| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AUIRF7316QTR | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF7316QTR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
AUIRF7749L2TR | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF7749L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 345 A, 1100 µohm, DirectFET L8, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 345A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
AUIRF7769L2TR | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF7769L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 3500 µohm, DirectFET L8, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 124A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
AUIRF7759L2TR | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF7759L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 2300 µohm, DirectFET L8, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
AUIRF7749L2TR | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF7749L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 345 A, 1100 µohm, DirectFET L8, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 345A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
AUIRF7640S2TR | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF7640S2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.027 ohm, DirectFET SB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 21 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 30 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 30 Bauform - Transistor: DirectFET SB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
AUIRF7769L2TR | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF7769L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 3500 µohm, DirectFET L8, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 124A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRGP4630D-EPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRGP4630D-EPBF - IGBT, 47 A, 1.65 V, 206 W, 600 V, TO-247AD, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage hazardous: false Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 206 Bauform - Transistor: TO-247AD Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 Betriebstemperatur, max.: 175 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 47 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
REFTWILD8150E60V1ATOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - REFTWILD8150E60V1ATOBO1 - Referenzdesign-Board, ILD8150E/IFX1117ME V33, LED-TreibertariffCode: 84733020 Kit-Anwendungsbereich: Beleuchtung rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ILD8150E/IFX1117ME V33 Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Prozessorserie: - Unterart Anwendung: LED-Treiber usEccn: EAR99 Prozessorfamilie: - euEccn: NLR Prozessorkern: ILD8150E, IFX1117ME V33 Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Prozessorarchitektur: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BFP420FH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFP420FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 210 mW, 60 mA, TSFPtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 210mW Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 60mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 25GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BFP 420 H6327 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFP 420 H6327 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 160 mW, 35 mA, SOT-343tariffCode: 85412900 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5 Verlustleistung: 160 euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95 hazardous: false Qualifikation: - Bauform - Transistor: SOT-343 usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 35 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
EVAL3KW50VPSUTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - EVAL3KW50VPSUTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDB9275F, Power-Management, digitaler Halbbrücken-LLC-Resonanzwandler für DC/DCtariffCode: 84733020 Prozessorkern: 1EDB9275F Kit-Anwendungsbereich: Power-Management productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDB9275F euEccn: NLR isCanonical: Y Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Unterart Anwendung: Digitaler Halbbrücken-LLC-Resonanzwandler für DC/DC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
KIT600WLLCDICTRLTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - KIT600WLLCDICTRLTOBO1 - Erweiterungsboard, Steuerkarte-Adapterkit, Ersatz für EVAL_600W_LLC_DI-KitstariffCode: 84733020 Art des Zubehörs: Digitales Steuerungskit productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Evaluationsboards EVAL_600W_12V_LLC von Infineon usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
AUIPS1042GTR | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIPS1042GTR - IC, Leistungsverteilungsschalter, Low-Side, 2 Ausgänge, 5.5Vin, 4.5A, 0.08 Ohm, SOIC-8tariffCode: 85423990 euEccn: NLR hazardous: false usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
AUIPS1042GTR | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIPS1042GTR - IC, Leistungsverteilungsschalter, Low-Side, 2 Ausgänge, 5.5Vin, 4.5A, 0.08 Ohm, SOIC-8tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.08 Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false Strombegrenzung: 4.5 MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40 Polarität der Eingänge On / Enable: - Leistungsschaltertyp: Low-Side euEccn: NLR Eingangsspannung: 5.5 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: AUIPS1042G Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOIC Betriebstemperatur, max.: 150 Anzahl der Ausgänge: 2 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPAN60R600P7SXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPAN60R600P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 21W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPA60R280CFD7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPA60R280CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.237 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 24W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.237ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPAW60R600P7SXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPAW60R600P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 6 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 21 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 21 Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: CoolMOS P7 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IDH12G65C5XKSA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDH12G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-220tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 18nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFR3504ZTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3504ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 9000 µohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 12574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFR3504ZTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3504ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 0.009 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 12714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IDW100E60FKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDW100E60FKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 150 A, Einfach, 2 V, 400 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 400A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 2V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: IDW10 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
