Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25879) > Сторінка 307 з 432

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 302 303 304 305 306 307 308 309 310 311 312 344 387 430 432  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ICE2PCS05GXUMA1 ICE2PCS05GXUMA1 INFINEON 2354756.pdf Description: INFINEON - ICE2PCS05GXUMA1 - PFC-Controller, 10.4V-25V Versorgungsspannung, 450µA Anlaufstrom, 15mA Betriebsstrom, 250kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 315kHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: 250kHz
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 285kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10.4V
euEccn: NLR
Frequenzmodus: Variabel
PFC-Betriebsmodus: CCM - Continuous Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Strommittelwert
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.52 грн
14+65.07 грн
50+58.79 грн
100+48.28 грн
250+41.69 грн
500+39.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QS02GXUMA1 ICE2QS02GXUMA1 INFINEON 2290931.pdf Description: INFINEON - ICE2QS02GXUMA1 - PWM-Controller, quasi-resonant, 11V-25V Versorgung, 100ns Anstieg, 25ns Abfall, 10V/20mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: 20kHz
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: 11V
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Quasi-resonanter Regler
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 25V
Tastverhältnis, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Tastverhältnis, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.86 грн
250+53.64 грн
500+51.50 грн
1000+42.79 грн
2500+42.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS02GXUMA1 ICE2PCS02GXUMA1 INFINEON 2290928.pdf Description: INFINEON - ICE2PCS02GXUMA1 - PFC-Controller, 10.4V-25V Versorgung, 11V Lockout, 450µA Anlaufstrom, 10mA Betrieb, 65kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 70kHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: 58kHz
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 65kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10.4V
euEccn: NLR
Frequenzmodus: Fest
PFC-Betriebsmodus: CCM - Continuous Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Strommittelwert
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 25V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.17 грн
250+30.32 грн
500+29.07 грн
1000+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC28N08S5L230ATMA1 IAUC28N08S5L230ATMA1 INFINEON 3154646.pdf Description: INFINEON - IAUC28N08S5L230ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 28 A, 0.015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.58 грн
500+54.11 грн
1000+36.82 грн
5000+34.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC28N08S5L230ATMA1 IAUC28N08S5L230ATMA1 INFINEON 3154646.pdf Description: INFINEON - IAUC28N08S5L230ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 28 A, 0.015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.20 грн
10+96.40 грн
100+70.58 грн
500+54.11 грн
1000+36.82 грн
5000+34.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404STRLPBF IRL1404STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838629-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+129.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSTRLPBF IRF1010ZSTRLPBF INFINEON 1718465.pdf Description: INFINEON - IRF1010ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.96 грн
500+76.25 грн
1500+61.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012838684-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 2.8 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 INFINEON INFN-S-A0001535081-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.31 грн
500+27.18 грн
1000+21.25 грн
5000+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 INFINEON INFN-S-A0001535081-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.94 грн
20+43.81 грн
100+33.31 грн
500+27.18 грн
1000+21.25 грн
5000+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099C6FKSA1 IPW60R099C6FKSA1 INFINEON IPB60R099C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a30432313ff5e012394d25bd3069e Description: INFINEON - IPW60R099C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.09 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+506.99 грн
10+432.96 грн
100+277.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190E6FKSA1 IPW60R190E6FKSA1 INFINEON INFN-S-A0003614948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R190E6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS E6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+312.45 грн
10+234.13 грн
100+189.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1 IPZ60R040C7XKSA1 INFINEON INFN-S-A0001044003-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPZ60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+723.90 грн
5+579.29 грн
10+433.82 грн
50+370.86 грн
100+322.41 грн
250+315.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360CFD7XKSA1 IPP60R360CFD7XKSA1 INFINEON INFN-S-A0009651156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP60R360CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.295 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.77 грн
10+127.39 грн
100+102.43 грн
500+63.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GATMA1 IPD042P03L3GATMA1 INFINEON Infineon-IPD042P03L3_G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d90c8c6e60425 Description: INFINEON - IPD042P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 70 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+171.29 грн
50+111.90 грн
100+85.04 грн
500+63.06 грн
1000+56.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GATMA1 IPD042P03L3GATMA1 INFINEON Infineon-IPD042P03L3_G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d90c8c6e60425 Description: INFINEON - IPD042P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 70 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.04 грн
