Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > Всі товари виробника MICROCHIP TECHNOLOGY (281301) > Сторінка 790 з 4689
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LE79R79-2DJC | Microchip Technology |
Description: IC TELECOM INTERFACE 32PLCC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1200 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| LE79R79-3DJC | Microchip Technology |
Description: IC TELECOM INTERFACE 32PLCC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1200 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| LE57D122BTCT | Microchip Technology |
Description: IC TELECOM INTERFACE 44TQFPNumber of Circuits: 2 Supplier Device Package: 44-TQFP-EP (10x10) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Interface: 2-Wire Function: Subscriber Line Interface Concept (SLIC) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 44-TQFP Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
|
|
LE58QL021BVCT | Microchip Technology |
Description: IC TELECOM INTERFACE 44TQFPNumber of Circuits: 4 Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 44-TQFP (10x10) Voltage - Supply: 3.3V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Interface: PCM Function: Subscriber Line Interface Concept (SLIC) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 44-TQFP Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||
| LE58QL031DJCT | Microchip Technology |
Description: IC TELECOM INTERFACE 32PLCC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 750 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
|
|
LE78D110BVCT | Microchip Technology |
Description: IC TELECOM INTERFACE 44TQFPNumber of Circuits: 1 Supplier Device Package: 44-TQFP (10x10) Voltage - Supply: 3.3V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Interface: PCM Function: Voice Over IP Processor Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 44-TQFP Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||
| LE7920-1DJCT | Microchip Technology |
Description: IC TELECOM INTERFACE 32PLCC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 750 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| LE7920-2DJCT | Microchip Technology |
Description: IC TELECOM INTERFACE 32PLCC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 750 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
|
LE792388TVCT | Microchip Technology |
Description: IC TELECOM INTERFACE 176LQFP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 740 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
|
|
LE79Q2281DVCT | Microchip Technology |
Description: IC TELECOM INTERFACE 64TQFPNumber of Circuits: 4 Supplier Device Package: 64-TQFP (10x10) Voltage - Supply: 3.3V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Interface: PCM Function: ISLAC DEVICE Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 64-TQFP Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| LE79R70-1DJCT | Microchip Technology |
Description: IC TELECOM INTERFACE 32PLCC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 750 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| LE79R70DJCT | Microchip Technology |
Description: IC TELECOM INTERFACE 32PLCC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 750 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| LE79R79-1DJCT | Microchip Technology |
Description: IC TELECOM INTERFACE 32PLCC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 750 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| LE79R79-2DJCT | Microchip Technology |
Description: IC TELECOM INTERFACE 32PLCC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 750 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| LE79R79-3DJCT | Microchip Technology |
Description: IC TELECOM INTERFACE 32PLCC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 750 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| LE87251NQCT | Microchip Technology |
Description: IC TELECOM INTERFACE 16QFN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
|
|
Le79Q2281DVC | Microchip Technology |
Description: IC TELECOM INTERFACE 64TQFPNumber of Circuits: 4 Supplier Device Package: 64-TQFP (10x10) Voltage - Supply: 3.3V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Interface: PCM Function: ISLAC DEVICE Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 64-TQFP Packaging: Tray |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| LE58QL021FJCT | Microchip Technology |
Description: IC TELECOM INTERFACE 44PLCC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
|
|
ARF461AG | Microchip Technology |
Description: RF MOSFET 50V TO247Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 1000 V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Gain: 15dB Power - Output: 150W Configuration: N-Channel Frequency: 65MHz Current Rating (Amps): 25µA Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
VRF2944MP | Microchip Technology |
Description: MOSFET RF N-CH 170V 50A M177Current - Test: 250 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 170 V Part Status: Active Supplier Device Package: M177 Technology: MOSFET Gain: 25dB Power - Output: 400W Configuration: N-Channel Frequency: 30MHz Current Rating (Amps): 50A Package / Case: M177 Packaging: Bulk |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
ARF461BG | Microchip Technology |
Description: RF MOSFET 50V TO247Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 1000 V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Gain: 15dB Power - Output: 150W Configuration: N-Channel Frequency: 65MHz Current Rating (Amps): 25µA Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
ARF463AG | Microchip Technology |
Description: RF MOSFET 125V TO247Current - Test: 50 mA Voltage - Test: 125 V Voltage - Rated: 500 V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Gain: 15dB Power - Output: 100W Configuration: N-Channel Frequency: 81.36MHz Current Rating (Amps): 9A Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
ARF463AP1G | Microchip Technology |
Description: RF MOSFET 125V TO247Voltage - Test: 125 V Voltage - Rated: 500 V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247 Technology: MOSFET Gain: 15dB Power - Output: 100W Configuration: N-Channel Frequency: 81.36MHz Current Rating (Amps): 9A Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
ARF463BG | Microchip Technology |
Description: RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| ARF463BP1G | Microchip Technology |
