Результат пошуку "10n8" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
1210N822J500CT 1210N822J500CT Walsin WTC_MLCC_General_Purpose-1534899.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 8200pF +-5% 50V
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.84 грн
12+ 27.85 грн
100+ 14.53 грн
1000+ 9.69 грн
3000+ 8.89 грн
9000+ 8.24 грн
24000+ 7.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDBL0210N80 FDBL0210N80 onsemi / Fairchild FDBL0210N80_D-2312219.pdf MOSFETs Code D IMR
на замовлення 3849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+384.53 грн
10+ 303.4 грн
25+ 263.1 грн
100+ 216.84 грн
500+ 191.54 грн
IXFA10N80P IXFA10N80P IXYS media-3322078.pdf MOSFETs 10 Amps 800V 1.1 Rds
на замовлення 10121 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
1+353.33 грн
50+ 275.97 грн
100+ 206 грн
500+ 182.87 грн
IXFH10N80P IXFH10N80P IXYS IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+385.96 грн
4+ 246.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH10N80P IXFH10N80P IXYS IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+463.15 грн
4+ 307.75 грн
10+ 280.08 грн
510+ 269.24 грн
IXFH10N80P IXFH10N80P IXYS media-3322078.pdf MOSFETs 10 Amps 800V 1.1 Rds
на замовлення 600 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
2+318.75 грн
30+ 248.53 грн
120+ 203.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFN110N85X IXFN110N85X IXYS IXFN110N85X.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Technology: HiPerFET™; X-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 1170W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 33mΩ
Gate charge: 425nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 205ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5228.25 грн
IXFN110N85X IXFN110N85X IXYS IXFN110N85X.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Technology: HiPerFET™; X-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 1170W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 33mΩ
Gate charge: 425nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 205ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+6273.9 грн
IXFN110N85X IXFN110N85X IXYS media-3322450.pdf MOSFET Modules 850V X-Class HiPerFE Power MOSFET
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5708.07 грн
10+ 5204.27 грн
20+ 4524.01 грн
50+ 4523.28 грн
100+ 4227.66 грн
IXFP10N80P IXFP10N80P IXYS media-3322078.pdf MOSFETs 10 Amps 800V 1.1 Rds
на замовлення 300 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
1+480.66 грн
10+ 398.15 грн
50+ 326.71 грн
100+ 279.72 грн
250+ 263.82 грн
500+ 248.64 грн
1000+ 213.23 грн
STD110N8F6 STD110N8F6 STMicroelectronics std110n8f6-1850459.pdf MOSFETs N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ 110 A, STripFET F6 Power MOSFET
на замовлення 13375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.66 грн
10+ 86.45 грн
100+ 62.96 грн
250+ 62.23 грн
500+ 55.37 грн
1000+ 50.6 грн
2500+ 48.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF10N80K5 STF10N80K5 STMicroelectronics stf10n80k5-1850387.pdf MOSFETs N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ 9 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+216.72 грн
10+ 179.54 грн
25+ 147.45 грн
100+ 125.77 грн
250+ 119.26 грн
500+ 111.31 грн
1000+ 95.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
STFU10N80K5 STFU10N80K5 STMicroelectronics stf10n80k5-1850387.pdf MOSFETs N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ 9 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.88 грн
10+ 148.79 грн
25+ 127.21 грн
100+ 113.48 грн
250+ 111.31 грн
500+ 104.08 грн
1000+ 95.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
STH10N80K5-2AG STH10N80K5-2AG STMicroelectronics sth10n80k5_2ag-1892175.pdf MOSFETs Automotive-grade N-channel 800V, 0.60 Ohm 8A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+332.25 грн
10+ 275.13 грн
25+ 225.51 грн
100+ 193.71 грн
250+ 182.87 грн
500+ 172.03 грн
1000+ 147.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
STO-01T-110N-8 STO-01T-110N-8 JST Commercial eTAB_ON_IN_CHAIN-3476910.pdf Terminals TAB-ON TERMINAL STO-110 SERIES
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
44+7.84 грн
94+ 3.57 грн
125+ 2.31 грн
500+ 1.95 грн
1000+ 1.66 грн
2500+ 1.52 грн
