Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > Всі товари виробника MICROCHIP TECHNOLOGY (276532) > Сторінка 912 з 4609

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 460 907 908 909 910 911 912 913 914 915 916 917 920 1380 1840 2300 2760 3220 3680 4140 4600 4609  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
TN0106N3-G-P013 TN0106N3-G-P013 Microchip Technology TN0106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005932A.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Box (TB)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0604N3-G-P005 TN0604N3-G-P005 Microchip Technology TN0604-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005934A.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0604N3-G-P013 TN0604N3-G-P013 Microchip Technology TN0604-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005934A.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Box (TB)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.5A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0610N3-G-P003 TN0610N3-G-P003 Microchip Technology TN0610-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006418A.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0610N3-G-P013 TN0610N3-G-P013 Microchip Technology TN0610-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006418A.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0620N3-G-P014 TN0620N3-G-P014 Microchip Technology TN0620-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005936A.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2106K1-G TN2106K1-G Microchip Technology TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 280MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2124K1-G TN2124K1-G Microchip Technology TN2124-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005698A.pdf Description: MOSFET N-CH 240V 134MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 134mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 120mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2501N8-G TN2501N8-G Microchip Technology filehandler.aspx?ddocname=en570663 Description: MOSFET N-CH 18V 400MA SOT89-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510N8-G Microchip Technology TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 730MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 730mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+67.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2524N8-G TN2524N8-G Microchip Technology TN2524-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005952A.pdf Description: MOSFET N-CH 240V 360MA TO243AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2540N3-G-P002 TN2540N3-G-P002 Microchip Technology TN2540-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005954A.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 175MA TO92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2540N8-G TN2540N8-G Microchip Technology TN2540-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005954A.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 260MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+83.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN5325K1-G TN5325K1-G Microchip Technology 20005709A.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 150MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN5325N3-G-P002 TN5325N3-G-P002 Microchip Technology 20005709A.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 215MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN5325N8-G TN5325N8-G Microchip Technology 20005709A.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 316MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 316mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+42.63 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0606N3-G-P002 TP0606N3-G-P002 Microchip Technology TP0606.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0606N3-G-P003 TP0606N3-G-P003 Microchip Technology TP0606.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610T-G TP0610T-G Microchip Technology TP0610T-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005701B.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 120MA TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2104K1-G TP2104K1-G Microchip Technology TP2104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005958A.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 160MA TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj)
FET Type: P-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2424N8-G TP2424N8-G Microchip Technology filehandler.aspx?ddocname=en570673 Description: MOSFET P-CH 240V 0.316A SOT89-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2435N8-G TP2435N8-G Microchip Technology TP2435-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005961A.pdf Description: MOSFET P-CH 350V 231MA TO243AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 231mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+99.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2510N8-G TP2510N8-G Microchip Technology TP2510-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005965.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 480MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2522N8-G TP2522N8-G Microchip Technology filehandler.aspx?ddocname=en570678 Description: MOSFET P-CH 220V 0.26A SOT89-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2540N3-G-P002 TP2540N3-G-P002 Microchip Technology filehandler.aspx?ddocname=en570680 Description: MOSFET P-CH 400V 0.086A TO92-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2540N8-G TP2540N8-G Microchip Technology TP2540-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006371A.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 125MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+98.