Description: RF MOSFET 125V TO247 Voltage - Test: 125 V Voltage - Rated: 500 V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247 Technology: MOSFET Gain: 15dB Power - Output: 100W Configuration: N-Channel Frequency: 81.36MHz Current Rating (Amps): 9A Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
|
|
ARF465BG | Microchip Technology |
Description: RF PWR MOSFET 1200V 6A TO-247 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| ARF466FL | Microchip Technology |
Description: RF PWR MOSFET 1000V 13A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
|
|
ARF477FL | Microchip Technology |
Description: RF MOSFET 150VPackaging: Bulk Current Rating (Amps): 15A Frequency: 65MHz Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source Power - Output: 400W Gain: 16dB Technology: MOSFET (Metal Oxide) Part Status: Active Voltage - Rated: 500 V Voltage - Test: 150 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| DRF1201 | Microchip Technology |
Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| DRF1301 | Microchip Technology |
Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1Ratio - Input:Output: 1:1 Current - Output (Max): 15A Voltage - Load: 10V ~ 15V Input Type: Inverting, Non-Inverting Rds On (Typ): 1Ohm Output Configuration: Low Side Switch Type: General Purpose Interface: On/Off Number of Outputs: 2 Mounting Type: Surface Mount Output Type: N-Channel Package / Case: 18-SMD Module Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| VRF141G | Microchip Technology |
Description: RF PWR MOSFET 80V 40A DIECurrent - Test: 500 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 80 V Part Status: Active Technology: MOSFET Gain: 14dB Power - Output: 300W Configuration: N-Channel Frequency: 175MHz Current Rating (Amps): 40A Package / Case: SOT-540A Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
|
|
APT25GLQ120JCU2 | Microchip Technology |
Description: IGBT MOD 1200V 45A 170W SOT227Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.43 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Power - Max: 170 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 45 A IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: SOT-227 NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: Single Input: Standard Mounting Type: Chassis, Stud Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 27 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
|
APT25GR120B | Microchip Technology |
Description: IGBT NPT 1200V 75A TO247Power - Max: 521 W Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Part Status: Active Gate Charge: 203 nC Test Condition: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V Switching Energy: 742µJ (on), 427µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 16ns/122ns IGBT Type: NPT Supplier Device Package: TO-247 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk |
на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
APT25GR120S | Microchip Technology |
Description: IGBT NPT 1200V 75A D3PAKPower - Max: 521 W Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Part Status: Active Gate Charge: 203 nC Test Condition: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V Switching Energy: 742µJ (on), 427µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 16ns/122ns IGBT Type: NPT Supplier Device Package: D3Pak Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Packaging: Bulk |
на замовлення 268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| APT40GLQ120JCU2 | Microchip Technology |
Description: IGBT MOD 1200V 80A 312W SOT-227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis, Stud Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 312 W Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.3 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
|
APT60N60SCSG/TR | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 431W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA Supplier Device Package: D3Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
|
APT60S20SG/TR | Microchip Technology |
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAKCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 60 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: D3Pak Current - Average Rectified (Io): 75A Technology: Schottky Reverse Recovery Time (trr): 55 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
|
APTGLQ200H120G | Microchip Technology |
Description: IGBT MODULE 1200V 350A 1000W SP6Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.3 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Power - Max: 1000 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 350 A IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: SP6 NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Configuration: Full Bridge Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SP6 Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
|
APTGLQ200HR120G | Microchip Technology |
Description: IGBT MODULE 1200V 300A 1000W SP6Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.2 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA Power - Max: 1000 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 300 A IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: SP6 NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 160A Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input: Standard Mounting Type: Through Hole Package / Case: SP6 Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APTGLQ300H65G | Microchip Technology |
Description: IGBT MODULE 650V 600A 1000W SP6Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.3 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA Power - Max: 1000 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 A IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: SP6 NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 300A Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Configuration: Full Bridge Input: Standard Mounting Type: Through Hole Package / Case: SP6 Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| APTGLQ40DDA120CT3G | Microchip Technology |
Description: IGBT MODULE 1200V 75A 250W SP6Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.3 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Power - Max: 250 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 75 A IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: SP6 NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Configuration: Dual Boost Chopper Input: Standard Mounting Type: Through Hole Package / Case: SP6 Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| APTGLQ600A65T6G | Microchip Technology |