5000+ 1.45 грн
Мінімальне замовлення: 44
STO-41T-110N-8 JST Commercial eTAB_ON_IN_CHAIN-3476907.pdf Automotive Connectors TAB-ON CHAIN TERMINAL
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
44+7.84 грн
86+ 3.91 грн
118+ 2.46 грн
500+ 2.1 грн
1000+ 1.81 грн
2500+ 1.66 грн
5000+ 1.52 грн
Мінімальне замовлення: 44
STP10N80K5 STP10N80K5 STMicroelectronics stp10n80k5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.06 грн
5+ 204.04 грн
6+ 156.61 грн
16+ 147.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP10N80K5 STP10N80K5 STMicroelectronics stp10n80k5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+292.87 грн
5+ 254.27 грн
6+ 187.93 грн
16+ 177.09 грн
TN2510N8-G TN2510N8-G MICROCHIP TECHNOLOGY tn2510.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+90.35 грн
12+ 77.55 грн
32+ 73.03 грн
100+ 70.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
TN2510N8-G TN2510N8-G MICROCHIP TECHNOLOGY tn2510.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+120.65 грн
5+ 112.59 грн
12+ 93.06 грн
32+ 87.64 грн
100+ 84.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
TN2510N8-G TN2510N8-G Microchip Technology TN2510_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3442100.pdf MOSFETs 100V 1.5Ohm
на замовлення 10222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.25 грн
25+ 87.28 грн
100+ 68.59 грн
10000+ 67.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN2510N8-G Microchip TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15Ohm; 730mA; 1,6W; -55°C ~ 150°C; TN2510N8-G TTN2510n8
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+92 грн
Мінімальне замовлення: 10
TP2510N8-G TP2510N8-G MICROCHIP TECHNOLOGY tp2510.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.5A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -1.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TP2510N8-G TP2510N8-G Microchip Technology TP2510_P_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3445595.pdf MOSFETs 100V 3.5Ohm
на замовлення 6610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.59 грн
25+ 98.92 грн
100+ 77.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
TP2510N8-G Microchip TP2510-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005965.pdf P-MOSFET 100V 480mA 3.5mΩ 1.6W TP2510N8-G Microchip Tech TTP2510n8
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+58.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
WMJ10N80D1 WMJ10N80D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 215W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+115.95 грн
5+ 86.59 грн
10+ 64.75 грн
19+ 48.94 грн
50+ 45.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMJ10N80D1 WMJ10N80D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 215W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+107.9 грн
10+ 77.7 грн
19+ 58.73 грн
50+ 55.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
WMK10N80M3 WMK10N80M3 WAYON WMx10N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.22 грн
4+ 106.16 грн
10+ 84.33 грн
18+ 50.45 грн
49+ 47.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
WMK10N80M3 WMK10N80M3 WAYON WMx10N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+163.46 грн
3+ 132.29 грн
10+ 101.19 грн
18+ 60.53 грн
49+ 56.92 грн
1000+ 55.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
WML10N80D1B WML10N80D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 62.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 62.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+54.33 грн
10+ 41.56 грн
27+ 32.83 грн
50+ 32.75 грн
74+ 31.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
WML10N80D1B WML10N80D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 62.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 62.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+65.19 грн
10+ 51.79 грн
27+ 39.39 грн
50+ 39.3 грн
74+ 37.22 грн
500+ 36.95 грн
2000+ 35.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
WML10N80M3 WML10N80M3 WAYON WMx10N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+68.92 грн
7+ 58.73 грн
20+ 45.18 грн
54+ 42.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
WML10N80M3 WML10N80M3 WAYON WMx10N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+82.7 грн
5+ 73.18 грн