CY8C29466-24PVXI | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8C29466-24PVXI - 8-Bit-MCU, PSOC1, PSOC 1 Family CY8C29x66 Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 32 KB, 28 Pin(s)tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 14 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: M8C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SSOP MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 12Kanäle Programmspeichergröße: 32KB Versorgungsspannung, min.: 3V Betriebsfrequenz, max.: 24MHz euEccn: NLR MCU-Familie: PSoC 1 RAM-Speichergröße: 2KB MCU-Baureihe: CY8C29x66 Anzahl der Ein-/Ausgänge: 24I/O(s) Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C29x66 Series Microcontrollers productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.25V Schnittstellen: I2C, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
CY4535 | INFINEON |
Description: INFINEON - CY4535 - Evaluationskit, CYPD3178-24LQXQ, Power-Management, USB-C Power Delivery (PD)-ControllertariffCode: 84733020 Prozessorkern: CYPD3178-24LQXQ Kit-Anwendungsbereich: Power-Management productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Cypress Lieferumfang des Kits: EZ-PD BCR-Evaluationskit CYPD3178-24LQXQ, Kurzanleitung euEccn: NLR Unterart Anwendung: USB Power-Delivery (PD)-Controller Typ C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: 3A991.a.3 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
AUIRGP4063D-E | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRGP4063D-E - IGBT, 100 A, 1.6 V, 330 W, 600 V, TO-247AD, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage hazardous: false Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330 Bauform - Transistor: TO-247AD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 Betriebstemperatur, max.: 175 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BCR430ULEDBOARDTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BCR430ULEDBOARDTOBO1 - Evaluationsboard, BCR430U LED-Treiber, geringer Spannungsabfall, 6V-42V Versorgung, bis zu 100mAtariffCode: 84733020 rohsCompliant: NO Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BCR430U hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Ausgangsstrom: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Ausgangsspannung: - Core-Chip: BCR430U Eingangsspannung, max.: - Dimmsteuerung: - euEccn: NLR Bausteintopologie: Linear Eingangsspannung, min.: - Produktpalette: Compute Module 3+ Series productTraceability: No Anzahl der Ausgänge: - SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BCR430UXTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BCR430UXTSA1 - LED-Treiber, linear, 1 Ausgang, 6V bis 42Vin, 0V bis 20V/bis zu 100mAout, SOT-23-6tariffCode: 85423990 Schaltfrequenz: - hazardous: false Ausgangsstrom: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Ausgangsspannung: - Betriebstemperatur, min.: -40 Eingangsspannung, max.: 42 euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOT-23 Bausteintopologie: Linear Eingangsspannung, min.: 6 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 Anzahl der Ausgänge: 1 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BCR430UXTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BCR430UXTSA1 - LED-Treiber, linear, 1 Ausgang, 6V bis 42Vin, 0V bis 20V/bis zu 100mAout, SOT-23-6tariffCode: 85423990 euEccn: NLR hazardous: false usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IKP30N65H5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKP30N65H5XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 188 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
KIT6W18VP7950VTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - KIT6W18VP7950VTOBO1 - Evaluationsboard, IPU95R3K7P7 950V-CoolMOS-P7-SJ-MOSFET, Power-Management, SNTtariffCode: 84733020 Prozessorkern: IPU95R3K7P7, ICE5QSAG Kit-Anwendungsbereich: Power-Management productTraceability: No rohsCompliant: NO Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 950V CoolMOS P7 SJ MOSFET IPU95R3K7P7, ICE5QSAG euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Unterart Anwendung: SNT hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
KIT6W13VP7950VTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - KIT6W13VP7950VTOBO1 - Evaluationsboard, IPU95R3K7P7 950V-CoolMOS-P7-SJ-MOSFET, Power-Management, SNTtariffCode: 84733020 Prozessorkern: IPU95R3K7P7, ICE5QSAG Kit-Anwendungsbereich: Power-Management productTraceability: No rohsCompliant: NO Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 950V CoolMOS P7 SJ MOSFET IPU95R3K7P7, ICE5QSAG euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Unterart Anwendung: SNT hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TD160N16SOFHPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TD160N16SOFHPSA1 - SCR-THYRISTOR, 1.6KV, 160AtariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 160A RMS-Durchlassstrom: 275A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 2.5V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 145mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: Modul Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF6623TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6623TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 55 A, 5700 µohm, DirectFET ST, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: DirectFET ST Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLH5034TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLH5034TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2400 µohm, QFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF7476TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7476TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 15 A, 0.006 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12 Dauer-Drainstrom Id: 15 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRF7476TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7476TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 15 A, 0.006 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Verlustleistung: 2.5 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006 Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BSP320SH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSP320SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.12 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSP320SH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSP320SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.12 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPP50N10S3L16AKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP50N10S3L16AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0131 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 50 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 100 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 