500+63.06 грн
1000+56.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2184STRPBF IRS2184STRPBF INFINEON INFN-S-A0008740685-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRS2184STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgungsspannung, 1.8Aout, 270ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 270ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.19 грн
10+108.46 грн
50+97.27 грн
100+81.53 грн
250+71.27 грн
500+68.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21844STRPBF IRS21844STRPBF INFINEON INFN-S-A0008740685-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRS21844STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 1.4Aout, 270ns Verzögerung, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 270ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+158.38 грн
10+121.37 грн
50+111.04 грн
100+93.51 грн
250+81.89 грн
500+78.94 грн
1000+75.99 грн
2500+72.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21844STRPBF IRS21844STRPBF INFINEON INFN-S-A0008740685-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRS21844STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 1.4Aout, 270ns Verzögerung, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 270ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+93.51 грн
250+81.89 грн
500+78.94 грн
1000+75.99 грн
2500+72.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2184STRPBF IRS2184STRPBF INFINEON INFN-S-A0008740685-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRS2184STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgungsspannung, 1.8Aout, 270ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 270ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+81.53 грн
250+71.27 грн
500+68.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2101STRPBF IRS2101STRPBF INFINEON 667411.pdf Description: INFINEON - IRS2101STRPBF - MOSFET-Treiber High-Side & Low-Side, 10-20V Versorgungsspannung, 270mAout, 150ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 160ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.66 грн
14+63.61 грн
50+57.50 грн
100+47.08 грн
250+40.73 грн
500+39.03 грн
1000+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS8342TRPBF IRFTS8342TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838070-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFTS8342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.2 A, 0.019 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+36.32 грн
38+22.98 грн
100+14.55 грн
500+13.27 грн
1000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R600P7ATMA1 IPD80R600P7ATMA1 INFINEON 2327424.pdf Description: INFINEON - IPD80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+162.68 грн
50+114.48 грн
100+77.47 грн
500+57.47 грн
1000+48.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R600P7ATMA1 IPD80R600P7ATMA1 INFINEON 2327424.pdf Description: INFINEON - IPD80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.47 грн
500+57.47 грн
1000+48.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R160C6XKSA1 IPA60R160C6XKSA1 INFINEON INFN-S-A0004583452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA60R160C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.14 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 34W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+406.28 грн
10+327.09 грн
25+297.82 грн
100+248.57 грн
500+195.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA600N25NM3SXKSA1 IPA600N25NM3SXKSA1 INFINEON Infineon-IPA600N25NM3S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5d19624b6e3d Description: INFINEON - IPA600N25NM3SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15 A, 0.049 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+262.53 грн
10+132.56 грн
100+119.65 грн
500+83.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803STRLPBF IRL3803STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838518-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRL3803STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 140 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+196.25 грн
10+145.47 грн
100+115.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ISO1I811TXUMA1 ISO1I811TXUMA1 INFINEON 2254317.pdf Description: INFINEON - ISO1I811TXUMA1 - Leistungsschalter, elektrisch isoliert, 8 Bit, High-Side, Active-Low, 8 Ausgänge, 5.5V, TSSOP-48
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: -
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Nein
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Strombegrenzung: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+476.00 грн
10+364.96 грн
25+337.42 грн
50+296.53 грн
100+258.23 грн
250+246.42 грн
500+239.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISO1I811TXUMA1 ISO1I811TXUMA1 INFINEON 2254317.pdf Description: INFINEON - ISO1I811TXUMA1 - Leistungsschalter, elektrisch isoliert, 8 Bit, High-Side, Active-Low, 8 Ausgänge, 5.5V, TSSOP-48
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: -
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Nein
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Strombegrenzung: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+258.23 грн
250+246.42 грн
500+239.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1 IKD06N60RATMA1 INFINEON INFN-S-A0004163179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKD06N60RATMA1 - IGBT, 6 A, 2.1 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+104.15 грн
14+64.99 грн
100+42.95 грн
500+31.65 грн
1000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DF23MR12W1M1B11BPSA1 DF23MR12W1M1B11BPSA1 INFINEON 2723110.pdf Description: INFINEON - DF23MR12W1M1B11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, Modul
