.4 V, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench Stop 5 H5/ CoolSiC
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4
Dauer-Kollektorstrom: 40
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.4
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4863.31 грн
5+4611.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 INFNS15449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS670S2LH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS670S2LH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.65 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+8.07 грн
1000+5.53 грн
5000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 INFNS19505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP171PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 46523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.37 грн
500+25.47 грн
1000+19.48 грн
5000+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFR340FH6327XTSA1 INFN-S-A0008993595-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFR340FH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR340FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 6 V, 14 GHz, 75 mW, 20 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+17.94 грн
77+11.11 грн
104+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
IGP40N65F5XKSA1 Infineon-IGW40N65F5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b91b9dc795778
IGP40N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGP40N65F5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.6 V, 255 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+246.92 грн
10+194.81 грн
100+137.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65H5XKSA1 2354584.pdf
IKW30N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW30N65H5XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+316.13 грн
10+198.22 грн
100+180.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4005WH6327XTSA1 INFNS19700-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAS4005WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAS4005WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 65635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+11.79 грн
113+7.62 грн
133+6.43 грн
500+4.43 грн
1000+3.62 грн
5000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N08S2L07AKSA1 INFNS09214-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP80N08S2L07AKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP80N08S2L07AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0051 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 80
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+427.21 грн
10+383.63 грн
100+314.42 грн
500+248.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP50N60TXKSA1 2332238.pdf
IGP50N60TXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGP50N60TXKSA1 - IGBT, 50 A, 2 V, 333 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+333.22 грн
10+208.48 грн
100+161.48 грн
500+131.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 Infineon-IKFW50N60DH3E-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc8016034ff1f782dfb
IKFW50N60DH3EXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKFW50N60DH3EXKSA1 - IGBT, 40 A, 2.2 V, 130 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+316.13 грн
10+315.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DD104N16KHPSA1 INFNS29282-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
DD104N16KHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DD104N16KHPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 104 A, 1.4 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 2.9kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.4V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 104A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10061.55 грн
5+9313.94 грн
10+8565.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLSL4030PBF 332466.pdf
IRLSL4030PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLSL4030PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0034 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 180
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 370
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 370
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4295GV33HTSA1 1932137.pdf
TLE4295GV33HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4295GV33HTSA1 - LDO-Festspannungsregler, 3.8V bis 45V, 250mV Dropout, 3.3Vout/30mAout, SCT-595-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SCT-595
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 30mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3.8V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 30mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 30mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.16 грн
250+39.25 грн
500+39.03 грн
1000+38.89 грн
2500+38.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CPROTO-062S3-4343W Infineon-CY8CPROTO-062S3-4343W_PSoC_62S3_Wi-Fi_BT_Prototyping_Kit_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0f01affd1913
CY8CPROTO-062S3-4343W
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8CPROTO-062S3-4343W - Prototyping-Kit, S25HL512T, ARM Cortex-M0+/M4, Bluetooth und WiFi, Wireless-Entwicklung
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Entwicklung
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Prototyping-Board S25HL512T, USB-A/Micro-USB-B-Kabel, Handbuch
Prozessorhersteller: Cypress
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M4
Unterart Anwendung: Bluetooth und WiFi
usEccn: 5A992.c
Prozessorfamilie: PSoC 6
euEccn: NLR
Prozessorkern: S25HL512T
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4771.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL256LAGBHI023 2309631.pdf
S25FL256LAGBHI023
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL256LAGBHI023 - Flash-Speicher, Floating-Gate-Architektur, Serial-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, SPI, BGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+267.43 грн
10+249.49 грн
25+242.65 грн
50+219.77 грн
100+198.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331TRPBF description 137700.pdf
IRF7331TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7331TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 7
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331TRPBF description 137700.pdf
IRF7331TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7331TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS35R12KT3BOSA1 Infineon-FS35R12KT3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431421f53f3
FS35R12KT3BOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS35R12KT3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 55 A, 1.7 V, 210 W, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 55
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 210
Verlustleistung: 210
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 28
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 55
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004SH6327XTSA1 45894.pdf
BAS7004SH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAS7004SH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweipaarig in Reihe, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweipaarig in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+38.45 грн