100 Bauform - Transistor: TO-220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: OptiMOS T Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0131 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BAT6202VH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAT6202VH6327XTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 20 mA, 1 V, 0.35 pF, SC-79tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-79 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach usEccn: EAR99 Sperrspannung: 40V euEccn: NLR Durchlassspannung: 1V Diodenkapazität: 0.35pF Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Durchlassstrom: 20mA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BAT6406WH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAT6406WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 40 V, 250 mA, 750 mV, 800 mA, 150 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 Durchlassstoßstrom: 800mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 750mV Sperrverzögerungszeit: 5ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAT64 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 13227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BAT6804E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAT6804E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 8 V, 130 mA, 500 mV, 150 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: - rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 500mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 130mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 8V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAT68 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BBY6502VH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BBY6502VH6327XTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 30.8 pF, 50 mA, 15 V, 150 °C, SC-79, 2 PinstariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-79 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Sperrspannung: 15V euEccn: NLR Durchlassstrom, max.: 50mA Anzahl der Pins: 2 Pins Kapazität: 30.8pF Produktpalette: BBY65 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLR024NTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 45W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FZ600R12KE4HOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FZ600R12KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 600 A, 1.75 V, 3 kW, 150 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 3kW euEccn: NLR Verlustleistung: 3kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 600A Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 600A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FZ600R12KS4HOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FZ600R12KS4HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 700 A, 3.2 V, 3.9 kW, 125 °C, ModuletariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V Dauer-Kollektorstrom: 700A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2V Verlustleistung Pd: 3.9kW euEccn: NLR Verlustleistung: 3.9kW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: Standard 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 700A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFR9N20DTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR9N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.4 A, 0.38 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Verlustleistung: 86 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38 Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRFR9N20DTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR9N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.4 A, 0.38 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 9.4 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 86 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 86 Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.38 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPP139N08N3GXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP139N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45 A, 0.0118 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 45 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 79 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8 euEccn: NLR Verlustleistung: 79 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0118 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPA50R500CEXKSA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPA50R500CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.1 A, 0.45 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
AIKW40N65DH5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - AIKW40N65DH5XKSA1 - IGBT, 74 A, 1.66 V, 250 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage hazardous: false Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250 Bauform - Transistor: TO-247 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW25N120CS7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKW25N120CS7XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 250 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 55A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FS75R06KE3BOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FS75R06KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 75 A, 1.45 V, 250 W, 150 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 250W euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Dauerkollektorstrom: 75A Produktpalette: EconoPACK 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 75A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DDB6U104N16RRBPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - DDB6U104N16RRBPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 25 A, Brücke, ModultariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Modul Durchlassstoßstrom: 650A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Panelmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A euEccn: NLR Anzahl der Pins: - Produktpalette: eupec EconoBRIDGE Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV Konfiguration Diodenmodul: Brücke Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DDB6U104N16RRBOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - DDB6U104N16RRBOSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 25 A, 1.3 V, Brücke, ModultariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Modul Durchlassstoßstrom: 650 Diodenmontage: Panelmontage hazardous: false Durchlassspannung, max.: 1.3 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6 Anzahl der Pins: - Produktpalette: eupec EconoBRIDGE Konfiguration Diodenmodul: Brücke Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BSS306NH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS306NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 9870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSS306NH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS306NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 9870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PVU414S-TPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - PVU414S-TPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 400 V, 140 mA, DIP-6, OberflächenmontagetariffCode: 85364900 Art der Last: AC/DC rohsCompliant: