Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25950) > Сторінка 302 з 433

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 297 298 299 300 301 302 303 304 305 306 307 344 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TLE62513GXUMA2 TLE62513GXUMA2 INFINEON 2849715.pdf Description: INFINEON - TLE62513GXUMA2 - CAN-Schnittstelle, CAN-Transceiver, 1 Mbaud, 5.5 V, 18 V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 1Mbaud
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-Transceiver
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.78 грн
10+177.88 грн
25+175.21 грн
50+142.05 грн
100+111.30 грн
250+109.02 грн
500+106.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLE62512GXUMA3 TLE62512GXUMA3 INFINEON 2820313.pdf Description: INFINEON - TLE62512GXUMA3 - CAN-Schnittstelle, CAN-Transceiver, 1 Mbaud, 5.5 V, 18 V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 1Mbaud
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: CAN
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der RX-Puffer: -
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-Transceiver
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der TX-Puffer: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+131.89 грн
250+125.79 грн
500+121.21 грн
1000+119.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE62512GXUMA3 TLE62512GXUMA3 INFINEON 2820313.pdf Description: INFINEON - TLE62512GXUMA3 - CAN-Schnittstelle, CAN-Transceiver, 1 Mbaud, 5.5 V, 18 V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 1Mbaud
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-Transceiver
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+250.81 грн
10+188.56 грн
25+171.66 грн
50+151.14 грн
100+131.89 грн
250+125.79 грн
500+121.21 грн
1000+119.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C199D-10VXIT CY7C199D-10VXIT INFINEON INFN-S-A0011134665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY7C199D-10VXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, SOJ, 28 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 256Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.80 грн
10+211.68 грн
25+205.45 грн
50+184.17 грн
100+163.91 грн
250+160.09 грн
500+157.81 грн
1000+151.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
6ED003L02F2XUMA1 6ED003L02F2XUMA1 INFINEON INFNS19532-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 6ED003L02F2XUMA1 - IGBT-Treiber, Vollbrücke, 240mA, 13V bis 17.5V, TSSOP-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 13V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17.5V
Eingabeverzögerung: 530ns
Ausgabeverzögerung: 490ns
Betriebstemperatur, max.: 95°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+229.47 грн
10+205.45 грн
25+182.33 грн
100+147.83 грн
500+122.74 грн
1000+102.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
6EDL04I06NTXUMA1 6EDL04I06NTXUMA1 INFINEON INFN-S-A0002785736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 6EDL04I06NTXUMA1 - IGBT-Treiber, Vollbrücke, 420mA, 13V bis 17.5V Versorgungsspannung, 530ns/490ns Verzögerung, SOIC-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 13V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 17.5V
Eingabeverzögerung: 530ns
Ausgabeverzögerung: 490ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+193.00 грн
10+162.76 грн
25+153.87 грн
50+131.32 грн
100+113.59 грн
250+109.78 грн
500+107.49 грн
1000+96.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
6EDL04N02PRXUMA1 6EDL04N02PRXUMA1 INFINEON INFN-S-A0002785736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 6EDL04N02PRXUMA1 - IGBT-Treiber, Vollbrücke, 375mA, 10V-17.5V Versorgungsspannung, 530ns/530ns Verzögerung, TSSOP-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: Advanced Smart Rectifier Series
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 17.5V
Eingabeverzögerung: 530ns
Ausgabeverzögerung: 530ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+246.37 грн
10+201.90 грн
25+180.55 грн
50+161.87 грн
100+143.32 грн
250+135.70 грн
500+131.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
6EDL04I06PTXUMA1 6EDL04I06PTXUMA1 INFINEON INFN-S-A0002785736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 6EDL04I06PTXUMA1 - IGBT-Treiber, Vollbrücke, 375mA, 13V bis 17.5V Versorgungsspannung, 530ns/490ns Verzögerung, SOIC-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 13V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 17.5V
Eingabeverzögerung: 530ns
Ausgabeverzögerung: 490ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+281.05 грн
10+210.79 грн
25+193.89 грн
50+170.96 грн
100+149.42 грн
250+141.80 грн
500+136.46 грн
1000+132.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
6EDL04N06PTXUMA1 6EDL04N06PTXUMA1 INFINEON INFN-S-A0016753767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 6EDL04N06PTXUMA1 - IGBT-Treiber, Vollbrücke, 375mA, 10V bis 17.5V Versorgungsspannung, 530ns/530ns Verzögerung, SOIC-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 17.5V
Eingabeverzögerung: 530ns
Ausgabeverzögerung: 530ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+253.48 грн
10+189.44 грн
25+174.32 грн
50+148.66 грн
100+122.74 грн
250+117.40 грн
500+112.07 грн
1000+108.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-212023-10 CYBLE-212023-10 INFINEON download Description: INFINEON - CYBLE-212023-10 - PROC™-Modul, Bluetooth® v4.1 Low Energy (BLE)-Wireless-Lösung, 1MB/s, 1.8V bis 5.5V
tariffCode: 85176200
Empfangsempfindlichkeit: -87dBm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth 4.1
Bluetooth-Klasse: -
usEccn: EAR99
Signalbereich, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: PROC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+431.49 грн
250+410.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-212020-EVAL CYBLE-212020-EVAL INFINEON 3812099.pdf Description: INFINEON - CYBLE-212020-EVAL - Evaluationsboard, CYBLE-212020-01, Bluetooth Low Energy-Modul, SoC, Wireless-Kommunikation
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYBLE-212020-01
Kit-Anwendungsbereich: Drahtlose Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard, BLE-Modul CYBLE-212020-01
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy, SoC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1382.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03MSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 INFINEON Infineon-BSC030N03MSG-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de605dea0359 Description: INFINEON - BSC030N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+59.86 грн
16+58.61 грн
100+43.76 грн
500+37.50 грн