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: EasyPACK CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4330.46 грн
5+4329.60 грн
10+4328.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF23MR12W1M1PB11BPSA1 DF23MR12W1M1PB11BPSA1 INFINEON 3154625.pdf Description: INFINEON - DF23MR12W1M1PB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, Module
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: EasyPACK CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4122.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF INFINEON IRSDS09456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8736TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 4800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.38 грн
500+25.50 грн
1000+21.32 грн
5000+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTN8962TAAUMA1 BTN8962TAAUMA1 INFINEON BTN8962TA-Data-Sheet-rev10-Infineon.pdf?folderId=db3a30431ff98815012060aedcd46179&fileId=db3a30433fa9412f013fbe2d247a7bf5&ack=t Description: INFINEON - BTN8962TAAUMA1 - Motortreiber, Halbbrücke, 8V bis 18V Versorgungsspannung, 42A/1 Ausgang, TO-263-7
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Halbbrücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 42A
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+243.47 грн
250+231.67 грн
500+225.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTN8962TAAUMA1 BTN8962TAAUMA1 INFINEON BTN8962TA-Data-Sheet-rev10-Infineon.pdf?folderId=db3a30431ff98815012060aedcd46179&fileId=db3a30433fa9412f013fbe2d247a7bf5&ack=t Description: INFINEON - BTN8962TAAUMA1 - Motortreiber, Halbbrücke, 8V bis 18V Versorgungsspannung, 42A/1 Ausgang, TO-263-7
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Halbbrücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 42A
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+444.15 грн
10+340.00 грн
25+313.32 грн
50+277.35 грн
100+243.47 грн
250+231.67 грн
500+225.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1 BSZ100N06NSATMA1 INFINEON INFNS28724-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ100N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.13 грн
14+62.92 грн
100+45.53 грн
500+34.29 грн
1000+26.86 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1 BSZ100N06NSATMA1 INFINEON INFNS28724-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ100N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.53 грн
500+34.29 грн
1000+26.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 INFINEON INFNS16957-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB60R099CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+495.80 грн
10+410.58 грн
100+307.29 грн
500+250.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPAATMA1 IPB60R099CPAATMA1 INFINEON 2820328.pdf Description: INFINEON - IPB60R099CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 255W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+256.01 грн
250+250.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPAATMA1 IPB60R099CPAATMA1 INFINEON 2820328.pdf Description: INFINEON - IPB60R099CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+447.59 грн
5+379.59 грн
10+310.73 грн
50+282.94 грн
100+256.01 грн
250+250.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 INFINEON INFNS16957-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB60R099CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+410.58 грн
100+307.29 грн
500+250.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099P7ATMA1 IPB60R099P7ATMA1 INFINEON INFN-S-A0003823382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB60R099P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+293.52 грн
10+221.21 грн
100+168.71 грн
500+119.09 грн
1000+106.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRMCK099M IRMCK099M INFINEON INFN-S-A0002542735-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRMCK099M - Motortreiber / Motorsteuerung, AC-Drehstrommotor, 3V-3.6Vsupp, I2C-Schnittstelle, 1 Ausgang, QFN-32
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: Drehstrommotor (AC)
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: QFN
Anzahl der Pins: 32
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.33 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PVI5033RSPBF PVI5033RSPBF INFINEON INFN-S-A0008993622-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - PVI5033RSPBF - Optokoppler, 2 Kanäle, DIP, 8 Pin(s), 3.75 kV, PVI Series
tariffCode: 85414900
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: PVI Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1042.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PVI5033RPBF PVI5033RPBF INFINEON INFN-S-A0008993622-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - PVI5033RPBF - Optokoppler, 2 Kanäle, DIP, 8 Pin(s), 3.75 kV
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+624.91 грн
5+623.19 грн
10+621.47 грн
50+484.36 грн
100+446.36 грн
250+445.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CKIT-062S2-43012 CY8CKIT-062S2-43012 INFINEON 2920148.pdf Description: INFINEON - CY8CKIT-062S2-43012 - Evaluationsboard, 32 Bit PSoC 6 Arm Cortex-M4/M0+ Mikrocontroller, CY8C624ABZI-S2D44/CYW43012
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: PSoC 62S2 Wi-Fi BT Pioneer-Board, USB-Kabel Typ A/Micro-B, Überbrückungsdrähte, Kurzanleitung
Prozessorhersteller: Cypress
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M4F
usEccn: 5A992.c
Prozessorfamilie: PSoC 6
euEccn: NLR
Prozessorkern: CY8C624ABZI-S2D44, CYW43012
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9878.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.75 грн
10+95.54 грн
50+81.51 грн
100+62.66 грн