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP5322N8-G TP5322N8-G Microchip Technology filehandler.aspx?ddocname=en570683 Description: MOSFET P-CH 220V 0.26A SOT89-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP5335K1-G TP5335K1-G Microchip Technology TP5335-Data-Sheet-20005704D.pdf Description: MOSFET P-CH 350V 85MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN0106N3-G-P003 VN0106N3-G-P003 Microchip Technology VN0106%20C081913.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN0606L-G-P003 VN0606L-G-P003 Microchip Technology VN0606%20B081913.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN10KN3-G-P003 VN10KN3-G-P003 Microchip Technology VN10K-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005983A.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN10KN3-G-P013 VN10KN3-G-P013 Microchip Technology VN10K-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005983A.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN10KN3-G-P014 VN10KN3-G-P014 Microchip Technology VN10K-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005983A.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN1206L-G-P002 VN1206L-G-P002 Microchip Technology VN1206%20B081913.pdf Description: MOSFET N-CH 120V 230MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2110K1-G VN2110K1-G Microchip Technology VN2110-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-20005793A.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2410L-G-P013 VN2410L-G-P013 Microchip Technology VN2410-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006534A.pdf Description: MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2410L-G-P014 VN2410L-G-P014 Microchip Technology VN2410-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006534A.pdf Description: MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2450N8-G VN2450N8-G Microchip Technology VN2450_2009.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 250MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+75.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2460N3-G-P003 VN2460N3-G-P003 Microchip Technology VN2460-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005994A.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 160MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2460N3-G-P014 VN2460N3-G-P014 Microchip Technology VN2460-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005994A.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 160MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2460N8-g VN2460N8-g Microchip Technology VN2460-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005994A.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 200MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+76.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN3205N3-G-P002 VN3205N3-G-P002 Microchip Technology VN3205-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005995A.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tj)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN3205N8-G VN3205N8-G Microchip Technology VN3205-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005995A.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 1.5A TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP0550N3-G-P013 VP0550N3-G-P013 Microchip Technology VP0550-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006003A.pdf Description: MOSFET P-CH 500V 54MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125Ohm @ 10mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP2110K1-G VP2110K1-G Microchip Technology VP2110%20B082313.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP2450N8-g VP2450N8-g Microchip Technology 20005569A.pdf Description: MOSFET P-CH 500V 160MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C01D-SSHM-B AT24C01D-SSHM-B Microchip Technology AT24C01D-AT24C02D-I2C-Compatible-Two-Wire-Serial-EEPROM-1Kbit-2Kbit-20006100A.pdf Description: IC EEPROM 1KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 4.5 µs
Memory Organization: 128 x 8
DigiKey Programmable: Verified
на замовлення 19150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.17 грн
100+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C01D-XHM-B AT24C01D-XHM-B Microchip Technology AT24C01D-AT24C02D-I2C-Compatible-Two-Wire-Serial-EEPROM-1Kbit-2Kbit-20006100A.pdf Description: IC EEPROM 1KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 4.5 µs
Memory Organization: 128 x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.72 грн
25+13.31 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C04D-SSHM-B AT24C04D-SSHM-B Microchip Technology Atmel-8896E-SEEPROM-AT24C04D-Datasheet.pdf Description: IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 450 ns
Memory Organization: 512 x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 8119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C04D-XHM-B AT24C04D-XHM-B Microchip Technology Atmel-8896E-SEEPROM-AT24C04D-Datasheet.pdf Description: IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 450 ns
Memory Organization: 512 x 8
DigiKey Programmable: Verified
на замовлення 15744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.05 грн
25+16.12 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AT34C04-SS5M-B AT34C04-SS5M-B Microchip Technology Atmel-8827G-SEEPROM-AT34C04-Datasheet.pdf Description: IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
Operating Temperature: -20°C ~ 125°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 4Kbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512 x 8
Memory Interface: I2C
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Supplier Device Package: 8-SOIC
Memory Format: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Technology: EEPROM
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
на замовлення 2416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.70 грн
25+19.34 грн
100+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AT34C04-X5M-B AT34C04-X5M-B Microchip Technology Atmel-8827G-SEEPROM-AT34C04-Datasheet.pdf Description: IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512 x 8
Memory Interface: I2C