1000+31.79 грн
5000+28.89 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7230RAUMA1 TLE7230RAUMA1 INFINEON Infineon-TLE7230R-DS-v03_04-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa2e2c9520f8a Description: INFINEON - TLE7230RAUMA1 - Leistungsschalter, Smart Power-Technologie, Low-Side, 8 Ausgänge, 2A, SOIC-36
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.8ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 2A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 6V
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+772.90 грн
10+579.01 грн
25+552.32 грн
50+479.01 грн
100+410.91 грн
250+392.61 грн
500+357.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FF150R12RT4HOSA1 FF150R12RT4HOSA1 INFINEON INFNS28347-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF150R12RT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 150 A, 1.75 V, 790 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 150A
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 790W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 790W
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 150A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6548.74 грн
5+6126.27 грн
10+5702.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF100R12RT4HOSA1 FF100R12RT4HOSA1 INFINEON INFNS28333-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF100R12RT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 100 A, 1.75 V, 555 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 555W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 555W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9444.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W1M1B11BOMA1 FF11MR12W1M1B11BOMA1 INFINEON INFN-S-A0003257861-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF11MR12W1M1B11BOMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EasyDual-Modul, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.011 ohm, Module
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: CoolSic
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13711.17 грн
5+12841.33 грн
10+12584.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W1M1B70BPSA1 FF11MR12W1M1B70BPSA1 INFINEON 3208410.pdf Description: INFINEON - FF11MR12W1M1B70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, Module
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 18
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0113
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19451.44 грн
5+19062.76 грн
10+18673.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1500R17IP5PBPSA1 FF1500R17IP5PBPSA1 INFINEON INFN-S-A0006623471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF1500R17IP5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.5 kA, 1.75 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 1.5kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: PrimePACK 3+B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 1.5kA
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1500R17IP5BPSA1 FF1500R17IP5BPSA1 INFINEON INFN-S-A0003614494-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF1500R17IP5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.5 kA, 1.75 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 1.5kA
Produktpalette: PrimePACK 3+B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 1.5kA
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+52576.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1800R23IE7BPSA1 FF1800R23IE7BPSA1 INFINEON 3811998.pdf Description: INFINEON - FF1800R23IE7BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.8 kA, 1.8 V, 20 mW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 1.8kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: PrimePACK 3+B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.3kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+107974.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1800R23IE7PBPSA1 FF1800R23IE7PBPSA1 INFINEON 3812000.pdf Description: INFINEON - FF1800R23IE7PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.8 kA, 1.8 V, 20 mW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 1.8kA
Produktpalette: PrimePACK 3+B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.3kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+123361.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS409L1E3062ABUMA1 BTS409L1E3062ABUMA1 INFINEON 2334167.pdf Description: INFINEON - BTS409L1E3062ABUMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 43V, 4A, TO-263-5
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.16ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 4A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 43V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+303.29 грн
10+230.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BTS409L1E3062ABUMA1 BTS409L1E3062ABUMA1 INFINEON 2334167.pdf Description: INFINEON - BTS409L1E3062ABUMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 43V, 4A, TO-263-5
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.16ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 4A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 43V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8311TRPBF IRFH8311TRPBF INFINEON INFN-S-A0012814049-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8311TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1700 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+106.73 грн
13+70.62 грн
100+53.54 грн
500+40.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8318TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0031 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+28.99 грн
32+28.02 грн
100+27.13 грн
500+24.28 грн
1000+21.27 грн
5000+18.68 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5250TRPBF IRFH5250TRPBF INFINEON INFN-S-A0011703006-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5250TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.73 грн
10+89.83 грн
100+66.71 грн
500+56.74 грн
1000+52.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7787TRPBF IRFH7787TRPBF INFINEON 2354736.pdf Description: INFINEON - IRFH7787TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 68 A, 6600 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.55 грн
10+115.62 грн
100+80.22 грн
500+57.73 грн
1000+44.52 грн
5000+41.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830TRPBF IRFHM830TRPBF INFINEON 2332322.pdf Description: INFINEON - IRFHM830TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3800 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+45.45 грн
22+41.62 грн
100+37.53 грн