20+ 54.21 грн
54+ 51.5 грн
500+ 50.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
WML10N80M3; 10A; 800V; 31W; 0,86R; N-канальный; Корпус: TO-220F; WAYON
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+175.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMO10N80M3 WMO10N80M3 WAYON WMx10N80M3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+55.14 грн
10+ 40.36 грн
25+ 35.24 грн
69+ 33.13 грн
100+ 32.07 грн
500+ 32 грн
Мінімальне замовлення: 8
WMO10N80M3 WMO10N80M3 WAYON WMx10N80M3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.16 грн
6+ 50.29 грн
25+ 42.28 грн
69+ 39.75 грн
100+ 38.49 грн
500+ 38.4 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQA10N80 Fairchild FAIRS24245-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA10N80C FAIRCHILD FQA10N80C.pdf 2005 TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA10N80C-F109 ON Semiconductor fqa10n80c_f109-d.pdf
на замовлення 11250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FUS10N878A 04+
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSV3110N-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTP10N80
на замовлення 3355 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SSF10N80A FAIRS06924-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SSH10N80
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SSH10N80A SEC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SSS10N80
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP10N80FI
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP110N8F6 en.DM00130827.pdf
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
TH8PF10N+8H5FN TI 02+ TQFP;
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TP2510N8T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN1310N8-P024
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Переключатель ПГ-3В 5П10Н (87г)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
8011
+1
 		8011 VISATON VS-SC10N-8.pdf Category: Speakers
Description: Loudspeaker; tweeter; 50W; 8Ω; Ø104x33.5mm; Ø: 104mm
Height: 33.5mm
Body dimensions: Ø104x33.5mm
Maximum power: 80W
Resonant frequency: 1.7kHz
Type of sound transducer: loudspeaker
Kind of loudspeaker: tweeter
Power: 50W
Impedance: 8Ω
Diameter: 104mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1684.26 грн
2+ 1535.92 грн
8011 8011 Visaton SC_10_N-3462692.pdf Speakers & Transducers Magnetically shielded 25mm(1") fabric dome driver 100-150W 1000 20000Hz 8ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2065.16 грн
10+ 1659.12 грн
25+ 1324.17 грн
50+ 1250.44 грн
100+ 1247.55 грн
500+ 1245.38 грн
1000+ 1244.66 грн
B64290L0618X087 EPCOS r_25_3_14_8_10_0.pdf Сердечник R25,3/14,8/10 N87 мю=2200±25% Al=2360±25% F~0,025…0,5МГц
на замовлення 3891 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+58.38 грн
10+ 48.79 грн
100+ 40.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
B65813J0000R087 EPCOS rm_10.pdf Сердечник RM10 N87 мю=1500 AL=4200±25 F~0,025…0,5МГц
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+92.18 грн
10+ 75.74 грн
100+ 68.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
B65813J0250A087 EPCOS rm_10.pdf Сердечник RM10 N87 мю=92 Al=250 d=0,44мм F~0,025…0,5 МГц
на замовлення 150 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+288.34 грн
10+ 236.94 грн
100+ 215.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
B66358G0000X187 EPCOS etd_29_16_10.pdf Сердечник ETD29/16/10 N87 мю=1610 AL=2200±25% F~0,025…0,5МГц
на замовлення 742 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
9+33.21 грн
10+ 27.29 грн
100+ 24.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
B66358G0100X187 EPCOS etd_29_16_10.pdf Сердечник ETD29/16/10 N87 мю=1610 AL=621 d=0,1±0,02мм F~0,025…0,3МГц
на замовлення 372 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+58.38 грн
10+ 51.5 грн
100+ 48.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
B66358G0200X187 EPCOS etd_29_16_10.pdf Сердечник ETD29/16/10 N87 мю=281 AL=383 d=0,2±0,02мм F~0,025…0,3МГц
на замовлення 490 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
6+52.54 грн
10+ 43.37 грн
100+ 37.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
1210N822J500CT WTC_MLCC_General_Purpose-1534899.pdf
1210N822J500CT