YES Relaisanschlüsse: Gull-Wing hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: - Isolationsspannung: 4kV euEccn: NLR Lastspannung, max.: 400V Relaismontage: Oberflächenmontage Kontaktform: SPST-NO (1 Form A) Laststrom: 140mA Produktpalette: HEXFET PVU414 Series productTraceability: No I/O-Kapazität: 1pF Bauform MOSFET-Relais: DIP-6 Durchlasswiderstand, max.: 27ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSV236SPH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSV236SPH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.131 ohm, SOT-363, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 560mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.131ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 29390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSV236SPH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSV236SPH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.131 ohm, SOT-363, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 560mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.131ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 29390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| AUIRF7316QTR |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7316QTR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - AUIRF7316QTR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 177.88 грн |
| 250+ | 157.43 грн |
| 1000+ | 109.84 грн |
| 2000+ | 95.29 грн |
| AUIRF7749L2TR |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7749L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 345 A, 1100 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 345A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - AUIRF7749L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 345 A, 1100 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 345A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 575.45 грн |
| 5+ | 485.62 грн |
| 10+ | 394.90 грн |
| 50+ | 336.96 грн |
| 100+ | 260.72 грн |
| 250+ | 255.39 грн |
| AUIRF7769L2TR |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7769L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - AUIRF7769L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 646.60 грн |
| 50+ | 566.56 грн |
| 250+ | 498.96 грн |
| 1000+ | 404.68 грн |
| 2000+ | 365.93 грн |
| AUIRF7759L2TR |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7759L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 2300 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - AUIRF7759L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 2300 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 510.52 грн |
| 5+ | 466.94 грн |
| 10+ | 422.47 грн |
| 50+ | 388.16 грн |
| 100+ | 354.49 грн |
| 250+ | 347.63 грн |
| AUIRF7749L2TR |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7749L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 345 A, 1100 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 345A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - AUIRF7749L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 345 A, 1100 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 345A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 394.90 грн |
| 50+ | 336.96 грн |
| 100+ | 260.72 грн |
| 250+ | 255.39 грн |
| AUIRF7640S2TR |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7640S2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.027 ohm, DirectFET SB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 21
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: DirectFET SB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - AUIRF7640S2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.027 ohm, DirectFET SB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 21
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: DirectFET SB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AUIRF7769L2TR |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7769L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - AUIRF7769L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 646.60 грн |
| 50+ | 566.56 грн |
| 250+ | 498.96 грн |
| 1000+ | 404.68 грн |
| 2000+ | 365.93 грн |
| IRGP4630D-EPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRGP4630D-EPBF - IGBT, 47 A, 1.65 V, 206 W, 600 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 206
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 47
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRGP4630D-EPBF - IGBT, 47 A, 1.65 V, 206 W, 600 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 206
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 47
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| REFTWILD8150E60V1ATOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REFTWILD8150E60V1ATOBO1 - Referenzdesign-Board, ILD8150E/IFX1117ME V33, LED-Treiber
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Beleuchtung
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ILD8150E/IFX1117ME V33
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: LED-Treiber
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ILD8150E, IFX1117ME V33
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - REFTWILD8150E60V1ATOBO1 - Referenzdesign-Board, ILD8150E/IFX1117ME V33, LED-Treiber
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Beleuchtung
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ILD8150E/IFX1117ME V33
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: LED-Treiber
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ILD8150E, IFX1117ME V33
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5645.99 грн |
| BFP420FH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP420FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 210 mW, 60 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 60mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 25GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BFP420FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 210 mW, 60 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 60mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 25GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 14.68 грн |
| 500+ | 12.88 грн |
| 1500+ | 11.36 грн |
| BFP 420 H6327 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP 420 H6327 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 160 mW, 35 mA, SOT-343
tariffCode: 85412900
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 160
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95
hazardous: false
Qualifikation: -
Bauform - Transistor: SOT-343
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 35
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - BFP 420 H6327 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 160 mW, 35 mA, SOT-343
tariffCode: 85412900
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 160
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95
hazardous: false
Qualifikation: -
Bauform - Transistor: SOT-343
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 35
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EVAL3KW50VPSUTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL3KW50VPSUTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDB9275F, Power-Management, digitaler Halbbrücken-LLC-Resonanzwandler für DC/DC