500+26.59 грн
1000+22.95 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4253DTRPBF IRFH4253DTRPBF INFINEON irfh4253dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a847c1e8e Description: INFINEON - IRFH4253DTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 25 V, 145 A, 0.0011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: FastIRFET HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+162.76 грн
10+112.96 грн
100+81.56 грн
500+71.11 грн
1000+61.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7787TRPBF IRFH7787TRPBF INFINEON 2354736.pdf Description: INFINEON - IRFH7787TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 68 A, 0.0066 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+94.15 грн
1000+71.74 грн
5000+56.49 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5304TRPBF IRFH5304TRPBF INFINEON INFN-S-A0012490484-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5304TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 79 A, 0.0038 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 46
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.08 грн
500+41.46 грн
1000+28.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4253DTRPBF IRFH4253DTRPBF INFINEON irfh4253dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a847c1e8e Description: INFINEON - IRFH4253DTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 25 V, 145 A, 0.0011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: FastIRFET HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+81.56 грн
500+71.11 грн
1000+61.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5250DTRPBF IRFH5250DTRPBF INFINEON IRSD-S-A0001030640-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irfh5250dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b25601eb6 Description: INFINEON - IRFH5250DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1400 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+75.42 грн
100+73.29 грн
500+66.15 грн
1000+59.84 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8311TRPBF IRFH8311TRPBF INFINEON INFN-S-A0012814049-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8311TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1700 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.54 грн
500+40.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813168-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8325TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 0.0041 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.95 грн
500+24.03 грн
1000+18.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9351TRPBF IRFHS9351TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838316-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFHS9351TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.96 грн
250+33.62 грн
1000+19.16 грн
2000+17.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2103STRPBF IRS2103STRPBF INFINEON 683717.pdf Description: INFINEON - IRS2103STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 130mA /270mAout, 680ns/150ns Ein/Aus, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2103STRPBF IRS2103STRPBF INFINEON 683717.pdf Description: INFINEON - IRS2103STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 130mA /270mAout, 680ns/150ns Ein/Aus, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+90.72 грн
14+65.37 грн
50+59.06 грн
100+48.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1 IMW120R045M1XKSA1 INFINEON 2820326.pdf Description: INFINEON - IMW120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1262.96 грн
5+1119.77 грн
10+976.57 грн
50+845.70 грн
100+724.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF INFINEON INFN-S-A0012838658-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB4020PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+144.08 грн
20+44.92 грн
100+44.83 грн
500+40.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 INFINEON INFNS15817-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0031 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.31 грн
50+118.29 грн
100+108.51 грн
500+97.45 грн
1000+85.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 INFINEON INFNS15817-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+130.74 грн
500+98.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF IRFB4019PBF INFINEON INFN-S-A0012837744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFB4019PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 17 A, 0.095 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+143.20 грн
15+60.30 грн
100+50.61 грн
500+46.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF IRFB4620PBF INFINEON INFN-S-A0012838264-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB4620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.0725 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0725ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+176.99 грн
10+100.50 грн
100+99.61 грн
500+77.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 INFINEON INFN-S-A0002815953-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD70R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+46.07 грн
50+39.49 грн
100+30.68 грн
500+24.78 грн
1000+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IR2183STRPBF IR2183STRPBF INFINEON 133039.pdf Description: INFINEON - IR2183STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgungsspannung, 2.3Aout, 220ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+110.29 грн
500+94.98 грн
1000+84.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IR2108STRPBF IR2108STRPBF INFINEON INFN-S-A0008993572-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IR2108STRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.77 грн
250+54.81 грн
500+52.91 грн
1000+50.47 грн
2500+47.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IR2108STRPBF IR2108STRPBF INFINEON INFN-S-A0008993572-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IR2108STRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+106.73 грн
12+80.49 грн
50+73.82 грн
100+62.77 грн
250+54.81 грн
500+52.91 грн
1000+50.47 грн
2500+47.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SPD15P10PGBTMA1 SPD15P10PGBTMA1 INFINEON SPD_P15P10P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42aa02743bc Description: INFINEON - SPD15P10PGBTMA1 - HF-FET-Transistor, -100 V, -15 A, 128 W, TO-252
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: -
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+169.88 грн
10+114.73 грн
100+80.67 грн
500+59.71 грн
