Результат пошуку "10n8" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
1210N822J500CT 1210N822J500CT Walsin WTC_MLCC_General_Purpose-1534899.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 8200pF +-5% 50V
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+39.57 грн
12+ 25.72 грн
100+ 13.42 грн
1000+ 8.95 грн
3000+ 8.21 грн
9000+ 7.61 грн
24000+ 7.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDBL0210N80 FDBL0210N80 onsemi / Fairchild FDBL0210N80_D-2312219.pdf MOSFET Code D IMR
на замовлення 3949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+342.71 грн
10+ 295.59 грн
25+ 255.03 грн
100+ 217.64 грн
250+ 216.97 грн
500+ 197.61 грн
1000+ 181.59 грн
IXFA10N80P IXFA10N80P IXYS media-3322078.pdf MOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds
на замовлення 10121 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
1+326.35 грн
50+ 254.89 грн
100+ 199.62 грн
250+ 190.27 грн
500+ 168.91 грн
IXFH10N80P IXFH10N80P IXYS IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+342.26 грн
3+ 285.82 грн
4+ 228.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH10N80P IXFH10N80P IXYS IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+410.71 грн
3+ 356.18 грн
4+ 273.72 грн
10+ 258.7 грн
IXFH10N80P IXFH10N80P IXYS media-3322078.pdf MOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+419.04 грн
10+ 357.77 грн
30+ 301.76 грн
120+ 269.72 грн
270+ 254.36 грн
510+ 222.32 грн
1020+ 191.6 грн
IXFN110N85X IXFN110N85X IXYS IXFN110N85X.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Technology: HiPerFET™; X-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 1170W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 33mΩ
Gate charge: 425nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 205ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4829.07 грн
IXFN110N85X IXFN110N85X IXYS IXFN110N85X.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Technology: HiPerFET™; X-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 1170W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 33mΩ
Gate charge: 425nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 205ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+5794.88 грн
IXFN110N85X IXFN110N85X IXYS media-3322450.pdf Discrete Semiconductor Modules 850V X-Class HiPerFE Power MOSFET
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5272.25 грн
10+ 4804.61 грн
100+ 3904.87 грн
SC 10 N - 8 OHM SC 10 N - 8 OHM Visaton sc10n_tz.gif Speakers & Transducers Magnetic shield 25mm (1") fabric dome dv
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1907.48 грн
10+ 1532.44 грн
25+ 1223.07 грн
50+ 1154.97 грн
100+ 1152.3 грн
500+ 1150.3 грн
1000+ 1149.63 грн
STD110N8F6 STD110N8F6 STMicroelectronics std110n8f6-1850459.pdf MOSFET N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ 110 A, STripFET F6 Power MOSFET
на замовлення 13494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+105.15 грн
10+ 87.52 грн
100+ 63.36 грн
250+ 61.82 грн
500+ 55.28 грн
1000+ 47.2 грн
2500+ 45.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF10N80K5 STF10N80K5 STMicroelectronics stf10n80k5-1850387.pdf MOSFET N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ 9 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+156.56 грн
10+ 152.78 грн
25+ 115.5 грн
100+ 104.82 грн
250+ 103.48 грн
500+ 98.14 грн
1000+ 90.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
STFU10N80K5 STFU10N80K5 STMicroelectronics stf10n80k5-1850387.pdf MOSFET N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ 9 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+204.85 грн
10+ 141.27 грн
25+ 120.84 грн
100+ 108.82 грн
250+ 106.82 грн
500+ 100.14 грн
1000+ 90.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
STH10N80K5-2AG STH10N80K5-2AG STMicroelectronics sth10n80k5_2ag-1892175.pdf MOSFET Automotive-grade N-channel 800V, 0.60 Ohm 8A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+307.66 грн
10+ 254.89 грн
25+ 208.96 грн
100+ 179.59 грн
250+ 169.57 грн
500+ 159.56 грн
1000+ 136.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP10N80K5 STMicroelectronics stp10n80k5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.43 грн
5+ 188.46 грн
6+ 144.65 грн
16+ 136.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP10N80K5 STMicroelectronics stp10n80k5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+270.51 грн
5+ 234.85 грн
6+ 173.58 грн
16+ 163.57 грн
STP110N8F6 STP110N8F6 STMicroelectronics stp110n8f6-1851410.pdf MOSFET N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ 110 A, STripFET F6 Power MOSFET
на замовлення 3786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+105.15 грн
10+ 89.06 грн
100+ 68.1 грн
500+ 61.49 грн
1000+ 55.01 грн
2000+ 53.54 грн
5000+ 51.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
TN2510N8-G TN2510N8-G MICROCHIP TECHNOLOGY tn2510.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.61 грн
5+ 86.93 грн
12+ 71.63 грн
32+ 67.46 грн
100+ 66.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN2510N8-G TN2510N8-G MICROCHIP TECHNOLOGY tn2510.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+115.93 грн
5+ 108.33 грн
12+ 85.96 грн
32+ 80.95 грн
100+ 80.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