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 8200pF +-5% 50V
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.84 грн
12+ 27.85 грн
100+ 14.53 грн
1000+ 9.69 грн
3000+ 8.89 грн
9000+ 8.24 грн
24000+ 7.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDBL0210N80 FDBL0210N80_D-2312219.pdf
FDBL0210N80
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs Code D IMR
на замовлення 3849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+384.53 грн
10+ 303.4 грн
25+ 263.1 грн
100+ 216.84 грн
500+ 191.54 грн
IXFA10N80P media-3322078.pdf
IXFA10N80P
Виробник: IXYS
MOSFETs 10 Amps 800V 1.1 Rds
на замовлення 10121 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+353.33 грн
50+ 275.97 грн
100+ 206 грн
500+ 182.87 грн
IXFH10N80P IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf
IXFH10N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+385.96 грн
4+ 246.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH10N80P IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf
IXFH10N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+463.15 грн
4+ 307.75 грн
10+ 280.08 грн
510+ 269.24 грн
IXFH10N80P media-3322078.pdf
IXFH10N80P
Виробник: IXYS
MOSFETs 10 Amps 800V 1.1 Rds
на замовлення 600 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+318.75 грн
30+ 248.53 грн
120+ 203.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFN110N85X IXFN110N85X.pdf
IXFN110N85X
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Technology: HiPerFET™; X-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 1170W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 33mΩ
Gate charge: 425nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 205ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5228.25 грн
IXFN110N85X IXFN110N85X.pdf
IXFN110N85X
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Technology: HiPerFET™; X-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 1170W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 33mΩ
Gate charge: 425nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 205ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+6273.9 грн
IXFN110N85X media-3322450.pdf
IXFN110N85X
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 850V X-Class HiPerFE Power MOSFET
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5708.07 грн
10+ 5204.27 грн
20+ 4524.01 грн
50+ 4523.28 грн
100+ 4227.66 грн
IXFP10N80P media-3322078.pdf
IXFP10N80P
Виробник: IXYS
MOSFETs 10 Amps 800V 1.1 Rds
на замовлення 300 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+480.66 грн
10+ 398.15 грн
50+ 326.71 грн
100+ 279.72 грн
250+ 263.82 грн
500+ 248.64 грн
1000+ 213.23 грн
STD110N8F6 std110n8f6-1850459.pdf
STD110N8F6
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ 110 A, STripFET F6 Power MOSFET
на замовлення 13375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+98.66 грн
10+ 86.45 грн
100+ 62.96 грн
250+ 62.23 грн
500+ 55.37 грн
1000+ 50.6 грн
2500+ 48.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF10N80K5 stf10n80k5-1850387.pdf
STF10N80K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ 9 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+216.72 грн
10+ 179.54 грн
25+ 147.45 грн
100+ 125.77 грн
250+ 119.26 грн
500+ 111.31 грн
1000+ 95.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
STFU10N80K5 stf10n80k5-1850387.pdf
STFU10N80K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ 9 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+215.88 грн
10+ 148.79 грн
25+ 127.21 грн
100+ 113.48 грн
250+ 111.31 грн
500+ 104.08 грн
1000+ 95.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
STH10N80K5-2AG sth10n80k5_2ag-1892175.pdf
STH10N80K5-2AG
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade N-channel 800V, 0.60 Ohm 8A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+332.25 грн
10+ 275.13 грн
25+ 225.51 грн
100+ 193.71 грн
250+ 182.87 грн
500+ 172.03 грн
1000+ 147.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
STO-01T-110N-8 eTAB_ON_IN_CHAIN-3476910.pdf
STO-01T-110N-8
Виробник: JST Commercial
Terminals TAB-ON TERMINAL STO-110 SERIES
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
44+7.84 грн
94+ 3.57 грн
125+ 2.31 грн
500+ 1.95 грн
1000+ 1.66 грн
2500+ 1.52 грн
5000+ 1.45 грн
Мінімальне замовлення: 44