1000+52.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5014S16DXUMA1 TLE5014S16DXUMA1 INFINEON INFN-S-A0006155622-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE5014S16DXUMA1 - GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance), Winkelsensor, 4.2V bis 5.5V Versorgungsspannung, TDSO-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Winkelsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Magnetfeld, max.: 0.08T
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
Sensorgehäuse/-bauform: TDSO
Magnetoresistiver Sensor: Winkelsensor
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: TDSO
euEccn: NLR
Magnetfeld, min.: 0.025T
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+583.45 грн
25+547.88 грн
50+448.45 грн
100+395.66 грн
250+383.46 грн
500+370.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60TFKSA1 INFINEON INFN-S-A0001299596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKW20N60TFKSA1 - IGBT, 41 A, 1.5 V, 166 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 41A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+307.74 грн
10+174.32 грн
100+141.42 грн
500+121.40 грн
1000+102.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BC846PNH6327XTSA1 BC846PNH6327XTSA1 INFINEON INFNS17145-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BC846PNH6327XTSA1 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 65 V, 65 V, 100 mA, 100 mA, 250 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 250MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 250mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BC846PN Series
Verlustleistung, NPN: 250mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+29.08 грн
50+17.79 грн
100+11.21 грн
500+7.70 грн
1500+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7503TRPBF IRF7503TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542222-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7503TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.95 грн
250+25.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7580MTRPBF IRF7580MTRPBF INFINEON INFN-S-A0012826543-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7580MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 114 A, 0.0029 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 96
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS25411STRPBF IRS25411STRPBF INFINEON IRSDS13477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRS25411STRPBF - LED-Treiber, Buck (Abwärts), 1 Ausgang, 8V bis 16.6Vin, 500kHz, 16.6V/700mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 16.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 16.6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 700mA
Eingangsspannung, min.: 8V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+206.34 грн
10+153.87 грн
50+140.53 грн
100+116.45 грн
250+102.16 грн
500+98.34 грн
1000+87.67 грн
2500+86.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2181STRPBF IRS2181STRPBF INFINEON 844875.pdf Description: INFINEON - IRS2181STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung,1.4Aout, 220ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.98 грн
10+112.96 грн
50+102.28 грн
100+85.07 грн
250+73.80 грн
500+70.67 грн
1000+68.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2453DSTRPBF IRS2453DSTRPBF INFINEON 2331695.pdf Description: INFINEON - IRS2453DSTRPBF - MOSFET-Treiber, Vollbrücke, 10V-16.6V Versorgung, 180mA/260mAout, 15.6V Sperrspannung, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 260mA
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Quellstrom: 180mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 16.6V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+144.08 грн
10+105.84 грн
50+96.95 грн
100+79.62 грн
250+69.15 грн
500+66.55 грн
1000+64.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRSM836-084MA IRSM836-084MA INFINEON Infineon-IRSM836-084MA-DataSheet-vNA-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153567f2ba0289c Description: INFINEON - IRSM836-084MA - Motortreiber / Motorsteuerung, AC-Drehstrommotor, 11.5V-18.5V, 250V/7A/3 Ausgänge, PQFN-39
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: No
IPM-Baureihe: CIPOS Nano
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 1.5
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 7
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 250
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: PQFN
Produktpalette: CIPOS Nano
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRSM005-301MH IRSM005-301MH INFINEON 3187053.pdf Description: INFINEON - IRSM005-301MH - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 100V Drain-Source, 30Aout, Verzögerung 160ns In/150ns Out, PQFN-28
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Nano
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: -
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 30A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 100V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: PQFN
Produktpalette: CIPOS Nano Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+258.82 грн
10+193.89 грн
25+178.77 грн
50+157.74 грн
100+137.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRSM808-204MH IRSM808-204MH INFINEON Infineon-IRSM808-204MH-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153567f1a5c2898 Description: INFINEON - IRSM808-204MH - Motortreiber / Motorsteuerung, Halbbrücke, 7.4V-9.8V, 250V/20A/1 Ausgang, PQFN-32
tariffCode: 85423911
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Nano
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 20A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 250V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: PQFN
Produktpalette: CIPOS Nano
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+274.83 грн
10+209.01 грн
25+192.11 грн
50+164.35 грн
100+137.22 грн
500+128.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLE62513GXUMA2 2849715.pdf
TLE62513GXUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE62513GXUMA2 - CAN-Schnittstelle, CAN-Transceiver, 1 Mbaud, 5.5 V, 18 V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 1Mbaud
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-Transceiver
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+194.78 грн
10+177.88 грн
25+175.21 грн
50+142.05 грн
100+111.30 грн
250+109.02 грн
500+106.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLE62512GXUMA3 2820313.pdf
TLE62512GXUMA3
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE62512GXUMA3 - CAN-Schnittstelle, CAN-Transceiver, 1 Mbaud, 5.5 V, 18 V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 1Mbaud
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: CAN