TN2510N8-G TN2510N8-G Microchip Technology TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf MOSFET 100V 1.5Ohm
на замовлення 10567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.14 грн
25+ 80.61 грн
100+ 63.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN2510N8-G Microchip TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15Ohm; 730mA; 1,6W; -55°C ~ 150°C; TN2510N8-G TTN2510n8
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+85.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
TP2510N8-G TP2510N8-G MICROCHIP TECHNOLOGY tp2510.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.5A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -1.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.8 грн
10+ 59.81 грн
15+ 57.72 грн
39+ 54.24 грн
100+ 52.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
TP2510N8-G TP2510N8-G MICROCHIP TECHNOLOGY tp2510.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.5A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -1.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 409 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+94.46 грн
10+ 71.77 грн
15+ 69.26 грн
39+ 65.09 грн
100+ 62.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
TP2510N8-G TP2510N8-G Microchip Technology l-enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005965.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+52.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TP2510N8-G TP2510N8-G Microchip Technology TP2510-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005965.pdf MOSFET 100V 3.5Ohm
на замовлення 7282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.38 грн
25+ 91.36 грн
100+ 71.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
TP2510N8-G Microchip TP2510-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005965.pdf P-MOSFET 100V 480mA 3.5mΩ 1.6W TP2510N8-G Microchip Tech TTP2510n8
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+54.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
WMJ10N80D1 WMJ10N80D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 215W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.59 грн
5+ 82.76 грн
10+ 61.89 грн
19+ 44.51 грн
50+ 42.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMJ10N80D1 WMJ10N80D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 215W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+103.13 грн
10+ 74.27 грн
19+ 53.41 грн
50+ 50.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
WMK10N80M3 WMK10N80M3 WAYON WMx10N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.06 грн
4+ 101.53 грн
10+ 81.37 грн
18+ 46.59 грн
49+ 43.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
WMK10N80M3 WMK10N80M3 WAYON WMx10N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 427 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+157.27 грн
3+ 126.53 грн
10+ 97.64 грн
18+ 55.91 грн
49+ 52.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
WML10N80D1B WML10N80D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 62.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 62.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.42 грн
10+ 39.92 грн
26+ 31.16 грн
72+ 29.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
WML10N80D1B WML10N80D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 62.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 62.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 308 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+62.91 грн
10+ 49.74 грн
26+ 37.39 грн
72+ 35.38 грн
2000+ 34.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
WML10N80M3 WML10N80M3 WAYON WMx10N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.16 грн
7+ 57.03 грн
19+ 42.42 грн
52+ 40.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
WML10N80M3 WML10N80M3 WAYON WMx10N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 198 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+78.19 грн
5+ 71.06 грн
19+ 50.91 грн
52+ 48.4 грн
Мінімальне замовлення: 4
WML10N80M3; 10A; 800V; 31W; 0,86R; N-канальный; Корпус: TO-220F; WAYON
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+167.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMO10N80M3 WMO10N80M3 WAYON WMx10N80M3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+53.17 грн
9+ 38.8 грн
25+ 33.87 грн
26+ 31.99 грн
69+ 30.6 грн
500+ 29.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
WMO10N80M3 WMO10N80M3 WAYON WMx10N80M3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2234 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+63.81 грн
6+ 48.36 грн
25+ 40.64 грн
26+ 38.39 грн
69+ 36.72 грн
500+ 35.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQA10N80 Fairchild FAIRS24245-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQA10N80.pdf
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA10N80C FAIRCHILD FQA10N80C.pdf 2005 TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA10N80C-F109 ON Semiconductor fqa10n80c_f109-d.pdf
на замовлення 11250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FUS10N878A 04+
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSV3110N-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTP10N80
на замовлення 3355 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SSF10N80A FAIRS06924-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SSH10N80