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Memory Format: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Technology: EEPROM
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tube
Operating Temperature: -20°C ~ 125°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 4Kbit
на замовлення 2743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.70 грн
25+19.34 грн
100+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C01D-MAHM-T AT24C01D-MAHM-T Microchip Technology AT24C01D-AT24C02D-I2C-Compatible-Two-Wire-Serial-EEPROM-1Kbit-2Kbit-20006100A.pdf Description: IC EEPROM 1KBIT I2C 1MHZ 8UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-UDFN (2x3)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 4.5 µs
Memory Organization: 128 x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C01D-SSHM-T AT24C01D-SSHM-T Microchip Technology AT24C01D-AT24C02D-I2C-Compatible-Two-Wire-Serial-EEPROM-1Kbit-2Kbit-20006100A.pdf Description: IC EEPROM 1KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 4.5 µs
Memory Organization: 128 x 8
DigiKey Programmable: Verified
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C01D-STUM-T AT24C01D-STUM-T Microchip Technology AT24C01D-AT24C02D-I2C-Compatible-Two-Wire-Serial-EEPROM-1Kbit-2Kbit-20006100A.pdf Description: IC EEPROM 1KBIT I2C 1MHZ SOT23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: SOT-23-5
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 4.5 µs
Memory Organization: 128 x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C01D-XHM-T AT24C01D-XHM-T Microchip Technology AT24C01D-AT24C02D-I2C-Compatible-Two-Wire-Serial-EEPROM-1Kbit-2Kbit-20006100A.pdf Description: IC EEPROM 1KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 4.5 µs
Memory Organization: 128 x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C04D-MAHM-T AT24C04D-MAHM-T Microchip Technology Atmel-8896E-SEEPROM-AT24C04D-Datasheet.pdf Description: IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-UDFN (2x3)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 450 ns
Memory Organization: 512 x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C04D-SSHM-T AT24C04D-SSHM-T Microchip Technology Atmel-8896E-SEEPROM-AT24C04D-Datasheet.pdf Description: IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 450 ns
Memory Organization: 512 x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+15.80 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C04D-STUM-T AT24C04D-STUM-T Microchip Technology Atmel-8896E-SEEPROM-AT24C04D-Datasheet.pdf Description: IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ SOT23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: SOT-23-5
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 450 ns
Memory Organization: 512 x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C04D-XHM-T AT24C04D-XHM-T Microchip Technology Atmel-8896E-SEEPROM-AT24C04D-Datasheet.pdf Description: IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 450 ns
Memory Organization: 512 x 8
DigiKey Programmable: Verified
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0106N3-G-P013 TN0106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005932A.pdf
TN0106N3-G-P013
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Box (TB)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0604N3-G-P005 TN0604-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005934A.pdf
TN0604N3-G-P005
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0604N3-G-P013 TN0604-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005934A.pdf
TN0604N3-G-P013
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Box (TB)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.5A, 10V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0610N3-G-P003 TN0610-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006418A.pdf
TN0610N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0610N3-G-P013 TN0610-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006418A.pdf
TN0610N3-G-P013
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0620N3-G-P014 TN0620-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005936A.pdf
TN0620N3-G-P014
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2106K1-G TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf
TN2106K1-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 280MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+32.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2124K1-G TN2124-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005698A.pdf
TN2124K1-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 240V 134MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 134mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 120mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+42.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2501N8-G filehandler.aspx?ddocname=en570663
TN2501N8-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 18V 400MA SOT89-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf
TN2510N8-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 100V 730MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 730mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+67.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2524N8-G TN2524-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005952A.pdf
TN2524N8-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 240V 360MA TO243AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2540N3-G-P002 TN2540-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005954A.pdf
TN2540N3-G-P002
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 400V 175MA TO92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2540N8-G TN2540-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005954A.pdf
TN2540N8-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 400V 260MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+83.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN5325K1-G 20005709A.pdf
TN5325K1-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 250V 150MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN5325N3-G-P002 20005709A.pdf