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der RX-Puffer: -
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-Transceiver
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der TX-Puffer: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+131.89 грн
250+125.79 грн
500+121.21 грн
1000+119.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE62512GXUMA3 2820313.pdf
TLE62512GXUMA3
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE62512GXUMA3 - CAN-Schnittstelle, CAN-Transceiver, 1 Mbaud, 5.5 V, 18 V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 1Mbaud
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-Transceiver
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+250.81 грн
10+188.56 грн
25+171.66 грн
50+151.14 грн
100+131.89 грн
250+125.79 грн
500+121.21 грн
1000+119.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C199D-10VXIT INFN-S-A0011134665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY7C199D-10VXIT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C199D-10VXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, SOJ, 28 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 256Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+226.80 грн
10+211.68 грн
25+205.45 грн
50+184.17 грн
100+163.91 грн
250+160.09 грн
500+157.81 грн
1000+151.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
6ED003L02F2XUMA1 INFNS19532-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
6ED003L02F2XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 6ED003L02F2XUMA1 - IGBT-Treiber, Vollbrücke, 240mA, 13V bis 17.5V, TSSOP-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 13V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17.5V
Eingabeverzögerung: 530ns
Ausgabeverzögerung: 490ns
Betriebstemperatur, max.: 95°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+229.47 грн
10+205.45 грн
25+182.33 грн
100+147.83 грн
500+122.74 грн
1000+102.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
6EDL04I06NTXUMA1 INFN-S-A0002785736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
6EDL04I06NTXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 6EDL04I06NTXUMA1 - IGBT-Treiber, Vollbrücke, 420mA, 13V bis 17.5V Versorgungsspannung, 530ns/490ns Verzögerung, SOIC-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 13V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 17.5V
Eingabeverzögerung: 530ns
Ausgabeverzögerung: 490ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+193.00 грн
10+162.76 грн
25+153.87 грн
50+131.32 грн
100+113.59 грн
250+109.78 грн
500+107.49 грн
1000+96.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
6EDL04N02PRXUMA1 INFN-S-A0002785736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
6EDL04N02PRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 6EDL04N02PRXUMA1 - IGBT-Treiber, Vollbrücke, 375mA, 10V-17.5V Versorgungsspannung, 530ns/530ns Verzögerung, TSSOP-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: Advanced Smart Rectifier Series
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 17.5V
Eingabeverzögerung: 530ns
Ausgabeverzögerung: 530ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+246.37 грн
10+201.90 грн
25+180.55 грн
50+161.87 грн
100+143.32 грн
250+135.70 грн
500+131.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
6EDL04I06PTXUMA1 INFN-S-A0002785736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
6EDL04I06PTXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 6EDL04I06PTXUMA1 - IGBT-Treiber, Vollbrücke, 375mA, 13V bis 17.5V Versorgungsspannung, 530ns/490ns Verzögerung, SOIC-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 13V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 17.5V
Eingabeverzögerung: 530ns
Ausgabeverzögerung: 490ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+281.05 грн
10+210.79 грн
25+193.89 грн
50+170.96 грн
100+149.42 грн
250+141.80 грн
500+136.46 грн
1000+132.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
6EDL04N06PTXUMA1 INFN-S-A0016753767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
6EDL04N06PTXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 6EDL04N06PTXUMA1 - IGBT-Treiber, Vollbrücke, 375mA, 10V bis 17.5V Versorgungsspannung, 530ns/530ns Verzögerung, SOIC-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 17.5V
Eingabeverzögerung: 530ns
Ausgabeverzögerung: 530ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+253.48 грн
10+189.44 грн
25+174.32 грн
50+148.66 грн
100+122.74 грн
250+117.40 грн
500+112.07 грн
1000+108.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-212023-10 download
CYBLE-212023-10
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYBLE-212023-10 - PROC™-Modul, Bluetooth® v4.1 Low Energy (BLE)-Wireless-Lösung, 1MB/s, 1.8V bis 5.5V
tariffCode: 85176200
Empfangsempfindlichkeit: -87dBm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth 4.1
Bluetooth-Klasse: -
usEccn: EAR99
Signalbereich, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: PROC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+431.49 грн
250+410.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-212020-EVAL 3812099.pdf
CYBLE-212020-EVAL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYBLE-212020-EVAL - Evaluationsboard, CYBLE-212020-01, Bluetooth Low Energy-Modul, SoC, Wireless-Kommunikation
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYBLE-212020-01
Kit-Anwendungsbereich: Drahtlose Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard, BLE-Modul CYBLE-212020-01
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy, SoC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1382.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03MSGATMA1 Infineon-BSC030N03MSG-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de605dea0359
BSC030N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC030N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+59.86 грн
16+58.61 грн
100+43.76 грн
500+37.50 грн
1000+31.79 грн
5000+28.89 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7230RAUMA1 Infineon-TLE7230R-DS-v03_04-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa2e2c9520f8a
TLE7230RAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE7230RAUMA1 - Leistungsschalter, Smart Power-Technologie, Low-Side, 8 Ausgänge, 2A, SOIC-36
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.8ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 2A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 6V
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+772.90 грн
10+579.01 грн
25+552.32 грн
50+479.01 грн
100+410.91 грн
250+392.61 грн