250+56.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S3L12ATMA1 IPD70N10S3L12ATMA1 INFINEON Infineon-IPD70N10S3L-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043183a955501188996d3f9675c&ack=t Description: INFINEON - IPD70N10S3L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0096 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+167.85 грн
50+125.67 грн
100+101.57 грн
500+83.12 грн
1000+73.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S3L12ATMA1 IPD70N10S3L12ATMA1 INFINEON Infineon-IPD70N10S3L-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043183a955501188996d3f9675c&ack=t Description: INFINEON - IPD70N10S3L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0096 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.57 грн
500+83.12 грн
1000+73.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SPA16N50C3XKSA1 SPA16N50C3XKSA1 INFINEON SPP_I_A16N50C3_Rev[1].3.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637e7be4f0060&fileId=db3a3043163797a6011637e882e70061 Description: INFINEON - SPA16N50C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 560 V, 16 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 560V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+285.77 грн
10+213.47 грн
100+173.01 грн
500+147.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2104STRPBF IRS2104STRPBF INFINEON INFN-S-A0008597376-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRS2104STRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.76 грн
250+40.36 грн
500+39.32 грн
1000+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2104STRPBF IRS2104STRPBF INFINEON INFN-S-A0008597376-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRS2104STRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+84.18 грн
15+60.60 грн
50+54.14 грн
100+44.76 грн
250+40.36 грн
500+39.32 грн
1000+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPA040N06NM5SXKSA1 IPA040N06NM5SXKSA1 INFINEON 3154666.pdf Description: INFINEON - IPA040N06NM5SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 72 A, 0.0036 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36
Bauform - Transistor: TO-220FP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.63 грн
10+135.14 грн
100+108.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12W2T4BOMA1 FS75R12W2T4BOMA1 INFINEON 2849609.pdf Description: INFINEON - FS75R12W2T4BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 75 A, 1.85 V, 375 W, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 75A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 375W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6497.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF75R12RT4HOSA1 FF75R12RT4HOSA1 INFINEON INFNS28427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF75R12RT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 75 A, 1.85 V, 395 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 75A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 395W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7447.26 грн
5+7039.26 грн
10+6631.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R028G7XTMA1 IPT60R028G7XTMA1 INFINEON 3978393.pdf Description: INFINEON - IPT60R028G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 75 A, 0.028 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS G7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+1060.45 грн
50+780.71 грн
100+704.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R028G7XTMA1 IPT60R028G7XTMA1 INFINEON 3978393.pdf Description: INFINEON - IPT60R028G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 75 A, 0.028 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS G7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1081.11 грн
50+783.29 грн
100+679.14 грн
500+625.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R033G7XTMA1 IPT65R033G7XTMA1 INFINEON INFN-S-A0002943027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT65R033G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.029 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7 Gold Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+875.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4929CXANM28HAMA1 TLE4929CXANM28HAMA1 INFINEON 3919304.pdf Description: INFINEON - TLE4929CXANM28HAMA1 - Hall-Effekt-Sensor, PG-SSO-3-52, 3 Pin(s), 4 V, 16 V, -40 °C
tariffCode: 90318080
Hall-Effekt-Typ: Richtungserkennungssensor
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 15mA
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4V
Sensorgehäuse/-bauform: PG-SSO-3-52
Bauform - Sensor: PG-SSO-3-52
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 16V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.20 грн
10+164.40 грн
25+158.38 грн
50+142.27 грн
100+126.16 грн
250+121.00 грн
500+116.57 грн
1000+104.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FP10R12W1T4B11BOMA1 FP10R12W1T4B11BOMA1 INFINEON 2849607.pdf Description: INFINEON - FP10R12W1T4B11BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 10 A, 1.85 V, 105 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 10A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3065.15 грн
5+2982.52 грн
10+2899.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS05GXUMA1 2354756.pdf
ICE2PCS05GXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICE2PCS05GXUMA1 - PFC-Controller, 10.4V-25V Versorgungsspannung, 450µA Anlaufstrom, 15mA Betriebsstrom, 250kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 315kHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: 250kHz
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 285kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10.4V
euEccn: NLR
Frequenzmodus: Variabel
PFC-Betriebsmodus: CCM - Continuous Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Strommittelwert
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+89.52 грн