Description: IGBT MODULE 650V 1200A 2000W SP6Part Status: Active IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: SP6 NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 600A Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Configuration: Half Bridge Input: Standard Mounting Type: Through Hole Package / Case: SP6 Packaging: Bulk Input Capacitance (Cies) @ Vce: 36.6 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA Power - Max: 2000 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| APTGLQ75H120T3G | Microchip Technology |
Description: IGBT MODULE 1200V 130A 385W SP1 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
|
APTGLQ75H65T1G | Microchip Technology |
Description: IGBT MODULE 650V 150A 250W SP1Packaging: Bulk Package / Case: SP1 Mounting Type: Through Hole Input: Standard Configuration: Full Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: SP1 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 250 W Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.62 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APTGLQ80HR120CT3G | Microchip Technology |
Description: IGBT MODULE 1200V 150A 500W SP3 Packaging: Bulk Package / Case: SP3 Mounting Type: Through Hole Input: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 80A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: SP3 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 500 W Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.6 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| APTGT100TL170G | Microchip Technology |
Description: IGBT MODULE 1700V 150A 560W SP6Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 350 µA Power - Max: 560 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector (Ic) (Max): 150 A IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: SP6 NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Three Level Inverter Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| APTM100TA35SCTPG | Microchip Technology |
Description: MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-PSupplier Device Package: SP6-P Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) Power - Max: 390W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| APTGT50DH60T1G | Microchip Technology |
Description: IGBT MODULE 600V 80A 176W SP1 Packaging: Bulk Package / Case: SP1 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Asymmetrical Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: SP1 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 176 W Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.15 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 19 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| APTGT50TL60T3G | Microchip Technology |
Description: IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3 Packaging: Bulk Package / Case: SP3 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: SP3 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 176 W Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.15 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| APTGT75DH120T3G | Microchip Technology |
Description: IGBT MODULE 1200V 110A 357W SP3 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| APTLGT300A1208G | Microchip Technology |
Description: IGBT IPM 1.2KV 440A 6-PWRSIP MODPackaging: Bulk Package / Case: 6-PowerSIP Module Mounting Type: Through Hole Type: IGBT Configuration: Half Bridge Voltage - Isolation: 2500Vrms Current: 440 A Voltage: 1.2 kV |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| APTM100H46FT3G | Microchip Technology | Description: MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
|
APT26M100JCU3 | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7868 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-227 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Power Dissipation (Max): 543W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 26 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APTC60SKM24CT1G | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 600V 95A SP1 Packaging: Bulk Package / Case: SP1 Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 47.5A, 10V Power Dissipation (Max): 462W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA Supplier Device Package: SP1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| APTM100UM65SCAVG | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 1000V 145A SP6 Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 72.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 20mA Supplier Device Package: SP6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1068 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28500 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
|
APT60N60SCSG | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAKPackaging: Bulk Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 431W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA Supplier Device Package: D3Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
|
APT12057B2LLG | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAXInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: T-MAX™ [B2] Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Power Dissipation (Max): 690W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 11A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
|
APT14M100S | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAKMounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D3Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 880mOhm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 70 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT77N60SC6 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
|
APT7M120S | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAKDrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D3Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 335W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Packaging: Bulk Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): ±30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| LE79R79-2DJC |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: IC TELECOM INTERFACE 32PLCC
Description: IC TELECOM INTERFACE 32PLCC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику
од. на суму грн.
| LE79R79-3DJC |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: IC TELECOM INTERFACE 32PLCC
Description: IC TELECOM INTERFACE 32PLCC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику
од. на суму грн.
