Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25950) > Сторінка 307 з 433

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 302 303 304 305 306 307 308 309 310 311 312 344 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 INFINEON INFN-S-A0001535081-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.42 грн
500+28.08 грн
1000+21.96 грн
5000+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 INFINEON INFN-S-A0001535081-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.83 грн
20+45.27 грн
100+34.42 грн
500+28.08 грн
1000+21.96 грн
5000+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099C6FKSA1 IPW60R099C6FKSA1 INFINEON INFN-S-A0004583373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R099C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.09 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+526.53 грн
10+524.75 грн
100+293.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190E6FKSA1 IPW60R190E6FKSA1 INFINEON INFN-S-A0003614948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R190E6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS E6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+322.86 грн
10+241.92 грн
100+195.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1 IPZ60R040C7XKSA1 INFINEON INFN-S-A0001044003-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPZ60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+748.00 грн
5+598.57 грн
10+448.26 грн
50+383.21 грн
100+333.15 грн
250+326.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360CFD7XKSA1 IPP60R360CFD7XKSA1 INFINEON INFN-S-A0009651156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP60R360CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.295 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+154.76 грн
10+131.63 грн
100+105.84 грн
500+65.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GATMA1 IPD042P03L3GATMA1 INFINEON INFNS30148-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD042P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 70 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+174.32 грн
50+112.07 грн
100+87.78 грн
500+65.08 грн
1000+58.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GATMA1 IPD042P03L3GATMA1 INFINEON INFNS30148-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD042P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 70 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+87.78 грн
500+65.08 грн
1000+58.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2184STRPBF IRS2184STRPBF INFINEON INFN-S-A0008740685-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRS2184STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgungsspannung, 1.8Aout, 270ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 270ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.09 грн
10+112.07 грн
50+100.50 грн
100+84.24 грн
250+73.64 грн
500+70.52 грн
1000+68.23 грн
2500+67.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21844STRPBF IRS21844STRPBF INFINEON INFN-S-A0008740685-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRS21844STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 1.4Aout, 270ns Verzögerung, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 270ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.33 грн
10+135.19 грн
50+122.74 грн
100+101.58 грн
250+88.43 грн
500+86.15 грн
1000+83.10 грн
2500+79.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21844STRPBF IRS21844STRPBF INFINEON INFN-S-A0008740685-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRS21844STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 1.4Aout, 270ns Verzögerung, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 270ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.58 грн
250+88.43 грн
500+86.15 грн
1000+83.10 грн
2500+79.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2184STRPBF IRS2184STRPBF INFINEON INFN-S-A0008740685-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRS2184STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgungsspannung, 1.8Aout, 270ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 270ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.24 грн
250+73.64 грн
500+70.52 грн
1000+68.23 грн
2500+67.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2101STRPBF IRS2101STRPBF INFINEON 667411.pdf Description: INFINEON - IRS2101STRPBF - MOSFET-Treiber High-Side & Low-Side, 10-20V Versorgungsspannung, 270mAout, 150ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 160ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+91.61 грн
14+65.73 грн
50+59.41 грн
100+48.64 грн
250+42.08 грн
500+40.33 грн
1000+37.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS8342TRPBF IRFTS8342TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838070-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFTS8342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.2 A, 0.019 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+33.80 грн
42+21.52 грн
100+14.14 грн
500+11.98 грн
1000+10.83 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R600P7ATMA1 IPD80R600P7ATMA1 INFINEON 2327424.pdf Description: INFINEON - IPD80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+168.10 грн
50+118.29 грн
100+80.05 грн
500+59.38 грн
1000+50.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R600P7ATMA1 IPD80R600P7ATMA1 INFINEON 2327424.pdf Description: INFINEON - IPD80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.05 грн
500+59.38 грн
1000+50.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R160C6XKSA1 IPA60R160C6XKSA1 INFINEON INFN-S-A0004583452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA60R160C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.14 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 34W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+419.80 грн
10+337.98 грн
25+307.74 грн
100+256.85 грн
500+202.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA600N25NM3SXKSA1 IPA600N25NM3SXKSA1 INFINEON 3154674.pdf Description: INFINEON - IPA600N25NM3SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15 A, 0.049 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+271.27 грн