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SSH10N80A SEC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SSS10N80
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP10N80FI
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP110N8F6 en.DM00130827.pdf
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
TH8PF10N+8H5FN TI 02+ TQFP;
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TP2510N8T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN1310N8-P024
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Переключатель ПГ-3В 5П10Н (87г)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
8011
+1
 		8011 VISATON VS-SC10N-8.pdf Category: Speakers
Description: Loudspeaker; tweeter; 50W; 8Ω; Ø104x33.5mm; Ø: 104mm
Impedance: 8Ω
Diameter: 104mm
Body dimensions: Ø104x33.5mm
Height: 33.5mm
Maximum power: 80W
Resonant frequency: 1700Hz
Type of sound transducer: loudspeaker
Kind of loudspeaker: tweeter
Power: 50W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1563.75 грн
2+ 1426.44 грн
5+ 1372.78 грн
B64290L0618X087 EPCOS r_25_3_14_8_10_0.pdf Сердечник R25,3/14,8/10 N87 мю=2200±25% Al=2360±25% F~0,025…0,5МГц
на замовлення 3897 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+55.72 грн
10+ 46.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
B65813J0000R087 EPCOS rm_10.pdf Сердечник RM10 N87 мю=1500 AL=4200±25 F~0,025…0,5МГц
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+87.98 грн
10+ 72.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
B65813J0250A087 EPCOS rm_10.pdf Сердечник RM10 N87 мю=92 Al=250 d=0,44мм F~0,025…0,5 МГц
на замовлення 150 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+275.2 грн
10+ 226.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
B66358G0000X187 EPCOS etd_29_16_10.pdf Сердечник ETD29/16/10 N87 мю=1610 AL=2200±25% F~0,025…0,5МГц
на замовлення 742 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
9+31.7 грн
10+ 26.05 грн
Мінімальне замовлення: 9
B66358G0100X187 EPCOS etd_29_16_10.pdf Сердечник ETD29/16/10 N87 мю=1610 AL=621 d=0,1±0,02мм F~0,025…0,3МГц
на замовлення 372 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+55.72 грн
10+ 49.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
B66358G0200X187 EPCOS etd_29_16_10.pdf Сердечник ETD29/16/10 N87 мю=281 AL=383 d=0,2±0,02мм F~0,025…0,3МГц
на замовлення 490 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
6+50.15 грн
10+ 41.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
1210N822J500CT WTC_MLCC_General_Purpose-1534899.pdf
1210N822J500CT
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 8200pF +-5% 50V
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.57 грн
12+ 25.72 грн
100+ 13.42 грн
1000+ 8.95 грн
3000+ 8.21 грн
9000+ 7.61 грн
24000+ 7.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDBL0210N80 FDBL0210N80_D-2312219.pdf
FDBL0210N80
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET Code D IMR
на замовлення 3949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+342.71 грн
10+ 295.59 грн
25+ 255.03 грн
100+ 217.64 грн
250+ 216.97 грн
500+ 197.61 грн
1000+ 181.59 грн
IXFA10N80P media-3322078.pdf
IXFA10N80P
Виробник: IXYS
MOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds
на замовлення 10121 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+326.35 грн
50+ 254.89 грн
100+ 199.62 грн
250+ 190.27 грн
500+ 168.91 грн
IXFH10N80P IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf
IXFH10N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+342.26 грн
3+ 285.82 грн
4+ 228.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH10N80P IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf
IXFH10N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+410.71 грн
3+ 356.18 грн
4+ 273.72 грн
10+ 258.7 грн
IXFH10N80P media-3322078.pdf
IXFH10N80P
Виробник: IXYS
MOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+419.04 грн
10+ 357.77 грн
30+ 301.76 грн
120+ 269.72 грн
270+ 254.36 грн
510+ 222.32 грн
1020+ 191.6 грн
IXFN110N85X IXFN110N85X.pdf
IXFN110N85X
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Technology: HiPerFET™; X-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 1170W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 33mΩ
Gate charge: 425nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 205ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4829.07 грн
IXFN110N85X IXFN110N85X.pdf
IXFN110N85X
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Technology: HiPerFET™; X-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 1170W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 33mΩ
Gate charge: 425nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 205ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5794.88 грн
IXFN110N85X media-3322450.pdf
IXFN110N85X
Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules 850V X-Class HiPerFE Power MOSFET
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5272.25 грн
10+ 4804.61 грн
100+ 3904.87 грн
SC 10 N - 8 OHM sc10n_tz.gif
SC 10 N - 8 OHM
Виробник: Visaton
Speakers & Transducers Magnetic shield 25mm (1") fabric dome dv
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1907.48 грн
10+ 1532.44 грн
25+ 1223.07 грн
50+ 1154.97 грн