| LE57D122BTCT |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: IC TELECOM INTERFACE 44TQFP
Number of Circuits: 2
Supplier Device Package: 44-TQFP-EP (10x10)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Interface: 2-Wire
Function: Subscriber Line Interface Concept (SLIC)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TQFP Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: IC TELECOM INTERFACE 44TQFP
Number of Circuits: 2
Supplier Device Package: 44-TQFP-EP (10x10)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Interface: 2-Wire
Function: Subscriber Line Interface Concept (SLIC)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TQFP Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| LE58QL021BVCT |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: IC TELECOM INTERFACE 44TQFP
Number of Circuits: 4
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 44-TQFP (10x10)
Voltage - Supply: 3.3V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Interface: PCM
Function: Subscriber Line Interface Concept (SLIC)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: IC TELECOM INTERFACE 44TQFP
Number of Circuits: 4
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 44-TQFP (10x10)
Voltage - Supply: 3.3V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Interface: PCM
Function: Subscriber Line Interface Concept (SLIC)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| LE58QL031DJCT |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: IC TELECOM INTERFACE 32PLCC
Description: IC TELECOM INTERFACE 32PLCC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику
од. на суму грн.
| LE78D110BVCT |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: IC TELECOM INTERFACE 44TQFP
Number of Circuits: 1
Supplier Device Package: 44-TQFP (10x10)
Voltage - Supply: 3.3V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Interface: PCM
Function: Voice Over IP Processor
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: IC TELECOM INTERFACE 44TQFP
Number of Circuits: 1
Supplier Device Package: 44-TQFP (10x10)
Voltage - Supply: 3.3V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Interface: PCM
Function: Voice Over IP Processor
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| LE7920-1DJCT |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: IC TELECOM INTERFACE 32PLCC
Description: IC TELECOM INTERFACE 32PLCC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику
од. на суму грн.
| LE7920-2DJCT |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: IC TELECOM INTERFACE 32PLCC
Description: IC TELECOM INTERFACE 32PLCC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику
од. на суму грн.
| LE792388TVCT |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: IC TELECOM INTERFACE 176LQFP
Description: IC TELECOM INTERFACE 176LQFP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 740 шт
В кошику
од. на суму грн.
| LE79Q2281DVCT |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: IC TELECOM INTERFACE 64TQFP
Number of Circuits: 4
Supplier Device Package: 64-TQFP (10x10)
Voltage - Supply: 3.3V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Interface: PCM
Function: ISLAC DEVICE
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-TQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: IC TELECOM INTERFACE 64TQFP
Number of Circuits: 4
Supplier Device Package: 64-TQFP (10x10)
Voltage - Supply: 3.3V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Interface: PCM
Function: ISLAC DEVICE
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-TQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| LE79R70-1DJCT |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: IC TELECOM INTERFACE 32PLCC
Description: IC TELECOM INTERFACE 32PLCC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику
од. на суму грн.
| LE79R70DJCT |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: IC TELECOM INTERFACE 32PLCC
Description: IC TELECOM INTERFACE 32PLCC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику
од. на суму грн.
| LE79R79-1DJCT |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: IC TELECOM INTERFACE 32PLCC
Description: IC TELECOM INTERFACE 32PLCC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику
од. на суму грн.
| LE79R79-2DJCT |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: IC TELECOM INTERFACE 32PLCC
Description: IC TELECOM INTERFACE 32PLCC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику
од. на суму грн.
| LE79R79-3DJCT |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: IC TELECOM INTERFACE 32PLCC
Description: IC TELECOM INTERFACE 32PLCC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику
од. на суму грн.