10+136.97 грн
100+123.63 грн
500+85.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803STRLPBF IRL3803STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838518-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRL3803STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 140 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+202.79 грн
10+150.31 грн
100+119.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ISO1I811TXUMA1 ISO1I811TXUMA1 INFINEON 2254317.pdf Description: INFINEON - ISO1I811TXUMA1 - Leistungsschalter, elektrisch isoliert, 8 Bit, High-Side, Active-Low, 8 Ausgänge, 5.5V, TSSOP-48
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: -
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Nein
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Strombegrenzung: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+491.84 грн
10+377.11 грн
25+348.65 грн
50+306.40 грн
100+266.82 грн
250+254.63 грн
500+247.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISO1I811TXUMA1 ISO1I811TXUMA1 INFINEON 2254317.pdf Description: INFINEON - ISO1I811TXUMA1 - Leistungsschalter, elektrisch isoliert, 8 Bit, High-Side, Active-Low, 8 Ausgänge, 5.5V, TSSOP-48
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: -
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Nein
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Strombegrenzung: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+266.82 грн
250+254.63 грн
500+247.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1 IKD06N60RATMA1 INFINEON INFN-S-A0004163179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKD06N60RATMA1 - IGBT, 6 A, 2.1 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+107.62 грн
14+67.15 грн
100+44.38 грн
500+32.70 грн
1000+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DF23MR12W1M1B11BPSA1 DF23MR12W1M1B11BPSA1 INFINEON 2723110.pdf Description: INFINEON - DF23MR12W1M1B11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, Modul
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: EasyPACK CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4474.63 грн
5+4473.74 грн
10+4472.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF23MR12W1M1PB11BPSA1 DF23MR12W1M1PB11BPSA1 INFINEON 3154625.pdf Description: INFINEON - DF23MR12W1M1PB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, Module
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: EasyPACK CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4259.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF INFINEON IRSDS09456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8736TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 4800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.55 грн
500+26.35 грн
1000+22.03 грн
5000+17.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTN8962TAAUMA1 BTN8962TAAUMA1 INFINEON BTN8962TA-Data-Sheet-rev10-Infineon.pdf?folderId=db3a30431ff98815012060aedcd46179&fileId=db3a30433fa9412f013fbe2d247a7bf5&ack=t Description: INFINEON - BTN8962TAAUMA1 - Motortreiber, Halbbrücke, 8V bis 18V Versorgungsspannung, 42A/1 Ausgang, TO-263-7
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Halbbrücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 42A
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+251.58 грн
250+239.38 грн
500+232.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTN8962TAAUMA1 BTN8962TAAUMA1 INFINEON BTN8962TA-Data-Sheet-rev10-Infineon.pdf?folderId=db3a30431ff98815012060aedcd46179&fileId=db3a30433fa9412f013fbe2d247a7bf5&ack=t Description: INFINEON - BTN8962TAAUMA1 - Motortreiber, Halbbrücke, 8V bis 18V Versorgungsspannung, 42A/1 Ausgang, TO-263-7
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Halbbrücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 42A
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+458.94 грн
10+351.32 грн
25+323.75 грн
50+286.58 грн
100+251.58 грн
250+239.38 грн
500+232.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1 BSZ100N06NSATMA1 INFINEON INFNS28724-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ100N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+101.39 грн
14+65.02 грн
100+47.05 грн
500+35.43 грн
1000+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1 BSZ100N06NSATMA1 INFINEON INFNS28724-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ100N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.05 грн
500+35.43 грн
1000+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 INFINEON INFNS16957-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB60R099CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+512.30 грн
10+424.25 грн
100+317.52 грн
500+259.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPAATMA1 IPB60R099CPAATMA1 INFINEON 2820328.pdf Description: INFINEON - IPB60R099CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 255W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+264.54 грн
250+258.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPAATMA1 IPB60R099CPAATMA1 INFINEON 2820328.pdf Description: INFINEON - IPB60R099CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+462.49 грн
5+392.23 грн
10+321.08 грн
50+292.36 грн
100+264.54 грн
250+258.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 INFINEON INFNS16957-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB60R099CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+424.25 грн
100+317.52 грн
500+259.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099P7ATMA1 IPB60R099P7ATMA1 INFINEON INFN-S-A0003823382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB60R099P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+303.29 грн
10+228.58 грн
100+174.32 грн
500+123.06 грн
1000+110.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRMCK099M IRMCK099M INFINEON INFN-S-A0002542735-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRMCK099M - Motortreiber / Motorsteuerung, AC-Drehstrommotor, 3V-3.6Vsupp, I2C-Schnittstelle, 1 Ausgang, QFN-32