100+ 1152.3 грн
500+ 1150.3 грн
1000+ 1149.63 грн
STD110N8F6 std110n8f6-1850459.pdf
STD110N8F6
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ 110 A, STripFET F6 Power MOSFET
на замовлення 13494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.15 грн
10+ 87.52 грн
100+ 63.36 грн
250+ 61.82 грн
500+ 55.28 грн
1000+ 47.2 грн
2500+ 45.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF10N80K5 stf10n80k5-1850387.pdf
STF10N80K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ 9 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+156.56 грн
10+ 152.78 грн
25+ 115.5 грн
100+ 104.82 грн
250+ 103.48 грн
500+ 98.14 грн
1000+ 90.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
STFU10N80K5 stf10n80k5-1850387.pdf
STFU10N80K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ 9 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+204.85 грн
10+ 141.27 грн
25+ 120.84 грн
100+ 108.82 грн
250+ 106.82 грн
500+ 100.14 грн
1000+ 90.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
STH10N80K5-2AG sth10n80k5_2ag-1892175.pdf
STH10N80K5-2AG
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET Automotive-grade N-channel 800V, 0.60 Ohm 8A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+307.66 грн
10+ 254.89 грн
25+ 208.96 грн
100+ 179.59 грн
250+ 169.57 грн
500+ 159.56 грн
1000+ 136.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP10N80K5 stp10n80k5.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+225.43 грн
5+ 188.46 грн
6+ 144.65 грн
16+ 136.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP10N80K5 stp10n80k5.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+270.51 грн
5+ 234.85 грн
6+ 173.58 грн
16+ 163.57 грн
STP110N8F6 stp110n8f6-1851410.pdf
STP110N8F6
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ 110 A, STripFET F6 Power MOSFET
на замовлення 3786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.15 грн
10+ 89.06 грн
100+ 68.1 грн
500+ 61.49 грн
1000+ 55.01 грн
2000+ 53.54 грн
5000+ 51.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
TN2510N8-G tn2510.pdf
TN2510N8-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+96.61 грн
5+ 86.93 грн
12+ 71.63 грн
32+ 67.46 грн
100+ 66.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN2510N8-G tn2510.pdf
TN2510N8-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.93 грн
5+ 108.33 грн
12+ 85.96 грн
32+ 80.95 грн
100+ 80.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
TN2510N8-G TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf
TN2510N8-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFET 100V 1.5Ohm
на замовлення 10567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+98.14 грн
25+ 80.61 грн
100+ 63.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN2510N8-G TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf
Виробник: Microchip
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15Ohm; 730mA; 1,6W; -55°C ~ 150°C; TN2510N8-G TTN2510n8
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+85.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
TP2510N8-G tp2510.pdf
TP2510N8-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.5A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -1.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+75.8 грн
10+ 59.81 грн
15+ 57.72 грн
39+ 54.24 грн
100+ 52.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
TP2510N8-G tp2510.pdf
TP2510N8-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.5A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -1.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 409 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+94.46 грн
10+ 71.77 грн
15+ 69.26 грн
39+ 65.09 грн
100+ 62.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
TP2510N8-G l-enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005965.pdf
TP2510N8-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 100V 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+52.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TP2510N8-G TP2510-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005965.pdf
TP2510N8-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFET 100V 3.5Ohm
на замовлення 7282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.38 грн
25+ 91.36 грн
100+ 71.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
TP2510N8-G TP2510-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005965.pdf
Виробник: Microchip
P-MOSFET 100V 480mA 3.5mΩ 1.6W TP2510N8-G Microchip Tech TTP2510n8
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+54.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
WMJ10N80D1
WMJ10N80D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 215W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+111.59 грн
5+ 82.76 грн
10+ 61.89 грн
19+ 44.51 грн
50+ 42.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMJ10N80D1
WMJ10N80D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 215W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+103.13 грн
10+ 74.27 грн
19+ 53.41 грн
50+ 50.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
WMK10N80M3 WMx10N80M3.pdf
WMK10N80M3
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+131.06 грн
4+ 101.53 грн
10+ 81.37 грн
18+ 46.59 грн
49+ 43.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