| LE87251NQCT |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: IC TELECOM INTERFACE 16QFN
Description: IC TELECOM INTERFACE 16QFN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| Le79Q2281DVC |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: IC TELECOM INTERFACE 64TQFP
Number of Circuits: 4
Supplier Device Package: 64-TQFP (10x10)
Voltage - Supply: 3.3V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Interface: PCM
Function: ISLAC DEVICE
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-TQFP
Packaging: Tray
Description: IC TELECOM INTERFACE 64TQFP
Number of Circuits: 4
Supplier Device Package: 64-TQFP (10x10)
Voltage - Supply: 3.3V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Interface: PCM
Function: ISLAC DEVICE
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-TQFP
Packaging: Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| LE58QL021FJCT |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: IC TELECOM INTERFACE 44PLCC
Description: IC TELECOM INTERFACE 44PLCC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ARF461AG |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: RF MOSFET 50V TO247
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 1000 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Gain: 15dB
Power - Output: 150W
Configuration: N-Channel
Frequency: 65MHz
Current Rating (Amps): 25µA
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Description: RF MOSFET 50V TO247
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 1000 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Gain: 15dB
Power - Output: 150W
Configuration: N-Channel
Frequency: 65MHz
Current Rating (Amps): 25µA
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3993.00 грн |
| VRF2944MP |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET RF N-CH 170V 50A M177
Current - Test: 250 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 170 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: M177
Technology: MOSFET
Gain: 25dB
Power - Output: 400W
Configuration: N-Channel
Frequency: 30MHz
Current Rating (Amps): 50A
Package / Case: M177
Packaging: Bulk
Description: MOSFET RF N-CH 170V 50A M177
Current - Test: 250 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 170 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: M177
Technology: MOSFET
Gain: 25dB
Power - Output: 400W
Configuration: N-Channel
Frequency: 30MHz
Current Rating (Amps): 50A
Package / Case: M177
Packaging: Bulk
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 31553.16 грн |
| ARF461BG |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: RF MOSFET 50V TO247
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 1000 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Gain: 15dB
Power - Output: 150W
Configuration: N-Channel
Frequency: 65MHz
Current Rating (Amps): 25µA
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Description: RF MOSFET 50V TO247
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 1000 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Gain: 15dB
Power - Output: 150W
Configuration: N-Channel
Frequency: 65MHz
Current Rating (Amps): 25µA
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3993.00 грн |
| ARF463AG |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: RF MOSFET 125V TO247
Current - Test: 50 mA
Voltage - Test: 125 V
Voltage - Rated: 500 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Gain: 15dB
Power - Output: 100W
Configuration: N-Channel
Frequency: 81.36MHz
Current Rating (Amps): 9A
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: RF MOSFET 125V TO247
Current - Test: 50 mA
Voltage - Test: 125 V
Voltage - Rated: 500 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Gain: 15dB
Power - Output: 100W
Configuration: N-Channel
Frequency: 81.36MHz
Current Rating (Amps): 9A
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3045.98 грн |
| 100+ | 2015.57 грн |
| ARF463AP1G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: RF MOSFET 125V TO247
Voltage - Test: 125 V
Voltage - Rated: 500 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Technology: MOSFET
Gain: 15dB
Power - Output: 100W
Configuration: N-Channel
Frequency: 81.36MHz
Current Rating (Amps): 9A
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Description: RF MOSFET 125V TO247
Voltage - Test: 125 V
Voltage - Rated: 500 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Technology: MOSFET
Gain: 15dB
Power - Output: 100W
Configuration: N-Channel
Frequency: 81.36MHz
Current Rating (Amps): 9A
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3256.43 грн |
| ARF463BG |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247
Description: RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ARF463BP1G |
Виробник: Microchip Technology
Description: RF MOSFET 125V TO247
Voltage - Test: 125 V
Voltage - Rated: 500 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Technology: MOSFET
Gain: 15dB
Power - Output: 100W
Configuration: N-Channel
Frequency: 81.36MHz
Current Rating (Amps): 9A
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Description: RF MOSFET 125V TO247
Voltage - Test: 125 V
Voltage - Rated: 500 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Technology: MOSFET
Gain: 15dB
Power - Output: 100W
Configuration: N-Channel
Frequency: 81.36MHz
Current Rating (Amps): 9A
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3122.72 грн |
| ARF465BG |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: RF PWR MOSFET 1200V 6A TO-247
Description: RF PWR MOSFET 1200V 6A TO-247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ARF466FL |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: RF PWR MOSFET 1000V 13A
Description: RF PWR MOSFET 1000V 13A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ARF477FL |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: RF MOSFET 150V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 15A
Frequency: 65MHz
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Power - Output: 400W
Gain: 16dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 500 V
Voltage - Test: 150 V
Description: RF MOSFET 150V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 15A
Frequency: 65MHz
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Power - Output: 400W
Gain: 16dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 500 V
Voltage - Test: 150 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| DRF1201 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1
Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| DRF1301 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 15A
Voltage - Load: 10V ~ 15V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
Rds On (Typ): 1Ohm
Output Configuration: Low Side
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 2
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 18-SMD Module
Packaging: Bulk
Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 15A
Voltage - Load: 10V ~ 15V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
Rds On (Typ): 1Ohm
Output Configuration: Low Side
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 2
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 18-SMD Module
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| VRF141G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: RF PWR MOSFET 80V 40A DIE
Current - Test: 500 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 80 V
Part Status: Active
Technology: MOSFET
Gain: 14dB