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: Drehstrommotor (AC)
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: QFN
Anzahl der Pins: 32
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PVI5033RSPBF PVI5033RSPBF INFINEON INFN-S-A0008993622-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - PVI5033RSPBF - Optokoppler, 2 Kanäle, DIP, 8 Pin(s), 3.75 kV, PVI Series
tariffCode: 85414900
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: PVI Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1077.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PVI5033RPBF PVI5033RPBF INFINEON INFN-S-A0008993622-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - PVI5033RPBF - Optokoppler, 2 Kanäle, DIP, 8 Pin(s), 3.75 kV
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+645.71 грн
5+643.93 грн
10+642.16 грн
50+500.48 грн
100+461.22 грн
250+460.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CKIT-062S2-43012 CY8CKIT-062S2-43012 INFINEON 2920148.pdf Description: INFINEON - CY8CKIT-062S2-43012 - Evaluationsboard, 32 Bit PSoC 6 Arm Cortex-M4/M0+ Mikrocontroller, CY8C624ABZI-S2D44/CYW43012
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: PSoC 62S2 Wi-Fi BT Pioneer-Board, USB-Kabel Typ A/Micro-B, Überbrückungsdrähte, Kurzanleitung
Prozessorhersteller: Cypress
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M4F
usEccn: 5A992.c
Prozessorfamilie: PSoC 6
euEccn: NLR
Prozessorkern: CY8C624ABZI-S2D44, CYW43012
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10206.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.53 грн
10+98.72 грн
50+84.23 грн
100+64.75 грн
250+58.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S3L12ATMA1 IPD70N10S3L12ATMA1 INFINEON Infineon-IPD70N10S3L-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043183a955501188996d3f9675c&ack=t Description: INFINEON - IPD70N10S3L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0115 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.66 грн
50+128.08 грн
100+99.61 грн
500+77.30 грн
1000+67.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S3L12ATMA1 IPD70N10S3L12ATMA1 INFINEON Infineon-IPD70N10S3L-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043183a955501188996d3f9675c&ack=t Description: INFINEON - IPD70N10S3L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0115 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.61 грн
500+77.30 грн
1000+67.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SPA16N50C3XKSA1 SPA16N50C3XKSA1 INFINEON SPP_I_A16N50C3_Rev[1].3.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637e7be4f0060&fileId=db3a3043163797a6011637e882e70061 Description: INFINEON - SPA16N50C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 560 V, 16 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 560V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+295.28 грн
10+220.57 грн
100+178.77 грн
500+152.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2104STRPBF IRS2104STRPBF INFINEON INFN-S-A0008597376-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRS2104STRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.25 грн
250+41.70 грн
500+40.63 грн
1000+37.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2104STRPBF IRS2104STRPBF INFINEON INFN-S-A0008597376-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRS2104STRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+86.98 грн
15+62.61 грн
50+55.94 грн
100+46.25 грн
250+41.70 грн
500+40.63 грн
1000+37.43 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPA040N06NM5SXKSA1 IPA040N06NM5SXKSA1 INFINEON 3154666.pdf Description: INFINEON - IPA040N06NM5SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 72 A, 0.0036 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36
Bauform - Transistor: TO-220FP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.65 грн
10+139.64 грн
100+112.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12W2T4BOMA1 FS75R12W2T4BOMA1 INFINEON 2849609.pdf Description: INFINEON - FS75R12W2T4BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 75 A, 1.85 V, 375 W, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 75A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 375W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6714.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF75R12RT4HOSA1 FF75R12RT4HOSA1 INFINEON INFNS28427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF75R12RT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 75 A, 1.85 V, 395 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 75A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 395W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7695.19 грн
5+7273.61 грн
10+6852.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R028G7XTMA1 IPT60R028G7XTMA1 INFINEON 3978393.pdf Description: INFINEON - IPT60R028G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 75 A, 0.028 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS G7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+1095.76 грн
50+806.70 грн
100+727.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R028G7XTMA1 IPT60R028G7XTMA1 INFINEON 3978393.pdf Description: INFINEON - IPT60R028G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 75 A, 0.028 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS G7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1117.10 грн
50+809.36 грн
100+701.75 грн
500+645.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R033G7XTMA1 IPT65R033G7XTMA1 INFINEON INFN-S-A0002943027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT65R033G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.029 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7 Gold Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+904.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4929CXANM28HAMA1 TLE4929CXANM28HAMA1 INFINEON 3919304.pdf Description: INFINEON - TLE4929CXANM28HAMA1 - Hall-Effekt-Sensor, PG-SSO-3-52, 3 Pin(s), 4 V, 16 V, -40 °C
tariffCode: 90318080
Hall-Effekt-Typ: Richtungserkennungssensor