14+65.07 грн
50+58.79 грн
100+48.28 грн
250+41.69 грн
500+39.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QS02GXUMA1 2290931.pdf
ICE2QS02GXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICE2QS02GXUMA1 - PWM-Controller, quasi-resonant, 11V-25V Versorgung, 100ns Anstieg, 25ns Abfall, 10V/20mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: 20kHz
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: 11V
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Quasi-resonanter Regler
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 25V
Tastverhältnis, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Tastverhältnis, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+61.86 грн
250+53.64 грн
500+51.50 грн
1000+42.79 грн
2500+42.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS02GXUMA1 2290928.pdf
ICE2PCS02GXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICE2PCS02GXUMA1 - PFC-Controller, 10.4V-25V Versorgung, 11V Lockout, 450µA Anlaufstrom, 10mA Betrieb, 65kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 70kHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: 58kHz
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 65kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10.4V
euEccn: NLR
Frequenzmodus: Fest
PFC-Betriebsmodus: CCM - Continuous Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Strommittelwert
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 25V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.17 грн
250+30.32 грн
500+29.07 грн
1000+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC28N08S5L230ATMA1 3154646.pdf
IAUC28N08S5L230ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC28N08S5L230ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 28 A, 0.015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+70.58 грн
500+54.11 грн
1000+36.82 грн
5000+34.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC28N08S5L230ATMA1 3154646.pdf
IAUC28N08S5L230ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC28N08S5L230ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 28 A, 0.015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+116.20 грн
10+96.40 грн
100+70.58 грн
500+54.11 грн
1000+36.82 грн
5000+34.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404STRLPBF INFN-S-A0012838629-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL1404STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+129.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSTRLPBF 1718465.pdf
IRF1010ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+92.96 грн
500+76.25 грн
1500+61.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NTRPBF INFN-S-A0012838684-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFL024NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 2.8 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 INFN-S-A0001535081-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC0902NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.31 грн
500+27.18 грн
1000+21.25 грн
5000+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 INFN-S-A0001535081-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC0902NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+86.94 грн
20+43.81 грн
100+33.31 грн
500+27.18 грн
1000+21.25 грн
5000+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099C6FKSA1 IPB60R099C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a30432313ff5e012394d25bd3069e
IPW60R099C6FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R099C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.09 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+506.99 грн
10+432.96 грн
100+277.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190E6FKSA1 INFN-S-A0003614948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPW60R190E6FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R190E6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS E6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+312.45 грн
10+234.13 грн
100+189.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1 INFN-S-A0001044003-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPZ60R040C7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPZ60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+723.90 грн
5+579.29 грн
10+433.82 грн
50+370.86 грн
100+322.41 грн
250+315.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360CFD7XKSA1 INFN-S-A0009651156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP60R360CFD7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R360CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.295 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+149.77 грн
10+127.39 грн
100+102.43 грн
500+63.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GATMA1 Infineon-IPD042P03L3_G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d90c8c6e60425
IPD042P03L3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD042P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 70 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+171.29 грн
50+111.90 грн
100+85.04 грн
500+63.06 грн
1000+56.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GATMA1 Infineon-IPD042P03L3_G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d90c8c6e60425
IPD042P03L3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD042P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 70 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+85.04 грн
500+63.06 грн
1000+56.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2184STRPBF INFN-S-A0008740685-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRS2184STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2184STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgungsspannung, 1.8Aout, 270ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 270ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+147.19 грн