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1EDB9275F
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDB9275F
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Unterart Anwendung: Digitaler Halbbrücken-LLC-Resonanzwandler für DC/DC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - EVAL3KW50VPSUTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDB9275F, Power-Management, digitaler Halbbrücken-LLC-Resonanzwandler für DC/DC
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1EDB9275F
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDB9275F
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Unterart Anwendung: Digitaler Halbbrücken-LLC-Resonanzwandler für DC/DC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 63495.11 грн |
| KIT600WLLCDICTRLTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KIT600WLLCDICTRLTOBO1 - Erweiterungsboard, Steuerkarte-Adapterkit, Ersatz für EVAL_600W_LLC_DI-Kits
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Digitales Steuerungskit
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Evaluationsboards EVAL_600W_12V_LLC von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - KIT600WLLCDICTRLTOBO1 - Erweiterungsboard, Steuerkarte-Adapterkit, Ersatz für EVAL_600W_LLC_DI-Kits
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Digitales Steuerungskit
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Evaluationsboards EVAL_600W_12V_LLC von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5525.03 грн |
| AUIPS1042GTR |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIPS1042GTR - IC, Leistungsverteilungsschalter, Low-Side, 2 Ausgänge, 5.5Vin, 4.5A, 0.08 Ohm, SOIC-8
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - AUIPS1042GTR - IC, Leistungsverteilungsschalter, Low-Side, 2 Ausgänge, 5.5Vin, 4.5A, 0.08 Ohm, SOIC-8
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AUIPS1042GTR |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIPS1042GTR - IC, Leistungsverteilungsschalter, Low-Side, 2 Ausgänge, 5.5Vin, 4.5A, 0.08 Ohm, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.08
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
Strombegrenzung: 4.5
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: AUIPS1042G
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 2
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - AUIPS1042GTR - IC, Leistungsverteilungsschalter, Low-Side, 2 Ausgänge, 5.5Vin, 4.5A, 0.08 Ohm, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.08
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
Strombegrenzung: 4.5
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: AUIPS1042G
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 2
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPAN60R600P7SXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPAN60R600P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPAN60R600P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 103.17 грн |
| 13+ | 70.17 грн |
| 100+ | 48.92 грн |
| IPA60R280CFD7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R280CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.237 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.237ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPA60R280CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.237 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.237ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 236.58 грн |
| 10+ | 117.40 грн |
| 100+ | 106.73 грн |
| IPAW60R600P7SXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPAW60R600P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 21
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IPAW60R600P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 21
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IDH12G65C5XKSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH12G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IDH12G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 430.48 грн |
| 10+ | 225.91 грн |
| IRFR3504ZTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3504ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 9000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFR3504ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 9000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 68.66 грн |
| 17+ | 53.81 грн |
| 100+ | 52.48 грн |
| 500+ | 47.49 грн |
| 1000+ | 43.00 грн |
| 5000+ | 42.08 грн |
| IRFR3504ZTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3504ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 0.009 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFR3504ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 0.009 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 117.40 грн |
| 500+ | 107.36 грн |
| 1000+ | 96.82 грн |
| 5000+ | 95.29 грн |
| IDW100E60FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDW100E60FKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 150 A, Einfach, 2 V, 400 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 400A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 2V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IDW10
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IDW100E60FKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 150 A, Einfach, 2 V, 400 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 400A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 2V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IDW10
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 301.51 грн |
| 10+ | 164.54 грн |
| 100+ | 134.30 грн |
| CY8C29466-24PVXI |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C29466-24PVXI - 8-Bit-MCU, PSOC1, PSOC 1 Family CY8C29x66 Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 32 KB, 28 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 14 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
Programmspeichergröße: 32KB
Versorgungsspannung, min.: 3V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 2KB
MCU-Baureihe: CY8C29x66
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 24I/O(s)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C29x66 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - CY8C29466-24PVXI - 8-Bit-MCU, PSOC1, PSOC 1 Family CY8C29x66 Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 32 KB, 28 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 14 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
Programmspeichergröße: 32KB
Versorgungsspannung, min.: 3V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 2KB
MCU-Baureihe: CY8C29x66
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 24I/O(s)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C29x66 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 973.91 грн |
| 10+ | 811.14 грн |
| 25+ | 741.77 грн |
| 50+ | 668.14 грн |
| 100+ | 587.77 грн |
| CY4535 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY4535 - Evaluationskit, CYPD3178-24LQXQ, Power-Management, USB-C Power Delivery (PD)-Controller
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYPD3178-24LQXQ
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Cypress
Lieferumfang des Kits: EZ-PD BCR-Evaluationskit CYPD3178-24LQXQ, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: USB Power-Delivery (PD)-Controller Typ C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.3