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 15mA
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4V
Sensorgehäuse/-bauform: PG-SSO-3-52
Bauform - Sensor: PG-SSO-3-52
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 16V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+190.33 грн
10+169.88 грн
25+163.65 грн
50+147.01 грн
100+130.36 грн
250+125.03 грн
500+120.45 грн
1000+107.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FP10R12W1T4B11BOMA1 FP10R12W1T4B11BOMA1 INFINEON 2849607.pdf Description: INFINEON - FP10R12W1T4B11BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 10 A, 1.85 V, 105 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 10A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2906.60 грн
5+2432.54 грн
10+1958.48 грн
50+1782.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP10R12W1T4B3BOMA1 FP10R12W1T4B3BOMA1 INFINEON Infineon-FP10R12W1T4_B3-DS-v02_04-en_de.pdf?fileId=db3a304313b8b5a60113ceb78f4402b5 Description: INFINEON - FP10R12W1T4B3BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.85 V, 105 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 20A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPIM Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 20A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3031.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP10R12W1T4BOMA1 FP10R12W1T4BOMA1 INFINEON Infineon-FP10R12W1T4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043163797a6011638990fd0016c Description: INFINEON - FP10R12W1T4BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.85 V, 105 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 20A
Produktpalette: EasyPIM 1B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 20A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3102.27 грн
5+2602.42 грн
10+2101.68 грн
50+1912.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP10R12W1T4PB11BPSA1 FP10R12W1T4PB11BPSA1 INFINEON 2718698.pdf Description: INFINEON - FP10R12W1T4PB11BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 10 A, 1.85 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 10A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 23Pin(s)
Produktpalette: EasyPIM
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2501.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR3883MTRPBF IR3883MTRPBF INFINEON 2718725.pdf Description: INFINEON - IR3883MTRPBF - DC/DC-Abwärtsregler (Buck), einstellbar, 4.5V bis 5.5Vin, 0.5V bis 5V/3Aout, 800kHz, PQFN-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 500mV
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 3A
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 800kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 3A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+123.63 грн
10+90.72 грн
50+81.74 грн
100+67.39 грн
250+58.40 грн
500+56.11 грн
1000+54.28 грн
2500+53.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7904TRPBF IRF7904TRPBF INFINEON IRSDS08120-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7904TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 0.0086 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0086ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0086ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 48596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.79 грн
500+40.72 грн
1000+29.43 грн
5000+27.52 грн
10000+26.30 грн
25000+26.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLS4125D0EPVXUMA1 TLS4125D0EPVXUMA1 INFINEON Infineon-TLS4125D0EPV-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e01710b60b6163b3f Description: INFINEON - TLS4125D0EPVXUMA1 - DC/DC-Abwärts-Schaltregler, einstellbar, 3.7V bis 35Vin, 3V bis 10V/2.5Aout, TSSOP-EP, 14 Pins
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 3V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.5A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 2.8MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 35V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 3.7V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 2.5A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+279.28 грн
10+278.39 грн
25+277.50 грн
50+256.85 грн
100+236.33 грн
250+235.57 грн
500+234.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLS4125D0EPVXUMA1 TLS4125D0EPVXUMA1 INFINEON Infineon-TLS4125D0EPV-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e01710b60b6163b3f Description: INFINEON - TLS4125D0EPVXUMA1 - DC/DC-Abwärts-Schaltregler, einstellbar, 3.7V bis 35Vin, 3V bis 10V/2.5Aout, TSSOP-EP, 14 Pins
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 3V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.5A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 2.8MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 35V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 3.7V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 2.5A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+236.33 грн
250+235.57 грн
500+234.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70E6327HTSA1 BAV70E6327HTSA1 INFINEON 2331320.pdf Description: INFINEON - BAV70E6327HTSA1 - Kleinsignaldiode, gemeinsame Kathode, 80V, 200mA, 1.25V, 4ns, 4.5A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV70
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 INFN-S-A0001535081-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC0902NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.42 грн
500+28.08 грн
1000+21.96 грн
5000+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 INFN-S-A0001535081-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC0902NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+89.83 грн
20+45.27 грн
100+34.42 грн
500+28.08 грн
1000+21.96 грн
5000+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099C6FKSA1 INFN-S-A0004583373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPW60R099C6FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R099C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.09 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+526.53 грн