Power - Output: 300W
Configuration: N-Channel
Frequency: 175MHz
Current Rating (Amps): 40A
Package / Case: SOT-540A
Packaging: Bulk
Description: RF PWR MOSFET 80V 40A DIE
Current - Test: 500 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 80 V
Part Status: Active
Technology: MOSFET
Gain: 14dB
Power - Output: 300W
Configuration: N-Channel
Frequency: 175MHz
Current Rating (Amps): 40A
Package / Case: SOT-540A
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| APT25GLQ120JCU2 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT MOD 1200V 45A 170W SOT227
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.43 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 170 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: SOT-227
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Description: IGBT MOD 1200V 45A 170W SOT227
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.43 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 170 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: SOT-227
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику
од. на суму грн.
| APT25GR120B |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT NPT 1200V 75A TO247
Power - Max: 521 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Part Status: Active
Gate Charge: 203 nC
Test Condition: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V
Switching Energy: 742µJ (on), 427µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/122ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Description: IGBT NPT 1200V 75A TO247
Power - Max: 521 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Part Status: Active
Gate Charge: 203 nC
Test Condition: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V
Switching Energy: 742µJ (on), 427µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/122ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 416.15 грн |
| 100+ | 325.54 грн |
| APT25GR120S |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT NPT 1200V 75A D3PAK
Power - Max: 521 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Part Status: Active
Gate Charge: 203 nC
Test Condition: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V
Switching Energy: 742µJ (on), 427µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/122ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: D3Pak
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Bulk
Description: IGBT NPT 1200V 75A D3PAK
Power - Max: 521 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Part Status: Active
Gate Charge: 203 nC
Test Condition: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V
Switching Energy: 742µJ (on), 427µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/122ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: D3Pak
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Bulk
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 496.06 грн |
| 100+ | 388.11 грн |
| APT40GLQ120JCU2 |
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT MOD 1200V 80A 312W SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 312 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.3 nF @ 25 V
Description: IGBT MOD 1200V 80A 312W SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 312 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.3 nF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| APT60N60SCSG/TR |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA
Supplier Device Package: D3Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA
Supplier Device Package: D3Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику
од. на суму грн.
| APT60S20SG/TR |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D3Pak
Current - Average Rectified (Io): 75A
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D3Pak
Current - Average Rectified (Io): 75A
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику
од. на суму грн.
| APTGLQ200H120G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 1200V 350A 1000W SP6
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.3 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Power - Max: 1000 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 350 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: SP6
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Full Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP6
Packaging: Bulk
Description: IGBT MODULE 1200V 350A 1000W SP6
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.3 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Power - Max: 1000 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 350 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: SP6
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Full Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP6
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику
од. на суму грн.
| APTGLQ200HR120G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 1200V 300A 1000W SP6
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.2 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Power - Max: 1000 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: SP6
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 160A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SP6
Packaging: Bulk
Description: IGBT MODULE 1200V 300A 1000W SP6
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.2 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Power - Max: 1000 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: SP6
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 160A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SP6
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
| APTGLQ300H65G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 650V 600A 1000W SP6
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.3 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Power - Max: 1000 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: SP6
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 300A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Full Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SP6
Packaging: Bulk
Description: IGBT MODULE 650V 600A 1000W SP6
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.3 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Power - Max: 1000 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: SP6
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 300A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Full Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SP6
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику
од. на суму грн.
| APTGLQ40DDA120CT3G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 1200V 75A 250W SP6
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.3 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Power - Max: 250 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: SP6
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Dual Boost Chopper
Input: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SP6
Packaging: Bulk
Description: IGBT MODULE 1200V 75A 250W SP6
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.3 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Power - Max: 250 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: SP6
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Dual Boost Chopper
Input: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SP6
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику
од. на суму грн.