10+108.46 грн
50+97.27 грн
100+81.53 грн
250+71.27 грн
500+68.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21844STRPBF INFN-S-A0008740685-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRS21844STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS21844STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 1.4Aout, 270ns Verzögerung, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 270ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+158.38 грн
10+121.37 грн
50+111.04 грн
100+93.51 грн
250+81.89 грн
500+78.94 грн
1000+75.99 грн
2500+72.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21844STRPBF INFN-S-A0008740685-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRS21844STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS21844STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 1.4Aout, 270ns Verzögerung, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 270ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+93.51 грн
250+81.89 грн
500+78.94 грн
1000+75.99 грн
2500+72.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2184STRPBF INFN-S-A0008740685-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRS2184STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2184STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgungsspannung, 1.8Aout, 270ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 270ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+81.53 грн
250+71.27 грн
500+68.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2101STRPBF 667411.pdf
IRS2101STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2101STRPBF - MOSFET-Treiber High-Side & Low-Side, 10-20V Versorgungsspannung, 270mAout, 150ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 160ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+88.66 грн
14+63.61 грн
50+57.50 грн
100+47.08 грн
250+40.73 грн
500+39.03 грн
1000+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS8342TRPBF INFN-S-A0012838070-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFTS8342TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFTS8342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.2 A, 0.019 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+36.32 грн
38+22.98 грн
100+14.55 грн
500+13.27 грн
1000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R600P7ATMA1 2327424.pdf
IPD80R600P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+162.68 грн
50+114.48 грн
100+77.47 грн
500+57.47 грн
1000+48.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R600P7ATMA1 2327424.pdf
IPD80R600P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+77.47 грн
500+57.47 грн
1000+48.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R160C6XKSA1 INFN-S-A0004583452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPA60R160C6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R160C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.14 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 34W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+406.28 грн
10+327.09 грн
25+297.82 грн
100+248.57 грн
500+195.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA600N25NM3SXKSA1 Infineon-IPA600N25NM3S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5d19624b6e3d
IPA600N25NM3SXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA600N25NM3SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15 A, 0.049 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+262.53 грн
10+132.56 грн
100+119.65 грн
500+83.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803STRLPBF description INFN-S-A0012838518-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL3803STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL3803STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 140 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+196.25 грн
10+145.47 грн
100+115.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ISO1I811TXUMA1 2254317.pdf
ISO1I811TXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISO1I811TXUMA1 - Leistungsschalter, elektrisch isoliert, 8 Bit, High-Side, Active-Low, 8 Ausgänge, 5.5V, TSSOP-48
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: -
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Nein
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Strombegrenzung: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+476.00 грн
10+364.96 грн
25+337.42 грн
50+296.53 грн
100+258.23 грн
250+246.42 грн
500+239.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISO1I811TXUMA1 2254317.pdf
ISO1I811TXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISO1I811TXUMA1 - Leistungsschalter, elektrisch isoliert, 8 Bit, High-Side, Active-Low, 8 Ausgänge, 5.5V, TSSOP-48
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: -
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Nein
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Strombegrenzung: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+258.23 грн
250+246.42 грн
500+239.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1 INFN-S-A0004163179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IKD06N60RATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKD06N60RATMA1 - IGBT, 6 A, 2.1 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+104.15 грн
14+64.99 грн
100+42.95 грн
500+31.65 грн
1000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DF23MR12W1M1B11BPSA1 2723110.pdf
DF23MR12W1M1B11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DF23MR12W1M1B11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, Modul
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: EasyPACK CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4330.46 грн
5+4329.60 грн
10+4328.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF23MR12W1M1PB11BPSA1 3154625.pdf