10+524.75 грн
100+293.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190E6FKSA1 INFN-S-A0003614948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPW60R190E6FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R190E6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS E6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+322.86 грн
10+241.92 грн
100+195.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1 INFN-S-A0001044003-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPZ60R040C7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPZ60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+748.00 грн
5+598.57 грн
10+448.26 грн
50+383.21 грн
100+333.15 грн
250+326.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360CFD7XKSA1 INFN-S-A0009651156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP60R360CFD7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R360CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.295 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+154.76 грн
10+131.63 грн
100+105.84 грн
500+65.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GATMA1 INFNS30148-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD042P03L3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD042P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 70 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+174.32 грн
50+112.07 грн
100+87.78 грн
500+65.08 грн
1000+58.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GATMA1 INFNS30148-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD042P03L3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD042P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 70 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+87.78 грн
500+65.08 грн
1000+58.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2184STRPBF INFN-S-A0008740685-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRS2184STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2184STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgungsspannung, 1.8Aout, 270ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 270ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+152.09 грн
10+112.07 грн
50+100.50 грн
100+84.24 грн
250+73.64 грн
500+70.52 грн
1000+68.23 грн
2500+67.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21844STRPBF INFN-S-A0008740685-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRS21844STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS21844STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 1.4Aout, 270ns Verzögerung, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 270ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+182.33 грн
10+135.19 грн
50+122.74 грн
100+101.58 грн
250+88.43 грн
500+86.15 грн
1000+83.10 грн
2500+79.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21844STRPBF INFN-S-A0008740685-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRS21844STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS21844STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 1.4Aout, 270ns Verzögerung, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 270ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+101.58 грн
250+88.43 грн
500+86.15 грн
1000+83.10 грн
2500+79.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2184STRPBF INFN-S-A0008740685-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRS2184STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2184STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgungsspannung, 1.8Aout, 270ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 270ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+84.24 грн
250+73.64 грн
500+70.52 грн
1000+68.23 грн
2500+67.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2101STRPBF 667411.pdf
IRS2101STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2101STRPBF - MOSFET-Treiber High-Side & Low-Side, 10-20V Versorgungsspannung, 270mAout, 150ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 160ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+91.61 грн
14+65.73 грн
50+59.41 грн
100+48.64 грн
250+42.08 грн
500+40.33 грн
1000+37.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS8342TRPBF INFN-S-A0012838070-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFTS8342TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFTS8342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.2 A, 0.019 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+33.80 грн
42+21.52 грн
100+14.14 грн
500+11.98 грн
1000+10.83 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R600P7ATMA1 2327424.pdf
IPD80R600P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+168.10 грн
50+118.29 грн
100+80.05 грн
500+59.38 грн
1000+50.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R600P7ATMA1 2327424.pdf
IPD80R600P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+80.05 грн
500+59.38 грн
1000+50.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R160C6XKSA1 INFN-S-A0004583452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPA60R160C6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R160C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.14 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 34W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+419.80 грн
10+337.98 грн
25+307.74 грн
100+256.85 грн
500+202.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA600N25NM3SXKSA1 3154674.pdf
IPA600N25NM3SXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA600N25NM3SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15 A, 0.049 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+271.27 грн
10+136.97 грн
100+123.63 грн
500+85.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803STRLPBF description INFN-S-A0012838518-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL3803STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL3803STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 140 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+202.79 грн
10+150.31 грн