TN5325N3-G-P002
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 250V 215MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN5325N8-G 20005709A.pdf
TN5325N8-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 250V 316MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 316mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+42.63 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0606N3-G-P002 TP0606.pdf
TP0606N3-G-P002
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0606N3-G-P003 TP0606.pdf
TP0606N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610T-G TP0610T-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005701B.pdf
TP0610T-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 60V 120MA TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+47.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2104K1-G TP2104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005958A.pdf
TP2104K1-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 40V 160MA TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj)
FET Type: P-Channel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2424N8-G filehandler.aspx?ddocname=en570673
TP2424N8-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 240V 0.316A SOT89-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2435N8-G TP2435-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005961A.pdf
TP2435N8-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 350V 231MA TO243AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 231mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+99.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2510N8-G TP2510-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005965.pdf
TP2510N8-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 100V 480MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2522N8-G filehandler.aspx?ddocname=en570678
TP2522N8-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 220V 0.26A SOT89-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2540N3-G-P002 filehandler.aspx?ddocname=en570680
TP2540N3-G-P002
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 400V 0.086A TO92-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2540N8-G TP2540-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006371A.pdf
TP2540N8-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 400V 125MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+98.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP5322N8-G filehandler.aspx?ddocname=en570683
TP5322N8-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 220V 0.26A SOT89-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP5335K1-G TP5335-Data-Sheet-20005704D.pdf
TP5335K1-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 350V 85MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+32.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN0106N3-G-P003 VN0106%20C081913.pdf
VN0106N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN0606L-G-P003 VN0606%20B081913.pdf
VN0606L-G-P003
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN10KN3-G-P003 VN10K-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005983A.pdf
VN10KN3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN10KN3-G-P013 VN10K-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005983A.pdf
VN10KN3-G-P013
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN10KN3-G-P014 VN10K-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005983A.pdf
VN10KN3-G-P014
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN1206L-G-P002 VN1206%20B081913.pdf
VN1206L-G-P002
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 120V 230MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2110K1-G VN2110-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-20005793A.pdf
VN2110K1-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 100V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+32.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2410L-G-P013 VN2410-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006534A.pdf
VN2410L-G-P013
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2410L-G-P014 VN2410-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006534A.pdf
VN2410L-G-P014
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2450N8-G VN2450_2009.pdf
VN2450N8-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 250MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+75.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2460N3-G-P003 VN2460-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005994A.pdf
VN2460N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 600V 160MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2460N3-G-P014 VN2460-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005994A.pdf
VN2460N3-G-P014
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 600V 160MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2460N8-g VN2460-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005994A.pdf
VN2460N8-g
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 600V 200MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+76.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN3205N3-G-P002 VN3205-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005995A.pdf
VN3205N3-G-P002
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tj)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN3205N8-G VN3205-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005995A.pdf
VN3205N8-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 50V 1.5A TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP0550N3-G-P013 VP0550-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006003A.pdf
VP0550N3-G-P013
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 500V 54MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125Ohm @ 10mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP2110K1-G VP2110%20B082313.pdf