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - CY4535 - Evaluationskit, CYPD3178-24LQXQ, Power-Management, USB-C Power Delivery (PD)-Controller
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYPD3178-24LQXQ
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Cypress
Lieferumfang des Kits: EZ-PD BCR-Evaluationskit CYPD3178-24LQXQ, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: USB Power-Delivery (PD)-Controller Typ C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.3
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AUIRGP4063D-E |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRGP4063D-E - IGBT, 100 A, 1.6 V, 330 W, 600 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330
Bauform - Transistor: TO-247AD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - AUIRGP4063D-E - IGBT, 100 A, 1.6 V, 330 W, 600 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330
Bauform - Transistor: TO-247AD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BCR430ULEDBOARDTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCR430ULEDBOARDTOBO1 - Evaluationsboard, BCR430U LED-Treiber, geringer Spannungsabfall, 6V-42V Versorgung, bis zu 100mA
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: NO
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BCR430U
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Ausgangsstrom: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Core-Chip: BCR430U
Eingangsspannung, max.: -
Dimmsteuerung: -
euEccn: NLR
Bausteintopologie: Linear
Eingangsspannung, min.: -
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: No
Anzahl der Ausgänge: -
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - BCR430ULEDBOARDTOBO1 - Evaluationsboard, BCR430U LED-Treiber, geringer Spannungsabfall, 6V-42V Versorgung, bis zu 100mA
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: NO
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BCR430U
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Ausgangsstrom: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Core-Chip: BCR430U
Eingangsspannung, max.: -
Dimmsteuerung: -
euEccn: NLR
Bausteintopologie: Linear
Eingangsspannung, min.: -
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: No
Anzahl der Ausgänge: -
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1372.36 грн |
| BCR430UXTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCR430UXTSA1 - LED-Treiber, linear, 1 Ausgang, 6V bis 42Vin, 0V bis 20V/bis zu 100mAout, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: -
hazardous: false
Ausgangsstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung, max.: 42
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOT-23
Bausteintopologie: Linear
Eingangsspannung, min.: 6
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - BCR430UXTSA1 - LED-Treiber, linear, 1 Ausgang, 6V bis 42Vin, 0V bis 20V/bis zu 100mAout, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: -
hazardous: false
Ausgangsstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung, max.: 42
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOT-23
Bausteintopologie: Linear
Eingangsspannung, min.: 6
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BCR430UXTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCR430UXTSA1 - LED-Treiber, linear, 1 Ausgang, 6V bis 42Vin, 0V bis 20V/bis zu 100mAout, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - BCR430UXTSA1 - LED-Treiber, linear, 1 Ausgang, 6V bis 42Vin, 0V bis 20V/bis zu 100mAout, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IKP30N65H5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKP30N65H5XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 188 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IKP30N65H5XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 188 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 265.04 грн |
| 10+ | 185.89 грн |
| 100+ | 150.31 грн |
| 500+ | 130.49 грн |
| KIT6W18VP7950VTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KIT6W18VP7950VTOBO1 - Evaluationsboard, IPU95R3K7P7 950V-CoolMOS-P7-SJ-MOSFET, Power-Management, SNT
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IPU95R3K7P7, ICE5QSAG
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 950V CoolMOS P7 SJ MOSFET IPU95R3K7P7, ICE5QSAG
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Unterart Anwendung: SNT
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - KIT6W18VP7950VTOBO1 - Evaluationsboard, IPU95R3K7P7 950V-CoolMOS-P7-SJ-MOSFET, Power-Management, SNT
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IPU95R3K7P7, ICE5QSAG
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 950V CoolMOS P7 SJ MOSFET IPU95R3K7P7, ICE5QSAG
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Unterart Anwendung: SNT
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3202.77 грн |
| KIT6W13VP7950VTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KIT6W13VP7950VTOBO1 - Evaluationsboard, IPU95R3K7P7 950V-CoolMOS-P7-SJ-MOSFET, Power-Management, SNT
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IPU95R3K7P7, ICE5QSAG
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 950V CoolMOS P7 SJ MOSFET IPU95R3K7P7, ICE5QSAG
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Unterart Anwendung: SNT
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - KIT6W13VP7950VTOBO1 - Evaluationsboard, IPU95R3K7P7 950V-CoolMOS-P7-SJ-MOSFET, Power-Management, SNT
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IPU95R3K7P7, ICE5QSAG
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 950V CoolMOS P7 SJ MOSFET IPU95R3K7P7, ICE5QSAG
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Unterart Anwendung: SNT
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3198.32 грн |
| TD160N16SOFHPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TD160N16SOFHPSA1 - SCR-THYRISTOR, 1.6KV, 160A
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 160A
RMS-Durchlassstrom: 275A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 2.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 145mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - TD160N16SOFHPSA1 - SCR-THYRISTOR, 1.6KV, 160A
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 160A
RMS-Durchlassstrom: 275A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 2.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 145mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4292.30 грн |
| 5+ | 4005.91 грн |
| 10+ | 3719.52 грн |
| IRF6623TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6623TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 55 A, 5700 µohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET ST
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF6623TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 55 A, 5700 µohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET ST
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 114.73 грн |
| 500+ | 88.37 грн |
| 1000+ | 78.52 грн |
| IRLH5034TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLH5034TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2400 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IRLH5034TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2400 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 199.23 грн |