100+119.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ISO1I811TXUMA1 2254317.pdf
ISO1I811TXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISO1I811TXUMA1 - Leistungsschalter, elektrisch isoliert, 8 Bit, High-Side, Active-Low, 8 Ausgänge, 5.5V, TSSOP-48
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: -
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Nein
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Strombegrenzung: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+491.84 грн
10+377.11 грн
25+348.65 грн
50+306.40 грн
100+266.82 грн
250+254.63 грн
500+247.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISO1I811TXUMA1 2254317.pdf
ISO1I811TXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISO1I811TXUMA1 - Leistungsschalter, elektrisch isoliert, 8 Bit, High-Side, Active-Low, 8 Ausgänge, 5.5V, TSSOP-48
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: -
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Nein
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Strombegrenzung: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+266.82 грн
250+254.63 грн
500+247.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1 INFN-S-A0004163179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IKD06N60RATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKD06N60RATMA1 - IGBT, 6 A, 2.1 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+107.62 грн
14+67.15 грн
100+44.38 грн
500+32.70 грн
1000+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DF23MR12W1M1B11BPSA1 2723110.pdf
DF23MR12W1M1B11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DF23MR12W1M1B11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, Modul
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: EasyPACK CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4474.63 грн
5+4473.74 грн
10+4472.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF23MR12W1M1PB11BPSA1 3154625.pdf
DF23MR12W1M1PB11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DF23MR12W1M1PB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, Module
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: EasyPACK CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4259.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF IRSDS09456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF8736TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8736TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 4800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.55 грн
500+26.35 грн
1000+22.03 грн
5000+17.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTN8962TAAUMA1 BTN8962TA-Data-Sheet-rev10-Infineon.pdf?folderId=db3a30431ff98815012060aedcd46179&fileId=db3a30433fa9412f013fbe2d247a7bf5&ack=t
BTN8962TAAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTN8962TAAUMA1 - Motortreiber, Halbbrücke, 8V bis 18V Versorgungsspannung, 42A/1 Ausgang, TO-263-7
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Halbbrücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 42A
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+251.58 грн
250+239.38 грн
500+232.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTN8962TAAUMA1 BTN8962TA-Data-Sheet-rev10-Infineon.pdf?folderId=db3a30431ff98815012060aedcd46179&fileId=db3a30433fa9412f013fbe2d247a7bf5&ack=t
BTN8962TAAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTN8962TAAUMA1 - Motortreiber, Halbbrücke, 8V bis 18V Versorgungsspannung, 42A/1 Ausgang, TO-263-7
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Halbbrücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 42A
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+458.94 грн
10+351.32 грн
25+323.75 грн
50+286.58 грн
100+251.58 грн
250+239.38 грн
500+232.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1 INFNS28724-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ100N06NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ100N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+101.39 грн
14+65.02 грн
100+47.05 грн
500+35.43 грн
1000+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1 INFNS28724-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ100N06NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ100N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.05 грн
500+35.43 грн
1000+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1 INFNS16957-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB60R099CPATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R099CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+512.30 грн
10+424.25 грн
100+317.52 грн
500+259.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPAATMA1 2820328.pdf
IPB60R099CPAATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R099CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 255W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+264.54 грн
250+258.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPAATMA1 2820328.pdf
IPB60R099CPAATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R099CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+462.49 грн
5+392.23 грн
10+321.08 грн
50+292.36 грн
100+264.54 грн
250+258.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1 INFNS16957-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB60R099CPATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R099CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+424.25 грн
100+317.52 грн
500+259.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099P7ATMA1 INFN-S-A0003823382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB60R099P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R099P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+303.29 грн
10+228.58 грн
100+174.32 грн
500+123.06 грн
1000+110.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRMCK099M INFN-S-A0002542735-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRMCK099M
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRMCK099M - Motortreiber / Motorsteuerung, AC-Drehstrommotor, 3V-3.6Vsupp, I2C-Schnittstelle, 1 Ausgang, QFN-32