VP2110K1-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+41.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP2450N8-g 20005569A.pdf
VP2450N8-g
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 500V 160MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C01D-SSHM-B AT24C01D-AT24C02D-I2C-Compatible-Two-Wire-Serial-EEPROM-1Kbit-2Kbit-20006100A.pdf
AT24C01D-SSHM-B
Виробник: Microchip Technology
Description: IC EEPROM 1KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 4.5 µs
Memory Organization: 128 x 8
DigiKey Programmable: Verified
на замовлення 19150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
24+13.17 грн
100+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C01D-XHM-B AT24C01D-AT24C02D-I2C-Compatible-Two-Wire-Serial-EEPROM-1Kbit-2Kbit-20006100A.pdf
AT24C01D-XHM-B
Виробник: Microchip Technology
Description: IC EEPROM 1KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 4.5 µs
Memory Organization: 128 x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
22+14.72 грн
25+13.31 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C04D-SSHM-B Atmel-8896E-SEEPROM-AT24C04D-Datasheet.pdf
AT24C04D-SSHM-B
Виробник: Microchip Technology
Description: IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 450 ns
Memory Organization: 512 x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 8119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+15.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C04D-XHM-B Atmel-8896E-SEEPROM-AT24C04D-Datasheet.pdf
AT24C04D-XHM-B
Виробник: Microchip Technology
Description: IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 450 ns
Memory Organization: 512 x 8
DigiKey Programmable: Verified
на замовлення 15744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+17.05 грн
25+16.12 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AT34C04-SS5M-B Atmel-8827G-SEEPROM-AT34C04-Datasheet.pdf
AT34C04-SS5M-B
Виробник: Microchip Technology
Description: IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
Operating Temperature: -20°C ~ 125°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 4Kbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512 x 8
Memory Interface: I2C
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Supplier Device Package: 8-SOIC
Memory Format: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Technology: EEPROM
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
на замовлення 2416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+21.70 грн
25+19.34 грн
100+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AT34C04-X5M-B Atmel-8827G-SEEPROM-AT34C04-Datasheet.pdf
AT34C04-X5M-B
Виробник: Microchip Technology
Description: IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512 x 8
Memory Interface: I2C
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Memory Format: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Technology: EEPROM
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tube
Operating Temperature: -20°C ~ 125°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 4Kbit
на замовлення 2743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+21.70 грн
25+19.34 грн
100+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C01D-MAHM-T AT24C01D-AT24C02D-I2C-Compatible-Two-Wire-Serial-EEPROM-1Kbit-2Kbit-20006100A.pdf
AT24C01D-MAHM-T
Виробник: Microchip Technology
Description: IC EEPROM 1KBIT I2C 1MHZ 8UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-UDFN (2x3)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 4.5 µs
Memory Organization: 128 x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C01D-SSHM-T AT24C01D-AT24C02D-I2C-Compatible-Two-Wire-Serial-EEPROM-1Kbit-2Kbit-20006100A.pdf
AT24C01D-SSHM-T
Виробник: Microchip Technology
Description: IC EEPROM 1KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 4.5 µs
Memory Organization: 128 x 8
DigiKey Programmable: Verified
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C01D-STUM-T AT24C01D-AT24C02D-I2C-Compatible-Two-Wire-Serial-EEPROM-1Kbit-2Kbit-20006100A.pdf
AT24C01D-STUM-T
Виробник: Microchip Technology
Description: IC EEPROM 1KBIT I2C 1MHZ SOT23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: SOT-23-5
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 4.5 µs
Memory Organization: 128 x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C01D-XHM-T AT24C01D-AT24C02D-I2C-Compatible-Two-Wire-Serial-EEPROM-1Kbit-2Kbit-20006100A.pdf
AT24C01D-XHM-T
Виробник: Microchip Technology
Description: IC EEPROM 1KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 4.5 µs
Memory Organization: 128 x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C04D-MAHM-T Atmel-8896E-SEEPROM-AT24C04D-Datasheet.pdf
AT24C04D-MAHM-T
Виробник: Microchip Technology
Description: IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-UDFN (2x3)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 450 ns
Memory Organization: 512 x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C04D-SSHM-T Atmel-8896E-SEEPROM-AT24C04D-Datasheet.pdf
AT24C04D-SSHM-T
Виробник: Microchip Technology
Description: IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 450 ns
Memory Organization: 512 x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+15.80 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C04D-STUM-T Atmel-8896E-SEEPROM-AT24C04D-Datasheet.pdf
AT24C04D-STUM-T
Виробник: Microchip Technology
Description: IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ SOT23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: SOT-23-5
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 450 ns
Memory Organization: 512 x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AT24C04D-XHM-T Atmel-8896E-SEEPROM-AT24C04D-Datasheet.pdf
AT24C04D-XHM-T
Виробник: Microchip Technology
Description: IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 450 ns
Memory Organization: 512 x 8
DigiKey Programmable: Verified
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 460 907 908 909 910 911 912 913 914 915 916 917 920 1380 1840 2300 2760 3220 3680 4140 4600 4609  [ Наступна Сторінка >> ]