WMK10N80M3 WMx10N80M3.pdf
WMK10N80M3
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 427 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+157.27 грн
3+ 126.53 грн
10+ 97.64 грн
18+ 55.91 грн
49+ 52.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
WML10N80D1B
WML10N80D1B
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 62.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 62.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+52.42 грн
10+ 39.92 грн
26+ 31.16 грн
72+ 29.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
WML10N80D1B
WML10N80D1B
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 62.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 62.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 308 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.91 грн
10+ 49.74 грн
26+ 37.39 грн
72+ 35.38 грн
2000+ 34.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
WML10N80M3 WMx10N80M3.pdf
WML10N80M3
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+65.16 грн
7+ 57.03 грн
19+ 42.42 грн
52+ 40.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
WML10N80M3 WMx10N80M3.pdf
WML10N80M3
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 198 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+78.19 грн
5+ 71.06 грн
19+ 50.91 грн
52+ 48.4 грн
Мінімальне замовлення: 4
WML10N80M3; 10A; 800V; 31W; 0,86R; N-канальный; Корпус: TO-220F; WAYON
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+167.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMO10N80M3 WMx10N80M3.pdf
WMO10N80M3
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+53.17 грн
9+ 38.8 грн
25+ 33.87 грн
26+ 31.99 грн
69+ 30.6 грн
500+ 29.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
WMO10N80M3 WMx10N80M3.pdf
WMO10N80M3
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2234 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.81 грн
6+ 48.36 грн
25+ 40.64 грн
26+ 38.39 грн
69+ 36.72 грн
500+ 35.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQA10N80 FAIRS24245-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQA10N80.pdf
Виробник: Fairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA10N80C FQA10N80C.pdf
Виробник: FAIRCHILD
2005 TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA10N80C-F109 fqa10n80c_f109-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 11250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FUS10N878A
04+
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSV3110N-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTP10N80
на замовлення 3355 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SSF10N80A FAIRS06924-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SSH10N80
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SSH10N80A
Виробник: SEC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SSS10N80
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP10N80FI
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP110N8F6 en.DM00130827.pdf
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
TH8PF10N+8H5FN
Виробник: TI
02+ TQFP;
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TP2510N8T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN1310N8-P024
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Переключатель ПГ-3В 5П10Н (87г)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
8011 VS-SC10N-8.pdf
8011
+1
Виробник: VISATON
Category: Speakers
Description: Loudspeaker; tweeter; 50W; 8Ω; Ø104x33.5mm; Ø: 104mm
Impedance: 8Ω
Diameter: 104mm
Body dimensions: Ø104x33.5mm
Height: 33.5mm
Maximum power: 80W
Resonant frequency: 1700Hz
Type of sound transducer: loudspeaker
Kind of loudspeaker: tweeter
Power: 50W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1563.75 грн
2+ 1426.44 грн
5+ 1372.78 грн
B64290L0618X087 r_25_3_14_8_10_0.pdf
Виробник: EPCOS
Сердечник R25,3/14,8/10 N87 мю=2200±25% Al=2360±25% F~0,025…0,5МГц
на замовлення 3897 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+55.72 грн
10+ 46.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
B65813J0000R087 rm_10.pdf
Виробник: EPCOS
Сердечник RM10 N87 мю=1500 AL=4200±25 F~0,025…0,5МГц
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+87.98 грн
10+ 72.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
B65813J0250A087 rm_10.pdf
Виробник: EPCOS
Сердечник RM10 N87 мю=92 Al=250 d=0,44мм F~0,025…0,5 МГц
на замовлення 150 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+275.2 грн
10+ 226.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
B66358G0000X187 etd_29_16_10.pdf
Виробник: EPCOS
Сердечник ETD29/16/10 N87 мю=1610 AL=2200±25% F~0,025…0,5МГц
на замовлення 742 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+31.7 грн
10+ 26.05 грн
Мінімальне замовлення: 9
B66358G0100X187 etd_29_16_10.pdf
Виробник: EPCOS
Сердечник ETD29/16/10 N87 мю=1610 AL=621 d=0,1±0,02мм F~0,025…0,3МГц
на замовлення 372 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+55.72 грн
10+ 49.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
B66358G0200X187 etd_29_16_10.pdf
Виробник: EPCOS
Сердечник ETD29/16/10 N87 мю=281 AL=383 d=0,2±0,02мм F~0,025…0,3МГц
на замовлення 490 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+50.15 грн
10+ 41.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]