37+23.50 грн
100+14.95 грн
500+10.39 грн
1000+8.50 грн
5000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C64225-28PVXCT CYPR-S-A0003298042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY7C64225-28PVXCT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C64225-28PVXCT - Interface-Brücken, USB zu UART, 3 V, 5.25 V, SSOP, 28 Pin(s), 0 °C
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Brücke: USB zu UART
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+294.77 грн
10+223.00 грн
25+204.20 грн
50+180.89 грн
100+158.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DD390N16SHPSA1 Infineon-DD390N16S-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb016390f2a8153f57
DD390N16SHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DD390N16SHPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 390 A, 1.34 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 7 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 10kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.34V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 390A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7897.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ800R12KE3HOSA1 INFNS28678-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FZ800R12KE3HOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FZ800R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 800 A, 1.7 V, 3.55 kW, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 800
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 3.55
Verlustleistung: 3.55
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: Standard 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11795.15 грн
5+11559.34 грн
10+11323.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL2ED020I12F2TOBO1 Infineon-EVAL_2ED020I12-F2-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=db3a304340155f3d014029a78ed602f3
EVAL2ED020I12F2TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL2ED020I12F2TOBO1 - Evaluationsboard, 2ED020I12-F2, IGBT-Gate-Treiber
Prozessorkern: 2ED020I12-F2
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2ED020I12-F2
Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF 1561362.pdf
IRLTS6342TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLTS6342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.014 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+28.62 грн
50+25.03 грн
100+21.45 грн
500+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IPAW60R280CEXKSA1 INFN-S-A0002362746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPAW60R280CEXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPAW60R280CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19.3 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 19.3
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 32
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 32
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS CE
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.25
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ESD102U102ELSE6327XTSA1 INFN-S-A0001405741-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ESD102U102ELSE6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ESD102U102ELSE6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 8 V, TSSLP-2-3, 2 Pin(s), 3.3 V
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: TSSLP-2-3
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.19 грн
500+9.20 грн
1000+6.72 грн
5000+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DTRPBF 678074.pdf
IRFR13N20DTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR13N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.235 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 13
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.235
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DTRPBF 678074.pdf
IRFR13N20DTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR13N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.235 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 110
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C24223A-24PVXI 2864269.pdf
CY8C24223A-24PVXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C24223A-24PVXI - 8-Bit-MCU, PSOC1, PSOC 1 Family CY8C24x23A Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 4 KB, 20 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 14 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 8Kanäle
Programmspeichergröße: 4KB
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 256Byte
MCU-Baureihe: CY8C24x23A
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16I/O(s)
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C24x23A Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+407.55 грн
10+311.01 грн
25+267.43 грн
50+228.49 грн
100+201.40 грн
250+194.81 грн
500+191.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C24123A-24SXI 2081967.pdf
CY8C24123A-24SXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C24123A-24SXI - 8-Bit-MCU, PSOC1, PSOC 1 Family CY8C24x23A Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 4 KB, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 14 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 4Kanäle
Programmspeichergröße: 4KB
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 256Byte
MCU-Baureihe: CY8C24x23A
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 6I/O(s)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C24x23A Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+148.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12SG60CXKSA2 INFNS19749-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDH12SG60CXKSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH12SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 12 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+528.03 грн
10+507.52 грн
100+266.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06SG60CXKSA2 INFNS19744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDH06SG60CXKSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH06SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 6 A, 8 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+294.77 грн
10+177.72 грн
100+174.30 грн
500+122.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10SG60CXKSA2 Infineon-IDH10SG60C-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30431f848401011ff4d3f3a2532e
IDH10SG60CXKSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH10SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+456.26 грн
10+381.07 грн
100+241.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S90TFI010 2309619.pdf
S29GL256S90TFI010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL256S90TFI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, CFI, parallel, TSOP, 56 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 90ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+527.17 грн
10+491.29 грн
25+467.36 грн
50+420.49 грн
100+385.95 грн
250+361.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SAE800GXLLA1 96879.pdf
SAE800GXLLA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SAE800GXLLA1 - Programmierbarer Tongenerator, einfach, zweifach, dreifach, 2.8-18V Versorgung, SOIC-8
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, min.: 2.8