| 10+ | 127.19 грн |
| 100+ | 87.16 грн |
| IRF7476TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7476TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 15 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 15
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRF7476TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 15 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 15
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7476TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7476TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 15 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRF7476TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 15 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BSP320SH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP320SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BSP320SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 62.97 грн |
| 16+ | 56.12 грн |
| BSP320SH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP320SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BSP320SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IPP50N10S3L16AKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP50N10S3L16AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0131 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 50
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS T
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0131
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPP50N10S3L16AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0131 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 50
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS T
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0131
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BAT6202VH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT6202VH6327XTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 20 mA, 1 V, 0.35 pF, SC-79
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 40V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 1V
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Durchlassstrom: 20mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BAT6202VH6327XTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 20 mA, 1 V, 0.35 pF, SC-79
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 40V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 1V
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Durchlassstrom: 20mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BAT6406WH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT6406WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 40 V, 250 mA, 750 mV, 800 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 800mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 750mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT64
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BAT6406WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 40 V, 250 mA, 750 mV, 800 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 800mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 750mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT64
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.55 грн |
| 1000+ | 4.08 грн |
| 5000+ | 3.04 грн |
| BAT6804E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT6804E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 8 V, 130 mA, 500 mV, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 500mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 130mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 8V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT68
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BAT6804E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 8 V, 130 mA, 500 mV, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 500mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 130mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 8V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT68
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 37+ | 24.64 грн |
| 60+ | 14.85 грн |
| 100+ | 11.83 грн |
| 500+ | 10.41 грн |
| 1000+ | 9.15 грн |
| BBY6502VH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BBY6502VH6327XTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 30.8 pF, 50 mA, 15 V, 150 °C, SC-79, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 15V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 50mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 30.8pF
Produktpalette: BBY65
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BBY6502VH6327XTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 30.8 pF, 50 mA, 15 V, 150 °C, SC-79, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 15V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 50mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 30.8pF
Produktpalette: BBY65
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 21.52 грн |
| 500+ | 16.19 грн |
| 1000+ | 12.66 грн |
| IRLR024NTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 45W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRLR024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 45W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FZ600R12KE4HOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FZ600R12KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 600 A, 1.75 V, 3 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 3kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - FZ600R12KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 600 A, 1.75 V, 3 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 3kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 9147.60 грн |
| 5+ | 9146.71 грн |
| 10+ | 9145.82 грн |
| FZ600R12KS4HOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FZ600R12KS4HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 700 A, 3.2 V, 3.9 kW, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V
Dauer-Kollektorstrom: 700A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2V
Verlustleistung Pd: 3.9kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: Standard 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 700A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - FZ600R12KS4HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 700 A, 3.2 V, 3.9 kW, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V
Dauer-Kollektorstrom: 700A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2V
Verlustleistung Pd: 3.9kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: Standard 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 700A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 15290.77 грн |
| 5+ | 14984.81 грн |
| IRFR9N20DTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR9N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.4 A, 0.38 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 86
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRFR9N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.4 A, 0.38 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 86