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: Drehstrommotor (AC)
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: QFN
Anzahl der Pins: 32
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+80.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PVI5033RSPBF INFN-S-A0008993622-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PVI5033RSPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PVI5033RSPBF - Optokoppler, 2 Kanäle, DIP, 8 Pin(s), 3.75 kV, PVI Series
tariffCode: 85414900
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: PVI Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1077.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PVI5033RPBF INFN-S-A0008993622-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PVI5033RPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PVI5033RPBF - Optokoppler, 2 Kanäle, DIP, 8 Pin(s), 3.75 kV
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+645.71 грн
5+643.93 грн
10+642.16 грн
50+500.48 грн
100+461.22 грн
250+460.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CKIT-062S2-43012 2920148.pdf
CY8CKIT-062S2-43012
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8CKIT-062S2-43012 - Evaluationsboard, 32 Bit PSoC 6 Arm Cortex-M4/M0+ Mikrocontroller, CY8C624ABZI-S2D44/CYW43012
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: PSoC 62S2 Wi-Fi BT Pioneer-Board, USB-Kabel Typ A/Micro-B, Überbrückungsdrähte, Kurzanleitung
Prozessorhersteller: Cypress
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M4F
usEccn: 5A992.c
Prozessorfamilie: PSoC 6
euEccn: NLR
Prozessorkern: CY8C624ABZI-S2D44, CYW43012
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10206.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF INFN-S-A0012838769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+148.53 грн
10+98.72 грн
50+84.23 грн
100+64.75 грн
250+58.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S3L12ATMA1 Infineon-IPD70N10S3L-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043183a955501188996d3f9675c&ack=t
IPD70N10S3L12ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70N10S3L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0115 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+179.66 грн
50+128.08 грн
100+99.61 грн
500+77.30 грн
1000+67.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S3L12ATMA1 Infineon-IPD70N10S3L-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043183a955501188996d3f9675c&ack=t
IPD70N10S3L12ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70N10S3L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0115 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+99.61 грн
500+77.30 грн
1000+67.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SPA16N50C3XKSA1 SPP_I_A16N50C3_Rev[1].3.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637e7be4f0060&fileId=db3a3043163797a6011637e882e70061
SPA16N50C3XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPA16N50C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 560 V, 16 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 560V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+295.28 грн
10+220.57 грн
100+178.77 грн
500+152.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2104STRPBF INFN-S-A0008597376-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRS2104STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2104STRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.25 грн
250+41.70 грн
500+40.63 грн
1000+37.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2104STRPBF INFN-S-A0008597376-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRS2104STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2104STRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+86.98 грн
15+62.61 грн
50+55.94 грн
100+46.25 грн
250+41.70 грн
500+40.63 грн
1000+37.43 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPA040N06NM5SXKSA1 3154666.pdf
IPA040N06NM5SXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA040N06NM5SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 72 A, 0.0036 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36
Bauform - Transistor: TO-220FP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+155.65 грн
10+139.64 грн
100+112.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12W2T4BOMA1 2849609.pdf
FS75R12W2T4BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS75R12W2T4BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 75 A, 1.85 V, 375 W, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 75A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 375W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6714.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF75R12RT4HOSA1 INFNS28427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FF75R12RT4HOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF75R12RT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 75 A, 1.85 V, 395 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 75A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 395W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7695.19 грн
5+7273.61 грн
10+6852.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R028G7XTMA1 3978393.pdf
IPT60R028G7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60R028G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 75 A, 0.028 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS G7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+1095.76 грн
50+806.70 грн
100+727.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R028G7XTMA1 3978393.pdf
IPT60R028G7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60R028G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 75 A, 0.028 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS G7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1117.10 грн
50+809.36 грн
100+701.75 грн