Anzahl der Pins: 8
IC-Funktion: Tongenerator
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -25
Versorgungsspannung, max.: 18
Betriebstemperatur, max.: 125
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478TRPBF description INFN-S-A0002255706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7478TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7478TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9333TRPBF INFN-S-A0012826343-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9333TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9333TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0156 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0156
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYW9P62S1-43012EVB-01 3812111.pdf
CYW9P62S1-43012EVB-01
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW9P62S1-43012EVB-01 - Wi-Fi-Bluetooth-Pioneer-Kit, CYW43012, Wireless-Kommunikation
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYW43012
Kit-Anwendungsbereich: Drahtlose Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Wi-Fi-BT-Pioneer-Kit CYW43012, WM-BAC-CYW-50-Modul
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bluetooth und WiFi
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9477.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYBT-213043-02 Infineon-CYBT-213043-02-DataSheet-v05_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb3470185f3d0932d10d6
CYBT-213043-02
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYBT-213043-02 - Bluetooth-Modul, Version 5, 3MB/s, -95dBm, 1.71 bis 3.3V Versorgungsspannung, -30°C bis 85°C
Empfangsempfindlichkeit: -95dBm
hazardous: false
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.0
Bluetooth-Klasse: Klasse 2
usEccn: 5A992.c
Signalbereich, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
euEccn: NLR
Übertragungsrate: 3Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+669.00 грн
5+624.58 грн
10+580.15 грн
50+510.14 грн
100+431.36 грн
250+402.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C53150-20AXIT CYPR-S-A0003299060-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY7C53150-20AXIT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C53150-20AXIT - Mikroprozessor, 20MHz, 8 Bit, 512 Bytes, Serial, 4.5 bis 5.5V Versorgungsspannung, TQFP-64
tariffCode: 85423190
IC-Montage: Oberflächenmontage
Anzahl der CPU-Kerne: 3
hazardous: false
Qualifikation: -
Datenbusbreite: 8
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
Programmspeichergröße: 512
MPU-Familie: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Betriebsfrequenz, max.: 20
euEccn: NLR
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 11
Anzahl der Pins: 64
Produktpalette: CY7C531x0 Series Microprocessors
MPU-Baureihe: CY7C531x0
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Schnittstellen: Serielle Schnittstellen
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C53150-20AXIT CYPR-S-A0003299060-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY7C53150-20AXIT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C53150-20AXIT - Mikroprozessor, 20MHz, 8 Bit, 512 Bytes, Serial, 4.5 bis 5.5V Versorgungsspannung, TQFP-64
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1 INFN-S-A0001300642-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSD235CH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSD235CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+36.65 грн
50+18.71 грн
250+12.82 грн
1000+8.33 грн
5000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372NH6327XTSA1 INFNS26385-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP372NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP372NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.153 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.153ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+71.09 грн
15+57.59 грн
100+40.93 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 INFNS19405-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS308PEH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS308PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 156594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.62 грн
250+13.50 грн
1000+9.04 грн
5000+6.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DPBF description 678074.pdf
IRFR13N20DPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR13N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.235 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 13
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.235
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1ED44175N01BXTSA1 INFN-S-A0010773800-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1ED44175N01BXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED44175N01BXTSA1 - IGBT-Treiber, Low-Side, 12.7V bis 20V, 50ns Verzögerung, SOT-23-6, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.6A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 12.7V
Quellstrom: 2.6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 4707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+75.53 грн
14+63.23 грн
100+47.16 грн
500+39.35 грн
1000+29.95 грн
2500+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
1ED44175N01BXTSA1 INFN-S-A0010773800-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1ED44175N01BXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED44175N01BXTSA1 - IGBT-Treiber, Low-Side, 12.7V bis 20V, 50ns Verzögerung, SOT-23-6, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.6A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.6A
Versorgungsspannung, min.: 12.7V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 4707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.16 грн
500+39.35 грн
1000+29.95 грн
2500+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKP28N65ES5XKSA1 Infineon-IKP28N65ES5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201697b6e31284429
IKP28N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKP28N65ES5XKSA1 - IGBT, 38 A, 1.5 V, 130 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 38A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+280.25 грн
10+197.37 грн
100+160.63 грн
500+128.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF 1911994.pdf
IRFS7437TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7437TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 1800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+62.28 грн
250+56.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7434TRL7PP INFN-S-A0012813670-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS7434TRL7PP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7434TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 362 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 362A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+116.63 грн
250+105.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR825PBF 1915955.pdf
IRFR825PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR825PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 1.05 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 119
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 42 84 126 168 210 252 274 275 276 277 278 279 280 281 282 283 284 294 336 378 420 429  [ Наступна Сторінка >> ]