DF23MR12W1M1PB11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DF23MR12W1M1PB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, Module
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: EasyPACK CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4122.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF IRSDS09456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF8736TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8736TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 4800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.38 грн
500+25.50 грн
1000+21.32 грн
5000+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTN8962TAAUMA1 BTN8962TA-Data-Sheet-rev10-Infineon.pdf?folderId=db3a30431ff98815012060aedcd46179&fileId=db3a30433fa9412f013fbe2d247a7bf5&ack=t
BTN8962TAAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTN8962TAAUMA1 - Motortreiber, Halbbrücke, 8V bis 18V Versorgungsspannung, 42A/1 Ausgang, TO-263-7
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Halbbrücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 42A
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+243.47 грн
250+231.67 грн
500+225.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTN8962TAAUMA1 BTN8962TA-Data-Sheet-rev10-Infineon.pdf?folderId=db3a30431ff98815012060aedcd46179&fileId=db3a30433fa9412f013fbe2d247a7bf5&ack=t
BTN8962TAAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTN8962TAAUMA1 - Motortreiber, Halbbrücke, 8V bis 18V Versorgungsspannung, 42A/1 Ausgang, TO-263-7
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Halbbrücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 42A
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+444.15 грн
10+340.00 грн
25+313.32 грн
50+277.35 грн
100+243.47 грн
250+231.67 грн
500+225.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1 INFNS28724-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ100N06NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ100N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+98.13 грн
14+62.92 грн
100+45.53 грн
500+34.29 грн
1000+26.86 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1 INFNS28724-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ100N06NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ100N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.53 грн
500+34.29 грн
1000+26.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1 INFNS16957-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB60R099CPATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R099CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+495.80 грн
10+410.58 грн
100+307.29 грн
500+250.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPAATMA1 2820328.pdf
IPB60R099CPAATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R099CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 255W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+256.01 грн
250+250.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPAATMA1 2820328.pdf
IPB60R099CPAATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R099CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+447.59 грн
5+379.59 грн
10+310.73 грн
50+282.94 грн
100+256.01 грн
250+250.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1 INFNS16957-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB60R099CPATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R099CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+410.58 грн
100+307.29 грн
500+250.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099P7ATMA1 INFN-S-A0003823382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB60R099P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R099P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+293.52 грн
10+221.21 грн
100+168.71 грн
500+119.09 грн
1000+106.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRMCK099M INFN-S-A0002542735-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRMCK099M
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRMCK099M - Motortreiber / Motorsteuerung, AC-Drehstrommotor, 3V-3.6Vsupp, I2C-Schnittstelle, 1 Ausgang, QFN-32
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: Drehstrommotor (AC)
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: QFN
Anzahl der Pins: 32
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+78.33 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PVI5033RSPBF INFN-S-A0008993622-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PVI5033RSPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PVI5033RSPBF - Optokoppler, 2 Kanäle, DIP, 8 Pin(s), 3.75 kV, PVI Series
tariffCode: 85414900
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: PVI Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1042.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PVI5033RPBF INFN-S-A0008993622-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PVI5033RPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PVI5033RPBF - Optokoppler, 2 Kanäle, DIP, 8 Pin(s), 3.75 kV
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+624.91 грн
5+623.19 грн
10+621.47 грн
50+484.36 грн
100+446.36 грн
250+445.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CKIT-062S2-43012 2920148.pdf
CY8CKIT-062S2-43012
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8CKIT-062S2-43012 - Evaluationsboard, 32 Bit PSoC 6 Arm Cortex-M4/M0+ Mikrocontroller, CY8C624ABZI-S2D44/CYW43012
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: PSoC 62S2 Wi-Fi BT Pioneer-Board, USB-Kabel Typ A/Micro-B, Überbrückungsdrähte, Kurzanleitung
Prozessorhersteller: Cypress
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M4F
usEccn: 5A992.c
Prozessorfamilie: PSoC 6
euEccn: NLR
Prozessorkern: CY8C624ABZI-S2D44, CYW43012