500+357.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FF150R12RT4HOSA1 INFNS28347-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FF150R12RT4HOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF150R12RT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 150 A, 1.75 V, 790 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 150A
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 790W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 790W
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 150A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6548.74 грн
5+6126.27 грн
10+5702.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF100R12RT4HOSA1 INFNS28333-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FF100R12RT4HOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF100R12RT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 100 A, 1.75 V, 555 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 555W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 555W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9444.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W1M1B11BOMA1 INFN-S-A0003257861-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FF11MR12W1M1B11BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF11MR12W1M1B11BOMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EasyDual-Modul, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.011 ohm, Module
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: CoolSic
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+13711.17 грн
5+12841.33 грн
10+12584.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W1M1B70BPSA1 3208410.pdf
FF11MR12W1M1B70BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF11MR12W1M1B70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, Module
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 18
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0113
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+19451.44 грн
5+19062.76 грн
10+18673.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1500R17IP5PBPSA1 INFN-S-A0006623471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FF1500R17IP5PBPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF1500R17IP5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.5 kA, 1.75 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 1.5kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: PrimePACK 3+B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 1.5kA
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1500R17IP5BPSA1 INFN-S-A0003614494-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FF1500R17IP5BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF1500R17IP5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.5 kA, 1.75 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 1.5kA
Produktpalette: PrimePACK 3+B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 1.5kA
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+52576.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1800R23IE7BPSA1 3811998.pdf
FF1800R23IE7BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF1800R23IE7BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.8 kA, 1.8 V, 20 mW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 1.8kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: PrimePACK 3+B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.3kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+107974.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1800R23IE7PBPSA1 3812000.pdf
FF1800R23IE7PBPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF1800R23IE7PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.8 kA, 1.8 V, 20 mW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 1.8kA
Produktpalette: PrimePACK 3+B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.3kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+123361.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS409L1E3062ABUMA1 2334167.pdf
BTS409L1E3062ABUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS409L1E3062ABUMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 43V, 4A, TO-263-5
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.16ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 4A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 43V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+303.29 грн
10+230.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BTS409L1E3062ABUMA1 2334167.pdf
BTS409L1E3062ABUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS409L1E3062ABUMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 43V, 4A, TO-263-5
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.16ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 4A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 43V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8311TRPBF INFN-S-A0012814049-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH8311TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8311TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1700 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+106.73 грн
13+70.62 грн
100+53.54 грн
500+40.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBF INFN-S-A0012813463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH8318TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8318TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0031 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+28.99 грн
32+28.02 грн
100+27.13 грн
500+24.28 грн
1000+21.27 грн
5000+18.68 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5250TRPBF INFN-S-A0011703006-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5250TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5250TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+114.73 грн
10+89.83 грн
100+66.71 грн
500+56.74 грн
1000+52.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7787TRPBF 2354736.pdf
IRFH7787TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7787TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 68 A, 6600 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+180.55 грн
10+115.62 грн
100+80.22 грн
500+57.73 грн
1000+44.52 грн
5000+41.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830TRPBF 2332322.pdf
IRFHM830TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHM830TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3800 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+45.45 грн
22+41.62 грн
100+37.53 грн
500+26.59 грн
1000+22.95 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4253DTRPBF irfh4253dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a847c1e8e