| APTGLQ600A65T6G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 650V 1200A 2000W SP6
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: SP6
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 600A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SP6
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 36.6 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Power - Max: 2000 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A
Description: IGBT MODULE 650V 1200A 2000W SP6
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: SP6
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 600A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SP6
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 36.6 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Power - Max: 2000 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику
од. на суму грн.
| APTGLQ75H120T3G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 1200V 130A 385W SP1
Description: IGBT MODULE 1200V 130A 385W SP1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику
од. на суму грн.
| APTGLQ75H65T1G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 650V 150A 250W SP1
Packaging: Bulk
Package / Case: SP1
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SP1
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.62 nF @ 25 V
Description: IGBT MODULE 650V 150A 250W SP1
Packaging: Bulk
Package / Case: SP1
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SP1
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.62 nF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику
од. на суму грн.
| APTGLQ80HR120CT3G |
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 1200V 150A 500W SP3
Packaging: Bulk
Package / Case: SP3
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SP3
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.6 nF @ 25 V
Description: IGBT MODULE 1200V 150A 500W SP3
Packaging: Bulk
Package / Case: SP3
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SP3
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.6 nF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику
од. на суму грн.
| APTGT100TL170G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 1700V 150A 560W SP6
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 350 µA
Power - Max: 560 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: SP6
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Three Level Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Description: IGBT MODULE 1700V 150A 560W SP6
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 350 µA
Power - Max: 560 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: SP6
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Three Level Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику
од. на суму грн.
| APTM100TA35SCTPG |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P
Supplier Device Package: SP6-P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV)
Power - Max: 390W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Description: MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P
Supplier Device Package: SP6-P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV)
Power - Max: 390W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
| APTGT50DH60T1G |
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 600V 80A 176W SP1
Packaging: Bulk
Package / Case: SP1
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Asymmetrical Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SP1
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 176 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.15 nF @ 25 V
Description: IGBT MODULE 600V 80A 176W SP1
Packaging: Bulk
Package / Case: SP1
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Asymmetrical Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SP1
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 176 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.15 nF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику
од. на суму грн.
| APTGT50TL60T3G |
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3
Packaging: Bulk
Package / Case: SP3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SP3
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 176 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.15 nF @ 25 V
Description: IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3
Packaging: Bulk
Package / Case: SP3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SP3
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 176 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.15 nF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику
од. на суму грн.
| APTGT75DH120T3G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 1200V 110A 357W SP3
Description: IGBT MODULE 1200V 110A 357W SP3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику
од. на суму грн.
| APTLGT300A1208G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT IPM 1.2KV 440A 6-PWRSIP MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerSIP Module
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: Half Bridge
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current: 440 A
Voltage: 1.2 kV
Description: IGBT IPM 1.2KV 440A 6-PWRSIP MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerSIP Module
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: Half Bridge
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current: 440 A
Voltage: 1.2 kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
| APTM100H46FT3G |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3
Description: MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику
од. на суму грн.
| APT26M100JCU3 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7868 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 543W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Description: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7868 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 543W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику
од. на суму грн.
| APTC60SKM24CT1G |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 600V 95A SP1
Packaging: Bulk
Package / Case: SP1
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 47.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 462W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA
Supplier Device Package: SP1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 95A SP1
Packaging: Bulk
Package / Case: SP1
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 47.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 462W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA
Supplier Device Package: SP1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику
од. на суму грн.
| APTM100UM65SCAVG |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 72.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 20mA
Supplier Device Package: SP6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1068 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28500 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 72.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 20mA
Supplier Device Package: SP6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1068 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
| APT60N60SCSG |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA
Supplier Device Package: D3Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA
Supplier Device Package: D3Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику
од. на суму грн.
| APT12057B2LLG |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 690W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Description: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 690W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику
од. на суму грн.
| APT14M100S |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D3Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 880mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Description: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D3Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 880mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику
од. на суму грн.
| APT77N60SC6 |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK
Description: MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| APT7M120S |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D3Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 335W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D3Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 335W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.