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFR9N20DTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR9N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.4 A, 0.38 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 9.4
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 86
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.38
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRFR9N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.4 A, 0.38 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 9.4
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 86
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.38
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPP139N08N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP139N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45 A, 0.0118 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 45
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 79
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0118
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPP139N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45 A, 0.0118 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 45
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 79
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0118
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPA50R500CEXKSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA50R500CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.1 A, 0.45 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPA50R500CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.1 A, 0.45 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 120.96 грн |
| 16+ | 57.01 грн |
| 100+ | 54.52 грн |
| AIKW40N65DH5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIKW40N65DH5XKSA1 - IGBT, 74 A, 1.66 V, 250 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - AIKW40N65DH5XKSA1 - IGBT, 74 A, 1.66 V, 250 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 493.62 грн |
| 5+ | 459.83 грн |
| 10+ | 425.14 грн |
| IKW25N120CS7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW25N120CS7XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 250 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 55A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IKW25N120CS7XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 250 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 55A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 470.50 грн |
| 10+ | 279.28 грн |
| 100+ | 231.25 грн |
| FS75R06KE3BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS75R06KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 75 A, 1.45 V, 250 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 250W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 75A
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - FS75R06KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 75 A, 1.45 V, 250 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 250W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 75A
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7608.92 грн |
| DDB6U104N16RRBPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DDB6U104N16RRBPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 25 A, Brücke, Modul
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 650A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: eupec EconoBRIDGE Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - DDB6U104N16RRBPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 25 A, Brücke, Modul
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 650A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: eupec EconoBRIDGE Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5932.38 грн |
| 5+ | 5243.97 грн |
| 10+ | 4554.68 грн |
| DDB6U104N16RRBOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DDB6U104N16RRBOSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 25 A, 1.3 V, Brücke, Modul
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 650
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
Durchlassspannung, max.: 1.3
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: eupec EconoBRIDGE
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - DDB6U104N16RRBOSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 25 A, 1.3 V, Brücke, Modul
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 650
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
Durchlassspannung, max.: 1.3
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: eupec EconoBRIDGE
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BSS306NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS306NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSS306NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 31.31 грн |
| 55+ | 16.37 грн |
| 250+ | 11.03 грн |
| 1000+ | 8.42 грн |
| 5000+ | 5.60 грн |
| BSS306NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS306NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSS306NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 16.37 грн |
| 250+ | 11.03 грн |
| 1000+ | 8.42 грн |
| 5000+ | 5.60 грн |
| PVU414S-TPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PVU414S-TPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 400 V, 140 mA, DIP-6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85364900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: -
Isolationsspannung: 4kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 140mA
Produktpalette: HEXFET PVU414 Series
productTraceability: No
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Durchlasswiderstand, max.: 27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - PVU414S-TPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 400 V, 140 mA, DIP-6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85364900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: -
Isolationsspannung: 4kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 140mA
Produktpalette: HEXFET PVU414 Series
productTraceability: No
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Durchlasswiderstand, max.: 27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 466.05 грн |
| 50+ | 398.08 грн |
| 100+ | 355.26 грн |
| 250+ | 339.25 грн |
| BSV236SPH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSV236SPH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.131 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.131ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSV236SPH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.131 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.131ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 29390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 38.42 грн |
| 50+ | 23.48 грн |
| 100+ | 14.85 грн |
| 500+ | 10.32 грн |
| 1500+ | 8.46 грн |
| BSV236SPH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSV236SPH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.131 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.131ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSV236SPH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.131 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.131ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 29390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 14.85 грн |
| 500+ | 10.32 грн |
| 1500+ | 8.46 грн |










