500+645.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R033G7XTMA1 INFN-S-A0002943027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPT65R033G7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT65R033G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.029 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7 Gold Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+904.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4929CXANM28HAMA1 3919304.pdf
TLE4929CXANM28HAMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4929CXANM28HAMA1 - Hall-Effekt-Sensor, PG-SSO-3-52, 3 Pin(s), 4 V, 16 V, -40 °C
tariffCode: 90318080
Hall-Effekt-Typ: Richtungserkennungssensor
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 15mA
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4V
Sensorgehäuse/-bauform: PG-SSO-3-52
Bauform - Sensor: PG-SSO-3-52
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 16V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+190.33 грн
10+169.88 грн
25+163.65 грн
50+147.01 грн
100+130.36 грн
250+125.03 грн
500+120.45 грн
1000+107.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FP10R12W1T4B11BOMA1 2849607.pdf
FP10R12W1T4B11BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP10R12W1T4B11BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 10 A, 1.85 V, 105 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 10A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2906.60 грн
5+2432.54 грн
10+1958.48 грн
50+1782.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP10R12W1T4B3BOMA1 Infineon-FP10R12W1T4_B3-DS-v02_04-en_de.pdf?fileId=db3a304313b8b5a60113ceb78f4402b5
FP10R12W1T4B3BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP10R12W1T4B3BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.85 V, 105 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 20A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPIM Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 20A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3031.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP10R12W1T4BOMA1 Infineon-FP10R12W1T4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043163797a6011638990fd0016c
FP10R12W1T4BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP10R12W1T4BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.85 V, 105 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 20A
Produktpalette: EasyPIM 1B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 20A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3102.27 грн
5+2602.42 грн
10+2101.68 грн
50+1912.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP10R12W1T4PB11BPSA1 2718698.pdf
FP10R12W1T4PB11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP10R12W1T4PB11BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 10 A, 1.85 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 10A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 23Pin(s)
Produktpalette: EasyPIM
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2501.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR3883MTRPBF 2718725.pdf
IR3883MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR3883MTRPBF - DC/DC-Abwärtsregler (Buck), einstellbar, 4.5V bis 5.5Vin, 0.5V bis 5V/3Aout, 800kHz, PQFN-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 500mV
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 3A
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 800kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 3A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+123.63 грн
10+90.72 грн
50+81.74 грн
100+67.39 грн
250+58.40 грн
500+56.11 грн
1000+54.28 грн
2500+53.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7904TRPBF IRSDS08120-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7904TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7904TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 0.0086 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0086ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0086ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 48596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.79 грн
500+40.72 грн
1000+29.43 грн
5000+27.52 грн
10000+26.30 грн
25000+26.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLS4125D0EPVXUMA1 Infineon-TLS4125D0EPV-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e01710b60b6163b3f
TLS4125D0EPVXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLS4125D0EPVXUMA1 - DC/DC-Abwärts-Schaltregler, einstellbar, 3.7V bis 35Vin, 3V bis 10V/2.5Aout, TSSOP-EP, 14 Pins
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 3V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.5A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 2.8MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 35V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 3.7V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 2.5A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+279.28 грн
10+278.39 грн
25+277.50 грн
50+256.85 грн
100+236.33 грн
250+235.57 грн
500+234.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLS4125D0EPVXUMA1 Infineon-TLS4125D0EPV-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e01710b60b6163b3f
TLS4125D0EPVXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLS4125D0EPVXUMA1 - DC/DC-Abwärts-Schaltregler, einstellbar, 3.7V bis 35Vin, 3V bis 10V/2.5Aout, TSSOP-EP, 14 Pins
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 3V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.5A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 2.8MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 35V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 3.7V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 2.5A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+236.33 грн
250+235.57 грн
500+234.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70E6327HTSA1 2331320.pdf
BAV70E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAV70E6327HTSA1 - Kleinsignaldiode, gemeinsame Kathode, 80V, 200mA, 1.25V, 4ns, 4.5A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV70
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 302 303 304 305 306 307 308 309 310 311 312 344 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]