IRFH4253DTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH4253DTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 25 V, 145 A, 0.0011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: FastIRFET HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+162.76 грн
10+112.96 грн
100+81.56 грн
500+71.11 грн
1000+61.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7787TRPBF 2354736.pdf
IRFH7787TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7787TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 68 A, 0.0066 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+94.15 грн
1000+71.74 грн
5000+56.49 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5304TRPBF INFN-S-A0012490484-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5304TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5304TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 79 A, 0.0038 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 46
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.08 грн
500+41.46 грн
1000+28.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4253DTRPBF irfh4253dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a847c1e8e
IRFH4253DTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH4253DTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 25 V, 145 A, 0.0011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: FastIRFET HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+81.56 грн
500+71.11 грн
1000+61.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5250DTRPBF IRSD-S-A0001030640-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irfh5250dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b25601eb6
IRFH5250DTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5250DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1400 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+75.42 грн
100+73.29 грн
500+66.15 грн
1000+59.84 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8311TRPBF INFN-S-A0012814049-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH8311TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8311TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1700 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+53.54 грн
500+40.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8325TRPBF INFN-S-A0012813168-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH8325TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8325TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 0.0041 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.95 грн
500+24.03 грн
1000+18.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9351TRPBF INFN-S-A0012838316-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFHS9351TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHS9351TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.96 грн
250+33.62 грн
1000+19.16 грн
2000+17.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2103STRPBF 683717.pdf
IRS2103STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2103STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 130mA /270mAout, 680ns/150ns Ein/Aus, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2103STRPBF 683717.pdf
IRS2103STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2103STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 130mA /270mAout, 680ns/150ns Ein/Aus, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+90.72 грн
14+65.37 грн
50+59.06 грн
100+48.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1 2820326.pdf
IMW120R045M1XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1262.96 грн
5+1119.77 грн
10+976.57 грн
50+845.70 грн
100+724.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF INFN-S-A0012838658-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB4020PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4020PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+144.08 грн
20+44.92 грн
100+44.83 грн
500+40.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 INFNS15817-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD031N06L3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0031 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+150.31 грн
50+118.29 грн
100+108.51 грн
500+97.45 грн
1000+85.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 INFNS15817-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD031N06L3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+130.74 грн
500+98.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF description INFN-S-A0012837744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB4019PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4019PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 17 A, 0.095 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+143.20 грн
15+60.30 грн
100+50.61 грн
500+46.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF INFN-S-A0012838264-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB4620PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.0725 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0725ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+176.99 грн
10+100.50 грн
100+99.61 грн
500+77.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1 INFN-S-A0002815953-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD70R600P7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+46.07 грн
50+39.49 грн
100+30.68 грн
500+24.78 грн
1000+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IR2183STRPBF 133039.pdf
IR2183STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2183STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgungsspannung, 2.3Aout, 220ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+110.29 грн
500+94.98 грн
1000+84.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IR2108STRPBF description INFN-S-A0008993572-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR2108STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2108STRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+62.77 грн
250+54.81 грн
500+52.91 грн
1000+50.47 грн
2500+47.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IR2108STRPBF description INFN-S-A0008993572-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR2108STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2108STRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+106.73 грн
12+80.49 грн
50+73.82 грн
100+62.77 грн
250+54.81 грн
500+52.91 грн
1000+50.47 грн
2500+47.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SPD15P10PGBTMA1 SPD_P15P10P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42aa02743bc
SPD15P10PGBTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD15P10PGBTMA1 - HF-FET-Transistor, -100 V, -15 A, 128 W, TO-252