STO-41T-110N-8 eTAB_ON_IN_CHAIN-3476907.pdf
Виробник: JST Commercial
Automotive Connectors TAB-ON CHAIN TERMINAL
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
44+7.84 грн
86+ 3.91 грн
118+ 2.46 грн
500+ 2.1 грн
1000+ 1.81 грн
2500+ 1.66 грн
5000+ 1.52 грн
Мінімальне замовлення: 44
STP10N80K5 stp10n80k5.pdf
STP10N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+244.06 грн
5+ 204.04 грн
6+ 156.61 грн
16+ 147.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP10N80K5 stp10n80k5.pdf
STP10N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+292.87 грн
5+ 254.27 грн
6+ 187.93 грн
16+ 177.09 грн
TN2510N8-G tn2510.pdf
TN2510N8-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+90.35 грн
12+ 77.55 грн
32+ 73.03 грн
100+ 70.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
TN2510N8-G tn2510.pdf
TN2510N8-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+120.65 грн
5+ 112.59 грн
12+ 93.06 грн
32+ 87.64 грн
100+ 84.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
TN2510N8-G TN2510_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3442100.pdf
TN2510N8-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 100V 1.5Ohm
на замовлення 10222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+106.25 грн
25+ 87.28 грн
100+ 68.59 грн
10000+ 67.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN2510N8-G TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf
Виробник: Microchip
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15Ohm; 730mA; 1,6W; -55°C ~ 150°C; TN2510N8-G TTN2510n8
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+92 грн
Мінімальне замовлення: 10
TP2510N8-G tp2510.pdf
TP2510N8-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.5A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -1.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TP2510N8-G TP2510_P_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3445595.pdf
TP2510N8-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 100V 3.5Ohm
на замовлення 6610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+120.59 грн
25+ 98.92 грн
100+ 77.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
TP2510N8-G TP2510-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005965.pdf
Виробник: Microchip
P-MOSFET 100V 480mA 3.5mΩ 1.6W TP2510N8-G Microchip Tech TTP2510n8
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+58.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
WMJ10N80D1
WMJ10N80D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 215W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+115.95 грн
5+ 86.59 грн
10+ 64.75 грн
19+ 48.94 грн
50+ 45.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMJ10N80D1
WMJ10N80D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 215W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.9 грн
10+ 77.7 грн
19+ 58.73 грн
50+ 55.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
WMK10N80M3 WMx10N80M3.pdf
WMK10N80M3
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+136.22 грн
4+ 106.16 грн
10+ 84.33 грн
18+ 50.45 грн
49+ 47.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
WMK10N80M3 WMx10N80M3.pdf
WMK10N80M3
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+163.46 грн
3+ 132.29 грн
10+ 101.19 грн
18+ 60.53 грн
49+ 56.92 грн
1000+ 55.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
WML10N80D1B
WML10N80D1B
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 62.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 62.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+54.33 грн
10+ 41.56 грн
27+ 32.83 грн
50+ 32.75 грн
74+ 31.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
WML10N80D1B
WML10N80D1B
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 62.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 62.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.19 грн
10+ 51.79 грн
27+ 39.39 грн
50+ 39.3 грн
74+ 37.22 грн
500+ 36.95 грн
2000+ 35.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
WML10N80M3 WMx10N80M3.pdf
WML10N80M3
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+68.92 грн
7+ 58.73 грн
20+ 45.18 грн
54+ 42.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
WML10N80M3 WMx10N80M3.pdf
WML10N80M3
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.7 грн
5+ 73.18 грн