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9878.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF INFN-S-A0012838769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+143.75 грн
10+95.54 грн
50+81.51 грн
100+62.66 грн
250+56.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S3L12ATMA1 Infineon-IPD70N10S3L-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043183a955501188996d3f9675c&ack=t
IPD70N10S3L12ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70N10S3L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0096 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+167.85 грн
50+125.67 грн
100+101.57 грн
500+83.12 грн
1000+73.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S3L12ATMA1 Infineon-IPD70N10S3L-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043183a955501188996d3f9675c&ack=t
IPD70N10S3L12ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70N10S3L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0096 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+101.57 грн
500+83.12 грн
1000+73.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SPA16N50C3XKSA1 SPP_I_A16N50C3_Rev[1].3.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637e7be4f0060&fileId=db3a3043163797a6011637e882e70061
SPA16N50C3XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPA16N50C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 560 V, 16 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 560V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+285.77 грн
10+213.47 грн
100+173.01 грн
500+147.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2104STRPBF INFN-S-A0008597376-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRS2104STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2104STRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+44.76 грн
250+40.36 грн
500+39.32 грн
1000+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2104STRPBF INFN-S-A0008597376-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRS2104STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2104STRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+84.18 грн
15+60.60 грн
50+54.14 грн
100+44.76 грн
250+40.36 грн
500+39.32 грн
1000+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPA040N06NM5SXKSA1 3154666.pdf
IPA040N06NM5SXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA040N06NM5SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 72 A, 0.0036 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36
Bauform - Transistor: TO-220FP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+150.63 грн
10+135.14 грн
100+108.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12W2T4BOMA1 2849609.pdf
FS75R12W2T4BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS75R12W2T4BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 75 A, 1.85 V, 375 W, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 75A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 375W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6497.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF75R12RT4HOSA1 INFNS28427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FF75R12RT4HOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF75R12RT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 75 A, 1.85 V, 395 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 75A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 395W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7447.26 грн
5+7039.26 грн
10+6631.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R028G7XTMA1 3978393.pdf
IPT60R028G7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60R028G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 75 A, 0.028 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS G7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+1060.45 грн
50+780.71 грн
100+704.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R028G7XTMA1 3978393.pdf
IPT60R028G7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60R028G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 75 A, 0.028 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS G7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1081.11 грн
50+783.29 грн
100+679.14 грн
500+625.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R033G7XTMA1 INFN-S-A0002943027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPT65R033G7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT65R033G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.029 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7 Gold Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+875.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4929CXANM28HAMA1 3919304.pdf
TLE4929CXANM28HAMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4929CXANM28HAMA1 - Hall-Effekt-Sensor, PG-SSO-3-52, 3 Pin(s), 4 V, 16 V, -40 °C
tariffCode: 90318080
Hall-Effekt-Typ: Richtungserkennungssensor
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 15mA
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4V
Sensorgehäuse/-bauform: PG-SSO-3-52
Bauform - Sensor: PG-SSO-3-52
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 16V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+184.20 грн
10+164.40 грн
25+158.38 грн
50+142.27 грн
100+126.16 грн
250+121.00 грн
500+116.57 грн
1000+104.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FP10R12W1T4B11BOMA1 2849607.pdf
FP10R12W1T4B11BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP10R12W1T4B11BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 10 A, 1.85 V, 105 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 10A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3065.15 грн
5+2982.52 грн
10+2899.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 302 303 304 305 306 307 308 309 310 311 312 344 387 430 432  [ Наступна Сторінка >> ]