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: -
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+169.88 грн
10+114.73 грн
100+80.67 грн
500+59.71 грн
1000+52.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5014S16DXUMA1 INFN-S-A0006155622-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE5014S16DXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE5014S16DXUMA1 - GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance), Winkelsensor, 4.2V bis 5.5V Versorgungsspannung, TDSO-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Winkelsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Magnetfeld, max.: 0.08T
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
Sensorgehäuse/-bauform: TDSO
Magnetoresistiver Sensor: Winkelsensor
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: TDSO
euEccn: NLR
Magnetfeld, min.: 0.025T
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+583.45 грн
25+547.88 грн
50+448.45 грн
100+395.66 грн
250+383.46 грн
500+370.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60TFKSA1 INFN-S-A0001299596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IKW20N60TFKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW20N60TFKSA1 - IGBT, 41 A, 1.5 V, 166 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 41A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+307.74 грн
10+174.32 грн
100+141.42 грн
500+121.40 грн
1000+102.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BC846PNH6327XTSA1 INFNS17145-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC846PNH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BC846PNH6327XTSA1 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 65 V, 65 V, 100 mA, 100 mA, 250 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 250MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 250mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BC846PN Series
Verlustleistung, NPN: 250mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+29.08 грн
50+17.79 грн
100+11.21 грн
500+7.70 грн
1500+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7503TRPBF INFN-S-A0002542222-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7503TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7503TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.95 грн
250+25.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7580MTRPBF INFN-S-A0012826543-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7580MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7580MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 114 A, 0.0029 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 96
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+66.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS25411STRPBF IRSDS13477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRS25411STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS25411STRPBF - LED-Treiber, Buck (Abwärts), 1 Ausgang, 8V bis 16.6Vin, 500kHz, 16.6V/700mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 16.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 16.6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 700mA
Eingangsspannung, min.: 8V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+206.34 грн
10+153.87 грн
50+140.53 грн
100+116.45 грн
250+102.16 грн
500+98.34 грн
1000+87.67 грн
2500+86.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2181STRPBF 844875.pdf
IRS2181STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2181STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung,1.4Aout, 220ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+152.98 грн
10+112.96 грн
50+102.28 грн
100+85.07 грн
250+73.80 грн
500+70.67 грн
1000+68.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2453DSTRPBF 2331695.pdf
IRS2453DSTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2453DSTRPBF - MOSFET-Treiber, Vollbrücke, 10V-16.6V Versorgung, 180mA/260mAout, 15.6V Sperrspannung, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 260mA
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Quellstrom: 180mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 16.6V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+144.08 грн
10+105.84 грн
50+96.95 грн
100+79.62 грн
250+69.15 грн
500+66.55 грн
1000+64.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRSM836-084MA Infineon-IRSM836-084MA-DataSheet-vNA-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153567f2ba0289c
IRSM836-084MA
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRSM836-084MA - Motortreiber / Motorsteuerung, AC-Drehstrommotor, 11.5V-18.5V, 250V/7A/3 Ausgänge, PQFN-39
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: No
IPM-Baureihe: CIPOS Nano
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 1.5
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 7
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 250
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: PQFN
Produktpalette: CIPOS Nano
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRSM005-301MH 3187053.pdf
IRSM005-301MH
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRSM005-301MH - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 100V Drain-Source, 30Aout, Verzögerung 160ns In/150ns Out, PQFN-28
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Nano
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: -
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 30A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 100V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: PQFN
Produktpalette: CIPOS Nano Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+258.82 грн
10+193.89 грн
25+178.77 грн
50+157.74 грн
100+137.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRSM808-204MH Infineon-IRSM808-204MH-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153567f1a5c2898
IRSM808-204MH
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRSM808-204MH - Motortreiber / Motorsteuerung, Halbbrücke, 7.4V-9.8V, 250V/20A/1 Ausgang, PQFN-32
tariffCode: 85423911
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Nano
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 20A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 250V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: PQFN
Produktpalette: CIPOS Nano
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+274.83 грн
10+209.01 грн
25+192.11 грн
50+164.35 грн
100+137.22 грн
500+128.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 297 298 299 300 301 302 303 304 305 306 307 344 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]