20+ 54.21 грн
54+ 51.5 грн
500+ 50.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
WML10N80M3; 10A; 800V; 31W; 0,86R; N-канальный; Корпус: TO-220F; WAYON
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+175.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMO10N80M3 WMx10N80M3.pdf
WMO10N80M3
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+55.14 грн
10+ 40.36 грн
25+ 35.24 грн
69+ 33.13 грн
100+ 32.07 грн
500+ 32 грн
Мінімальне замовлення: 8
WMO10N80M3 WMx10N80M3.pdf
WMO10N80M3
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.16 грн
6+ 50.29 грн
25+ 42.28 грн
69+ 39.75 грн
100+ 38.49 грн
500+ 38.4 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQA10N80 FAIRS24245-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA10N80C FQA10N80C.pdf
Виробник: FAIRCHILD
2005 TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA10N80C-F109 fqa10n80c_f109-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 11250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FUS10N878A
04+
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSV3110N-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTP10N80
на замовлення 3355 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SSF10N80A FAIRS06924-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SSH10N80
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SSH10N80A
Виробник: SEC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SSS10N80
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP10N80FI
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP110N8F6 en.DM00130827.pdf
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
TH8PF10N+8H5FN
Виробник: TI
02+ TQFP;
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TP2510N8T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN1310N8-P024
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Переключатель ПГ-3В 5П10Н (87г)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
8011 VS-SC10N-8.pdf
8011
+1
Виробник: VISATON
Category: Speakers
Description: Loudspeaker; tweeter; 50W; 8Ω; Ø104x33.5mm; Ø: 104mm
Height: 33.5mm
Body dimensions: Ø104x33.5mm
Maximum power: 80W
Resonant frequency: 1.7kHz
Type of sound transducer: loudspeaker
Kind of loudspeaker: tweeter
Power: 50W
Impedance: 8Ω
Diameter: 104mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1684.26 грн
2+ 1535.92 грн
8011 SC_10_N-3462692.pdf
8011
Виробник: Visaton
Speakers & Transducers Magnetically shielded 25mm(1") fabric dome driver 100-150W 1000 20000Hz 8ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2065.16 грн
10+ 1659.12 грн
25+ 1324.17 грн
50+ 1250.44 грн
100+ 1247.55 грн
500+ 1245.38 грн
1000+ 1244.66 грн
B64290L0618X087 r_25_3_14_8_10_0.pdf
Виробник: EPCOS
Сердечник R25,3/14,8/10 N87 мю=2200±25% Al=2360±25% F~0,025…0,5МГц
на замовлення 3891 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+58.38 грн
10+ 48.79 грн
100+ 40.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
B65813J0000R087 rm_10.pdf
Виробник: EPCOS
Сердечник RM10 N87 мю=1500 AL=4200±25 F~0,025…0,5МГц
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+92.18 грн
10+ 75.74 грн
100+ 68.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
B65813J0250A087 rm_10.pdf
Виробник: EPCOS
Сердечник RM10 N87 мю=92 Al=250 d=0,44мм F~0,025…0,5 МГц
на замовлення 150 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+288.34 грн
10+ 236.94 грн
100+ 215.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
B66358G0000X187 etd_29_16_10.pdf
Виробник: EPCOS
Сердечник ETD29/16/10 N87 мю=1610 AL=2200±25% F~0,025…0,5МГц
на замовлення 742 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.21 грн
10+ 27.29 грн
100+ 24.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
B66358G0100X187 etd_29_16_10.pdf
Виробник: EPCOS
Сердечник ETD29/16/10 N87 мю=1610 AL=621 d=0,1±0,02мм F~0,025…0,3МГц
на замовлення 372 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+58.38 грн
10+ 51.5 грн
100+ 48.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
B66358G0200X187 etd_29_16_10.pdf
Виробник: EPCOS
Сердечник ETD29/16/10 N87 мю=281 AL=383 d=0,2±0,02мм F~0,025…0,3МГц
на замовлення 490 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.54 грн
10+ 43.37 грн
100+ 37.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]